CN110957409B - 发光二极管外延片、发光二极管模块及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种发光二极管外延片、发光二极管模块及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：分别在电路板上设置红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，红光芯片和蓝光芯片分别与绿光芯片相对设置，红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片均包括依次层叠在电路板上的P型电极、透明导电层、空穴产生层、有源层、电子产生层和透明基板；采用激光剥离的方式去除红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片中的透明基板；在红光芯片和蓝光芯片中的电子产生层远离绿光芯片的区域上形成半透明薄膜；在红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片中的电子产生层上设置N型电极。本公开可改善LED模块整体发出光线的均匀性。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片、发光二极管模块及其制作方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，广泛地应用在日常生活中的显示、装饰、通讯和照明等领域。通过采用不同的半导体材料和结构，发光二极管能够覆盖从紫外到红外的全色范围，基本占据了室内和室外的大间距显示器市场。其中，间距是指显示器中相邻两个显示单元之间的距离，与显示器的分辨率有关。
当前小间距显示器市场仍以液晶显示器(英文：Liquid Crystal Display，简称：LCD)为主流。虽然有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)正在某些领域替代LCD成为主流，但是OLED存在烧屏等问题。微型发光二极管(英文：MicroLED)是指边长在10微米～100微米的超小型发光二极管，体积小，可以更密集地排列在一起而大幅提高分辨率，并且具有自发光特性，在高亮度、高对比度、快速反应和省电等方面都优于LCD和OLED，未来很可能会进一步占据小间距显示器市场。
相关技术中，通常将红光LED、绿光LED和蓝光LED按照一定规则排列在一起封装为LED模块，如红光LED、绿光LED和蓝光LED沿直线方向依次排列，形成一个像素单元。同一个像素单元内的红光LED、绿光LED和蓝光LED各自发出的光线混合之后为像素单元发出的光线，因此像素单元发出光线的均匀性与像素单元内红光LED、绿光LED和蓝光LED发出光线的混合情况密切相关。相关技术中将红光LED、绿光LED和蓝光LED沿直线方向依次排列形成像素单元，当像素单元需要发出偏红色(或者蓝色)的光线时，设置在侧边的红光LED(或者蓝光LED)发出的光线较多，发光中心向侧边偏移，像素单元发出光线的均匀性较差，影响到像素单元的边缘轮廓。
发明内容
本公开实施例提供了一种发光二极管外延片、发光二极管模块及其制作方法，可以提高像素单元发出光线的均匀性，保证显示图像的锐利度。所述技术方案如下：
一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管模块的制作方法，所述制作方法包括：
分别在电路板上设置红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，所述红光芯片和所述蓝光芯片分别与所述绿光芯片相对设置，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片均包括依次层叠在所述电路板上的P型电极、透明导电层、空穴产生层、有源层、电子产生层和透明基板；
采用激光剥离的方式去除所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片中的透明基板；
在所述红光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层远离所述绿光芯片的区域上形成半透明薄膜；
在所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层上设置N型电极。
可选地，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成一条直线，或者，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成品字形。
可选地，当所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成品字形时，所述制作方法还包括：
在所述绿光芯片中的电子产生层远离所述红光芯片和所述蓝光芯片的区域上形成半透明薄膜。
可选地，所述制作方法还包括：
在所述半透明薄膜和所述电子产生层未形成所述半透明薄膜的区域上形成透明导电薄膜。
可选地，所述制作方法包括：
形成散射层，所述散射层与所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片相对设置，且所述散射层和所述电路板分别位于所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片的两侧。
可选地，所述制作方法包括：
在GaAs衬底上低温生长GaAs缓冲层；
在所述GaAs缓冲层上生长晶格引导层，所述晶格引导层由依次层叠的GaAs层/GaInP层超晶格结构、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构和GaAs层/AlInP层超晶格结构组成，所述GaInP层中Ga组分的含量、所述AlGaInP层中Al组分和Ga组分的含量之和、所述AlInP层中Al组分的含量相等；
在所述晶格引导层上依次生长N型AlInP限制层、电子产生层、有源层和空穴产生层，形成制作所述红光芯片的外延片。
另一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管模块，所述发光二极管模块包括电路板和分别设置在所述电路板上的红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，所述红光芯片和所述蓝光芯片分别与所述绿光芯片相对设置，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片均包括依次层叠在所述电路板上的P型电极、透明导电层、空穴产生层、有源层、电子产生层和N型电极，所述红光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层远离所述绿光芯片的区域上设有半透明薄膜。
可选地，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成品字形，所述绿光芯片中的电子产生层远离所述红光芯片和所述蓝光芯片的区域上形成半透明薄膜。
可选地，所述发光二极管模块还包括散射层，所述散射层与所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片相对设置，且所述散射层和所述电路板分别位于所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片的两侧。
又一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括GaAs衬底以及依次层叠在所述GaAs衬底上的GaAs缓冲层、晶格引导层、N型AlInP限制层、电子产生层、有源层和空穴产生层，所述晶格引导层由依次层叠的GaAs层/GaInP层超晶格结构、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构和GaAs层/AlInP层超晶格结构组成，所述GaInP层中Ga组分的含量、所述AlGaInP层中Al组分和Ga组分的含量之和、所述AlInP层中Al组分的含量相等。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在红光芯片和蓝光芯片远离绿光芯片的区域上形成半透明薄膜，使得红光芯片和蓝光芯片远离绿光芯片的区域的发光强度低于红光芯片和蓝光芯片靠近绿光芯片的区域的发光强度，有利于促进LED模块整体的发光中心远离非芯片相邻的边缘区域，改善LED模块整体发出光线的均匀性，提高像素单元的均匀性和锐利度。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种发光二极管模块的制作方法的流程图；
图2是本公开实施例提供的步骤101执行之后的LED模块的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的一种发光二极管模块的结构示意图；
图4是本公开实施例提供的另一种发光二极管模块的结构示意图；
图5是本公开实施例提供的制作红光芯片的外延片的结构示意图；
图6是本公开实施例提供的晶格引导层的结构示意图；
图7是本公开实施例提供的步骤102执行之后LED模块的结构示意图；
图8是本公开实施例提供的步骤103执行之后LED模块的结构示意图；
图9是本公开实施例提供的步骤104执行之后LED模块的结构示意图；
图10是本公开实施例提供的步骤105执行之后LED模块的结构示意图；
图11是本公开实施例提供的步骤106执行之后LED模块的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
本公开实施例提供了一种发光二极管模块的制作方法。图1为本公开实施例提供的一种发光二极管模块的制作方法的流程图。参见图1，该制作方法包括：
