CN110931051B - 磁盘装置以及头位置的修正方法 - Google Patents

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Abstract

实施方式提供一种能够改善伺服定位精度的磁盘装置以及头位置的修正方法。实施方式所涉及的磁盘装置具备:盘,其具有包括伺服扇区的记录区域;头,其对上述盘写入数据,从上述盘读取数据;以及控制器,其取得与根据读取上述伺服扇区而取得的第一线性误差来设定的多个测定位置分别对应的、对上述记录区域的可重复性偏摆的多个修正数据,根据上述多个修正数据来修正上述头的位置。

Description

磁盘装置以及头位置的修正方法
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置以及头位置的修正方法。
背景技术
在磁盘装置中,开发了抑制由可重复性偏摆(RRO:Repeatable Runout)引起的误差(以下,简称为RRO)而修正头位置的技术。例如存在以下方法:在盘的半径方向不同的多个位置上测定RRO,根据对测定出的多个数据之间的RRO进行插值而得到的数据来修正头位置。在修正该头位置的方法中,需要适当地设定用于测定RRO的位置。
发明内容
本发明的实施方式提供能够改善伺服定位精度的磁盘装置以及头位置的修正方法。
本实施方式所涉及的磁盘装置具备:盘,其具有包括伺服扇区的记录区域;头,其对上述盘写入数据,从上述盘读取数据;以及控制器,其取得与根据读取上述伺服扇区而取得的第一线性误差来设定的多个测定位置分别对应的、对上述记录区域的可重复性偏摆的多个修正数据,根据上述多个修正数据来修正上述头的位置。
本实施方式所涉及的头位置的修正方法是应用于磁盘装置的头位置的修正方法,上述磁盘装置具备:盘,其具有包括伺服扇区的记录区域;以及头,其对上述盘写入数据,从上述盘读取数据,上述修正方法包括:取得与根据读取上述伺服扇区而取得的第一线性误差来设定的多个测定位置分别对应的、对上述记录区域的可重复性偏摆的多个修正数据,根据上述多个修正数据来修正上述头的位置。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的磁盘装置的结构的框图。
图2是表示实施方式所涉及的头相对于盘的配置的一例的示意图。
图3是表示伺服区域的结构的一例的示意图。
图4是表示解调N突发而得到的解调信号与解调Q突发而得到的解调信号的利萨如波形的一例的图。
图5是表示伺服解调标准的目标指标与测定指标的关系的一例的图。
图6是表示线性误差的一例的示意图。
图7是表示与线性学习位置和线性误差对应的定位误差的分布的一例的图。
图8是表示本实施方式所涉及的线性学习位置的设定方法的一例的图。
图9是表示本实施方式所涉及的线性RRO修正处理中的学习位置的决定方法的一例的流程图。
图10是表示本实施方式所涉及的线性学习位置的设定方法的一例的流程图。
图11是表示线性误差的变动的一例的图。
图12是表示变形例1所涉及的线性学习位置的设定方法的一例的流程图。
图13是表示线性误差的变动周期成分的一例的图。
图14是表示变形例2所涉及的线性学习位置的设定方法的一例的示意图。
图15是表示基于变形例2所涉及的线性修正的线性学习位置的设定方法的一例的流程图。
具体实施方式
以下,参照附图说明实施方式。此外,附图仅是一例,并不限定发明的范围。
(实施方式)
图1是表示实施方式所涉及的磁盘装置1的结构的框图。
磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC 20、头放大器集成电路(以下称为头放大器IC或预放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓冲器)90以及作为单芯片集成电路的系统控制器130。另外,磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100相连接。
HAD具有磁盘(以下称为盘)10、主轴电动机(以下称为SPM)12、搭载了头15的臂13以及音圈电动机(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM 12,通过SPM 12的驱动而旋转。臂13和VCM 14构成致动器。致动器通过VCM 14的驱动,将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10和头15也可以设置成两个以上的数量。
