CN110971846B - Cmos图像传感器像素电路及cmos图像传感器 - Google Patents

Abstract

一种CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器，包括第一复位电路，输出端与光电二极管的负极耦接，适于在一个曝光周期内开启关闭两次；光电二极管，正极与地耦接；第一传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第一存储节点耦接，控制端输入第一控制信号；第二传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第二存储节点耦接，控制端输入第二控制信号；第一存储节点，与第一传输晶体管的输出端耦接；第二存储节点，与第二传输晶体管的输出端耦接。上述方案能够减少CMOS图像传感器拍摄LED灯光时产生图像伪影，提高CMOS图像传感器的动态范围。

Description

CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器

技术领域

本发明涉及图像传感器技术领域，尤其涉及一种CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器。

背景技术

LED灯在发出光线时，LED灯通常采用脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation，PWM)进行驱动。因此，LED灯发出的光线实质上是非连续的，以固定的频率闪烁。由于PWM波的频率较高，人眼通常不会察觉到灯光的闪烁。

但是，对于图像传感器而言，当图像传感器拍摄到LED灯光时，如果曝光时间较短，则LED灯光的闪烁会在图像上产生伪影。现有技术中，通过延长曝光时长改善图像伪影的情况，但是会降低图像传感器的动态范围。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题是CMOS图像传感器拍摄LED灯光时产生图像伪影，且动态范围较低。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种CMOS图像传感器像素电路，包括：第一复位电路，输出端与光电二极管的负极耦接，适于在曝光过程的一个曝光周期内开启关闭两次，且每一次开启时均复位所述光电二极管的负极累积的电荷；光电二极管，正极与地耦接；第一传输晶体管，输入端与所述光电二极管的负极耦接，输出端与第一存储节点耦接，控制端输入第一控制信号；第二传输晶体管，输入端与所述光电二极管的负极耦接，输出端与第二存储节点耦接，控制端输入第二控制信号；在一个曝光周期内，所述第一传输晶体管在所述第一复位电路第一次关闭之后的第一时长导通，所述第二传输晶体管在所述第一复位电路第二次关闭之后的第二时长导通；所述第二传输晶体管的第二次开启时刻不早于所述第一传输晶体管的关闭时刻；所述第一时长大于所述第二时长；所述第一复位电路的第二次开启时刻和第二次关闭时刻均处于所述第一传输晶体管断开时刻与所述第二传输晶体管的开启时刻之间；第一存储节点，与所述第一传输晶体管的输出端耦接，适于在所述第一传输晶体管导通时，存储所述光电二极管的负极累积的电荷；第二存储节点，与所述第二传输晶体管的输出端耦接，适于在所述第二传输晶体管导通时，存储所述光电二极管的负极累积的电荷。

可选的，所述第一复位电路为NMOS管；所述第一复位电路的漏极与电压源耦接，栅极输入第三控制信号，源极与所述光电二极管的负极耦接。

可选的，所述第一传输晶体管为NMOS管；所述第一传输晶体管的漏极与所述光电二极管的负极耦接，栅极输入所述第一控制信号，源极与所述第一存储节点耦接。

可选的，所述第二传输晶体管为NMOS管；所述第二传输晶体管的漏极与所述光电二极管的负极耦接，栅极输入所述第二控制信号，源极与所述第二存储节点耦接。

可选的，所述CMOS图像传感器像素电路还包括：曝光信号输出电路，第一输入端与所述第一存储节点耦接，第二输出端与所述第二存储节点耦接，适于在曝光过程结束后，将所述第一存储节点对应的第一曝光信号以及所述第二存储节点对应的第二曝光信号输出。

可选的，所述曝光信号输出电路包括：第三传输晶体管，输入端与所述第一存储节点的输出端耦接，输出端与浮空节点耦接，控制端适于输入第四控制信号；第四传输晶体管，输入端与所述第二存储节点的输出端耦接，输出端与所述浮空节点耦接，控制端适于输入第五控制信号；第二复位电路，输出端与所述浮空节点耦接，适于在所述曝光过程结束后开启关闭两次，且每一次开启时均复位所述浮空节点累积的电荷；源随器晶体管，输入端与电压源耦接，控制端与所述浮空节点耦接，输出端与行选择晶体管的输入端耦接；行选择晶体管，控制端适于输入第六控制信号，输出端与输出总线耦接。

