CN110993823A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110993823A
CN110993823A CN201911313023.7A CN201911313023A CN110993823A CN 110993823 A CN110993823 A CN 110993823A CN 201911313023 A CN201911313023 A CN 201911313023A CN 110993823 A CN110993823 A CN 110993823A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display panel
light
cathode
layer
functional layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911313023.7A
Other languages
English (en)
Inventor
胡泉
李松杉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201911313023.7A priority Critical patent/CN110993823A/zh
Publication of CN110993823A publication Critical patent/CN110993823A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，该显示面板包括背板层、发光功能层和阴极，所述阴极位于发光功能层远离背板层的一侧，其中，所述阴极的光穿透率大于20％，区别于现有技术，本实施例采用的阴极的穿透率大于20％，使得显示面板整体的光穿透率提高，因此降低了显示面板的损耗，从而提高了显示面板的发光特性。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Display，有机发光显示装置)具有自动发光功耗低、反应速度快、对比度更高、视角较广等特点。
传统的透明显示器为顶发射式OLED器件，顶发射式OLED包括基底，例如可以是柔性基底，设置在基板上的TFT(Thin Film Transistor)背板层，以及设置在TFT背板层上的反射层；发光结构层(例如OLED发光结构层)和阴极。其中，常采用ITO/Ag/ITO结构；阴极材料需满足透光性高、导电性好，常采用Ag、Mg或Mg/Ag合金。
但是阴极由于是Mg/Ag合金，导致OLED发出的光在穿透阴极后损耗非常大，发光效率大幅度降低，严重影响显示器的发光特性。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，区别于现有技术，本实施例采用的阴极的穿透率大于20％，使得显示面板整体的光穿透率提高，因此降低了显示面板的损耗，从而提高了显示面板的发光特性。
为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种显示面板，包括背板层、发光功能层和阴极，所述阴极位于发光功能层远离背板层的一侧，其中，所述阴极的光穿透率大于20％。
进一步的，所述阴极为铟锌氧化物和银的合金。
进一步的，所述铟锌氧化物与所述银的质量比范围为0.10至0.17。
进一步的，所述铟锌氧化物和银的合金的厚度范围为15至25nm。
进一步的，所述显示面板还包括反射层。
第二方面，本申请提供一种显示装置，所述显示装置包括上述内容所述的显示面板。
第三方面，本申请提供一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
提供背板层；
在所述背板层上制备发光功能层；
在所述发光功能层上制备阴极；
其中，所述阴极的光穿透率大于20％。
进一步的，所述在所述阳极上制备发光功能层，包括：
采用蒸镀的方式，在所述阳极上制备得到发光功能层。
进一步的，所述在所述发光功能层上制备阴极，包括：
采用蒸镀的方式，在所述发光功能层上制备得到阴极。
进一步的，所述方法还包括：
采用薄膜封装工艺对所述显示面板进行封装。
有益效果：本申请实施例中通过提供一种显示面板，该显示面板包括背板层、发光功能层和阴极，所述阴极位于发光功能层远离背板层的一侧，其中，所述阴极的光穿透率大于20％，区别于现有技术，本实施例采用的阴极的穿透率大于20％，使得显示面板整体的光穿透率提高，因此降低了显示面板的损耗，从而提高了显示面板的发光特性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供一种显示面板的一个实施例结构示意图；
图2是本申请实施例提供一种显示面板的制备方法的一个实施例流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
传统的透明显示器为顶发射式OLED器件，顶发射式OLED包括基底，例如可以是柔性基底，设置在基板上的TFT(Thin Film Transistor)背板层，以及设置在TFT背板层上的反射层；发光结构层(例如OLED发光结构层)和阴极。其中，常采用ITO/Ag/ITO结构；阴极材料需满足透光性高、导电性好，常采用Ag、Mg或Mg/Ag合金。但是阴极由于是Mg/Ag合金，导致OLED发出的光在穿透阴极后损耗非常大，发光效率大幅度降低，严重影响显示器的发光特性。
基于此，本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以下分别进行详细说明。
首先，本申请实施例中提供一种显示面板，该面板包括背板层、发光功能层和阴极，阴极位于发光功能层远离背板层的一侧，其中，阴极的光穿透率大于20％。
