CN110993543B - 方舟结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了方舟结构，包括方舟框架、第一舟板、第二舟板和匀流板；方舟支架顶部和底部都设置匀流板；第一舟板、第二舟板间隔排布在顶部匀流板和底部匀流板之间；本发明提供了一种结构简单、舟板之间形成加强的电场的方舟结构。
Description
技术领域
本发明涉及半导体或光伏材料加工领域，更具体的说，它涉及一种半导体或光伏材料加工设备的方舟结构。
背景技术
半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业，半导体和光伏材料通常都需要经过化学处理才能够应用到产品上，CVD技术是其中的一种处理方式，CVD即化学气相沉积，CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工，常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等，除了CVD之外还有扩散工艺，例如磷扩散、硼扩散等，都可以采用气体扩散的方式来对原材料进行加工，目前行业内已有不少相关的设备，可以针对具体的加工需求来选择相应的设备进行加工，半导体或光伏材料的加工，通常是将片状材料送入炉中在一定温度和压力的条件下进行反应来实现，在对半导体或者光伏材料加工的过程中，通常采用一些装置来装载或移动待加工的、加工中的或者加工后的材料，行业内通常把这种装载或者移动的装置称为舟、石墨舟、小舟或者花篮。
目前的设备中存在如下问题：石墨方舟通常尺寸较大，一般都能达到2米左右，电场从整个石墨舟尾部传递到前部会产生很大差异，难以获得均匀一致的电场。石墨方舟的舟板竖直设置，相应加工材料如硅片也是竖直放置在舟板之间，与石墨舟片贴合。由于硅片需要竖直放置，会出现硅片表面与舟板表面贴合不紧的情况，从而导致硅片导电不良，工艺后的硅片出现绕镀，硅片四周会产生黑边，且存在倒片的风险，致使不良品率升高。设备整体产能仍然较低。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足，提供了一种结构简单、舟板之间形成加强的电场的方舟结构。
本发明的技术方案如下：
方舟结构，包括方舟框架、第一舟板、第二舟板和匀流板；方舟支架顶部和底部都设置匀流板；第一舟板、第二舟板间隔排布在顶部匀流板和底部匀流板之间；方舟框架包括固定柱、底板和顶部固定架；固定柱连接底板和顶部固定架；顶部固定架和底板相应位置上都设置电极柱固定孔；其中，第一舟板、第二舟板上设置与固定柱相匹配的槽；
第一舟板、第二舟板之间设置支撑柱；支撑柱设置在第一舟板、第二舟板的边角位置；上一层的第一舟板和下一层的第一舟板之间设置电极柱，上一层的第二舟板和下一层的第二舟板之间设置电极柱；第一舟板设置的电极柱和第二舟板设置的电极柱不在同一水平线上；处于最上层的第一舟板或第二舟板与顶部固定架的电极柱固定孔连接，处于最下层的第一舟板或第二舟板与底板的电极柱固定孔连接；
电极柱包括底部和顶部，底部整体呈圆环柱形，顶部整体呈圆柱形，底部的外径大于顶部的直径；底部的内径与顶部的直径相适配，实现电极柱与电极柱之间的叠加；
第一舟板上的电极柱设置至少两个，电极柱之间设置导电连接杆，第二舟板上的电极柱设置至少两个，电极柱之间也设置导电连接杆；此设置使所在第一舟板和第二舟板整体形成电极。
进一步的，顶部固定架采用矩形，固定柱两端焊接在底板和顶部固定架上。
进一步的，支撑柱采用绝缘材料；第一舟板、第二舟板相应位置上设置放置加工产品的凹槽。
进一步的，底板设置支撑脚。
进一步的，匀流板与第一舟板和第二舟板连接电极柱的相应位置上设置缺角。
进一步的，电极柱的底部侧面采用绝缘材料覆盖。
进一步的，支撑柱整体呈圆柱形，第一舟板和第二舟板连接支撑柱的相应位置处都设置相应的孔。