可选的，所述第三传输晶体管为NMOS管；所述第三传输晶体管的漏极与所述第一存储节点耦接，栅极输入所述第四控制信号，源极与所述浮空节点耦接。

可选的，所述第四传输晶体管为NMOS管；所述第四传输晶体管的漏极与所述第二存储节点耦接，栅极输入所述第五控制信号，源极与所述浮空节点耦接。

可选的，所述第二复位电路为NMOS管；所述第二复位电路的漏极与所述电压源耦接，栅极输入第七控制信号，源极与所述浮空节点耦接。

可选的，所述源随器晶体管为NMOS管；所述源随器晶体管的漏极与所述电压源耦接，栅极与所述浮空节点耦接，源极与所述行选择晶体管的输入端耦接。

可选的，所述行选择晶体管为NMOS管；所述行选择晶体管的漏极与所述源随器晶体管的源极耦接，栅极输入所述第六控制信号，源极与所述输出总线耦接。

本发明实施例还提供了一种CMOS图像传感器，包括上述任一种所述的CMOS图像传感器像素电路。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

整个曝光过程被分为多个曝光周期，在一个曝光周期内，第一复位电路开启关闭两次，第一存储节点、第二存储节点分别存储一次电荷。整个曝光过程中，第一存储节点存储了所有曝光周期对应的长曝光时长所累积的电荷，第二存储节点存储了所有曝光周期对应的短曝光时长所累积的电荷。通过设置长曝光时长以及短曝光时长，能够提高CMOS图像传感器像素电路的动态范围。曝光过程对应的曝光时间被平分到多个曝光周期，其中部分曝光周期能够捕捉到LED灯光的亮脉冲，从而可以减弱或消除LED灯光闪烁导致的伪影现象。

附图说明

图1是本发明实施例中的一种CMOS图像传感器像素电路的结构示意图；

图2是本发明实施例中的一种CMOS图像传感器像素电路曝光过程的时序图；

图3是本发明实施例中的另一种CMOS图像传感器像素电路的结构示意图；

图4是本发明实施例中的另一种CMOS图像传感器像素电路曝光过程的时序图。

具体实施方式

现有技术中，当图像传感器拍摄到LED灯光时，如果曝光时间较短，则LED灯光闪烁的现象，导致拍摄的图像上存在伪影现象。现有技术中，通过延长曝光时长改善图像伪影的情况，但是会降低图像传感器的动态范围。

在本发明实施例中，整个曝光过程被分为多个曝光周期，在一个曝光周期内，第一复位电路开启关闭两次，第一存储节点、第二存储节点分别存储一次电荷。整个曝光过程中，第一存储节点存储了所有曝光周期对应的长曝光时长所累积的电荷，第二存储节点存储了所有曝光周期对应的短曝光时长所累积的电荷。通过设置长曝光时长以及短曝光时长，能够提高CMOS图像传感器像素电路的动态范围。曝光过程对应的曝光时间被平分到多个曝光周期，其中部分曝光周期能够捕捉到LED灯光的亮脉冲，从而可以减弱或消除LED灯光闪烁导致的伪影现象。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

本发明实施例提供了一种CMOS图像传感器像素电路。在本发明实施例中，CMOS图像传感器像素电路可以包括：第一复位电路、光电二极管、第一传输晶体管、第二传输晶体管、第一传输节点以及第二传输节点。

在具体实施中，第一复位电路的输出端可以与光电二极管的负极耦接。在一个曝光周期内，第一复位电路开启关闭两次。当第一复位电路开启时，光电二极管的负极累积的电荷被复位。

在本发明实施例中，当光电二极管的负极累积的电荷被复位之后，光电二极管的负极累积的电荷被释放。也就是说，在一个曝光周期内，光电二极管的负极累积的电荷被释放两次。复位电路在开启一段时间之后关闭，此时，光电二极管的负极可以继续累积电荷。