如图1所示，图1为本申请实施例中显示面板的一个实施例结构示意图，其中，该显示面板10包括背板层101、发光功能层102和阴极103，阴极103位于发光层远离背板层101层的一侧，其中，阴极103的光穿透率大于20％，本实施例中，显示面板10可为OLED显示面板10，OLED显示面板还包括阳极，OLED显示面板10中的OLED的效率和寿命与器件结构密切相关，可采用三明治夹层结构，即发光功能层102被阴极103和阳极像三明治一样夹在中间，本实施例中OLED可为顶发射式结构，顶发射式结构，光线从第一方向104发射，由于OLED制模温度低，所以可采用氧化铟一氧化锡玻璃电极(ITO)作为阳极；背板层101可为阵列基板，阵列基板上阵列分布有多个薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)，薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层，薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用，该显示面板10还包括阳极；发光功能层102包括空穴传输层、发光层和电子传输层，其中，发光层可以为有机半导体薄膜，由于大多数有机电致发光器件的材料是单极性，同时具有相同的空穴和电子传输特性的有机物很少，只能单一地传输电子或者空穴中的一种，采用这种单极性的有机材料作为单层器件的发光材料作为发光材料，则会出现电子和空穴的注入与传输不平衡，且易使发光区域靠近迁移率较小的载流子注入一侧的电极，因此空穴传输层和电子传输层使得来自阴极103和阳极的载流子更容易注入有机半导体薄膜中。
需要说明的是，上述显示面板10实施例中仅描述了上述结构，可以理解的是，除了上述结构之外，本申请实施例显示面板10中，还可以根据需要包括任何其他的必要结构，例如基板，缓冲层，层间介质层(ILD)等，具体此处不作限定。
本申请实施例中通过提供一种显示面板10，该显示面板10包括背板层101、发光功能层102和阴极103，阴极位于发光功能层远离背板层的一侧，其中，阴极103的光穿透率大于20％，区别于现有技术，本实施例采用的阴极103的穿透率大于20％，使得显示面板10整体的光穿透率提高，因此降低了显示面板10的损耗，从而提高了显示面板10的发光特性。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，阴极103为铟锌氧化物和银的合金，本实施例中，铟锌氧化物和银的合金的光穿透率为80％～90％，其中，铟锌氧化物具有电子迁移率高、开关比大、均匀性好、透光性佳、电学稳定性好。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，铟锌氧化物与银的质量比范围为0.10至0.17，本申请对此不作限定，具体视实际情况而当，本实施例中，铟锌氧化物与银的质量比范围在0.10至0.17之间，可使得铟锌氧化物和银的合金的光穿透率效果更好，例如，铟锌氧化物与银的质量比为0.12，铟锌氧化物和银的合金的光穿透率可为85％以上，因此可以有效降低显示面板10的损耗，从而提高了显示面板10的发光特性。
在一个具体实施例中，铟锌氧化物和银的合金的厚度范围为15至25nm，本申请对此不作限定，具体视实际情况而当，本实施例中，铟锌氧化物和银的合金的厚度范围在15至25nm之间，可使得铟锌氧化物和银的合金的光穿透率效果更好，例如，铟锌氧化物和银的合金的厚度为22nm，铟锌氧化物和银的合金的光穿透率可为85％，因此可以有效降低显示面板10的损耗，从而提高了显示面板10的发光特性。
在本申请的一个具体实施例中，显示面板还包括反射层，其中，反射层位于背板层和阳极之间，反射层可以将发光功能层发出的反向光进行反射，转换为正向光，即增加了光线的整体强度，更有效的减少了显示面板的损耗。
为了更好实施本申请实施例中显示面板10，在显示面板10的基础之上，本申请实施例中还提供一种显示装置，显示装置包括如上述实施例的显示面板10，具体的，显示装置可以是手机、电脑和电视机，本申请对此不做限定，具体视实际情况而定。
进一步的，本实施例中，显示装置可以是透明显示装置，对于透明显示装置而言，透明显示装置内部各层级的结构的透光率要求更高。
通过采用如上实施例中描述的显示面板10，该显示面板10包括背板层101、发光功能层102和阴极103，阴极103位于发光功能层远离背板层的一侧，其中，阴极103的光穿透率大于20％，区别于现有技术，本实施例采用的阴极103的穿透率大于20％，使得显示面板10整体的光穿透率提高，因此降低了显示面板10的损耗，从而提高了显示面板10的发光特性，进一步提升了显示装置的显示效果。
为了更好实施本申请实施例中显示面板10，在显示面板10的基础之上，本申请实施例中还提供一种显示面板10的制备方法，方法包括：提供背板层101；在背板层101上制备发光功能层102；在发光功能层102上制备阴极103；其中，阴极103的光穿透率大于20％。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供一种显示面板10的制备方法的一个实施例流程示意图，其中，方法包括：
201、提供背板层。
本实施例中，提供背板层101，其中的背板层101可以是阵列基板，阵列基板还包括阳极，需要说明的是，上述显示面板10实施例中仅描述了上述结构，可以理解的是，除了上述结构之外，本申请实施例显示面板10中，还可以根据需要包括任何其他的必要结构，例如基板，缓冲层，层间介质层(ILD)等，具体此处不作限定，对于有机小分子OLED可采用真空热蒸镀的方法进行制备，本实施例采用ITO作为阳极，在制备阳极过程中，对ITO玻璃进行刻蚀，制备得到所需要的阳极图形，接着进行图案化后的清洗工作，器件各层级的厚度仅为几十纳米，微粒为微米级的灰层或异物会造成有机材料无法形成连续薄膜并且影响薄膜表面的平整性，造成器件短路或者击穿，因此可以采用超声波清洗法对进行图案化后层级进行清洗工作。