进一步的，第一舟板和第二舟板的整体形状、结构相同，只在第二舟板上与第一舟板设置电极柱的对应位置处设置缺口，而在第一舟板上与第二舟板设置电极柱的对应位置处设置缺口。
本发明的优点在于：
本方案整体通过方舟框架提供放置交替设置的第一舟板、第二舟板的空间。方舟框架包括固定柱、底板和顶部固定架。固定柱两端采用焊接的方式固定在底板和顶部固定架上。顶部固定架和底板相应位置上都设置电极柱固定孔。其中第一舟板、第二舟板上设置与固定柱相匹配的槽，以此进一步提供稳固第一舟板、第二舟板的空间，避免出现方舟连接不稳，出现散架的状况。固定柱上的槽为凹型槽，槽的高度与第一舟板、第二舟板的厚度相适应，便于第一舟板、第二舟板放入方舟框架上。
本方案支撑柱设置在第一舟板、第二舟板的边角位置，且采用绝缘材料，不会影响第一舟板、第二舟板的设置，还能提高整体的稳定性。本方案通过交错分布多个第一舟板和第二舟板，这样产能可以大幅度提升，同时高度方向可以有效控制。在第一舟板、第二舟板上设置凹槽，当方舟在炉体本体里放置不水平的时候，需要生产的产品材料也能贴合方舟中的第一舟板或第二舟板。在镀减反膜工艺后，产品材料不会出现绕镀现象。平行设置的第一舟板、第二舟板具有更优的热场，热量从四面向炉体内部辐射，热量可辐射整个方舟的表面，不存在阻挡，从而能有效获得均匀一致的温度场。
本方案导电连接杆两端套接在电极柱的顶部，此设置提升整个方舟电场的均匀效果，电场将从第一舟板、第二舟板的两侧电极柱同时引入，保障了每个第一舟板、第二舟板的整个面积上电场的一致性，使方舟内产生的电场更均匀，加工材料的膜厚均匀性更好。
附图说明
图1为本发明的结构图；
图2为本发明的第一舟板、第二舟板之间的爆炸图；
图3为本发明的第二舟板俯视图。
图中标识：第一舟板1-1、第二舟板1-2、支撑柱1-3、匀流板3、支撑脚4、电极柱5、导电连接杆6、方舟框架7、固定柱8、底板9、顶部固定架10、固定孔11。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例：
如图1所示，方舟结构，包括方舟框架7、第一舟板1-1、第二舟板1-2和匀流板3；方舟框架7顶部和底部都设置匀流板3；多个第一舟板1-1、第二舟板1-2间隔排布在顶部匀流板3和底部匀流板3之间。整体通过方舟框架7提供放置交替设置的第一舟板1-1、第二舟板1-2的空间。其中，匀流板3的设置去除了顶端和底端工艺处理效果不好的状况。
方舟框架7包括固定柱8、底板9和顶部固定架10。固定柱8连接底板9和顶部固定架10；固定柱8两端采用焊接的方式固定在底板9和顶部固定架10上。顶部固定架10和底板9相应位置上都设置电极柱固定孔11。第一舟板1-1、第二舟板1-2一般采用矩形，因此顶部固定架10采用矩形能更好的起到固定第一舟板1-1、第二舟板1-2的作用。其中第一舟板1-1、第二舟板1-2上设置与固定柱8相匹配的槽，以此进一步提供稳固第一舟板1-1、第二舟板1-2的空间，避免出现方舟连接不稳，出现散架的状况。具体的槽为凹型槽，槽的高度与第一舟板1-1、第二舟板1-2的厚度相适应，便于第一舟板1-1、第二舟板1-2放入方舟框架7上。
方舟框架7底部设置支撑脚4，稳定整个方舟。匀流板3上设置一定数量的缺角，例如采用四个缺角，同一极性的电极柱5采用相互对角错位设置，更好的完成第一舟板1-1、第二舟板1-2的电极成型。
具体的第一舟板1-1、第二舟板1-2相互间隔排布，且水平设置，从而形成高度可控、产量可控的方舟，即第一舟板1-1、第二舟板1-2都为多个，每两个第一舟板1-1之间要插入一个第二舟板1-2。因为方舟中的每个第一舟板1-1、第二舟板1-2上的待加工材料放置量，容易设计成达到12片及以上，其产能也能更大幅度的提升。其中，第一舟板1-1、第二舟板1-2的形状、结构基本相同，只因设置相应的电极柱5，而需要在第一舟板1-1、第二舟板1-2上设置不同位置的缺口和连接电极柱5的孔。图2、图3所示，第一舟板1-1上未设置待加工材料，第二舟板1-2上已放置待加工材料。