换而言之，当复位电路开启时，实质上是释放光电二极管的负极累积的电荷；当复位电路关闭时，光电二极管的负极逐渐累积电荷。

在本发明实施例中，在一个曝光周期内，复位电路开启两次，关闭两次。在第i个曝光周期内，在t0时刻，复位电路第一次开启，光电二极管的负极累积的电荷被释放；在t1时刻，复位电路关闭，光电二极管的负极逐渐累积电荷。在t2时刻，复位电路第二次开启，光电二极管的负极累积的电荷被释放；在t3时刻，复位电路第二次关闭，光电二极管的负极逐渐累积电荷。在第i个曝光周期中，按照时间先后顺序，t0时刻早于t1时刻，t1时刻早于t2时刻，t2时刻早于t3时刻。

在具体实施中，整个曝光过程可以包括多个曝光周期。例如，曝光过程可以包括10个曝光周期。可以理解的是，曝光过程所包括的曝光周期数可以根据具体的应用场景设定。

在具体实施中，光电二极管的负极与第一复位电路耦接，光电二极管的正极与地耦接。

在本发明实施例中，光电二极管可以接收光信号，并将接收到的光信号转换成相应的电信号。光电二极管的具体结构及工作原理可以参照现有技术，本发明实施例不做赘述。

在具体实施中，第一传输晶体管的输入端与光电二极管的负极耦接，第一传输晶体管的输出端与第一存储节点耦接，第一传输晶体管的控制端输入第一控制信号。

第二传输晶体管的输入端与光电二极管的负极耦接，第二传输晶体管的输出端与第二存储节点耦接，第二传输晶体管的控制端输入第二控制信号。

第一存储节点与第一传输晶体管的输出端耦接，适于在第一传输晶体管导通时存储光电二极管的负极累积的电荷。第二存储节点与第二传输晶体管的输出端耦接，适于在第二传输晶体管导通时存储光电二极管的负极累积的电荷。

在具体实施中，在一个曝光周期内，第一复位电路第一次开启，之后第一次关闭，将光电二极管的负极累积的电荷进行第一次释放。第一传输晶体管以及第二传输晶体管均处于关闭状态。光电二极管的负极累积电荷。在经过第一时长后，第一传输晶体管开启，光电二极管的负极累积的电荷经由第一传输晶体管输出至第一存储节点，之后，第一传输晶体管关闭。此时，第一存储节点存储的电荷为：第一复位电路第一次关闭的时刻至第一传输晶体管开启后关闭的时刻之间，光电二极管的负极累积的电荷。

第二复位电路第二次开启，之后第二次关闭，将光电二极管的负极累积的电荷进行第二次释放。在第二复位电路关闭时，第一传输晶体管和第二传输晶体管均处于关闭状态，光电二极管的负极逐渐累积电荷。在经过第二时长后，第二传输晶体管开启，光电二极管的负极累积的电荷经由第二传输晶体管输出至第二存储节点，之后，第二传输晶体管关闭。此时，第二存储节点存储的电荷为：第一复位电路第二次关闭的时刻至第二传输晶体管开启后关闭的时刻之间，光电二极管的负极累积的电荷。

在本发明实施例中，在一个曝光周期内，第一复位电路第一次关闭的时刻至第一传输晶体管开启后关闭的时刻之间的时长，称之为长曝光时长；第一复位电路第二次关闭的时刻至第二传输晶体管开启后关闭的时刻之间的时长，称之为短曝光时长。长曝光时长的时间持续长度大于短曝光时长的时间持续长度。第一时长大于第二时长。

可见，在本发明实施例中，整个曝光过程被分为多个曝光周期，在一个曝光周期内，通过设置长曝光时长以及短曝光时长，能够提高CMOS图像传感器像素电路的动态范围。曝光过程对应的曝光时间被平分到多个曝光周期，其中部分曝光周期能够捕捉到LED灯光的亮脉冲，从而可以减弱或消除LED灯光闪烁导致的伪影现象。

下面对本发明实施例中提供的CMOS图像传感器像素电路进行详细说明。

参照图1，给出了本发明实施例中的一种CMOS图像传感器像素电路的结构示意图。

在本发明实施例中，第一复位电路可以为NMOS管。在图1中，第一复位电路为AB管。AB管的漏极与预设的电压源VDDPIX耦接，AB管的栅极输入第三控制信号，AB管的源极与光电二极管D1的负极耦接。

第一传输晶体管可以为NMOS管。在图1中，第一传输晶体管为TS1管。TS1管的漏极与光电二极管D1的负极耦接，TS1管的栅极输入第一控制信号，TS1管的源极与第一存储节点SD1耦接。

第二传输晶体管可以为NMOS管。在图1中，第二传输晶体管为TS2管。TS2管的漏极与光电二极管D1的负极耦接，TS2管的栅极输入第二控制信号，TS2管的源极与第二存储节点SD2耦接。

参照图2，给出了本发明实施例中的一种CMOS图像传感器像素电路曝光过程的时序图，下面以曝光周期1进行说明。设定曝光周期1对应的起始时刻为t0。

在t0时刻，AB管对应的控制信号从低电平跳变至高电平，AB管第一次导通，此时，TS1管对应的控制信号以及TS2管对应的控制信号均为低电平，因此，TS1管以及TS2管均处于断开状态。当AB管导通时，光电二极管D1的负极累积的电荷被释放。

在t1时刻，AB管对应的控制信号从高电平跳变至低电平，AB管从导通状态切换至断开状态。此时，TS1管对应的控制信号以及TS2管对应的控制信号均为低电平，TS1管以及TS2管仍均处于断开状态。从t1时刻开始，CMOS图像传感器像素电路进入曝光，光生电荷在光电二极管D1的负极累积。

在t2时刻，TS1管对应的控制信号从低电平跳变至高电平，TS1管导通。光电二极管D1的负极累积的电荷被输出至第一存储节点SD1。在t3时刻，TS1管对应的控制信号从高电平跳变至低电平，TS1管从导通状态切换至断开状态；AB管对应的控制信号从低电平跳变至高电平，AB管从断开状态切换至导通状态。在曝光周期1中，在t3时刻，AB管第二次导通。当AB管导通时，光电二极管D1的负极累积的电荷被释放。

在t4时刻，AB管对应的控制信号从高电平跳变至低电平，AB管从导通状态切换至断开状态。此时，TS1管对应的控制信号以及TS2管对应的控制信号均为低电平，TS1管以及TS2管均处于断开状态。

在t5时刻，TS2管对应的控制信号从低电平跳变至高电平，TS2管导通。光电二极管D1的负极累积的电荷被输出至第二存储节点SD2。在t6时刻，TS2管对应的控制信号从高电平跳变至低电平，TS2管从导通状态切换至断开状态。t6时刻即为曝光周期1的结束时刻。

t1时刻～t2时刻即为第一时长，t4时刻～t5时刻即为第二时长，第一时长大于第二时长。长曝光时长为：t1时刻～t3时刻之间的时长，短曝光时长为：t4时刻～t6时刻之间的时长。

以此类推，针对曝光周期2、曝光周期3、……、曝光周期n，上述的CMOS图像传感器像素电路的工作流程均与上述曝光周期1的工作流程相同。

在具体实施中，CMOS图像传感器像素电路还可以包括曝光信号输出电路。曝光信号输出电路的第一输入端与第一存储节点耦接，曝光信号输出电路的第二端与第二存储节点耦接，曝光信号输出电路可以在曝光过程结束后，将第一存储节点对应的第一曝光信号第二存储节点对应的第二曝光信号输出。

在本发明实施例中，第一存储节点对应的第一曝光信号即为第一存储节点在整个曝光过程中所累积的电荷。相应地，第二存储节点对应的第二曝光信号即为第二存储节点在整个曝光过程中所累积的电荷。

在具体实施中，曝光信号输出电路可以包括：第三传输晶体管、第四传输晶体管、第二复位电路、源随器晶体管以及行选择晶体管。

在本发明实施例中，第三传输晶体管的输入端可以与第一存储节点的输出端耦接，第三传输晶体管的输出端可以与浮空节点耦接，第三传输晶体管的控制端可以输入第四控制信号。

第四传输晶体管的输入端可以与第二存储节点的输出端耦接，第四传输晶体管的输出端可以与浮空节点耦接，第四传输晶体管的控制端可以输入第五控制信号。

第二复位电路的输出端可以与浮空节点耦接。在曝光过程结束后，第二复位电路可以开启关闭两次，在第二复位电路每一次开启时，可以复位浮空节点累积的电荷。与复位光电二极管的负极累积的电荷相似，复位浮空节点累积的电荷，实质上是将浮空节点累积的电荷释放。

参照图3，给出了本发明实施例中的另一种CMOS图像传感器像素电路的结构示意图。

在本发明实施例中，第三传输晶体管可以为NMOS管。在图3中，第三传输晶体管为TX1管。TX1管的漏极与第一存储节点SD1耦接，TX1管的栅极输入第四控制信号，TX1管的源极与浮空节点FD耦接。

第四传输晶体管可以为NMOS管。在图3中，第四传输晶体管为TX2管。TX2管的漏极与第二存储节点SD2耦接，TX2管的栅极输入第五控制信号，TX2管的源极与浮空节点FD耦接。

第二复位电路可以为NMOS管。在图3中年，第二复位电路为RST管。RST管的漏极与电压源VDDPIX耦接，RST管的栅极输入第七控制信号，RST管的源极与浮空节点FD耦接。

源随器晶体管可以为NMOS管。在图3中，源随器晶体管为SF管。SF管的漏极与电压源VDDPIX耦接，SF管的栅极与浮空节点耦接，SF管的源极与行选择晶体管(RS管)的输入端耦接。

行选择晶体管可以为NMOS管。在图3中，行选择晶体管为RS管。RS管漏极与SF管的源极耦接，栅极输入第六控制信号，源极为曝光信号输出电路的输出端PIXOUT。曝光信号输出电路的输出端PIXOUT与输出总线耦接。

在本发明实施例中，输出总线可以为输出一列CMOS图像传感器像素电路曝光信号的总线。一列CMOS图像传感器像素电路的总数可以为上千个，一列中的所有CMOS图像传感器像素电路的曝光信号均通过该输出总线输出。不同列可以存在不同的输出总线，同一输出总线也可以接收不同列输出的曝光信号。

参照图4，给出了本发明实施例中的一种CMOS图像传感器像素电路曝光过程的时序图。下面结合图4，对上述图3中提供的CMOS图像传感器像素电路的工作流程进行说明。

图4中，曝光信号输出电路的工作时间在曝光过程结束之后。在开始输出曝光信号时，在T0时刻，RS管对应的控制信号从低电平跳变至高电平，RS管导通。在T1时刻，RST管对应的控制信号从低电平跳变至高电平，RST管第一次导通。此时，TX1管与TX2管对应的控制信号均为低电平，TX1管与TX2管均处于断开状态。当RST管导通时，浮空节点FD上的电荷被释放。

在T2时刻，RST管对应的控制信号从高电平跳变至低电平，RST管从导通状态切换至断开状态。此时，TX1管与TX2管对应的控制信号均为低电平，TX1管与TX2管均处于断开状态。

在T3时刻，TX1管对应的控制信号从低电平跳变至高电平，TX1管导通。第一存储节点SD1上存储的电荷传输到浮空节点FD，该信号经由SF管以及RS管输出至输出总线。在T4时刻，TX1管对应的控制信号从高电平跳变至低电平，TX1管关闭。

在T5时刻，RST管对应的控制信号从低电平跳变至高电平，RST管第二次导通，浮空节点FD上的电荷被释放。

在T6时刻，RST管对应的控制信号从高电平跳变至低电平，RST管从导通状态切换至断开状态。

在T7时刻，TX2管对应的控制信号从低电平跳变至高电平，TX2管导通。第二存储节点SD2上存储的电荷传输到浮空节点FD，该信号经由SF管以及RS管输出至输出总线。在T8时刻，TX2管对应的控制信号从高电平跳变至低电平，TX2管关闭。

在完成曝光信号的输出后，在T9时刻，RS管对应的控制信号从高电平切换至低电平，RS管从导通状态切换至断开状态。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (12)

