CN110993744A - 一种p型钝化接触电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种P型钝化接触电池的制备方法，包括：步骤1，对制绒后的硅片正面依次制备遂穿氧化层和本征非晶硅层；步骤2，对所述本征非晶硅层进行退火处理；步骤3，刻蚀所述硅片指定区域的所述本征非晶硅层形成金属覆盖区，用于制作选择性发射极；步骤4，对所述本征非晶硅层进行磷掺杂，形成磷硅玻璃层，所述磷硅玻璃层与所述遂穿氧化层构成TopCon结构。通过在电池结构正面采用由隧穿氧化硅层与掺杂磷的非晶硅层组成的TopCon结构钝化技术，代替现有单纯的氮化硅表面钝化，极大的降低电池正面表面复合，由于该结构非常薄，在解决硅片光吸收的同时，提高电池的正面钝化，提升电池的性能。
Description
技术领域
本发明涉及光伏组件制备技术领域，更具体地说，涉及一种P型钝化接触电池的制备方法。
背景技术
太阳能行业作为清洁能源产业之一，现阶段正在飞速的发展，其中以硅基电池的应用最为广泛，因而其效率的提升也一直受到人们的广泛关注。当前晶硅电池产业化产品仍以P型电池为主导，相比N型电池，其稳定成熟的制备工艺决定了其在光伏市场当前乃至以后很长一段时间的主导地位。
现有的局部钝化的PERC高效太阳能电池普遍采用碱刻蚀，容易对衬底造成损伤，增大接触区域的复合速率，工艺较难控制，对设备要求高。
发明内容
本发明提供了一种P型钝化接触电池的制备方法，采用新的钝化技术，提升了电池的性能，工艺简单、增加工艺成本较少。
为解决上述技术问题，本发明提供的一种P型钝化接触电池的制备方法，包括：
步骤1，对制绒后的硅片正面依次制备遂穿氧化层和本征非晶硅层；
步骤2，对所述本征非晶硅层进行退火处理；
步骤3，刻蚀所述硅片指定区域的所述本征非晶硅层形成金属覆盖区，用于制作选择性发射极；
步骤4，对所述本征非晶硅层进行磷掺杂，形成磷硅玻璃层，所述磷硅玻璃层与所述遂穿氧化层构成TopCon结构。
其中，所述步骤3包括：
采用丝网印刷的方式通过刻蚀浆料刻蚀所述本征非晶硅层。
其中，所述遂穿氧化层的厚度为1nm～3nm。
其中，所述本征非晶硅层的厚度为90nm～100nm。
其中，制备所述遂穿氧化层包括：
采用热氧化制备所述遂穿氧化层，或采用热硝酸制备所述遂穿氧化层，或采用臭氧制备所述遂穿氧化层。
其中，所述步骤2包括：
在氮气环境中，采用950℃～1050℃的温度对所述硅片退火20min～60min。
其中，所述本征非晶硅层的制备方法包括采用LPVCD、PECVD或APCVD制备所述本征非晶硅层。
其中，对所述本征非晶硅层进行磷掺杂包括采用热扩散或离子注入对所述本征非晶硅层进行磷掺杂。
其中，所述采用离子注入对所述本征非晶硅层进行磷掺杂包括：
采用原位参杂的方式对所述本征非晶硅层进行磷掺杂；
对所述本征非晶硅层进行退火，激活掺杂的磷原子。
其中，所在所述步骤4之后，还包括：
步骤5，在所述硅片的正面沉积氮化硅层，在所述硅片的背面依次沉积氧化铝层和氮化硅层；
步骤6，对所述硅片的背面预定区域进行激光刻蚀，去除所述预定区域的所述氧化铝层、所述氮化硅层；
步骤7，对所述硅片的背面印刷铝银电极和铝背场，对所述硅片的正面印刷正面电极。
本发明实施例提供的P型钝化接触电池的制备方法与现有技术相比较，具有以下优点：
所述P型钝化接触电池的制备方法，通过在电池结构正面采用由隧穿氧化硅层与掺杂磷的非晶硅层组成的TopCon结构钝化技术，代替现有单纯的氮化硅表面钝化，极大的降低电池正面表面复合，由于该结构非常薄，在解决硅片光吸收的同时，提高电池的正面钝化，提升电池的性能，而且由于该结构仅仅是沉积隧穿氧化硅层与掺杂磷的非晶硅层，采用现有的设备即可完成，无需添加新的设备，增加的工艺流程有限，在提升电池性能的同时，增加的工艺成本非常有限。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的P型钝化接触电池的制备方法的一个实施例的步骤流程示意图；
图2为本申请提供的P型钝化接触电池的制备方法的另一个实施例的步骤流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1-图2所示，图1为本申请提供的P型钝化接触电池的制备方法的一个实施例的步骤流程示意图；图2为本申请提供的P型钝化接触电池的制备方法的另一个实施例的步骤流程示意图。
在一种具体实施方式中，本发明提供的P型钝化接触电池的制备方法，包括：
步骤1，对制绒后的硅片正面依次制备遂穿氧化层和本征非晶硅层；
步骤2，对所述本征非晶硅层进行退火处理；退火的目的在于提高本征非晶硅结晶的状况，降低对光的吸收。
步骤3，刻蚀所述硅片指定区域的所述本征非晶硅层形成金属覆盖区，用于制作选择性发射极；设置金属覆盖区，这为将来的设置选装型发射极的制备提供条件。
步骤4，对所述本征非晶硅层进行磷掺杂，形成磷硅玻璃层，所述磷硅玻璃层与所述遂穿氧化层构成TopCon结构。
通过在电池结构正面采用由隧穿氧化硅层与掺杂磷的非晶硅层组成的TopCon结构钝化技术，代替现有单纯的氮化硅表面钝化，极大的降低电池正面表面复合，由于该结构非常薄，在解决硅片光吸收的同时，提高电池的正面钝化，提升电池的性能，而且由于该结构仅仅是沉积隧穿氧化硅层与掺杂磷的非晶硅层，采用现有的设备即可完成，无需添加新的设备，增加的工艺流程有限，在提升电池性能的同时，增加的工艺成本非常有限。