202、在背板层上制备发光功能层。
本实施例中，在背板层101上制备发光功能层102过程中，紧接着201步骤的工序，接着把处理好的ITO玻璃衬底放入真空蒸镀中，当真空度达到3*10-4Pa以下时开始依次蒸镀空穴传输层、发光层和电子传输层，以制备得到发光功能层102。
203、在发光功能层上制备阴极。
其中，阴极103的光穿透率大于20％。
本实施例中，在发光功能层102上制备阴极103的过程中，在202步骤的工序后，在发光功能上蒸镀阴极103。
本申请实施例中通过提供了显示面板的制备方法，相比传统提供的显示面板10，该显示面板10包括背板层101、发光功能层102和阴极103，阴极位于发光功能层远离背板层的一侧，其中，阴极103的光穿透率大于20％，区别于现有技术，本实施例采用的阴极103的穿透率大于20％，使得显示面板10整体的光穿透率提高，因此降低了显示面板10的损耗，从而提高了显示面板10的发光特性。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，在阳极上制备发光功能层102，包括：
采用蒸镀的方式，在阳极上制备得到发光功能层102。
具体的，真空蒸镀工艺一般包括基片表面清洁、镀膜前的准备、蒸镀、取件、镀后处理、检测、成品等步骤，其中，基片表面清洁。真空室内壁、基片架等表面的油污、锈迹、残余镀料等在真空中易蒸发，直接影响膜层的纯度和结合力。镀前必须清沽干净；镀前准备包括镀膜室抽真空到合适的真空度，对基片和镀膜材料进行预处理。加热基片，其目的是去除水分和增强膜基结合力。在高真空下加热基片，能够使基片的表面吸附的气体脱附。然后经真空泵抽气排出真空室，有利于提高镀膜室真空度、膜层纯度和膜基结合力。然后达到一定真空度后.先对蒸发源通以较低功率的电，进行膜料的预热或者预熔，为防止蒸发到基板上，用挡板遮盖住蒸发源及源物质，然后输入较大功率的电，将镀膜材料迅速加热到蒸发温度，蒸镀时再移开挡板，在蒸镀阶段要选择合适的基片温度、镀料蒸发温度外，沉积气压是一个很重要的参数。沉积气压即镀膜室的真空度高低，决定了蒸镀空间气体分子运动的平均自由程和一定蒸发距离下的蒸气与残余气体原子及蒸气原子之间的碰撞次数，膜层厚度达到要求以后，用挡板盖住蒸发源并停止加热，但不要马上导入空气。
进一步的，方法还包括：
采用薄膜封装工艺对显示面板10进行封装。
具体的，由于玻璃基板对水、氧气的高阻隔能力，OLED封装薄膜只需要覆盖发光功能层102和电极顶部，本实施例采用SiOX/SiNX用于薄膜封装工艺。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文其他实施例中的详细描述，此处不再赘述。
具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板10及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括背板层、发光功能层和阴极，所述阴极位于发光功能层远离背板层的一侧，其中，所述阴极的光穿透率大于20％。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极为铟锌氧化物和银的合金。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述铟锌氧化物与所述银的质量比范围为0.10至0.17。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述铟锌氧化物和银的合金的厚度范围为15至25nm。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括反射层。
6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至5任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供背板层；
在所述背板层上制备发光功能层；
在所述发光功能层上制备阴极；
其中，所述阴极的光穿透率大于20％。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述阳极上制备发光功能层，包括：
采用蒸镀的方式，在所述阳极上制备得到发光功能层。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述发光功能层上制备阴极，包括：
采用蒸镀的方式，在所述发光功能层上制备得到阴极。
10.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
采用薄膜封装工艺对所述显示面板进行封装。
CN201911313023.7A 2019-12-18 2019-12-18 显示面板及其制备方法、显示装置 Pending CN110993823A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911313023.7A CN110993823A (zh) 2019-12-18 2019-12-18 显示面板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911313023.7A CN110993823A (zh) 2019-12-18 2019-12-18 显示面板及其制备方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110993823A true CN110993823A (zh) 2020-04-10

Family