步骤101：分别在电路板上设置红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片。
图2为本公开实施例提供的步骤101执行之后LED模块的结构示意图。参见图2，在本实施例中，红光芯片21和蓝光芯片23分别与绿光芯片22相对设置，红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片均包括依次层叠在电路板10上的P型电极31、透明导电层32、空穴产生层33、有源层34、电子产生层35和透明基板40。其中，透明基板提供支撑，电子产生层提供电子，有源层进行电子和空穴的复合发光，空穴产生层提供空穴，透明导电层促进电流扩展，P型电极注入电流。红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片中空穴产生层、有源层、电子产生层等采用的材料不同，因此可以发出不同颜色的光。
可选地，如图2所示，电路板10可以包括依次层叠的基板11、驱动电路12和导热绝缘层13。其中，基板提供支撑，驱动电路提供芯片的控制电路，导热绝缘层对芯片发光产生的热量进行散热，并将驱动电路与芯片绝缘，有利于驱动电路布线。
在实际应用中，基板可以采用硅片，以便在基板上直接形成驱动电路；基板也可以采用碳化硅片或者陶瓷片，此时基板上可以制作硅、砷化镓等材料，以便形成驱动电路。驱动电路可以采用金属氧化物半导体场效应晶体管(英文：Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，简称：MOS管)形成。
图3为本公开实施例提供的一种发光二极管模块的结构示意图。参见图3，在本实施例的一种实现方式中，红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23可以排成一条直线。
白光中对绿光的需求最多，将绿光芯片22放置在红光芯片21和蓝光芯片23之间，可以保证绿光芯片发出光线的均匀性较好，有利于整个LED模块发出光线的均匀性。
图4为本公开实施例提供的另一种发光二极管模块的结构示意图。参见图4，在本实施例的另一种实现方式中，红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23可以排成品字形。
在实际应用中，如图4所示，红光芯片21和蓝光芯片23排成一列，绿光芯片22单独排一列，绿光芯片22在列方向上的长度等于红光芯片21和蓝光芯片23在列方向上的长度之和。绿光芯片22的长度较长，有利于绿光芯片发出光线的均匀性。
在本实施例的一种实现方式中，该制作方法还可以包括：
在GaAs衬底上低温生长GaAs缓冲层；
在GaAs缓冲层上生长晶格引导层，晶格引导层由依次层叠的GaAs层/GaInP层超晶格结构、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构和GaAs层/AlInP层超晶格结构组成，GaInP层中Ga组分的含量、AlGaInP层中Al组分和Ga组分的含量之和、AlInP层中Al组分的含量相等；
在晶格引导层上依次生长N型AlInP限制层、电子产生层、有源层和空穴产生层，形成制作红光芯片的外延片。
图5为本公开实施例提供的制作红光芯片的外延片的结构示意图。参见图5，GaAs缓冲层42、晶格引导层43、N型AlInP限制层44、电子产生层35、有源层34和空穴产生层33依次层叠在GaAs衬底41上。
图6为本公开实施例提供的晶格引导层的结构示意图。参见图6，由GaAs层431a和GaInP层431b交替层叠而成的超晶格结构431、由GaAs层432a和AlGaInP层432b交替层叠而成的超晶格结构、由GaAs层433a和AlInP层433b交替层叠而成的超晶格结构433依次层叠在GaAs缓冲层42上。
在GaAs缓冲层和电子产生层之间插入N型AlInP限制层，有利于电子产生层提供的电子注入有源层进行复合发光。进一步在GaAs缓冲层和N型AlInP限制层之间插入由三个超晶格结构依次层叠而成的晶格引导层，三个超晶格结构中的一层均为GaAs层，可以良好匹配GaAs缓冲层和GaAs衬底的晶格，同时三个超晶格结构中另一层依次为GaInP层、AlGaInP层、AlInP层，GaInP层中Ga组分的含量、AlGaInP层中Al组分和Ga组分的含量之和、AlInP层中Al组分的含量相等，可以逐步将晶格常数引向N型AlInP限制层，避免N型AlInP限制层直接设置在GaAs缓冲层上而产生较大的晶格失配，为有源层的生长提供良好的基础。
在制作红光芯片的外延片中，电子产生层可以为掺杂Si的AlGaInP层。有源层可以由交替层叠的AlGaInP量子阱和AlGaInP量子垒组成，AlGaInP量子阱中Al组分的含量与AlGaInP量子垒中Al组分的含量不同，AlGaInP量子阱和AlGaInP量子垒的数量都可以为5个。空穴产生层可以为掺杂Mg的AlGaInP层。空穴产生层还可以包括设置在掺杂Mg的AlGaInP层上的GaP层。
可选地，GaAs缓冲层的厚度可以为0.5微米以上，远大于相关技术中的0.1微米以下，可以提高外延层的晶体质量，增强对激光剥离衬底不良影响的抵抗能力。
可选地，GaAs层/GaInP层超晶格结构、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构、GaAs层/AlInP层超晶格结构的生长温度依次为T1、T2、T3，T1＜T2＜T3。
在实际应用中，GaAs缓冲层的生长温度为300℃，GaAs层/GaInP层超晶格结构的生长温度可以为400℃，GaAs层/AlGaInP层超晶格结构的生长温度可以为450℃，GaAs层/AlInP层超晶格结构的生长温度可以为500℃。
三个超晶格结构在实现晶格常数过渡的基础上，同时实现生长温度的过渡，有利于改善晶格失配产生的应力和缺陷。
可选地，GaAs层/GaInP层超晶格结构、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构、GaAs层/AlInP层超晶格结构的厚度依次为D1、D2、D3，D1＜D2，D2＞D3。
在实际应用中，GaAs层/GaInP层超晶格结构的厚度可以为200埃，GaAs层/AlGaInP层超晶格结构的厚度可以为300埃，GaAs层/AlInP层超晶格结构的厚度可以为200埃。
中间超晶格结构的厚度较大，两侧超晶格结构的厚度较小，可以充分利用四元化合物进行晶格常数的过渡。
在上述实现方式中，GaInP层中Ga组分的含量、AlInP层中Al组分的含量可以为50％，AlGaInP层中Al组分的含量、AlGaInP层中Ga组分的含量可以为25％，GaAs层/GaInP层超晶格结构、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构和GaAs层/AlInP层超晶格结构的周期数均可以为3个。在有效改善N型AlInP限制层和GaAs缓冲层之间晶格失配的基础上，尽可能减少超晶格结构的周期数，提高生产效率，降低生产成本。
可选地，在GaAs衬底上低温生长GaAs缓冲层之前，该制作方法还可以包括：
采用湿法腐蚀的方式粗化GaAs衬底。
对GaAs衬底进行粗化，使得GaAs衬底的表面凹凸不平，可以降低外延生长的位错密度，减小衬底缺陷对外延层的不良影响。
在实际应用中，粗化可以采用KOH溶液等碱性溶液实现或者化学品厂家提供的粗化液。
可选地，在形成制作红光芯片的外延片之后，该制作方法还可以包括：
将玻璃基板和空穴产生层键合在一起；
去除GaAs衬底、GaAs缓冲层和晶格引导层；
将透明基板和N型AlInP限制层键合在一起；
去除玻璃基板；
在空穴产生层上形成透明导电层；
在透明导电层上设置P型电极，形成红光芯片。
在实际应用中，透明基板可以为蓝宝石衬底，透明导电层的材料可以为氧化铟锡(英文：Indium tin oxide，简称：ITO)或者NiAu合金。玻璃基板和P型电极键合在一起、透明基板和N型AlInP限制层键合在一起都可以采用SU-8胶或者3M胶实现。GaAs衬底、GaAs缓冲层和晶格引导层可以采用湿法腐蚀实现。
在本实施例的另一种实现方式中，该制作方法还可以包括：
在蓝宝石衬底上低温生长GaN缓冲层；
在GaN缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在未掺杂GaN层上生长电子产生层、有源层和空穴产生层，形成制作绿光芯片或者蓝光芯片的外延片。
在制作绿光芯片或者蓝光芯片的外延片中，电子产生层可以为掺杂Si的GaN层，有源层可以由交替层叠的InGaN量子阱和GaN量子垒组成，空穴产生层可以为掺杂Mg的GaN层。
可选地，该制作方法还可以包括：
在空穴产生层上形成透明导电层；
在透明导电层上设置P型电极，形成绿光芯片或者蓝光芯片。
可选地，该步骤101可以包括：
在基板上形成驱动电路；
在驱动电路和基板上未形成驱动电路的区域铺设旋转涂布玻璃(英文：spin onglass coating，简称：SOG)，形成导热绝缘层；
图形化导热绝缘层，在导热绝缘层内形成延伸至驱动电路的通孔；
在通孔内填充金锡材料；
加热导热绝缘层，将芯片键合在电路板上。
在实际应用中，驱动电路上可以设有金属垫，以便实现驱动电路与P型电极之间的电连接，同时可以避免电连接的过程中损伤驱动电路。可选地，金属垫的厚度可以为3微米以上，以有效保护驱动电路。
步骤102：采用激光剥离的方式去除红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片中的透明基板。
图7为本公开实施例提供的步骤102执行之后LED模块的结构示意图。参见图7，红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23中的透明基板40去除。
步骤103：在红光芯片和蓝光芯片中的电子产生层远离绿光芯片的区域上形成半透明薄膜。
图8为本公开实施例提供的步骤103执行之后LED模块的结构示意图。参见图8，红光芯片21和蓝光芯片23中的电子产生层35远离绿光芯片22的区域上设有半透明薄膜37。
通过在红光芯片和蓝光芯片远离绿光芯片的区域上形成半透明薄膜，使得红光芯片和蓝光芯片远离绿光芯片的区域的发光强度低于红光芯片和蓝光芯片靠近绿光芯片的区域的发光强度，有利于促进LED模块整体的发光中心远离非芯片相邻的边缘区域，改善LED模块整体发出光线的均匀性，提高像素单元的均匀性和锐利度。
半透明薄膜将红光芯片和蓝光芯片的表面划分为发光强度亮暗不同的两个区域：形成有半透明薄膜的略暗区域和未形成半透明薄膜的略亮区域，略暗区域的发光强度小于略亮区域的发光强度。如图3所示，红光芯片21和蓝光芯片23远离绿光芯片22的侧边为略暗区域100，红光芯片21和蓝光芯片23靠近绿光芯片22的侧边为略亮区域200。如图4所示，红光芯片21远离绿光芯片22和蓝光芯片23的转角区域为略暗区域100，红光芯片21靠近绿光芯片22和蓝光芯片23的转角区域为略亮区域200；蓝光芯片23远离绿光芯片22和红光芯片21的转角区域为略暗区域100，蓝光芯片23靠近绿光芯片22和红光芯片21的转角区域为略亮区域200。
在实际应用中，ITO薄膜的透光率与其氧化程度有关，充分氧化的ITO薄膜的透光率接近90％，未充分氧化的ITO薄膜的透光率只有60％，因此半透明薄膜可以为未充分氧化的ITO薄膜，即控制ITO薄膜的氧化程度即可得到所需透明程度的薄膜。
进一步地，形成有半透明薄膜的略暗区域还可以进一步划分为形成有两层半透明薄膜的略暗区域和形成有一层半透明薄膜的略亮区域，形成有两层半透明薄膜的略暗区域的发光强度小于形成有一层半透明薄膜的略亮区域的发光强度。形成有两层半透明薄膜的略暗区域与绿光芯片之间的距离大于形成有一层半透明薄膜的略亮区域与绿光芯片之间的距离，这样红光芯片和蓝光芯片的发光强度向远离绿光芯片的方向逐步减小，有利于促进LED模块整体的发光中心远离非芯片相邻的边缘区域，改善LED模块整体发出光线的均匀性，提高像素单元的均匀性和锐利度。
可选地，当红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片排成品字形时，该制作方法还可以包括：
在绿光芯片中的电子产生层远离红光芯片和蓝光芯片的区域上形成半透明薄膜。
当红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片排成品字形时，绿光芯片也存在设置在边缘的区域，利用半透明薄膜划分出略暗区域和略亮区域，有利于促进LED模块整体的发光中心远离非芯片相邻的边缘区域，改善LED模块整体发出光线的均匀性，提高像素单元的均匀性和锐利度。
如图4所示，绿光芯片22远离红光芯片21和蓝光芯片23的侧边区域为略暗区域100，绿光芯片22靠近红光芯片21和蓝光芯片23的侧边区域为略亮区域200。
步骤104：在半透明薄膜和电子产生层未形成半透明薄膜的区域上形成透明导电薄膜。该步骤104为可选步骤。
图9为本公开实施例提供的步骤104执行之后LED模块的结构示意图。参见图9，所有芯片的整个电子产生层35均铺设有透明导电薄膜38。
通过在整个电子产生层表面铺设透明导电薄膜，一方面有利于电流扩展，另一方面可以对半透明薄膜进行包覆，有利于半透明薄膜稳定设置在电子产生层表面。
可选地，该制作方法还可以包括：
在半透明薄膜和电子产生层未形成半透明薄膜的区域上形成钝化保护层。
利用钝化保护层可以阻挡空气中的氧气和水蒸气等腐蚀芯片。
步骤105：在红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片中的电子产生层上设置N型电极。
图10为本公开实施例提供的步骤105执行之后LED模块的结构示意图。参见图10，各个芯片的整个电子产生层35上均设有N型电极36。
步骤106：形成散射层。该步骤106为可选步骤。
在本实施例中，散射层与红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片相对设置，且散射层和电路板分别位于红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片的两侧。
图11为本公开实施例提供的步骤106执行之后LED模块的结构示意图。参见图11，散射层50与红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23相对设置，且散射层50和电路板10分别位于红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23的两侧。
通过设置散射层对各个芯片发出的光线进行散热，有利于LED模块发出的光线混合均匀，改善LED模块整体发出光线的均匀性，提高像素单元的均匀性和锐利度。