本发明中对于刻蚀所述硅片指定区域的所述本征非晶硅层形成金属覆盖区，用于制作选择性发射极的工艺方式不做限定，在一个实施例中，为了简化工艺流程，所述步骤3包括：
采用丝网印刷的方式通过刻蚀浆料刻蚀所述本征非晶硅层。
采用丝网印刷的方式通过刻蚀浆料代替掩膜和ink工艺，简化了工艺流程，提高了工艺流程的稳定性，提升了电池的开路电压，进一步提高了电池的效率。
本发明中对于丝网印刷的工艺以及采用的刻蚀浆料不做限定。
采用刻蚀浆料选择性刻蚀非非晶硅层，保留氧化硅部分，形成选择性的TopCon结构，在非金属覆盖区表面不再保留TopCon结构，而在金属覆盖区域保留TopCon结构，即在最后的产品中只有发射极对应的部位才保留有TopCon结构。
本发明中对于遂穿氧化层的厚度以及具体工艺、本征非晶硅层的厚度以及具体工艺不做限定，一般所述遂穿氧化层的厚度为1nm～3nm，所述本征非晶硅层的厚度为90nm～100nm。
而制备遂穿氧化层的工艺一般如下。
制备所述遂穿氧化层包括：
采用热氧化制备所述遂穿氧化层，或采用热硝酸制备所述遂穿氧化层，或采用臭氧制备所述遂穿氧化层。
其中，所述本征非晶硅层的制备方法包括采用LPVCD、PECVD或APCVD制备所述本征非晶硅层。
在本发明中，对硅片进行退火的目的在于硅片进行退火主要非沉积的本征非晶硅层进行一定的处理，降低其对于光的吸收，本发明对于其中具体工艺不做限定，一般所述步骤2包括：
在氮气环境中，采用950℃～1050℃的温度对所述硅片退火20min～60min。
在一个实施例中，在氮气环境中，采用950℃的温度对所述硅片退火20min。
需要指出的是，在本发明中对于硅片进行选择性刻蚀之后，为了避免在后续的磷掺杂中引入其他的杂质，需要进行刻蚀浆料的清洗，采用HF/HCl和双氧水或盐水与臭氧溶液的组合进行清洗，前者用于清洗浆料，后者用于去除有机残留物，本发明对于具体的清洗溶液的浓度以及清洗时间不作限定。
本发明中需要对本征非晶硅进行磷扩散形成需要的功能结构，一般对所述本征非晶硅层进行磷掺杂包括采用热扩散或离子注入对所述本征非晶硅层进行磷掺杂。
而采用离子注入有多种方式，而在一个实施例中，所述采用离子注入对所述本征非晶硅层进行磷掺杂包括：
采用原位参杂的方式对所述本征非晶硅层进行磷掺杂；
对所述本征非晶硅层进行退火，激活掺杂的磷原子。
本发明对于激活杂质的温度不做限定。
本发明中对于在完成TopCon结构后硅片的其它工艺不做限定，一般在所述步骤4之后，还包括：
步骤5，在所述硅片的正面沉积氮化硅层，在所述硅片的背面依次沉积氧化铝层和氮化硅层；
步骤6，对所述硅片的背面预定区域进行激光刻蚀，去除所述预定区域的所述氧化铝层、所述氮化硅层；
步骤7，对所述硅片的背面印刷铝银电极和铝背场，对所述硅片的正面印刷正面电极。
本发明中采用结晶非常好(通过高温退火的方式获得)且厚度非常薄的TopCon结构作为电池正面表面接触区域的钝化，在解决非晶硅光吸收问题的同时提高电池正面钝化，正面非金属接触区域的负荷电流可以从原来的120fA/cm2，减低到20fA/cm2，可以降低为原先的六分之一，大大提升了电池的性能。采用刻蚀浆料的工艺代替掩膜和ink工艺，简化工艺流程，在提高工艺流程稳定性的同时，在正面形成选择性发射极，提升电池的电流，进一步提升电池的开路电源，进一步提升工艺的稳定性和可重复性，优化工艺流程，降低工艺成本。
综上所述，本发明实施例提供的P型钝化接触电池的制备方法，通过在电池结构正面采用由隧穿氧化硅层与掺杂磷的非晶硅层组成的TopCon结构钝化技术，代替现有单纯的氮化硅表面钝化，极大的降低电池正面表面复合，由于该结构非常薄，在解决硅片光吸收的同时，提高电池的正面钝化，提升电池的性能，而且由于该结构仅仅是沉积隧穿氧化硅层与掺杂磷的非晶硅层，采用现有的设备即可完成，无需添加新的设备，增加的工艺流程有限，在提升电池性能的同时，增加的工艺成本非常有限。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种P型钝化接触电池的制备方法，其特征在于，包括：
步骤1，对制绒后的硅片正面依次制备遂穿氧化层和本征非晶硅层；
步骤2，对所述本征非晶硅层进行退火处理；
步骤3，刻蚀所述硅片指定区域的所述本征非晶硅层形成金属覆盖区，用于制作选择性发射极；
步骤4，对所述本征非晶硅层进行磷掺杂，形成磷硅玻璃层，所述磷硅玻璃层与所述遂穿氧化层构成TopCon结构。
2.如权利要求1所述P型钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述步骤3包括：
采用丝网印刷的方式通过刻蚀浆料刻蚀所述本征非晶硅层。
3.如权利要求2所述P型钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述遂穿氧化层的厚度为1nm～3nm。
4.如权利要求3所述P型钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述本征非晶硅层的厚度为90nm～100nm。
5.如权利要求1所述P型钝化接触电池的制备方法，其特征在于，制备所述遂穿氧化层包括：
采用热氧化制备所述遂穿氧化层，或采用热硝酸制备所述遂穿氧化层，或采用臭氧制备所述遂穿氧化层。
6.如权利要求1所述P型钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述步骤2包括：
