CN110940422B - 一种mems红外探测器响应时间测量装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种MEMS红外探测器响应时间测量的装置及方法，该装置包括：辐射光源生成模块，用于产生辐射光源；脉冲激光生成模块，用于根据辐射光源产生功率可调的脉冲激光，并输入到MEMS红外探测器；测量模块，用于测得MEMS红外探测器在脉冲激光不同功率下的第一电压值和第二电压值；响应时间分析处理模块，用于根据第一电压值及第二电压值测量MEMS红外探测器的响应时间。通过实施本发明，克服了传统MEMS红外探测器响应时间测试中斩波器叶片遮挡‑镂空比例不易调节、叶片转动的频率难与探测器匹配、叶片转动耗时长以及采样点时间间隔较大的问题，且激光脉冲信号的测试误差在ns级，实现了对MEMS红外探测器响应时间的准确测试。
Description
技术领域
本发明涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种MEMS红外探测器响应时间测量装置及方法。
背景技术
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，简称MEMS)红外探测器以红外成像为核心，它通过把红外辐射转换成其它可测量物理信号，并对该物理信号做相应的模拟或数字信号处理，从而得到可供人类视觉分辨的图像。发展至今，红外探测技术已经广泛应用于军事、医疗、农业、安防等多个领域，响应时间作为红外探测器的一个重要物理量，对红外探测器的性能具有很大的影响。
传统的MEMS红外探测器响应时间的测量需要基于黑体辐射源、斩波器、水冷装置等设备搭建一套复杂的测量系统，然而斩波器的遮挡区域和透光区域具有一定的面积，其按某频率工作时会消耗一定的时间，而测试所得的器件响应时间无法排除斩波器的工作耗时，导致测试结果存在较大误差。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中测定MEMS红外探测器响应时间无法排除斩波器的工作耗时的缺陷，从而提供一种MEMS红外探测器响应时间测量装置及方法。
为此，本发明采用如下技术方案：
根据第一方面，本发明实施例提供一种MEMS红外探测器响应时间测量的装置，包括：辐射光源生成模块，用于产生辐射光源；脉冲激光生成模块，用于根据所述辐射光源产生功率可调的脉冲激光，并输入到MEMS红外探测器；测量模块，用于测得所述MEMS红外探测器在所述脉冲激光不同功率下的第一电压值和第二电压值；响应时间分析处理模块，用于根据所述第一电压值及第二电压值测量所述MEMS红外探测器的响应时间。
结合第一方面，在第一方面第一实施方式中，所述辐射光源生成模块包括：绿光激光器、钛宝石激光器，所述绿光激光器用于向所述钛宝石激光器发射第一出射光；所述钛宝石激光器用于根据所述第一出射光泵浦形成具有预设波长的所述辐射光源。
结合第一方面，在第一方面第二实施方式中，所述脉冲激光生成模块包括：声光调制器、信号发生器、RF射频开关、VCO射频信号发生器，所述信号发生器用于产生用以控制所述RF射频开关的时间的方波信号；所述VCO射频信号发生器用于产生初始连续信号；所述RF射频开关用于根据所述方波信号的控制将所述初始连续信号转换为初始脉冲信号；所述声光调制器用于调节所述幅射光源为一级衍射光，并根据所述初始脉冲信号输出所述脉冲激光。
结合第一方面第二实施方式，在第一方面第三实施方式中，所述脉冲激光生成模块还包括：功率放大器，设置于所述RF射频开关及所述声光调制器之间，所述功率放大器用于将所述初始脉冲信号放大生成第一脉冲信号，并将所述第一脉冲信号输出至所述声光调制器；所述声光调制器还用于调节所述幅射光源为一级衍射光，并根据所述第一脉冲信号输出所述脉冲激光。
