CN110958050B - 一种iq调制器的子消光比测试的方法和系统 - Google Patents

一种iq调制器的子消光比测试的方法和系统 Download PDF

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Abstract

本发明涉及光通信领域，具体涉及一种IQ调制器的子消光比测试的方法和系统，具体步骤为：遍历两和母MZI采样电压集合，查找两子路的ON点；将第二子路调制电压设置为该的ON点，遍历第一子路采样电压集合，对第一子路采样电压集合中的每一个调制电压，遍历母MZI采样电压集合，查找第一子路的OFF点，并获得第一子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值，并使用同样方式获得第二子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值；使用一个子路ON状态另一子路OFF状态对应的两组最大的MPD值和最小的MPD值，计算两个子路的子消光比。本发明可以测试任何功率的子MZI的子消光比，而且可以避免噪声影响导致的测试误差，测试方法相较现有技术更方便准确、应用场景更广泛。

Description

一种IQ调制器的子消光比测试的方法和系统
【技术领域】
本发明涉及光通信领域，特别是涉及一种IQ调制器的子消光比测试的方法和系统。
【背景技术】
随着宽带信息网络的快速发展，先进的调制格式、偏振复用、相干检测和数字信号处理成为下一代400Gb/s甚至1Tb/s光传输系统的关键技术。其中，相干光通信用器件的发射部件，最基本的光学结构都是基于并联马赫-曾德尔干涉仪(Mach–Zehnderinterferometer，简写为MZI)结构的IQ调制器。
在并联MZI结构中，由于两个子MZI共用MPD时可以降低插损，I路和Q路的子MZI一般不会单独设置监控光电二极管(Monitor Photo-Diode，简写为MPD)，而在母MZI端设置MPD。I路和Q路共用同一个MPD时，两者的光场都会影响检测母MZI的输出光MPD值，因此导致这种结构的IQ调制器的子消光比测试比较困难。
公布号CN105515654A的专利《一种并联MZI结构开关电压和消光比的测量方法》中提出了一种子消光比测试方法，但仅限于并联MZI两子路光功率相同时才可以实现，并且，当其中一个子MZI处于OFF状态时测试误差较大。
鉴于此，如何克服并联MZI结构中子消光比读取困难，测试限制较多的问题，是本技术领域亟待解决的问题。
【发明内容】
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明解决了并联MZI中两子路MZI光功率不一致时的子MZI消光比计算问题。
本发明实施例采用如下技术方案:
第一方面，本发明提供了一种IQ调制器的子消光比测试的方法，其特征在于：遍历第一子路、第二子路和母MZI采样电压集合中调制电压值的所有组合，查找第一子路的ON点和第二子路的ON点；将第二子路调制电压设置为第二子路的ON点，遍历第一子路采样电压集合，对第一子路采样电压集合中的每一个调制电压，遍历母MZI采样电压集合，查找第一子路的OFF点，并获得第一子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值；将第一子路调制电压设置为第一子路的ON点，遍历第二子路采样电压集合，对第二子路采样电压集合中的每一个调制电压，遍历母MZI采样电压集合，查找第二子路的OFF点，并获得第二子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值；使用第二子路ON点且第一子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值，以及第一子路ON点且第二子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值，计算第一子路和第二子路的子消光比。
优选的，第一子路和第二子路具体为：第一子路为IQ调制器的I路，第二子路为IQ调制器的Q路；或，第一子路为IQ调制器的Q路，第二子路为IQ调制器的I路。