盘10在能够写入其数据的区域内分配能够由用户使用的用户数据区域10a以及写入系统管理所需的信息的系统区域10b。以下,将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。
头15以滑块为主体而具备安装于该滑块的写头15W以及读头15R。写头15W在盘10上写入数据。读头15R读取记录在盘10上的磁道的数据。此外,还有时将写头15W简称为头15,还有时将读头15R简称为头15,还有时将写头15W和读头15R统称为头15。以下,还有时将头15的中心部称为头15、将写头15W的中心部称为写头15W、将读头15R的中心部称为读头15R。“磁道”作为在盘10的半径方向上划分的多个区域内的一个区域、盘10的圆周方向上延长的数据、写入于磁道的数据、其它各种意思来使用。“扇区”作为将磁道在圆周方向上划分的多个区域内的一个区域、写入于盘10的预定位置的数据、写入于扇区的数据、其它各种意思来使用。另外,将磁道的半径方向的宽度称为磁道宽度,将作为目标的磁道宽度的中心位置称为磁道中心。磁道中心例如为与盘10配置成同心圆状的正圆。
图2是表示实施方式所涉及的头15相对于盘10的配置的一例的示意图。在图2中,在半径方向上,将朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧),将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外,在图2中示出盘10的旋转方向。此外,旋转方向也可以是相反方向。在图2中,用户数据区域10a被划分为位于内方向的内周区域IR、位于外方向的外周区域OR以及位于内周区域IR与外周区域OR之间的中周区域MR。在图2中示出内周区域IR的预定磁道的磁道中心的路径(以下简称为磁道中心)IIL、中周区域MR的预定磁道的磁道中心IL0以及外周区域OR的预定磁道的磁道中心OIL。磁道中心IIL相当于将头15定位到内周区域IR的预定磁道的情况下的作为头15的目标的路径(以下称为目标路径或目标轨迹)。磁道中心IL0相当于将头15定位到中周区域MR的预定磁道的情况下的头15的目标路径。磁道中心OIL相当于将头15定位到外周区域OR的预定磁道的情况下的头15的目标路径。另外,在图2中示出由可重复性偏摆(Repeatable RunOut:RRO)引起分别偏离于磁道中心IIL、IL0以及OIL的头15的路径ISL、SL0以及OSL。
盘10具有多个伺服区域SV。以下,还有时将伺服区域SV称为伺服扇区。多个伺服区域SV在盘10的半径方向上放射状地延伸而在圆周方向上隔着预定间隔而离散地配置。伺服区域SV包括用于将头15定位到盘10的预定的半径方向的位置(以下,称为半径位置)的伺服数据和RRO修正数据。
伺服数据例如包括伺服标记(Servo Mark)、地址数据以及突发数据等。地址数据由预定磁道的地址(柱面地址)以及预定磁道的伺服扇区的地址构成。突发数据为用于检测头15在半径方向上相对于预定磁道的磁道中心的位置偏离(位置误差)的数据(相对位置数据),由预定周期的重复模式(pattern,图案)构成。对外跨相邻的磁道而锯齿状(日文:千鳥状)地写入突发数据。突发数据包括由将伺服数据写入到盘时因与盘10的旋转同步的摇晃(可重复性偏摆:RRO)而产生的磁道相对于正圆磁道(磁道中心)的失真引起的误差。以下,为了便于说明,将由通过RRO产生的磁道相对于磁道中心的失真引起的误差简称为RRO。
多个伺服区域SV分别被写入构成用于修正RRO的RRO修正数据的模式(以下,简称为RRO修正数据)。RRO修正数据为伺服数据的一种附加数据。RRO修正数据用于修正伺服数据(更详细而言为伺服数据中的伺服突发数据)的RRO、即用于修正头15的路径相对于磁道中心的失真。还有时将该RRO的修正称为正圆修正。
RRO修正数据包括RRO前导模式、同步模式以及将修正量进行编码而得到的数字数据(以下称为RRO修正码(RRO Code))。RRO前导模式以及同步模式用于检测对被写入到后续区域的修正量进行编码而得到的数字数据的读取开始定时。此时,RRO修正码(RRO Code)构成RRO修正数据的主要部分。还有时将这种RRO修正数据称为RRObit或Post Code(Post码)。