在实际应用中，可以散射层50设置在LED模块的外壳内壁上，也可以先在红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23上铺设透明材料，再将散射层50设置在透明材料上，以使散射层50与红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23之间相隔一定的距离，对红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23发出的光线进行混合。
示例性地，散射层50与红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23之间的距离可以为50微米，以便充分混合红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23发出的光线。
本公开实施例提供了一种发光二极管模块。参见图11，发光二极管模块包括电路板10和分别设置在电路板10上的红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23，红光芯片21和蓝光芯片23分别与绿光芯片22相对设置，红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23均包括依次层叠在电路板10上的P型电极31、透明导电层32、空穴产生层33、有源层34、电子产生层35和N型电极36，红光芯片21和蓝光芯片23中的电子产生层35远离绿光芯片22的区域上设有半透明薄膜37。
在本实施例的一种实现方式中，参见图3，红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23可以排成一条直线。
在本实施例的另一种实现方式中，参见图4，红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23可以排成品字形。
在上述实现方式中，绿光芯片22中的电子产生层35远离红光芯片21和蓝光芯片23的区域上形成半透明薄膜37。
可选地，如图11所示，红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23还可以包括透明导电薄膜38，透明导电薄膜38设置在电子产生层35上未设置N型电极36的区域上。
在实际应用中，半透明薄膜37可以为未充分氧化的ITO薄膜，透明导电薄膜38可以为已充分氧化的ITO薄膜。
可选地，如图11所示，发光二极管模块还可以包括散射层50，散射层50与红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23相对设置，且散射层50和电路板10分别位于红光芯片21、绿光芯片22和蓝光芯片23的两侧。
本公开实施例提供了一种发光二极管模块。参见图5，发光二极管外延片包括GaAs衬底41以及依次层叠在GaAs衬底41上的GaAs缓冲层42、晶格引导层43、N型AlInP限制层44、电子产生层35、有源层34和空穴产生层33。参见图6，晶格引导层43由依次层叠的GaAs层/GaInP层超晶格结构431、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构432和GaAs层/AlInP层超晶格结构433组成，GaInP层431b中Ga组分的含量、AlGaInP层432b中Al组分和Ga组分的含量之和、AlInP层433b中Al组分的含量相等。
可选地，GaAs层/GaInP层超晶格结构431、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构432、GaAs层/AlInP层超晶格结构433的厚度可以依次为D1、D2、D3，D1＜D2，D2＞D3。
在实际应用中，GaAs层/GaInP层超晶格结构431的厚度可以为200埃，GaAs层/AlGaInP层超晶格结构432的厚度可以为300埃，GaAs层/AlInP层超晶格结构433的厚度可以为200埃。
GaInP层431b中Ga组分的含量、AlInP层433b中Al组分的含量可以为50％，AlGaInP层432b中Al组分的含量、AlGaInP层432b中Ga组分的含量可以为25％，GaAs层/GaInP层超晶格结构431、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构432和GaAs层/AlInP层超晶格结构433的周期数均可以为3个。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管模块的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