结合第一方面，在第一方面第四实施方式中，所述响应时间分析处理模块具体用于：根据所述第一电压值及第二电压值通过标定公式测量所述MEMS红外探测器的响应时间，所述标定公式为如下公式：
其中，U0表示第一电压值，Ut表示第二电压值，t表示加入脉冲激光后，输出电压达到第二电压值对应的时刻，τ为响应时间。
结合第一方面，在第一方面第五实施方式中，所述第一电压值U0的表达式为如下公式：
U0＝Umax-Umin，
其中，Umin表示未加入脉冲激光时的基础电压值，Umax表示加入脉冲激光后输出响应电压的最大值。
结合第一方面第一实施方式，在第一方面第六实施方式中，所述钛宝石激光器输出所述辐射光源的波长范围为600—1000nm。
根据第二方面，本发明实施例提供了一种MEMS红外探测器响应时间测量的方法，应用于本发明第一方面或第一方面中任意一种实施方式所述的MEMS红外探测器响应时间测量的装置，该方法包括如下步骤：通过所述辐射光源生成模块产生辐射光源；通过所述脉冲激光生成模块根据所述辐射光源产生脉冲激光，并输入到MEMS红外探测器；通过所述测量模块调节所述脉冲激光的频率，并测得所述MEMS红外探测器在所述脉冲激光不同功率下的第一电压值和第二电压值；通过响应时间分析处理模块根据所述第一电压值及第二电压值测量所述MEMS红外探测器的响应时间。
本发明技术方案，具有如下优点：
本发明提供了一种MEMS红外探测器响应时间测量装置及方法，该测量装置包括：辐射光源生成模块，用于产生辐射光源；脉冲激光生成模块，用于根据辐射光源产生功率可调的脉冲激光，并输入到MEMS红外探测器；测量模块，用于测得MEMS红外探测器在脉冲激光不同功率下的第一电压值和第二电压值；响应时间分析处理模块，用于根据第一电压值及第二电压值测量MEMS红外探测器的响应时间。在本发明中，绿光激光器作为泵浦源，钛宝石激光器泵浦产生辐射光源，输出到声光调制器产生脉冲激光，通过信号发生器控制RF射频开关的时间，RF射频开关控制VCO射频信号发生器的开断产生脉冲信号，经过功率放大器放大输出到声光调制器，使辐射光源在布拉格衍射的作用下，产生一级衍射光，并通过VCO射频信号发生器输出的VCO信号来调节该一级衍射光的频率，克服了传统MEMS红外探测器响应时间测试中斩波器叶片遮挡-镂空比例不易调节、叶片转动的频率难与探测器匹配、叶片转动耗时长以及采样点时间间隔较大的问题，且激光脉冲信号的测试误差在ns级，实现了对MEMS红外探测器响应时间的准确测试。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中一种MEMS红外探测器响应时间测量的装置的功能框图；
图2为本发明实施例中一种MEMS红外探测器响应时间测量的装置的原理框图；
图3为本发明实施例中一种MEMS红外探测器响应时间测量过程的标定公式的电压波形图；
图4为本发明实施例中一种MEMS红外探测器响应时间测量的方法的流程图；
图5为本发明实施例中斩波器的测试方法的原理框图；
图6为本发明实施例中斩波器的测试方法的输出电压波形图；
图7为本发明实施例中脉冲激光测量的方法的输出电压波形图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
本发明实施例提供一种MEMS红外探测器响应时间测量的装置，如图1所示，包括：辐射光源生成模块1，用于产生辐射光源；脉冲激光生成模块2，用于根据辐射光源产生脉冲激光，并输入到MEMS红外探测器；测量模块3，用于测得MEMS红外探测器在脉冲激光不同功率下的第一电压值和第二电压值；响应时间分析处理模块4，用于根据第一电压值及第二电压值测量MEMS红外探测器的响应时间。