优选的，采样电压集合具体为：对于IQ调制器的第一子路、第二子路和母MZI的调制电压，在各自的调制电压设定范围的最小值至最大值区间内分别选择至少2个调制电压作为采样点；采样点的调制电压、调制电压设定范围的最小值、调制电压设定范围的最大值的集合为采样电压集合，集合中每个调制电压为一个采样电压。
优选的，遍历第一子路、第二子路和母MZI所有采样电压的组合，具体为：由第一子路采样电压集合、第二子路采样电压集合、母MZI采样电压集合中各取一个采样电压组成采样电压的组合；分别将第一子路、第二子路和母MZI的调制电压设置为采样电压组合中的第一子路调制电压、第二子路调制电压、母MZI调制电压；第一子路采样电压集合、第二子路采样电压集合、母MZI采样电压集合中的所有采样电压的组合都已被使用时，结束遍历。
优选的，查找第一子路的ON点，具体为：获得遍历过程中每个采样电压的组合下的MPD值；遍历完成后，比较每个采样电压的组合下的MPD值，获得所有采样电压组合下的MPD值中，最大的MPD值对应的第一子路的调制电压为第一子路的ON点。
优选的，查找第一子路的OFF点，具体为：对于第一子路的每个采样电压，遍历母MZI的采样电压集合，获得所有母MZI采样电压下的MPD值的集合；根据第一子路每个采样电压下MPD值的集合，计算第一子路的每个采样电压下的MPD消光比；比较第一子路的每个采样电压下的MPD消光比，获得第一子路的MPD消光比的最小值，MPD消光比的最小值对应的第一子路的调制电压为第一子路的OFF点。
优选的，计算第一子路的每个采样电压下的MPD消光比，具体为：对应于第一子路所设定的每个采样电压，逐一比较不同母MZI采样电压下的MPD值的集合，获得第一子路的每个采样电压下的最大的MPD值和最小的MPD值；第一子路的每个采样电压下的最大的MPD值除以最小的MPD值，为第一子路的每个采样电压下的消光比。
优选的，计算第一子路的子消光比具体为：使用如下公式计算第一子路消光比：
CER1＝20*LOG10(EON1/EOFF1)
其中CER1为第一子路的子消光比，EON1为第一子路调制电压设置为ON点时的场强，EOFF1为第一子路调制电压设置为OFF点时的场强。
优选的，使用如下公式计算EON1和EOFF1
Figure GDA0002813308660000041
Figure GDA0002813308660000042
其中EON1为第一子路调制电压设置为ON点时的场强，EOFF1为第一子路调制电压设置为OFF点时的场强，PPmax2为第二子路调制电压设置为ON点时的MPD值，PPmax2为第一子路ON点且第二子路设为OFF点时的MPD值的最大值，PPmin2为第一子路设为ON点且第二子路设为OFF点时的MPD值的最小值，PPmax1表示第二子路ON点且第一子路设为OFF点时的MPD值的最大值，PPmin1为第二子路设为ON点且第一子路设为OFF点时的MPD值的最小值。
另一方面，本发明提供了一种IQ调制器的子消光比测试的系统，其特征在于：包括一个IQ调制器和一个MPD，IQ调制器的母MZI与MPD连接；还包括至少一个处理器和存储器，处理器可获得MPD值，并控制IQ调制器I路、Q路和母MZI的调制电压，至少一个处理器和存储器之间通过数据总线连接，存储器存储有可被至少一个处理器执行的指令，指令在被处理器执行后，用于完成权利要求1-9任一的IQ调制器的子消光比测试的方法。
与现有技术相比，本发明实施例通过改变MZI两个子路和母MZI的调制电压，分别获取两个子路的ON点和OFF点对应的MPD值，并通过ON点和OFF点对应的MPD值计算子消光比。本实施例可以测试任何功率的子MZI的子消光比，而且可以避免噪声影响导致的测试误差，测试方法相较现有技术更方便准确、应用场景更广泛。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种IQ调制器的子消光比测试的方法流程图；
图2为本发明实施例提供的一种IQ调制器的子消光比测试的的方法所使用的的IQ调制器结构图；
图3为本发明实施例提供的另一种IQ调制器的子消光比测试的方法流程图；
图4为本发明实施例提供的一种IQ调制器的子消光比测试的方法流程图；