分别在电路板上设置红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，所述红光芯片和所述蓝光芯片分别与所述绿光芯片相对设置，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片均包括依次层叠在所述电路板上的P型电极、透明导电层、空穴产生层、有源层、电子产生层和透明基板；
采用激光剥离的方式去除所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片中的透明基板；
在所述红光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层远离所述绿光芯片的区域上形成半透明薄膜；
在所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片中的电子产生层上设置N型电极。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成一条直线，或者，所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成品字形。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，当所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片排成品字形时，所述制作方法还包括：
在所述绿光芯片中的电子产生层远离所述红光芯片和所述蓝光芯片的区域上形成半透明薄膜。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述半透明薄膜和所述电子产生层未形成所述半透明薄膜的区域上形成透明导电薄膜。
5.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
形成散射层，所述散射层与所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片相对设置，且所述散射层和所述电路板分别位于所述红光芯片、所述绿光芯片和所述蓝光芯片的两侧。
6.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在GaAs衬底上低温生长GaAs缓冲层；
在所述GaAs缓冲层上生长晶格引导层，所述晶格引导层由依次层叠的GaAs层/GaInP层超晶格结构、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构和GaAs层/AlInP层超晶格结构组成，所述GaInP层中Ga组分的含量、所述AlGaInP层中Al组分和Ga组分的含量之和、均与所述AlInP层中Al组分的含量相等；
在所述晶格引导层上依次生长N型AlInP限制层、电子产生层、有源层和空穴产生层，形成制作所述红光芯片的外延片。
7.一种发光二极管模块，其特征在于，所述发光二极管模块包括电路板(10)和分别设置在所述电路板(10)上的红光芯片(21)、绿光芯片(22)和蓝光芯片(23)，所述红光芯片(21)和所述蓝光芯片(23)分别与所述绿光芯片(22)相对设置，所述红光芯片(21)、所述绿光芯片(22)和所述蓝光芯片(23)均包括依次层叠在所述电路板(10)上的P型电极(31)、透明导电层(32)、空穴产生层(33)、有源层(34)、电子产生层(35)和N型电极(36)，所述红光芯片(21)和所述蓝光芯片(23)中的电子产生层(35)远离所述绿光芯片(22)的区域上设有半透明薄膜(37)。
8.根据权利要求7所述的发光二极管模块，其特征在于，所述红光芯片(21)、所述绿光芯片(22)和所述蓝光芯片(23)排成品字形，所述绿光芯片(22)中的电子产生层(35)远离所述红光芯片(21)和所述蓝光芯片(23)的区域上形成半透明薄膜(37)。
9.根据权利要求7或8所述的发光二极管模块，其特征在于，所述发光二极管模块还包括散射层(50)，所述散射层(50)与所述红光芯片(21)、所述绿光芯片(22)和所述蓝光芯片(23)相对设置，且所述散射层(50)和所述电路板(10)分别位于所述红光芯片(21)、所述绿光芯片(22)和所述蓝光芯片(23)的两侧。
10.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括GaAs衬底(41)以及依次层叠在所述GaAs衬底(41)上的GaAs缓冲层(42)、晶格引导层(43)、N型AlInP限制层(44)、电子产生层(35)、有源层(34)和空穴产生层(33)，所述晶格引导层(43)由依次层叠的GaAs层/GaInP层超晶格结构(431)、GaAs层/AlGaInP层超晶格结构(432)和GaAs层/AlInP层超晶格结构(433)组成，所述GaInP层(431b)中Ga组分的含量、所述AlGaInP层(432b)中Al组分和Ga组分的含量之和、均与所述AlInP层(433b)中Al组分的含量相等。
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