在氮气环境中，采用950℃～1050℃的温度对所述硅片退火20min～60min。
7.如权利要求1所述P型钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述本征非晶硅层的制备方法包括采用LPVCD、PECVD或APCVD制备所述本征非晶硅层。
8.如权利要求1所述P型钝化接触电池的制备方法，其特征在于，对所述本征非晶硅层进行磷掺杂包括采用热扩散或离子注入对所述本征非晶硅层进行磷掺杂。
9.如权利要求8所述P型钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述采用离子注入对所述本征非晶硅层进行磷掺杂包括：
采用原位参杂的方式对所述本征非晶硅层进行磷掺杂；
对所述本征非晶硅层进行退火，激活掺杂的磷原子。
10.如权利要求9所述P型钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所在所述步骤4之后，还包括：
步骤5，在所述硅片的正面沉积氮化硅层，在所述硅片的背面依次沉积氧化铝层和氮化硅层；
步骤6，对所述硅片的背面预定区域进行激光刻蚀，去除所述预定区域的所述氧化铝层、所述氮化硅层；
步骤7，对所述硅片的背面印刷铝银电极和铝背场，对所述硅片的正面印刷正面电极。
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|---|---|
| CN (1) | CN110993744A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114597285A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-06-07 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件 |
| CN115207135A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-18 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种perc电池的制备方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102842650A (zh) * | 2012-09-12 | 2012-12-26 | 英利集团有限公司 | N型太阳能电池板的制作方法以及n型太阳能电池板 |
| CN107195699A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-09-22 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种钝化接触太阳能电池及制备方法 |
| CN109524480A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-26 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种局域接触钝化的p型晶硅太阳电池及其制备方法 |
| CN109841693A (zh) * | 2019-02-25 | 2019-06-04 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化接触结构及太阳能电池 |
| CN110061083A (zh) * | 2019-02-19 | 2019-07-26 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种全正面钝化接触高效p型晶硅太阳电池的制备方法 |
| CN110137274A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-16 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种双面钝化接触的p型高效电池及其制备方法 |
| CN110190156A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-08-30 | 无锡松煜科技有限公司 | TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法 |
| CN110190137A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-08-30 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种用于正面接触钝化的双层钝化膜及其制备方法 |
| CN110265494A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-09-20 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 一种局部背场TOPCon太阳能电池及其制备方法 |
| CN110581198A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-12-17 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法 |