图5为本发明实施例提供的一种IQ调制器的子消光比测试的方法的中间数据曲线图；
图6为本发明实施例提供的一种IQ调制器的子消光比测试的的中间数据曲线图；
图7为本发明实施例提供的一种IQ调制器的子消光比测试的系统结构图。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明是一种特定功能系统的体系结构，因此在具体实施例中主要说明各结构模组的功能逻辑关系，并不对具体软件和硬件实施方式做限定。
此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面就参考附图和实施例结合来详细说明本发明。
在光通信领域，相干光通信用器件的发射部件，无论是基于LiNbO3、InP还是硅材料，最基本的光学结构都是基于并联MZI结构的IQ调制器。随着光通信速率的提升，对于IQ调制器的消光比特性要求越来越高，因此准确测试消光比特性变得尤其重要。但是，在并联MZI结构中，由于I路和Q路的子MZI共用同一个MPD，两者的光场都会影响母MZI的输出光MPD监控值，因此导致这种结构的IQ调制器的子消光比测试起来比较困难。
目前已公开的子消光比测试方法，测试过程比较复杂，需精确控制每一路的调制电压和相位，且仅能实现两子路光功率相同情况下的测试，同时，由于噪声干扰，其中一个子路处于OFF点时测试数据误差较大。本发明实施例提供的IQ调制器的子消光比测试的方法和系统，仅需简单调整I子路、Q子路和母MZI的调制电压，分别在其中一个子路的ON点测试另一子路的子消光比，避免了两子路光功率不同时无法测试的问题，也避免了其中一个子路处于OFF点时的测试数值误差问题。
实施例1：
为了测试IQ调制器的子消光，本实施例提供了一种IQ调制器的子消光比测试的方法，下面结合图1说明本发明IQ调制器的子消光比测试方法的具体步骤。
步骤101：遍历第一子路、第二子路和母MZI采样电压集合的所有组合，查找第一子路的ON点和第二子路的ON点。
对于并联MZI，如图2所示，可将母MZI连入MPD，通过MPD将母MZI的输出的光功率值转换为输出电流值(以下简称输出值)进行测量，MPD所测量到的母MZI电流值称为MPD值。并联MZI中包含I路、Q路两个子路，由于本发明实施例中对两个子路子消光比的计算方法相同，因此将两个子路统称为第一子路、第二子路，当第一子路为I路时第二子路为Q路，当第一子路为Q路时第二子路为I路。两个子路和一个母MZI都有相应的调制电压设定范围，每一路的调制电压都可以在调制电压设定范围内设置和变化，在调制电压设定范围内，某一子路的输出值最大时，该子路对应的调制电压值即该子路的ON点；某一子路的输出值最小时，该子路对应的调制电压值即该子路的OFF点。由于MPD值为两子路输出之和，只有两子路的输出值都为最大值时母MZI输出的MPD值才能为最大值，因此MPD值最大值时两子路都处于输出值最大的状态，即两子路的调制功率都处于ON状态，此时两子路对应的调制电压值即分别为该子路的ON点。为了查找MPD最大值，在每一路的调制电压设置范围内选取多个调制电压值，每个被选取的调制电压值为一个采样电压，将每一路选取的调制电压值的集合分别作为各自的采样电压集合。进行测试时，在三路采样电压集合中各取一个采样电压组成一个电压组合，遍历三路采样电压的所有不同组合，记录下每种电压组合下的MPD值进行比较，所有电压组合下最大的MPD值所对应的第一子路和第二子路的调制电压值，分别为两个子路的ON点。
步骤102：将第二子路调制电压设置为第二子路的ON点，遍历第一子路采样电压集合，对第一子路采样电压集合中的每一个调制电压，遍历母MZI采样电压集合，查找第一子路的OFF点，并获得第二子路ON点且第一子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值。
当并联MZI的两个子路都处于OFF点时，母MZI的输出值较小，会导致母MZI的输出值变化比较小，相应的MPD值变化也较小，受噪音影响较大，影响测量结果。因此，在步骤101的遍历过程中，仅查找各子路MPD值最大的ON点，而不查找OFF点。步骤102中，将第二子路的调制电压固定为ON点，逐次将第一子路采样电压集合中的每个调制电压，并在第一子路的每个调制电压下遍历母MZI采样点集合中的调制电压值，记录第一子路和母MZI每个电压组合下的MPD值来，可以避免第二子路处于OFF状态时的噪音对MPD值的影响。为了进一步减小噪音对MPD值的影响，以及避免母MZI调制电压变化对MPD值的影响，因此不直接通过MPD值查找第一子路OFF点，而是计算对应每个第一子路采样电压下的消光比。消光比的计算方式为MPD的最大值除以最小值，消光比的最小值时第一子路输出最小，此时对应的第一子路调制电压即第一子路的OFF点。为了计算子消光比，需要使用第一子路OFF点且第二子路ON点状态下，母MZI调制电压变化时产生的最大的MPD值和最小的MPD值。在查找第一子路OFF点的过程中，对于第一子路和母MZI的每一个电压组合都需要测得一个MPD值，因此也可以同时获得第二子路ON点且第一子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值。
步骤103：将第一子路调制电压设置为第一子路的ON点，遍历第二子路采样电压集合，对第二子路采样电压集合中的每一个调制电压，遍历母MZI采样电压集合，查找第二子路的OFF点，并获得第二子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值。
计算每一个子路的子消光比时，都需要使用第二子路ON点且第一子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值，以及第一子路OFF点且第二子路ON点对应的最大的MPD值和最小的MPD值，因此对第二子路重复步骤102，获得第一子路ON点且第二子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值。
步骤104：使用第二子路ON点且第一子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值，以及第一子路OFF点且第二子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值，计算第一子路和第二子路的子消光比。
具体的，可以通过公式1计算第一子路的子消光比：
CER1＝20*LOG10(EON1/EOFF1) (公式1)
其中，其中CER1为第一子路的子消光比，EON1为第一子路ON状态的场强，EOFF1为第一子路OFF状态的场强。
查找到第一子路的ON点和OFF点后，同时获得了遍历过程中测量得到两个子路的ON状态和OFF状态对应的MPD值，可以通过MPD值计算ON点和OFF点对应的场强，再通过消光比计算公式计算第一子路对应的子消光比。
本实施例提供的IQ调制器的子消光比测试的方法，通过遍历I路、Q路、母MZI的调制电压获得各子路ON点，通过一个子路固定为ON点情况下遍历另一子路与母MZI的调制电压并计算消光比获得各子路的OFF点，测量结果不会受到各子路输出光功率大小影响而产生误差，也不会因为其中一个子路处于OFF点时的噪音影响而产生误差，测试过程简单、测量值准确，因此可以方便准确的计算得到IQ调制器的子消光。
实施例2：
对于实施例1中提供的IQ调制器的子消光测试的方法，在不同的实施场景下，可以选用不同的具体应用方式，以下简单列举一些具体应用方式，在实际应用中，只要不违反本发明提供测试方法的原理即可。
实施例1中列举的进行测量和计算的MPD值为电流值，本实施例具体应用时，可根据设备的结构、计算便捷程度等采用光功率值或其它值进行测量。测量获得的其它值可通过计算转换为电流值，最终计算获得子消光比。
在本发明实施例的具体应用场景中，采样电压集合由用户具体选取。对于I路、Q路和母MZI，分别在各自的调制电压范围内选取适当数量的调制电压值作为MPD值测量的采样点，所有采样点以及调制电压范围的最小值和最大值的集合就是采样电压集合，调制电压范围的最小值和最大值为集合的两个端点。为了准确获得各路的ON点和OFF点，选取的采样点需要尽可能在ON点和OFF点附近，例如包含理论上的ON点和OFF点电压。由于ON点和OFF点一般都不同，因此选取的采样点至少有2个。在本实施例的一般应用场景中，可以在调制电压范围内等电压间隔选取采样点。选取的采样点越多，ON点和OFF点的测量就越准确，所计算的子消光比也就越精确，但测量次数和计算量也会越大，因此采样点的数量需要根据所需的子消光比精度确定。
在本实施例的具体实施场景中，步骤101中遍历第一子路、第二子路和母MZI采样电压集合中调制电压值的所有组合具体可以使用如下方式进行，如图3所示，以等电压间隔选取采样点为例：
其中：I路当前调制电压VI，I路调制电压范围最小值VImin，I路调制电压范围最大值VImax，I路电压间隔VIstep；Q路当前调制电压VQ，Q路调制电压范围最小值VQmin，Q路调制电压范围最大值VQmax，Q路电压间隔VQstep；母MZI当前调制电压VP，母MZI调制电压范围最小值VPmin，母MZI调制电压范围最大值VPmax，母MZI电压间隔VPstep。
步骤201：VI设为VImin，VQ设为VQmin，VP设为VPmin。
步骤202：测量MPD值。
步骤203：VI增加VIstep。
步骤204：判断VI是否小于等于VImax。若是，转步骤202；若否，转步骤205。
步骤205：VI设为VImin。
步骤206：VQ增加VQstep。
步骤207：判断VQ是否小于等于VQmax。若是，转步骤202；若否，转步骤208。
步骤208：VQ设为VQmin。
步骤209：VP增加VPstep。
步骤210：判断VP是否小于等于VPmax。若是，转步骤202；若否，结束遍历。
经如上步骤，可遍历第一子路、第二子路和母MZI采样电压集合中调制电压值的所有组合。上述步骤中VI、VQ、VP的循环顺序可变化，也可以通过减小间隔电压由最大值向最小值循环，只要保证遍历所有电压组合即可。
在本实施例的具体应用场景中，查找第一子路的OFF点具体可以使用如下方式进行，如图4所示，以第一子路为I路为例。
其中：Q路ON点调制电压VQon，其余符号含义同上。
步骤301：VI设为VImin，VQ设为VQon，VP设为VPmin。
步骤302：测量MPD值。
步骤303：VP增加VPstep。
步骤304：判断VP否小于等于VPmax。若是，转步骤302；若否，转步骤305。
步骤305：VP设为VPmin。
步骤306：VI增加VIstep。
步骤307：判断VI是否小于等于VImax。若是，转步骤302；若否，结束遍历。
以上步骤，对于每个VI，对VP进行遍历，用于测量对应每个VI的不同VP下的MPD值，进而计算每个VI对应的消光比。在不同的应用场景中，VI、Vp的循环顺序交换，也可以完成MPD值的测量和消光比的计算。
在本实施例的具体应用场景中，子消光比的计算公式如公式1：
CER1＝20*LOG10(EON1/EOFF1) (公式1)
其中，其中CER1为第一子路的子消光比，EON1为第一子路调制电压设置为ON点时的场强，EOFF1为第一子路调制电压设置为OFF点时的场强。
由于场强和MPD最大值最小值间的对应公式如下：
PPmax1＝(EON1+EOFF1)2 (公式2)
PPmin1＝(EON1-EOFF1)2 (公式3)
由此可得，EON1的计算公式为公式2：
Figure GDA0002813308660000121
EOFF1的计算公式为公式3：
Figure GDA0002813308660000122
其中EON1为第一子路调制电压设置为ON点时的场强，EOFF1为第一子路调制电压设置为OFF点时的场强，PPmax2为第一子路ON点且第二子路设为OFF点时的MPD值的最大值，PPmin2为第一子路设为ON点且第二子路设为OFF点时的MPD值的最小值，PPmax1表示第二子路设为ON点且第一子路设为OFF点时的MPD值的最大值，PPmin1为第二子路设为ON点且第一子路设为OFF点时的MPD值的最小值。
通过公式1-公式5可计算获得第一子路的子消光比，可根据需要设I路为第一子路，或Q路为第一子路。
在本实施例的具体应用场景中，PIPmax、PIPmin、PQPmax和PQPmin可通过查表获得，记录步骤102中获得的所有MPD值，以MPD值为纵坐标、VP为横坐标。对于VIOFF和VQON对应的不同VP下测量到的MPD值绘制曲线获得图5，查找此扫描曲线对应的MPD最大值和最小值，分别记录为PIPmax和PIPmin。对于VQOFF和VPOFF对应的不同VP下测量到的MPD值绘制曲线获得图6，查找此扫描曲线对应的MPD最大值和最小值，分别记录为PQPmax和PQPmin。
通过本实施例提供的IQ调制器的子消光比测试的方法，可以通过简单的遍历采样电压测量MPD值、绘曲线图查找数值、代入公式计算的过程来获得I路和Q路的子消光比。
实施例3：
在上述实施例1和实施例2提供的IQ调制器的子消光比测试的方法的基础上，本发明还提供了一种可用于实现上述方法的IQ调制器的子消光比测试的系统，如图7所示，是本发明实施例的系统结构示意图。
本实施例的IQ调制器的子消光比测试的系统包括一个IQ调制器23和一个MPD24，此IQ调制器23即需要测量子消光比的IQ调制器。IQ调制器23的母MZI与MPD24连接，
本实施例提供的IQ调制器的子消光比测试的系统还包括一个或多个处理器21以及存储器22。其中，图7中以一个处理器21为例。处理器21可以根据存储器22中预先设定的程序控制IQ调制器I路、Q路和母MZI的调制电压，并获取每个电压组合下的MPD值，并对MPD值进行比较、计算。
处理器21和存储器22可以通过总线或者其他方式连接，图7中以通过总线连接为例。
存储器22作为一种IQ调制器的子消光比测试的系统非易失性计算机可读存储介质，可用于存储非易失性软件程序、非易失性计算机可执行程序以及模块，如实施例1或实施例2中的调制电压遍历程序和MPD值比较、消光比计算过程。处理器21通过运行存储在存储器22中的非易失性软件程序、指令以及模块，从而执行IQ调制器的子消光比测试系统的各种功能应用以及数据处理，即实现实施例1和实施例2的IQ调制器的子消光比测试方法。
存储器22可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实施例中，存储器22可选包括相对于处理器21远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理器21。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
程序指令/模块存储在存储器22中，当被一个或者多个处理器21执行时，执行上述实施例1中的IQ调制器的子消光比测试方法，例如，执行以上描述的图1-图3所示的各个步骤。
本领域普通技术人员可以理解实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：只读存储器(ROM，Read Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random AccessMemory)、磁盘或光盘等。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种IQ调制器的子消光比测试的方法，其特征在于：
遍历第一子路、第二子路和母MZI采样电压集合中调制电压值的所有组合，查找第一子路的ON点和第二子路的ON点；
将第二子路调制电压设置为第二子路的ON点，遍历第一子路采样电压集合，对第一子路采样电压集合中的每一个调制电压，遍历母MZI采样电压集合，查找第一子路的OFF点，并获得第一子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值；
将第一子路调制电压设置为第一子路的ON点，遍历第二子路采样电压集合，对第二子路采样电压集合中的每一个调制电压，遍历母MZI采样电压集合，查找第二子路的OFF点，并获得第二子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值；
使用第二子路ON点且第一子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值，以及第一子路ON点且第二子路OFF点对应的最大的MPD值和最小的MPD值，计算第一子路和第二子路的子消光比。
2.根据权利要求1所述的IQ调制器的子消光比测试的方法，其特征在于，所述第一子路和所述第二子路具体为：
第一子路为IQ调制器的I路，第二子路为IQ调制器的Q路；