第一舟板1-1、第二舟板1-2之间设置支撑柱1-3。支撑柱1-3设置在第一舟板1-1、第二舟板1-2的边角位置，其采用绝缘材料，整体呈圆柱形。第一舟板1-1和第二舟板1-2连接支撑柱1-3的相应位置处都设置相应的孔，实现第一舟板1-1和第二舟板1-2通过支撑柱1-3连接固定的结构，形成稳固性更高的高度可控的方舟。平行设置的舟板具有比传统更优的热场，热量从四面向炉体内部辐射。由于第一舟板1-1、第二舟板1-2与待加工材料平面和热量辐射方向相平行，使得热量可辐射整个方舟，从而能有效获得均匀一致的温度场。
第一舟板1-1、第二舟板1-2相应位置上设置放置待加工材料的凹槽，例如硅片的放置位置，使得硅片被放置在第一舟板1-1或第二舟板1-2上时不发生漂移现象。凹槽的形状采用矩形、圆柱形等都可，只要能提供放置待加工材料的空间即可。凹槽避免了工艺气体在待加工材料四周的吸附效应，提升工艺镀膜质量。使得当方舟在炉体本体里放置不水平时，设置于方舟内的待加工材料也能贴合方舟的第一舟板1-1和第二舟板1-2。该设计使得在镀减反膜工艺后，加工材料不会出现绕镀现象。
上一层的第一舟板1-1和下一层的第一舟板1-1之间设置电极柱5，上一层的第二舟板1-2和下一层的第二舟板1-2之间设置电极柱5。处于最上层的第一舟板1-1或第二舟板1-2与顶部固定架的电极柱固定孔11连接，处于最下层的第一舟板1-1或第二舟板1-2与底板的电极柱固定孔11连接。电极柱5包括底部和顶部，底部整体呈圆环柱形，顶部整体呈圆柱形，底部的外径大于顶部的直径。底部的内径与顶部的直径相适配，实现电极柱5的叠加，达到电极柱5完好的隔层嵌套。电极柱5的顶部与第一舟板1-1或第二舟板1-2连接，由电极柱5实现每一个第一舟板1-1都形成正极，每一个第二舟板1-2都形成负极，或者两者正负极相互对调。方舟通过电极柱5接入电源而形成均匀的电场，实现待加工材料上的膜厚均匀性更好。如连接第一舟板1-1的电极柱5通入正极，连接第二舟板1-2的电极柱5通入负极，从而第一舟板1-1形成正极，第二舟板1-2形成负极，从而形成了均匀的电场。其中，电极柱5的底部侧面采用绝缘材料覆盖，避免出现电极柱5与第一舟板1-1、第二舟板1-2发生短路。
作为优选，第一舟板1-1上的电极柱5设置至少两个，且设置在第一舟板1-1的两侧。在方舟中最靠近电源接入的第一舟板1-1的电极柱5之间设置导电连接杆6；第二舟板1-2上的电极柱5设置至少两个，且设置在第二舟板1-2的两侧。在方舟中最靠近电源接入的第二舟板1-2的电极柱5之间也设置导电连接杆6；此设置使所在第一舟板1-1和第二舟板1-2整体形成电极。导电连接杆6被绝缘材料覆盖，只露出导电连接杆6的两端。导电连接杆6两端一般套接在电极柱5的顶部，显而易见，也可以与底部连接，此设置提升整个方舟电场的均匀效果，电场将从第一舟板1-1、第二舟板1-2的两侧电极柱同时引入，保障了每个第一舟板1-1、第二舟板1-2的整个面积上电场的一致性，使方舟内产生的电场更均匀，加工材料的膜厚均匀性更好。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明保护范围内。
Claims (8)
1.方舟结构，其特征在于：包括方舟框架、第一舟板、第二舟板和匀流板；方舟支架顶部和底部都设置匀流板；第一舟板、第二舟板间隔排布在顶部匀流板和底部匀流板之间；方舟框架包括固定柱、底板和顶部固定架；固定柱连接底板和顶部固定架；顶部固定架和底板相应位置上都设置电极柱固定孔；其中，第一舟板、第二舟板上设置与固定柱相匹配的槽；第一舟板、第二舟板之间设置支撑柱；支撑柱设置在第一舟板、第二舟板的边角位置；上一层的第一舟板和下一层的第一舟板之间设置电极柱，上一层的第二舟板和下一层的第二舟板之间设置电极柱；第一舟板设置的电极柱和第二舟板设置的电极柱不在同一水平线上；处于最上层的第一舟板或第二舟板与顶部固定架的电极柱固定孔连接，处于最下层的第一舟板或第二舟板与底板的电极柱固定孔连接；电极柱包括底部和顶部，底部整体呈圆环柱形，顶部整体呈圆柱形，底部的外径大于顶部的直径；底部的内径与顶部的直径相适配，实现电极柱与电极柱之间的叠加；第一舟板上的电极柱设置至少两个，电极柱之间设置导电连接杆，第二舟板上的电极柱设置至少两个，电极柱之间也设置导电连接杆；此设置使所在第一舟板和第二舟板整体形成电极。
