CN110983275B - 一种petg矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法,包括以下步骤:对待处理PETG矫治器进行超声清洗后,根据需要或可局部遮掩置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上再依次进行等离子体清洗、沉积纯银打底层、沉积过渡层、沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层步骤以及取出包装等步骤。PETG矫治器在经本发明方法处理以后,具有更好的结合强度、更高的表面光洁度、更优的镀层致密度等优点,创新性地解决了患者长时间佩戴矫治器而产生的细菌滋生甚至软组织伤害等问题,可满足PETG基隐形矫治器表面抗菌复合涂层的低温制备需求。
Description
技术领域
本发明属于数字化正畸、口腔医疗技术领域,具体涉及一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法。
背景技术
随国民生活质量、消费观念及审美意识的逐渐提高,消费者愈发重视牙齿排列的视觉审美和口齿功能的健康、舒适、稳定等感觉上的美感;近年来,因计算机三维重建技术在口腔医疗领域中的广泛应用,口腔正畸产业所涉及的新型矫治器械迎来了质的飞跃。自PETG基(聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯)无托槽隐形矫治器在临床中使用以来,全世界有超过300万例患者在过去的20年中接受了无托槽隐形矫治器的治疗,并且有越来越多的患者倾向于使用该器械矫治牙齿的趋势。
然而,PETG矫治器在具体服役过程中,因托槽内部结构复杂、与患者牙齿长时接触、口腔环境食物残渣和微生物群等因素会导致菌斑附着增加、菌斑内微生物平衡失调、口腔生理自洁能力下降、釉质脱矿及牙周损害等口腔卫生问题,已经影响到该新颖性产品的普及推广。此外,因常规PETG基医用高分子材料的玻璃化温度仅85℃左右,从保障产品尺寸精度的角度出发,大大限制了抗菌涂层的可选制备方法。物理气相沉积领域多种沉积技术都可以获得结合强度好、表面光洁度高且和成分可精准调控的抗菌涂层;但,唯有磁控溅射离子镀技术可实现室温下多种功能涂层的制备沉积。
纳米Ag/TiO2涂层虽已在口腔正畸领域表现出较为优异的抗菌性能,但当前常见制备方法仍为针对金属类(熔点高、耐温好)托槽的溶胶凝胶法少量制备;针对本案中涉及的新颖的、耐温仅85℃的PETG基隐形矫治器表面抗菌复合涂层的批量生产需求,若利用磁控溅射离子镀技术于PETG基隐形矫治器表面制备一层可精确控制厚度的银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层,则将解决隐形矫治器服役过程中托槽周边牙釉质龋和正畸治疗引起的牙周损伤等正畸临床常见棘手问题,并推进纳米技术在口腔正畸材料领域的广泛应用。然而,目前国内尚无有关PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温、批量制备方法。
发明内容
本发明的目的是提供了一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法,本发明方法处理后将解决隐形矫治器服役过程中托槽周边牙釉质龋和正畸治疗引起的牙周损伤等正畸临床常见棘手问题。
本发明所采用的技术方案是,PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法,在PETG矫治器表面局部(凹槽内部)或整体镀厚度为100~400nm的银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层;包括以下步骤:
(1)选取PETG矫治器作为基材,对基材进行前清洗处理;
(2)将步骤1清洗后的PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上,该工作盘在下述各步骤中保持公自转运动;所述真空腔室内放置有高纯Ag靶材和高纯Ti靶材;
(3)等离子体清洗:将步骤2中的真空腔室抽真空,使该真空腔室的真空度不高于3.0×10-3Pa,再通入氩气,保持此步骤中该真空腔室中的工作气压为1.0×10-1~3.0×10-1Pa;然后在Ag靶材上施加0.02~1A电流,同时,对PETG矫治器所在工件架施加负偏压值为150~300V、脉冲宽度为0.2~5μs、且脉冲频率为5~350KHz的脉冲偏压,以对PETG矫治器进行溅射清洗,溅射清洗时间为1~20min;
(4)沉积纯银打底层:等离子体清洗后,保持真空腔室中的工作气压为1.0~3.0×10-1Pa;将Ag靶材的靶电流调节至0.5~3.0A,同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值调节至0~90V、脉冲宽度为0.2~5μs、且脉冲频率为5~350KHz的脉冲偏压,沉积金属打底层时间为1~10min;