或，第一子路为IQ调制器的Q路，第二子路为IQ调制器的I路。
3.根据权利要求2所述的IQ调制器的子消光比测试的方法，其特征在于，所述采样电压集合具体为：
对于IQ调制器的第一子路、第二子路和母MZI的调制电压，在各自的调制电压设定范围的最小值至最大值区间内分别选择至少2个调制电压作为采样点；
采样点的调制电压、调制电压设定范围的最小值、调制电压设定范围的最大值的集合为采样电压集合，集合中每个调制电压为一个采样电压。
4.根据权利要求1所述的IQ调制器的子消光比测试的方法，其特征在于，所述遍历第一子路采样电压集合，对第一子路采样电压集合中的每一个调制电压，遍历母MZI采样电压集合，具体为：
由第一子路采样电压集合、第二子路采样电压集合、母MZI采样电压集合中各取一个采样电压组成采样电压的组合；
分别将第一子路、第二子路和母MZI的调制电压设置为采样电压组合中的第一子路调制电压、第二子路调制电压、母MZI调制电压；
第一子路采样电压集合、第二子路采样电压集合、母MZI采样电压集合中的所有采样电压的组合都已被使用时，结束遍历。
5.根据权利要求1所述的IQ调制器的子消光比测试的方法，其特征在于，所述查找第一子路的ON点，具体为：
获得遍历过程中每个采样电压的组合下的MPD值；
遍历完成后，比较每个采样电压的组合下的MPD值，获得所有采样电压组合下的MPD值中最大的MPD值，最大的MPD值对应的第一子路的调制电压为第一子路的ON点。
6.根据权利要求1所述的IQ调制器的子消光比测试的方法，其特征在于，所述查找第一子路的OFF点，具体为：
对于第一子路的每个采样电压，遍历母MZI的采样电压集合，获得所有母MZI采样电压下的MPD值的集合；
根据第一子路每个采样电压下MPD值的集合，计算第一子路的每个采样电压下的MPD消光比；
比较第一子路的每个采样电压下的MPD消光比，获得第一子路的MPD消光比的最小值，MPD消光比的最小值对应的第一子路的调制电压为第一子路的OFF点。
7.根据权利要求6所述的IQ调制器的子消光比测试的方法，其特征在于，所述计算第一子路的每个采样电压下的MPD消光比，具体为：
对应于第一子路所设定的每个采样电压，逐一比较不同母MZI采样电压下的MPD值的集合，获得第一子路的每个采样电压下的最大的MPD值和最小的MPD值；
第一子路的每个采样电压下的最大的MPD值除以最小的MPD值，为第一子路的每个采样电压下的消光比。
8.根据权利要求1所述的IQ调制器的子消光比测试的方法，其特征在于，所述计算第一子路的子消光比具体为：
使用如下公式计算第一子路消光比：
CER1＝20*LOG10(EON1/EOFF1)
其中CER1为第一子路的子消光比，EON1为第一子路调制电压设置为ON点时的场强，EOFF1为第一子路调制电压设置为OFF点时的场强。
9.根据权利要求8所述的IQ调制器的子消光比测试的方法，其特征在于：
使用如下公式计算所述EON1和所述EOFF1：
Figure FDA0002813308650000031
Figure FDA0002813308650000032
其中EON1为第一子路调制电压设置为ON点时的场强，EOFF1为第一子路调制电压设置为OFF点时的场强，PPmax2为第一子路ON点且第二子路设为OFF点时的MPD值的最大值，PPmin2为第一子路设为ON点且第二子路设为OFF点时的MPD值的最小值，PPmax1表示第二子路ON点且第一子路设为OFF点时的MPD值的最大值，PPmin1为第二子路设为ON点且第一子路设为OFF点时的MPD值的最小值。
10.一种IQ调制器的子消光比测试的系统，其特征在于：
包括一个IQ调制器和一个MPD，所述IQ调制器的母MZI与MPD连接；
还包括至少一个处理器和存储器，所述处理器可获得MPD值，并控制IQ调制器I路、Q路和母MZI的调制电压，所述至少一个处理器和存储器之间通过数据总线连接，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令在被所述处理器执行后，用于完成权利要求1-9任一所述的IQ调制器的子消光比测试的方法。
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