ID=70095929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911313023.7A Pending CN110993823A (zh) 2019-12-18 2019-12-18 显示面板及其制备方法、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110993823A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140039131A1 (en) * 2011-03-28 2014-02-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Electronic device and polymer compound
CN105355800A (zh) * 2015-10-27 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种有源矩阵有机发光二极体基板及其显示装置
CN107785494A (zh) * 2016-08-24 2018-03-09 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140039131A1 (en) * 2011-03-28 2014-02-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Electronic device and polymer compound
CN105355800A (zh) * 2015-10-27 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种有源矩阵有机发光二极体基板及其显示装置
CN107785494A (zh) * 2016-08-24 2018-03-09 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8338223B2 (en) Fabrication method for organic electronic device and organic electronic device fabricated by the same method
KR101904953B1 (ko) 유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법
WO2019080252A1 (zh) Oled背板的制作方法
JP4755728B2 (ja) 有機ｅｌ素子に用いられるアノード構造体およびその製造方法ならびに有機ｅｌ素子
WO2016095330A1 (zh) Oled显示基板及其制造方法
KR20140000426A (ko) 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법
TWI239790B (en) Organic light-emitting device and fabrication method thereof
US20190173009A1 (en) Organic electroluminescent device and preparation method, evaporation device
JP2006344774A (ja) 有機ｅｌ素子、これを用いた有機ｅｌ表示装置、および有機ｅｌ素子の製造方法
CN109817669A (zh) 一种有机发光二极管显示器
US20090167163A1 (en) Fabrication Method For Organic Light Emitting Device And Organic Light Emitting Device Fabricated By The Same Method
TWI273710B (en) Organic electroluminescence device and fabricating method thereof
CN110993823A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN108305952B (zh) 一种有机发光二极管及其制作方法、显示器
JP2007080806A (ja) 有機発光表示装置及び蒸着方法
US20080268136A1 (en) Method of producing organic light emitting apparatus
WO2019227732A1 (zh) Oled发光器件及oled显示装置
KR101436548B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 및 그 제조방법
JP6023404B2 (ja) 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造の製造方法
US20240084441A1 (en) Sputtering target and sputtering apparatus including the same
JP5679292B2 (ja) 有機ｅｌ発光装置
TW200427368A (en) An organic light emitting diode structure
CN108232032B (zh) 有机发光显示装置、有机电致发光器件及其制备方法
KR102119037B1 (ko) 발광 구조를 형성하는 방법 및 이를 위한 장치
KR20060114599A (ko) 발광표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200410

RJ01 Rejection of invention patent application after publication