2. 根据权利要求1 所述的方舟结构，其特征在于：顶部固定架采用矩形，固定柱两端焊接在底板和顶部固定架上。
3. 根据权利要求1 所述的方舟结构，其特征在于：支撑柱采用绝缘材料；第一舟板、第二舟板相应位置上设置放置加工产品的凹槽。
4. 根据权利要求1 所述的方舟结构，其特征在于：底板设置支撑脚。
5. 根据权利要求1 所述的方舟结构，其特征在于：匀流板与第一舟板和第二舟板连接电极柱的相应位置上设置缺角。
6. 根据权利要求1 所述的方舟结构，其特征在于：电极柱的底部侧面采用绝缘材料覆盖。
7. 根据权利要求1 所述的方舟结构，其特征在于：支撑柱整体呈圆柱形，第一舟板和第二舟板连接支撑柱的相应位置处都设置相应的孔。
8. 根据权利要求7 所述的方舟结构，其特征在于：第一舟板和第二舟板的整体形状、结构相同，只在第二舟板上与第一舟板设置电极柱的对应位置处设置缺口，而在第一舟板上与第二舟板设置电极柱的对应位置处设置缺口。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0843338A1 (en) * | 1996-11-15 | 1998-05-20 | Upsys | An improved boat for supporting semiconductor wafers |
| US5811876A (en) * | 1995-04-27 | 1998-09-22 | Nec Corporation | Semiconductor device with film carrier package structure |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5811876A (en) * | 1995-04-27 | 1998-09-22 | Nec Corporation | Semiconductor device with film carrier package structure |
| EP0843338A1 (en) * | 1996-11-15 | 1998-05-20 | Upsys | An improved boat for supporting semiconductor wafers |
| EP3029721A1 (en) * | 2014-12-02 | 2016-06-08 | Tempress IP B.V. | Wafer boat and use thereof |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 玻璃钢/钢复合结构带式舟桥方舟的制作工艺;陈启飞等;《工程塑料应用》(第04期);全文 * |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: No.1, Jikang Road, Kengzi street, Pingshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: Laplace New Energy Technology Co.,Ltd. Address before: No.1, Jikang Road, Kengzi street, Pingshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: SHENZHEN LAPLACE ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |