CN110940238B - 电子雷管低功耗长延时的方法、装置、存储介质及电子终端 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电子雷管低功耗长延时的装置，该装置包括：定时模块，用于提供一延时时间段；唤醒模块，用于在达到所述延时时间段时将MCU从空闲模式转换为运行模式。本发明具有延时时间长，分辨率高，功耗低的特点。

Description

电子雷管低功耗长延时的方法、装置、存储介质及电子终端

技术领域

本发明涉及电子雷管领域，具体涉及一种电子雷管低功耗长延时的方法及装置。

背景技术

电子雷管在实际使用过程中，要求工作的低功耗状态下，才能够满足远距离，大挂载量的需求。电子雷管在最后延时起爆过程中，供电线有可能会被先起爆的雷管炸断或短路，而无法对电子模块进行供电。所以电子雷管都有自己独立的储能单元。这个独立的储能单元既要满足电子雷管在起爆延时阶段的工作，还要满足电子雷管具有点火的能力同时还要兼具成本。因此，急需一种具有低功耗长延时的功能的电子雷管。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种电子雷管低功耗长延时的方法及装置，用于解决现有技术的至少一个缺陷。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种电子雷管低功耗长延时的装置，所述装置包括：

定时模块，用于在达到延时时间段时将MCU从空闲模式转换为运行模式；

唤醒模块，用于在达到延时时间段时将MCU从休眠模式或超低功耗模式转换为运行模式。

可选地，所述延时时间段C表示为：C＝n*A+m*B，其中m*B<A，其中，A为对MCU周期唤醒的时间为分辨率，B表示定时模块的分辨率，n为周期唤醒产生的中断次数，m+1为定时器产生的中断次数。

可选地，所述装置还包括补偿模块，用于对延时时间段进行补偿。

可选地，所述延时时间段C表示为：C＝n*A+(m*B+E)，其中E为误差补偿。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种电子雷管低功耗长延时的方法，所述方法包括：

在达到延时时间段时将MCU从空闲模式转换为运行模式；

在达到延时时间段时将MCU从休眠模式或超低功耗模式转换为运行模式。

可选地，所述延时时间段C表示为：C＝n*A+m*B，其中m*B<A，其中，A为对MCU周期唤醒的时间为分辨率，B表示定时模块的分辨率，n为周期唤醒产生的中断次数，m+1为定时器产生的中断次数。

可选地，所述方法还包括：对延时时间段进行补偿。

可选地，所述延时时间段C表示为：C＝n*A+(m*B+E)，其中E为误差补偿。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种存储介质，存储计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行所述的方法。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种电子终端，包括：处理器及存储器；

所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序，以使所述终端执行所述的方法。

如上所述，本发明的一种电子雷管低功耗长延时的方法及装置，具有以下有益效果：

延时时间长，n值越大时间越长；

功耗低，n*A值越大功耗越低，MCU工作在超低功耗的时间就越长；

分辨率高，延时分辨率为B，根据定时器的溢出周期可以是毫秒、微秒甚至纳秒。

附图说明

图1为本发明一实施例一种电子雷管低功耗长延时的装置的原理框图；

图2为本发明一实施例一种电子雷管低功耗长延时的方法的流程图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1所示，一种电子雷管低功耗长延时的装置，包括：

定时模块11，用于在达到延时时间段时将MCU从空闲模式转换为运行模式；

唤醒模块12，用于在达到延时时间段时将MCU从空闲模式转换为运行模式。

在一实施例中，唤醒模块可以是集成在MCU内部的一个功能模块，该功能模块可以在一定时间内将MCU唤醒，由第一模式转换为第二模式。具体地，第一模式可以是休眠模式或超低功耗模式，第二模式可以是运行模式。

在一实施例中，唤醒模块可以是单独的一个功能模块，该功能模块可以在一定时间内将MCU唤醒，由第一模式转换为第二模式。具体地，第一模式可以是休眠模式或超低功耗模式，第二模式可以是运行模式。

在一实施例中，唤醒模块具有周期唤醒功能，周期唤醒的时间为分辨率为A(ms),定时器的分辨率为B(ms)，延时时间段C(ms)。则C＝n*A+(m*B)、其中m*B<A。n就是周期唤醒产生的中断次数，m+1就是定时器产生的中断次数。