(5)沉积过渡层:沉积金属打底后,保持氩气供给流量不变;将Ag靶材的靶电流逐渐调节至0.5~0.01A,同时向钛靶材外侧引入氧气反应气氛,氧气流量4~20sccm,并将Ti靶材的靶电流调节至0.5~3A;同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值保持在0~60V、脉冲宽度为0.2~5μs、且脉冲频率为5~350KHz的脉冲偏压,沉积过渡层时间为3~15min;
(6)沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层:保持氩气和氧气供给流量不变;维持Ag靶材和Ti靶材的电流和电压参数不变;同时,保持施加在电PETG矫治器所在工件架上的脉冲偏压参数不变,沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层时间为10~30min。
(7)取出、包装:在涂层沉积工艺结束后取出PETG矫治器并进行真空隔离包装。
其中,制备方法的所有步骤中,保证真空腔室的温度在室温至70℃之间。
步骤(1)中,对待处理PETG矫治器进行超声清洗的具体方法为:PETG矫治器清洗在通风橱中进行,将待处理PETG矫治器置于分析纯酒精溶液中,保持酒精溶液温度室温至50℃,超声波清洗5min~30min,然后用高压空气吹干。
步骤(2)中,PETG矫治器分为整体和局部施镀;整体施镀只需将PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上即可;拟局部施镀的PETG矫治器先用金属箔包裹凸面遮蔽后,再将PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上。
步骤(2)中,保证各靶材与PETG矫治器之间的距离为80~180mm,且工作盘的主轴旋转转速为1~20r/min。
高纯Ag靶材的纯度不低于99.99wt%,Ti靶材的纯度不低于99.99wt%。
PETG矫治器表面局部或整体镀厚度为100~400nm的银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层。
参见附图1和2,PETG矫治器表面经磁控溅射离子镀方法低温制备银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层后,整体光滑、均匀,严格保持了原有的结构和尺寸精度;PETG矫治器表面经磁控溅射离子镀沉积银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层后整体光滑SEM表面形貌平整、颗粒细小,截面行为较为致密,厚度仅317nm。经实际测试,口腔变形链球菌、放线杆菌、白色念珠菌、幽门螺旋杆菌等细菌抑制率达到85%。
因此,PETG矫治器在经本发明方法处理以后,具有更好的结合强度、更高的表面光洁度、更优的镀层致密度等优点,创新性地解决了患者长时间佩戴矫治器而产生的细菌滋生甚至软组织伤害等问题,可满足PETG基隐形矫治器表面抗菌复合涂层的低温制备需求。
本发明的有益效果是,与现有针对金属类(熔点高、耐温好)托槽的溶胶凝胶法制备纳米Ag/TiO2抗菌涂层相比,采用磁控溅射离子镀技术于PETG矫治器表面制备银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的工艺具有如下优点:
1)制备工艺短流程、绿色、环保无排放;
2)工艺实施过程中可对成分(掺银量)、涂层厚度进行精确调控;
3)获得的纳米抗菌复合涂层具有更好的结合强度、更高的表面光洁度、更优的镀层致密度等优点;
4)室温沉积,可满足PETG基隐形矫治器表面抗菌复合涂层的低温制备需求。
附图说明
图1为PETG矫治器表面低温制备银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层后的实物照片
图2为制备前后的载玻片做对比
图3为基于磁控溅射离子镀技术制备的银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层表面
图4为基于磁控溅射离子镀技术制备的银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层截面SEM形貌(317nm)
具体实施方式
实施例1
(1)选取PETG矫治器作为基材,对基材进行前清洗:PETG矫治器清洗在通风橱中进行,将待处理PETG矫治器置于分析纯酒精溶液中,保持酒精溶液温度室温至50℃,超声波清洗5min,然后用高压空气吹干;
(2)将步骤(1)得到的PETG矫治器先用金属箔包裹凸面遮蔽后再置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上,该工作盘在下述各步骤中保持公自转运动(3r/min),所述真空腔室内放置有高纯Ag靶材和高纯Ti靶材;