在一可选实施例中，如图2所示，上述辐射光源生成模块1包括：绿光激光器11、钛宝石激光器12，其中，绿光激光器11用于发射第一出射光，入射钛宝石激光器12，钛宝石激光器12用于根据该第一出射光泵浦形成具有预设波长的辐射光源。
在本发明实施例中，绿光激光器作为泵浦源，钛宝石激光器泵浦产生辐射光源，输出到声光调制器产生脉冲激光，通过信号发生器控制RF射频开关的时间，RF射频开关控制VCO射频信号发生器的开断产生脉冲信号，经过功率放大器放大输出到声光调制器，使辐射光源在布拉格衍射的作用下，产生一级衍射光，并通过VCO射频信号发生器输出的VCO信号来调节该一级衍射光的频率，克服了传统MEMS红外探测器响应时间测试中斩波器叶片遮挡-镂空比例不易调节、叶片转动的频率难与探测器匹配、叶片转动耗时长以及采样点时间间隔较大的问题，且激光脉冲信号的测试误差在ns级，实现了对MEMS红外探测器响应时间的准确测试。
在本实施例中，绿光激光器11输出波长为532nm的绿光激光作为钛宝石激光器12的泵浦源，钛宝石激光器12将绿光激光泵浦形成波长范围为600—1000nm的辐射光源。在本实施例中，钛宝石激光器输出波长为795nm的辐射光源，但不以此为限。
在一可选实施例中，脉冲激光生成模块2包括：信号发生器21、RF射频开关22、VCO射频信号发生器23、功率放大器24、声光调制器25，其中，该信号发生器21用于产生用以控制RF射频开关的时间的方波信号，VCO射频信号发生器23用于产生初始连续信号，RF射频开关22用于根据方波信号的控制将初始连续信号转换为初始脉冲信号，功率放大器24用于将初始脉冲信号放大生成第一脉冲信号，并将第一脉冲信号输出至声光调制器25，声光调制器25用于调节所述幅射光源为一级衍射光，并根据所述第一脉冲信号输出所述脉冲激光，具体地，在本发明的可选实施例中，该声光调制器25是基于布拉格衍射原理构建得到纳秒级激光脉冲。
在本实施例中，信号发生器21、RF射频开关22、VCO射频信号发生器23、声光调制器25均为已封装好的模块，将信号发生器21、VCO射频信号发生器23分别用连接线与RF射频开关22连接，将RF射频开关22用连接线与功率放大器24连接，信号发生器21产生一个方波信号，输出到RF射频开关22，控制RF射频开关22的时间，VCO射频信号发生器23输出一个连续信号，通过RF射频开关22控制VCO射频信号发生器23的开断，输出脉冲信号。VCO射频信号发生器23产生的脉冲信号较小，通过功率放大器24将脉冲信号进行功率放大，输出到声光调制器25。声光调制器25在不同的频率下产生的脉冲激光是不同的，通过VCO射频信号发生器23产生功率不同的脉冲信号，调节声光调制器25输出不同功率的脉冲激光，垂直射入MEMS红外探测器的吸收区。
在一可选实施例中，测量模块3包括：示波器31，用于接收被测MEMS红外探测器的电信号，并得到所述第一电压值及第二电压值。
在一可选实施例中，响应时间分析处理模块4具体用于：根据第一电压值及第二电压值通过标定公式测量所述MEMS红外探测器的响应时间，所述标定公式为如下公式：
其中，U0表示第一电压值，Ut表示第二电压值，t表示加入脉冲激光后，输出电压达到第二电压值对应的时刻，τ为响应时间。
其中，第一电压值U0的表达式为如下公式：
U0＝Umax-Umin， (2)
其中，Umin表示未加入脉冲激光时的基础电压值，Umax表示加入脉冲激光后输出响应电压的最大值。
当搭建好测试系统后，通过绿光激光器11输出波长为532nm的绿光激光作为钛宝石激光器12的泵浦源，钛宝石激光器12将绿光激光泵浦输出波长为795nm的辐射光源，辐射光源输出到声光调制器25。信号发生器21产生一个方波信号，输出到RF射频开关22，控制RF射频开关22的时间，VCO射频信号发生器23输出一个连续信号，通过RF射频开关22控制VCO射频信号发生器23的开断，输出脉冲信号。VCO射频信号发生器23产生的脉冲信号较小，通过功率放大器24将脉冲信号进行功率放大，输出到声光调制器25。声光调制器25用于将钛宝石激光器12输出的辐射光源在布拉格衍射的作用下，产生0级和一级衍射光。其中，0级衍射光被挡掉，仅保留一级衍射光，因为只有一级衍射光可以被VCO射频信号发生器23的VCO信号控制，VCO射频信号发生器23通过调节频率到80MHz时，使得声光调制器25输出的一级衍射光是最大的。在本发明实施例中，通过调整MEMS红外探测器的吸收区与脉冲激光垂直对准，使脉冲激光光束完全照射在MEMS红外探测器的吸收区上。
如图3所示，当MEMS红外探测器未加入脉冲激光时，示波器31测得一个基础电压值Umin，记下达到基础电压值Umin对应的时间T0，MEMS红外探测器加入脉冲激光后，MEMS红外探测器会随着脉冲激光的有无，产生应激响应，同时示波器31随时间变化输出MEMS红外探测器的响应电压，当输出值达到最大时，记下此时的响应电压Umax，由基础电压值Umin和响应电压最大值Umax，可得出U0＝Umax-Umin。然后基于该U0来计算电压标定值。当输出电压随着辐射变化达到Ut+Umin时，记录此时的时间T1，因此，响应时间τ＝T1-T0。
当t＝τ时，公式(1)可表示为：
Ut＝U063％， (3)
此时t表示MEMS红外探测器达到稳定状态值的63％所需要的时间，以该数值标定响应时间。
本发明实施例的MEMS红外探测器响应时间测量装置，包括：辐射光源生成模块，用于产生辐射光源；脉冲激光生成模块，用于根据辐射光源产生功率可调的脉冲激光，并输入到MEMS红外探测器；测量模块，用于调节脉冲激光的功率，并测得MEMS红外探测器在脉冲激光不同功率下的第一电压值和第二电压值；响应时间分析处理模块，用于根据第一电压值及第二电压值测量MEMS红外探测器的响应时间。绿光激光器作为泵浦源，钛宝石激光器泵浦产生辐射光源，输出到声光调制器产生脉冲激光，通过信号发生器控制RF射频开关的时间，RF射频开关控制VCO射频信号发生器的开断产生脉冲信号，经过功率放大器放大输出到声光调制器，使辐射光源在布拉格衍射的作用下，产生一级衍射光，并通过VCO射频信号发生器输出的VCO信号来调节该一级衍射光的频率，克服了传统MEMS红外探测器响应时间测试中斩波器叶片遮挡-镂空比例不易调节、叶片转动的频率难与探测器匹配、叶片转动耗时长以及采样点时间间隔较大的问题，且激光脉冲信号的测试误差在ns级，实现了对MEMS红外探测器响应时间的准确测试。
实施例2
本发明实施例提供一种MEMS红外探测器响应时间测量的方法，应用于上述MEMS红外探测器响应时间测量的装置，如图4所示，包括如下步骤：
步骤S1：通过辐射光源生成模块1产生辐射光源。
上述辐射光源生成模块1包括：绿光激光器11、钛宝石激光器12，通过绿光激光器11输出波长为532nm的绿光激光作为钛宝石激光器12的泵浦源，钛宝石激光器12将绿光激光泵浦输出波长为795nm的辐射光源。
步骤S2：通过脉冲激光生成模块2根据辐射光源产生脉冲激光，并输入到MEMS红外探测器。
上述脉冲激光生成模块2包括：信号发生器21、RF射频开关22、VCO射频信号发生器23、功率放大器24、声光调制器25，信号发生器21、RF射频开关22、VCO射频信号发生器23、声光调制器25均为已封装好的模块，将信号发生器21、VCO射频信号发生器23分别用连接线与RF射频开关22连接，将RF射频开关22用连接线与功率放大器24连接，信号发生器21产生一个方波信号，输出到RF射频开关22，控制RF射频开关22的时间，VCO射频信号发生器23输出一个连续信号，通过RF射频开关22控制VCO射频信号发生器23的开断，输出脉冲信号。VCO射频信号发生器23产生的脉冲信号较小，通过功率放大器24将脉冲信号进行功率放大，输出到声光调制器25。声光调制器25在不同的频率下产生的脉冲激光是不同的，通过VCO射频信号发生器23产生功率不同的脉冲信号，调节声光调制器25输出不同频率的脉冲激光，垂直射入MEMS红外探测器的吸收区。
步骤S3：通过测量模块3调节脉冲激光的频率，并测得MEMS红外探测器在脉冲激光不同功率下的第一电压值和第二电压值。
测量模块3包括示波器31，当MEMS红外探测器未加入脉冲激光时，示波器31测得一个基础电压值Umin，MEMS红外探测器加入脉冲激光后，MEMS红外探测器会随着脉冲激光的有无，产生应激响应，同时示波器31随时间变化输出MEMS红外探测器的响应电压，当输出值达到最大时，记下此时的响应电压Umax，由基础电压值Umin和响应电压最大值Umax，可得出U0＝Umax-Umin，根据公式计算标定值Ut。
步骤S4：通过响应时间分析处理模块4根据所述第一电压值及第二电压值测量所述MEMS红外探测器的响应时间。
响应时间分析处理模块4具体用于：根据第一电压值及第二电压值通过标定公式测量所述MEMS红外探测器的响应时间，所述标定公式为如下公式：
其中，U0表示第一电压值，Ut表示第二电压值，t表示加入脉冲激光后，输出电压达到第二电压值对应的时刻，τ为响应时间。
其中，第一电压值U0的表达式为如下公式：
U0＝Umax-Umin， (2)
其中，Umin表示未加入脉冲激光时的基础电压值，Umax表示加入脉冲激光后输出响应电压的最大值。
当t＝τ时，公式(1)可表示为：
Ut＝U063％， (3)
此时t表示MEMS红外探测器达到稳定状态值的63％所需要的时间，以该数值标定响应时间。
根据上述步骤S1至步骤S4可得到不同功率下的第一电压值U0和第一电压值Umin对应的时间Ta，由公式(3)可计算出Ut，根据示波器31显示的输出电压波形，找出第二电压值Ut+Umin对应的时间Tb，求得此时的响应时间τ＝Tb-Ta。
本发明提供了一种MEMS红外探测器响应时间测量方法，应用于上述任意实施例所述的MEMS红外探测器响应时间测量装置，基于该装置实现的响应时间测量的精度在纳秒级，实现了对MEMS红外探测器响应时间的准确测试，克服了传统斩波器测试中斩波器叶片遮挡-镂空比例不易调节、叶片转动的频率难与MEMS红外探测器匹配、叶片转动耗时长以及采样点时间间隔较大的问题。
进一步地，为验证本发明实施例的MEMS红外探测器响应时间测量方法的有效性，通过与斩波器的测试方法进行对比验证。
如图5所示，斩波器的测试方法的系统装置包括黑体501、斩波器502、水冷装置503、低通滤波电路模块504、半导体特性分析仪505，其中，水冷装置503包括MEMS红外探测器芯片，黑体501发射红外光源，垂直射入斩波器502，斩波器502的叶片旋转把红外光源周期性地通过和遮住，将红外光源调制成红外脉冲信号，红外脉冲信号的频率取决于叶片的旋转频率，MEMS红外探测器吸收红外脉冲信号输出与斩波器502同频率的脉冲电压信号，经过低通滤波电路模块504去除干扰，通过半导体特性分析仪505输出红外热电堆探测器产生的电势差。根据上述步骤测得结果，如图6所示，MEMS红外探测器的响应时间为14.46ms。
本发明实施例提供的一种MEMS红外探测器响应时间测量的方法，测试步骤如下：
第一步：搭建测试系统；
第二步：绿光激光器11作为泵浦源，钛宝石激光器12泵浦产生辐射光源输出到声光调制器25，通过信号发生器21、RF射频开关22、VCO射频信号发生器23、功率放大器24共同作用控制声光调制器产生2.5Hz脉冲激光；
第三步：调整MEMS红外探测器的吸收区与脉冲激光垂直对准，使脉冲激光完全照射在MEMS红外探测器的吸收区上；
第四步：测试中在声光调制器前加入了半波片和偏振分光器。偏振分光器可以将激光分为两束，同时，旋转半波片可以精准控制激光的分配。测试过程中，分别调节脉冲信号的功率从100mW增大到600mW，变化步长为50mW，并用过示波器分析记录。