在图2示出的示例中,在定位于内周区域IR的预定磁道的磁道中心IIL的情况下,根据盘10的伺服区域SV的伺服数据,对头15的动作进行修正,使得从路径ISL通过磁道中心IIL上方。在定位于中周区域MR的预定磁道的磁道中心IL0的情况下,根据盘10的伺服区域SV的伺服数据,对头15的动作进行修正,使得从路径SL0通过磁道中心IL0上方。在定位于外周区域OR的预定磁道的磁道中心OIL的情况下,根据盘10的伺服区域SV的伺服数据,对头15的动作进行修正,使得从路径OSL通过磁道中心OIL上方。
驱动器IC 20按着系统控制器130(详细而言为后述的MPU 60)的控制,对SPM 12和VCM 14的驱动进行控制。
头放大器IC(预放大器)30具备读取放大器和写入驱动器。读取放大器对从盘10读取的读取信号进行放大,输出到系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道40)。写入驱动器将与从R/W通道40输出的信号相应的写入电流输出到头15。
易失性存储器70为当电源被切断时所保存的数据丢失的半导体存储器。易失性存储器70存储磁盘装置1的各部中的处理所需的数据等。易失性存储器70例如为DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)或SDRAM(Synchronous DynamicRandom Access Memory:同步动态随机存取存储器)。
非易失性存储器80为即使电源被切断也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如为NOR型或NAND型闪存ROM(Flash Read Only Memory:FROM)。
缓冲存储器90为临时记录在磁盘装置1与主机100之间发送接收的数据等的半导体存储器。此外,缓冲存储器90也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器90例如为DRAM、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:铁电随机存取存储器)或MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory:磁阻随机存取存储器)等。
系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成在单个芯片上的被称为System-on-a-Chip(SoC)(片上系统)的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50以及微型处理器(MPU)60。系统控制器130例如与驱动器IC20、头放大器IC 30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机100电连接。
R/W通道40根据来自后述的MPU 60的指示,执行从盘10传送到主机100的读取数据以及从主机100传送的写入数据的信号处理。R/W通道40具有对读取数据的信号质量进行测定的电路或功能。R/W通道40例如与头放大器IC 30、HDC 50以及MPU 60等电连接。
HDC 50根据来自后述的MPU 60的指示,对主机100与R/W通道40之间的数据传送进行控制。HDC 50例如与R/W通道40、MPU 60、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等电连接。
MPU 60为对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU 60经由驱动器IC 20来控制VCM 14,执行对头15进行定位的伺服控制。另外,MPU 60经由驱动器IC 20来控制SPM 12,使盘10旋转。MPU 60控制将数据写入到盘10的写入动作,并且选择写入数据的保存目的地。另外,MPU 60控制从盘10读取数据的读取动作,并且控制读取数据的处理。MPU 60与磁盘装置1的各部相连接。MPU 60例如与驱动器IC 20、R/W通道40以及HDC 50等电连接。
MPU 60包括读/写控制部610、RRO学习部620、RRO记录部630以及位置修正部640。MPU 60在固件上执行这些各部例如读/写控制部610、RRO学习部620、RRO记录部630以及位置修正部640等的处理。此外,MPU 60也可以作为电路而具备这些各部例如读/写控制部610、RRO学习部620、RRO记录部630以及位置修正部640。
读/写控制部610按着来自主机100的命令,对数据的读取处理和写入处理进行控制。读/写控制部610经由驱动器IC 20来控制VCM 14,将头15定位到盘10的预定位置并读取或写入数据。以下,还有时将“将头15(写头15W和读头15R)定位或配置到盘10的预定位置例如作为预定磁道的目标的位置(以下称为目标位置)”记载为“将头15(写头15W和读头15R)定位或配置到预定磁道”。
RRO学习部620将读头15R定位到盘10的预定位置例如预定磁道的磁道中心,测定磁道中心与从读取的伺服数据解调的头15(读头15R)的位置的差分值(以下称为RRO修正量),根据其测定结果来计算RRO修正数据。以下,将“测定RRO修正量”、“根据RRO修正量来计算RRO修正数据”称为“RRO学习”。还有时将“RRO学习”简称为“测定”、“读取”或“取得”等。还有时将RRO修正量和RRO修正数据用作同一意思。还有时将执行RRO学习的预定半径位置和执行RRO学习的预定半径位置称为学习位置。例如,学习位置相当于从预定磁道的磁道中心向半径方向的距离。另外,RRO学习部620还能够取得进行RRO学习后的圆周方向的位置信息等。例如,RRO学习部620在磁盘装置1的测试阶段或产品阶段执行RRO学习处理。此外,RRO学习部620可以在预定半径位置处在圆周方向的几个位置处执行RRO学习,也可以在圆周方向的所有位置处执行RRO学习。另外,RRO学习部620可以在几个半径位置处执行RRO学习,也可以在盘10的所有半径位置处执行RRO学习。
RRO学习部620根据与多个学习位置分别对应的多个RRO修正量,对盘10的半径方向的预定区域(以下称为半径区域)的盘10的RRO修正量的半径方向的变化(以下称为RRO的变化或RRO修正量的变化)进行推定,根据推定出的半径区域的RRO修正量的变化来修正头15的半径位置,由此在盘10的该半径区域的多个半径位置处执行RRO学习。以下,还有时将头15的半径位置简称为头位置。例如,RRO的变化的趋势(倾斜度)能够在每个磁道中变化。RRO学习部620例如在能够执行以下处理的盘10的半径区域的多个半径位置处执行RRO学习:根据在两个学习位置处分别取得的两个RRO修正量对该区域的RRO修正量的变化进行推定,根据推定出的RRO修正量的变化来修正头15的半径位置。以下,还有时将“根据在半径区域内在两个学习位置处分别取得的两个RRO修正量来推定该区域的RRO修正量的变化并根据推定出的RRO修正量的变化来修正头位置的处理”称为“线性RRO修正处理”。此外,在线性RRO修正处理中,也可以根据在半径区域内在三个以上的学习位置处分别取得的三个以上的RRO修正量来推定该半径区域的RRO修正量的变化,根据推定出的RRO修正量的变化来修正头位置。
为了提高线性RRO修正处理的精度,RRO学习部620根据与理想半径区域(或预定磁道)例如相邻的两个磁道的半径方向的配置对应的信息(以下还有时称为理想的伺服解调标准)、和与通过测定取得的该预定磁道的半径方向的配置对应的信息(以下还有时称为实际伺服解调标准)和差分值,设定使用于线性RRO修正处理的学习位置(以下,称为线性学习位置)。半径区域(或预定磁道)的半径方向的配置例如包括相对于半径区域(或预定磁道)的磁道中心的半径方向的失真等(以下还有时称为伺服解调标准的非线性)。以下,将与理想半径区域的半径方向的配置对应的信息、和与通过测定取得的该半径区域的半径方向的配置对应的信息的差分值称为线性误差。例如,线性误差为表示半径区域例如预定磁道的失真的指标。
RRO学习部620包括在读取伺服区域SV的信号而计算伺服解调位置的过程中修正线性误差的功能。以下,将“修正线性误差”称为“线性修正”。RRO学习部620调整在伺服解调位置的计算过程中与线性修正对应的各种参数(以下称为修正参数),并执行线性修正。RRO学习部620也可以将在执行线性修正时调整的修正参数记录到预定记录区域例如盘10、非易失性存储器80等。RRO学习部620例如在制造工序中执行线性修正。例如在制造工序中线性修正并不适当的情况下,线性误差有可能变大。RRO学习部620例如根据修正参数来设定线性学习位置。
以下,参照图3至图6说明线性误差。
图3是表示伺服区域SV的结构的一例的示意图。在图3中示出在半径方向上连续地排列的磁道TRn和磁道TRn+1。磁道TRn具有磁道中心TRCn。磁道TRn+1具有磁道中心TRCn+1。此外,为了便于说明,磁道TRn和TRn+1在圆周方向上直线状地延长,但是实际上沿盘10的圆周方向弯曲。磁道TRn和TRn+1也可以分别周期性地变动的同时波状地在圆周方向上延长。另外,磁道TRn和TRn+1可以在半径方向上稍微分离,也可以局部重叠。
在图3示出的示例中,伺服区域SV包括前导(Preamble)、伺服标记(Servo Mark)、格雷码(Gray Code)、PAD、N突发(N burst)、Q突发(Q burst)以及Post码(Post Code)等。前导包括用于与伺服模式的再现信号同步的前导信息。伺服标记包括表示伺服模式的开始的伺服标记信息。格雷码包括表示伺服扇区编号、磁道(柱面)编号等的格雷码信息。PAD包括间隙和伺服AGC等同步信号的PAD信息。N突发和Q突发包括表示头15(写头15W和读头15R)相对于磁道的半径方向的相对位置的突发信息。Post码包括RRO修正数据。此外,Post码也可以不包含在伺服区域SV。
在图3示出的示例中,RRO学习部620对读头15R在伺服标记的半径位置、例如磁道TRn的磁道中心TRCn处读取的伺服标记信息的圆周方向上连续的格雷码、N突发、Q突发、Post Code进行解调,检测解调后的读头15R的半径位置来作为伺服解调位置。RRO学习部620也可以将检测出的伺服解调位置等信息记录到预定记录区域例如盘10、非易失性存储器80等。
图4是表示解调N突发而得到的解调信号与解调Q突发而得到的解调信号的利萨如波形的一例的图。在图4中,横轴表示对读头15R在规定半径位置处读取的N突发的信号进行解调的解调信号(以下,称为N突发解调信号),纵轴表示读头15R在规定半径位置处读取的Q突发的信号进行解调的解调信号(以下,称为Q突发解调信号)。N突发解调信号例如相当于通过解调N突发而得到的解调位置,相当于从与解调后的N突发对应的磁道的磁道中心(或目标位置)向半径方向的偏离量(以下,称为偏离磁道量)。Q突发信号例如相当于通过解调Q突发而得到的解调位置,相当于从与解调的Q突发对应的磁道的磁道中心(或目标位置)起的偏离磁道量。在图4的横轴中,随着从原点0朝向正箭头的方向而向正值的方向增加,随着从原点0朝向负箭头的方向而向负值的方向减小。在图4的纵轴中,随着从原点0朝向正箭头的方向而向正值的方向增加,随着从原点0朝向负箭头的方向而向负值的方向减小。在图4中示出利萨如波形(或利萨如图形)LF。利萨如波形LF的一周量相当于与两个伺服磁道相当的半径区域内的各半径位置对应的信息,例如相当于与图3示出的磁道TRn和TRn+1相当的半径区域内的各半径位置对应的信息。
在图4示出的示例中,利萨如波形LF大致呈圆形状。在利萨如波形LF呈圆形状的情况下,线性误差可减小。在利萨如波形LF呈四边形状的情况下,线性误差可能会变大。RRO学习部620也可以至少根据对在两个伺服磁道量的半径区域内的各半径位置处读取的数据进行解调而得到的解调信号,取得利萨如波形LF。另外,RRO学习部620也可以将取得到的利萨如波形LF记录到预定记录区域例如盘10、非易失性存储器80等。
图5是表示伺服解调标准的目标指标与测定指标的关系的一例的图。在图5中,横轴表示在半径区域内作为目标的伺服偏离磁道量(以下称为目标指标),纵轴表示在半径区域内基于通过测定取得的Q突发解调信号和N突发解调信号的实际伺服偏离磁道量(以下称为测定指标)。在横轴上,目标指标随着朝向大的箭头而增加,目标指标随着朝向小的箭头而减小。在纵轴上,目标指标随着朝向大的箭头而增加,目标指标随着朝向小的箭头而减小。在图5中示出线LL51和虚线LL52。线LL51和虚线LL52分别表示目标指标与测定指标的关系。
在图5示出的示例中,线LL51表示测定指标与目标指标处于比例关系的情况。也就是说,线LL51表示并未产生线性误差的情况。虚线LL52表示测定指标与目标指标处于非线性关系的情况。也就是说,虚线LL52表示产生线性误差的情况。RRO学习部620例如根据Q突发解调信号和N突发解调信号来计算测定指标,根据计算出的测定指标和目标指标,分别计算目标指标与测定指标的关系LL51和LL52。