考虑到延时的精度，需要对定时器的延时进行校准和补偿，其次是MCU从空闲模式到唤醒模式过程存在延迟。因此，在一实施例中，所述装置还包括补偿模块，用于对延时时间段进行补偿。则所述延时时间段C表示为：C＝n*A+(m*B+E)，E(ms)就是用来调节误差补偿。其中，n*A/C的值越大、A值越大，芯片延时阶段的功耗也将越低。

n*A段的延时使用周期唤醒，这时的MCU工作在休眠或超低功耗状态下；(m*B+E)时间段就用定时器进行延时，使用空闲模式。整体的平均功耗为(5n*A+450(m*B+E))/C，延时越长，其平均功耗也将越低。而对于电子雷管延时小于A(小于500ms)，就要直接使用定时器延时。由于时间短，虽功耗大也不影响工作。

如图2所示，一种电子雷管低功耗长延时的方法，所述方法包括：

S11在达到延时时间段时将MCU从空闲模式转换为运行模式；

S12在达到延时时间段时将MCU从空闲模式转换为运行模式。

在一实施例中，唤醒功能由唤醒模块来实现，唤醒模块可以是集成在MCU内部的一个功能模块，该功能模块可以在一定时间内将MCU唤醒，由第一模式转换为第二模式。具体地，第一模式可以是休眠模式或超低功耗模式，第二模式可以是运行模式。

在一实施例中，唤醒模块可以是单独的一个功能模块，该功能模块可以在一定时间内将MCU唤醒，由第一模式转换为第二模式。具体地，第一模式可以是休眠模式或超低功耗模式，第二模式可以是运行模式。

在一实施例中，唤醒模块具有周期唤醒功能，周期唤醒的时间为分辨率为A(ms),定时器的分辨率为B(ms)，延时时间段C(ms)。则C＝n*A+(m*B)、其中m*B<A。n就是周期唤醒产生的中断次数，m+1就是定时器产生的中断次数。

考虑到延时的精度，需要对定时器的延时进行校准和补偿，其次是MCU从空闲模式到唤醒模式过程存在延迟。因此，在一实施例中，所述方法还包括对延时时间段进行补偿。则所述延时时间段C表示为：C＝n*A+(m*B+E)，E(ms)就是用来调节误差补偿。其中，n*A/C的值越大、A值越大，芯片延时阶段的功耗也将越低。

n*A段的延时使用周期唤醒，这时的MCU工作在休眠或超低功耗状态下；一般来说，芯片功能均在5uA以下。(m*B+E)时间段就用定时器进行延时，使用空闲模式，芯片功耗均在450uA以下。整体的平均功耗(5n*A+450(m*B+E))/C。延时越长，其平均功耗也将越低。而对于电子雷管延时小于A(小于500ms)，就要直接使用定时器延时。由于时间短，虽功耗大也不影响工作。

由于方法部分的实施例与装置部分的实施例相互对应，因此方法部分的实施例的内容请参见装置部分的实施例的描述，这里暂不赘述。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

在本发明所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括:能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器((RAM,Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (4)

1.一种电子雷管低功耗长延时的装置，其特征在于，所述装置包括：

定时模块，用于在达到延时时间段时将MCU从空闲模式转换为运行模式；

唤醒模块，用于在达到延时时间段时将MCU从休眠模式或超低功耗模式转换为运行模式；

所述装置还包括补偿模块，用于对延时时间段进行补偿；

所述延时时间段C表示为：C＝n*A+(m*B+E)，其中，E为误差补偿，m*B<A，其中，A为分辨率，表示对MCU周期唤醒的时间，B表示定时模块的分辨率，n为周期唤醒产生的中断次数，m+1为定时模块产生的中断次数。

2.一种电子雷管低功耗长延时的方法，其特征在于，所述方法包括：

在达到延时时间段时将MCU从空闲模式转换为运行模式；

在达到延时时间段时将MCU从休眠模式或超低功耗模式转换为运行模式；

所述延时时间段C表示为：C＝n*A+(m*B+E)，其中，E为误差补偿，m*B<A，其中，A为分辨率，表示对MCU周期唤醒的时间，B表示定时模块的分辨率，n为周期唤醒产生的中断次数，m+1为定时模块产生的中断次数。

3.一种存储介质，存储计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求2所述的方法。

4.一种电子终端，其特征在于，包括：处理器及存储器；

所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序，以使所述终端执行如权利要求2所述的方法。

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