1.一种CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，包括：

第一复位电路，输出端与光电二极管的负极耦接，适于在曝光过程的一个曝光周期内开启关闭两次，且每一次开启时均复位所述光电二极管的负极累积的电荷；

光电二极管，正极与地耦接；

第一传输晶体管，输入端与所述光电二极管的负极耦接，输出端与第一存储节点耦接，控制端输入第一控制信号；

第二传输晶体管，输入端与所述光电二极管的负极耦接，输出端与第二存储节点耦接，控制端输入第二控制信号；在一个曝光周期内，所述第一传输晶体管在所述第一复位电路第一次关闭之后的第一时长导通，所述第二传输晶体管在所述第一复位电路第二次关闭之后的第二时长导通；所述第二传输晶体管的第二次开启时刻不早于所述第一传输晶体管的关闭时刻；所述第一时长大于所述第二时长；

所述第一复位电路的第二次开启时刻和第二次关闭时刻均处于所述第一传输晶体管断开时刻与所述第二传输晶体管的开启时刻之间；

第一存储节点，与所述第一传输晶体管的输出端耦接，适于在所述第一传输晶体管导通时，存储所述光电二极管的负极累积的电荷；

第二存储节点，与所述第二传输晶体管的输出端耦接，适于在所述第二传输晶体管导通时，存储所述光电二极管的负极累积的电荷。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，所述第一复位电路为NMOS管；所述第一复位电路的漏极与电压源耦接，栅极输入第三控制信号，源极与所述光电二极管的负极耦接。

3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，所述第一传输晶体管为NMOS管；所述第一传输晶体管的漏极与所述光电二极管的负极耦接，栅极输入所述第一控制信号，源极与所述第一存储节点耦接。

4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，所述第二传输晶体管为NMOS管；所述第二传输晶体管的漏极与所述光电二极管的负极耦接，栅极输入所述第二控制信号，源极与所述第二存储节点耦接。

5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，还包括：

曝光信号输出电路，第一输入端与所述第一存储节点耦接，第二输出端与所述第二存储节点耦接，适于在曝光过程结束后，将所述第一存储节点对应的第一曝光信号以及所述第二存储节点对应的第二曝光信号输出。

6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，所述曝光信号输出电路包括：

第三传输晶体管，输入端与所述第一存储节点的输出端耦接，输出端与浮空节点耦接，控制端适于输入第四控制信号；

第四传输晶体管，输入端与所述第二存储节点的输出端耦接，输出端与所述浮空节点耦接，控制端适于输入第五控制信号；

第二复位电路，输出端与所述浮空节点耦接，适于在所述曝光过程结束后开启关闭两次，且每一次开启时均复位所述浮空节点累积的电荷；

源随器晶体管，输入端与电压源耦接，控制端与所述浮空节点耦接，输出端与行选择晶体管的输入端耦接；

行选择晶体管，控制端适于输入第六控制信号，输出端与输出总线耦接。

7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，所述第三传输晶体管为NMOS管；所述第三传输晶体管的漏极与所述第一存储节点耦接，栅极输入所述第四控制信号，源极与所述浮空节点耦接。

8.如权利要求6所述的CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，所述第四传输晶体管为NMOS管；所述第四传输晶体管的漏极与所述第二存储节点耦接，栅极输入所述第五控制信号，源极与所述浮空节点耦接。

9.如权利要求6所述的CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，所述第二复位电路为NMOS管；所述第二复位电路的漏极与所述电压源耦接，栅极输入第七控制信号，源极与所述浮空节点耦接。

10.如权利要求6所述的CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，所述源随器晶体管为NMOS管；所述源随器晶体管的漏极与所述电压源耦接，栅极与所述浮空节点耦接，源极与所述行选择晶体管的输入端耦接。

11.如权利要求10所述的CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，所述行选择晶体管为NMOS管；所述行选择晶体管的漏极与所述源随器晶体管的源极耦接，栅极输入所述第六控制信号，源极与所述输出总线耦接。

12.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括权利要求1～11任一项所述的CMOS图像传感器像素电路。

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