第五步：根据上述步骤测试分析得到的不同功率下的U0，按照Ut＝U063％拟合曲线并求出热响应时间τ。
示波器31显示的输出电压的波形如图7所示，由输出电压波形可得，MEMS红外探测器的响应时间为3.10ms，相对于斩波器的测试方法的响应时间缩短了11.36ms，证明了本发明方法的有效性。
本发明提供的一种MEMS红外探测器响应时间测量的方法，无需斩波器，该方法以钛宝石激光器为辐射光源，利用声光调制器基于布拉格衍射原理构建纳秒级激光脉冲，MEMS红外探测器响应激光脉冲的作用输出脉冲电信号，很好地规避了测量系统中设备工作耗时引入的时间参数，提高测量结果的准确性。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (4)
1.一种MEMS红外探测器响应时间测量的装置，其特征在于，包括：
辐射光源生成模块，用于产生辐射光源；所述辐射光源生成模块包括：绿光激光器、钛宝石激光器，所述绿光激光器用于向所述钛宝石激光器发射第一出射光；所述钛宝石激光器用于根据所述第一出射光泵浦形成具有预设波长的所述辐射光源；
脉冲激光生成模块，用于根据所述辐射光源产生功率可调的脉冲激光，并输入到MEMS红外探测器；所述脉冲激光生成模块包括：声光调制器、信号发生器、RF射频开关、VCO射频信号发生器，所述信号发生器用于产生用以控制所述RF射频开关的时间的方波信号；所述VCO射频信号发生器用于产生初始连续信号；所述RF射频开关用于根据所述方波信号的控制将所述初始连续信号转换为初始脉冲信号；所述声光调制器用于调节所述辐射光源为一级衍射光，并根据所述初始脉冲信号输出所述脉冲激光；所述脉冲激光生成模块还包括：功率放大器，设置于所述RF射频开关及所述声光调制器之间，所述功率放大器用于将所述初始脉冲信号放大生成第一脉冲信号，并将所述第一脉冲信号输出至所述声光调制器；所述声光调制器还用于根据所述辐射光源及第一脉冲信号生成所述脉冲激光；
测量模块，用于测得所述MEMS红外探测器在所述脉冲激光不同功率下的第一电压值和第二电压值；
响应时间分析处理模块，用于根据所述第一电压值及第二电压值测量所述MEMS红外探测器的响应时间；所述响应时间分析处理模块具体用于：
根据所述第一电压值及第二电压值通过标定公式测量所述MEMS红外探测器的响应时间，所述标定公式为如下公式：
，
其中，表示第一电压值，表示第二电压值，t表示加入脉冲激光后，输出电压达到第二电压值对应的时刻，为响应时间；
所述第一电压值的表达式为如下公式：
，
其中，表示未加入脉冲激光时的基础电压值，表示加入脉冲激光后输出响应电压的最大值。
2.根据权利要求1所述的MEMS红外探测器响应时间测量的装置，其特征在于，所述钛宝石激光器输出所述辐射光源的波长范围为600—1000nm。
3.根据权利要求1所述的MEMS红外探测器响应时间测量的装置，其特征在于，所述脉冲激光生成模块中的功率放大器，设置于所述RF射频开关及所述声光调制器之间，其放大倍数为3000。
4.一种MEMS红外探测器响应时间测量的方法，应用于如权利要求1-3中任一项所述的MEMS红外探测器响应时间测量的装置，其特征在于，包括如下步骤：
通过所述辐射光源生成模块产生辐射光源；
通过所述脉冲激光生成模块将所述辐射光源调节成所述脉冲激光，并输入到MEMS红外探测器；
通过所述测量模块调节所述脉冲激光的频率，并测得所述MEMS红外探测器在所述脉冲激光不同功率下的第一电压值和第二电压值；
通过响应时间分析处理模块根据所述第一电压值及第二电压值测量所述MEMS红外探测器的响应时间。
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