(3)等离子体清洗:将步骤(2)中的真空腔室抽真空,使该真空腔室的真空度为1.0×10-3Pa,再通入氩气12sccm,保持此步骤中该真空腔室中的工作气压为2.4×10-1Pa;直接在Ag靶材上施加0.15A电流,同时,对PETG矫治器所在工件架施加负偏压值为280V、脉冲宽度为0.2μs、且脉冲频率为50KHz的脉冲偏压,以对PETG矫治器进行溅射清洗,溅射清洗时间为3min;
(4)沉积纯银打底层:保持该真空腔室中的工作气压为2.4×10-1Pa;将Ag靶材的靶电流调节至0.5A,同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值调节至90V、脉冲宽度为1.5μs、且脉冲频率为50KHz的脉冲偏压,沉积金属打底层时间为3min;
(5)沉积过渡层:保持上述氩气供给流量不变;将Ag靶材的靶电流在本步骤时间内逐渐调节至0.01A,同时向钛靶材外侧引入氧气反应气氛,氧气流量6sccm,并将Ti靶材的靶电流调节至0.6A;同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值保持在60V、脉冲宽度为0.8μs、且脉冲频率为50KHz的脉冲偏压,沉积过渡层时间为5min;
(6)沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层:保持上述氩气和氧气供给流量不变;维持Ag靶材和Ti靶材的电流和电压参数不变;同时,保持施加在电PETG矫治器所在工件架上的脉冲偏压参数不变,沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层时间为30min;
(7)取出、包装:在涂层沉积工艺结束后取出PETG矫治器并进行真空隔离包装。
此实施例中,真空腔室的温度最高30℃,得到的PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的厚度厚度为126nm。
实施例2
(1)选取PETG矫治器作为基材,对基材进行前清洗处理:PETG矫治器清洗在通风橱中进行,将待处理PETG矫治器置于分析纯酒精溶液中,保持酒精溶液温度室温至50℃,超声波清洗30min,然后用高压空气吹干;
(2)将步骤(1)得到的PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上,该工作盘在下述各步骤中保持公自转运动(5r/min),所述真空腔室内放置有高纯Ag靶材和高纯Ti靶材;
(3)等离子体清洗:将步骤(2)中的真空腔室抽真空,使该真空腔室的真空度为2.0×10-3Pa,再通入氩气10sccm,保持此步骤中该真空腔室中的工作气压为1.8×10-1Pa。直接在Ag靶材上施加0.25A电流,同时,对PETG矫治器所在工件架施加负偏压值为240V、脉冲宽度为1.5μs、且脉冲频率为200KHz的脉冲偏压,以对PETG矫治器进行溅射清洗,溅射清洗时间为5min;
(4)沉积纯银打底层:保持该真空腔室中的工作气压为1.8×10-1Pa;将Ag靶材的靶电流调节至1.1A,同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值调节至70V、脉冲宽度为2.0μs、且脉冲频率为100KHz的脉冲偏压,沉积金属打底层时间为5min;
(5)沉积过渡层:保持上述氩气供给流量不变;将Ag靶材的靶电流在本步骤时间内逐渐调节至0.1A,同时向钛靶材外侧引入氧气反应气氛,氧气流量8sccm,并将Ti靶材的靶电流调节至2.4A;同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值保持在50V、脉冲宽度为1.6μs、且脉冲频率为60KHz的脉冲偏压,沉积过渡层时间为10min;
(6)沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层:保持上述氩气和氧气供给流量不变;维持Ag靶材和Ti靶材的电流和电压参数不变;同时,保持施加在电PETG矫治器所在工件架上的脉冲偏压参数不变,沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层时间为25min;
(7)取出、包装:在涂层沉积工艺结束后取出PETG矫治器并进行真空隔离包装。
此实施例中,真空腔室的温度最高65℃,得到的PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的厚度厚度为317nm。
实施例3
(1)选取PETG矫治器作为基材,对基材进行前清洗处理:PETG矫治器清洗在通风橱中进行,将待处理PETG矫治器置于分析纯酒精溶液中,保持酒精溶液温度室温至50℃,超声波清洗15min,然后用高压空气吹干;