| CN111009593A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-04-14 | 江苏杰太光电技术有限公司 | 一种基于pvd技术制备局部多晶硅薄膜钝化接触的方法 |
-
2019
- 2019-12-26 CN CN201911370320.5A patent/CN110993744A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102842650A (zh) * | 2012-09-12 | 2012-12-26 | 英利集团有限公司 | N型太阳能电池板的制作方法以及n型太阳能电池板 |
| CN107195699A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-09-22 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种钝化接触太阳能电池及制备方法 |
| CN109524480A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-26 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种局域接触钝化的p型晶硅太阳电池及其制备方法 |
| CN110061083A (zh) * | 2019-02-19 | 2019-07-26 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种全正面钝化接触高效p型晶硅太阳电池的制备方法 |
| CN109841693A (zh) * | 2019-02-25 | 2019-06-04 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化接触结构及太阳能电池 |
| CN110190137A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-08-30 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种用于正面接触钝化的双层钝化膜及其制备方法 |
| CN110137274A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-16 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种双面钝化接触的p型高效电池及其制备方法 |
| CN110190156A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-08-30 | 无锡松煜科技有限公司 | TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法 |
| CN110265494A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-09-20 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 一种局部背场TOPCon太阳能电池及其制备方法 |
| CN110581198A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-12-17 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法 |
| CN111009593A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-04-14 | 江苏杰太光电技术有限公司 | 一种基于pvd技术制备局部多晶硅薄膜钝化接触的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 云斯宁: "《新型能源材料与器件》", 31 January 2019 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114597285A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-06-07 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件 |
| CN114597285B (zh) * | 2022-02-24 | 2023-11-07 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件 |
| CN115207135A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-18 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种perc电池的制备方法 |
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