(2)将步骤(1)得到的PETG矫治器先用金属箔包裹凸面遮蔽后再置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上,该工作盘在下述各步骤中保持公自转运动(8r/min),所述真空腔室内放置有高纯Ag靶材和高纯Ti靶材;
(3)等离子体清洗:将步骤(2)中的真空腔室抽真空,使该真空腔室的真空度为3.0×10-3Pa,再通入氩气8sccm,保持此步骤中该真空腔室中的工作气压为1.6×10-1Pa;直接在Ag靶材上施加0.3A电流,同时,对PETG矫治器所在工件架施加负偏压值为150V、脉冲宽度为4.5μs、且脉冲频率为20KHz的脉冲偏压,以对PETG矫治器进行溅射清洗,溅射清洗时间为1min;
(4)沉积纯银打底层:保持该真空腔室中的工作气压为3.0×10-1Pa;将Ag靶材的靶电流调节至1.80A,同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值调节至50V、脉冲宽度为2.5μs、且脉冲频率为80KHz的脉冲偏压,沉积金属打底层时间为2min;
(5)沉积过渡层:保持上述氩气供给流量不变;将Ag靶材的靶电流在本步骤时间内逐渐调节至0.3A,同时向钛靶材外侧引入氧气反应气氛,氧气流量10sccm,并将Ti靶材的靶电流调节至1.5A;同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值保持在30V、脉冲宽度为1.8μs、且脉冲频率为240KHz的脉冲偏压,沉积过渡层时间为8min;
(6)沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层:保持上述氩气和氧气供给流量不变;维持Ag靶材和Ti靶材的电流和电压参数不变;同时,保持施加在电PETG矫治器所在工件架上的脉冲偏压参数不变,沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层时间为15min;
(7)取出、包装:在涂层沉积工艺结束后取出PETG矫治器并进行真空隔离包装。
此实施例中,真空腔室的温度最高52℃,得到的PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的厚度厚度为288nm。
实施例4
(1)选取PETG矫治器作为基材,对基材进行前清洗处理:PETG矫治器清洗在通风橱中进行,将待处理PETG矫治器置于分析纯酒精溶液中,保持酒精溶液温度室温至50℃,超声波清洗20min,然后用高压空气吹干;
(2)将步骤(1)得到的PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上,该工作盘在下述各步骤中保持公自转运动(8r/min),所述真空腔室内放置有高纯Ag靶材和高纯Ti靶材;
(3)等离子体清洗:将步骤(2)中的真空腔室抽真空,使该真空腔室的真空度为1.8×10-3Pa,再通入氩气8sccm,保持此步骤中该真空腔室中的工作气压为1.2×10-1Pa;直接在Ag靶材上施加0.6A电流,同时,对PETG矫治器所在工件架施加负偏压值为150V、脉冲宽度为1μs、且脉冲频率为300KHz的脉冲偏压,以对PETG矫治器进行溅射清洗,溅射清洗时间为4min;
(4)沉积纯银打底层:保持该真空腔室中的工作气压为1.2×10-1Pa;将Ag靶材的靶电流调节至2.4A,同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值调节至20V、脉冲宽度为0.8μs、且脉冲频率为250KHz的脉冲偏压,沉积金属打底层时间为8min;
(5)沉积过渡层:保持上述氩气供给流量不变;将Ag靶材的靶电流在本步骤时间内逐渐调节至0.5A,同时向钛靶材外侧引入氧气反应气氛,氧气流量20sccm,并将Ti靶材的靶电流调节至2A;同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值保持在55V、脉冲宽度为0.8μs、且脉冲频率为250KHz的脉冲偏压,沉积过渡层时间为12min;
(6)沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层:保持上述氩气和氧气供给流量不变;维持Ag靶材和Ti靶材的电流和电压参数不变;同时,保持施加在电PETG矫治器所在工件架上的脉冲偏压参数不变,沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层时间为10min;
(7)取出、包装:在涂层沉积工艺结束后取出PETG矫治器并进行真空隔离包装。
此实施例中,真空腔室的温度最高30℃,得到的PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的厚度厚度为356nm。
本发明不限于上述实施例,凡依据本发明的技术实质对上述实施例作的任何简单、等同变化或修饰,均属于本发明技术范围内。
Claims (7)
1.一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法,其特征在于,在PETG矫治器表面局部,即凹槽内部或整体镀厚度为100~400nm的银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层;包括以下步骤:
(1)选取PETG矫治器作为基材,对基材进行前清洗处理;
(2)将步骤1清洗后的PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上;工作盘在下述各步骤中保持公自转运动;所述真空腔室内放置有高纯Ag靶材和高纯Ti靶材;
(3)等离子体清洗:将步骤2中的真空腔室抽真空,使该真空腔室的真空度不高于3.0×10-3Pa,再通入氩气,保持此步骤中该真空腔室中的工作气压为1.0×10-1~3.0×10-1Pa;然后在Ag靶材上施加0.02~1A电流,同时,对PETG矫治器所在工件架施加负偏压值为150~300V、脉冲宽度为0.2~5μs、且脉冲频率为5~350KHz的脉冲偏压,以对PETG矫治器进行溅射清洗,溅射清洗时间为1~20min;
(4)沉积纯银打底层:等离子体清洗后,保持真空腔室中的工作气压为1.0~3.0×10- 1Pa;将Ag靶材的靶电流调节至0.5~3.0A,同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值调节至0~90V、脉冲宽度为0.2~5μs、且脉冲频率为5~350KHz的脉冲偏压,沉积金属打底层时间为1~10min;
(5)沉积过渡层:沉积金属打底后,保持氩气供给流量不变;将Ag靶材的靶电流逐渐调节至0.5~0.01A,同时向钛靶材外侧引入氧气反应气氛,氧气流量4~20sccm,并将Ti靶材的靶电流调节至0.5~3A;同时,将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值保持在0~60V、脉冲宽度为0.2~5μs、且脉冲频率为5~350KHz的脉冲偏压,沉积过渡层时间为3~15min;
(6)沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层:保持氩气和氧气供给流量不变;维持Ag靶材和Ti靶材的电流和电压参数不变;同时,保持施加在电PETG矫治器所在工件架上的脉冲偏压参数不变,沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层时间为10~30min;
(7)取出、包装:在涂层沉积工艺结束后取出PETG矫治器并进行真空隔离包装。
2.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法,其特征在于,制备方法的所有步骤中,保证真空腔室的温度在室温至70℃之间。
3.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法,其特征在于,步骤(1)中,对待处理PETG矫治器进行超声清洗的具体方法为:PETG矫治器清洗在通风橱中进行,将待处理PETG矫治器置于分析纯酒精溶液中,保持酒精溶液温度室温至50℃,超声波清洗5min~30min,然后用高压空气吹干。
4.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法,其特征在于,步骤(2)中,PETG矫治器分为整体和局部施镀;整体施镀只需将PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上即可;拟局部施镀的PETG矫治器先用金属箔包裹凸面遮蔽后,再将PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上。
5.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法,其特征在于,步骤(2)中,保证各靶材与PETG矫治器之间的距离为80~180mm,且工作盘的主轴旋转转速为1~20r/min。
6.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法,其特征在于,高纯Ag靶材的纯度不低于99.99wt%,Ti靶材的纯度不低于99.99wt%。
7.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法,其特征在于,PETG矫治器表面局部或整体镀厚度为100~400nm的银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层。
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