图6是表示线性误差的一例的示意图。在图6中,横轴表示目标指标,纵轴表示线性误差。在横轴上,目标指标随着朝向大的箭头而增加,目标指标随着朝向小的箭头而减小。在纵轴上,随着从原点0朝向正的箭头而线性误差在正值的方向上增加,随着从原点0朝向负的箭头而线性误差在负值的方向上减小。在图6中示出线LL61和虚线LL62。线LL61和虚线LL62分别表示目标指标和线性误差的关系。线LL61与图5示出的线LL51对应,虚线LL62与图5示出的虚线LL52对应。
在图6示出的示例中,在以目标指标与线性误差的关系LL62示出那样产生线性误差的情况下,RRO学习部620执行线性修正。RRO学习部620调整各种修正参数而调整线性误差。RRO学习部620将各种修正参数记录到预定记录区域例如盘10和/或非易失性存储器80。
图7是表示与线性学习位置和线性误差对应的定位误差的分布的一例的图。在图7中,横轴表示相对于磁道TRk的磁道中心RCG的半径位置,纵轴表示在磁道TRk上根据通过线性RRO修正处理取得的RRO修正量将头15定位到磁道TRk的预定半径位置的情况下的伺服定位误差(Repeatable Position Error:RPE)。在横轴上,随着朝向外方向的箭头而位于盘10的外周侧,随着朝向内方向的箭头而位于盘10的内周侧。在纵轴上,随着朝向大的箭头而定位误差增加,随着朝向小的箭头而定位误差减小。在图7中示出磁道TRk的磁道中心RCG、从磁道中心RCG朝向外方向的线性学习位置px11、从磁道中心RCG朝向内方向的线性学习位置px21、从磁道中心RCG朝向外方向且比线性学习位置px11更向内方向的线性学习位置px12、从磁道中心RCG朝向内方向且比线性学习位置px21更向外方向的线性学习位置px22。在图7中示出定位误差的分布D1、定位误差的分布D2以及定位误差的分布D3。
在图7示出的示例中,定位误差的分布D1表示在线性误差较小的情况下根据使用在线性学习位置px11和px21分别学习到的两个RRO修正量来通过线性RRO修正处理取得的磁道TRk的各半径位置所对应的各RRO修正量将头15定位到磁道TRk的各半径位置时的定位误差的变化。在定位误差的分布D1中,各圆点表示在磁道TRk将头15定位到各半径位置而测定的各定位误差的测定值。在图7中,定位误差的分布D2表示在线性误差较大的情况下根据使用线性学习位置px11和px21分别学习到的两个RRO修正量来通过线性RRO修正处理取得的磁道TRk的各半径位置所对应的各RRO修正量将头15定位到磁道TRk的各半径位置时的定位误差的变化。在定位误差的分布D2中,各交叉点表示在磁道TRk将头15定位到各半径位置而测定的各定位误差的测定值。在图7中,定位误差的分布D3表示在线性误差较大的情况下根据使用在线性学习位置px12和px22分别学习到的两个RRO修正量来通过线性RRO修正处理取得的磁道TRk的各半径位置所对应的RRO修正量将头15定位到磁道TRk的各半径位置时的定位误差的变化。在定位误差的分布D3中,各四边矩点表示在磁道TRk将头15定位到各半径位置而测定的各定位误差的测定值。
在图7示出的示例中,在线性误差较大的情况下,线性学习位置px12和px22的定位误差小于线性学习位置px11和px21。换言之,在线性误差较大的情况下,两个线性学习位置的间隔(以下称为线性学习位置间隔)越小则,定位误差越小。也就是说,在线性误差较大的情况下,RRO的变动周期较短,RRO的变动较大。如图7所示,线性误差与RRO(RRO修正量)对应。例如在执行线性RRO修正处理的情况下,RRO学习部620随着线性误差增加而使线性学习位置间隔缩小。换言之,在执行线性RRO修正处理的情况下,RRO学习部620随着线性误差减小而使线性学习位置间隔增加。另外,例如在执行线性RRO修正处理的情况下,如果线性误差为0,则RRO学习部620能够使线性学习位置间隔成为最大。
图8是表示本实施方式所涉及的线性学习位置的设定方法的一例的图。在图8中,横轴表示相当于与预定磁道对应的修正参数的伽马(γ),纵轴表示相当于从预定磁道的磁道中心朝向半径方向的距离的线性学习位置。线性学习位置例如为纳米[nm]等级。在横轴上,随着从原点0朝向正的箭头而伽马在正值的方向上增加,随着从原点0朝向负的箭头而伽马在负值的方向上减小。在纵轴上,随着朝向大的箭头而线性学习位置增加,随着朝向小的箭头而线性学习位置减小。在图8中,多个圆点分别表示通过预定的伽马而测定出的线性学习位置。以下,将通过预定的伽马测定出的学习位置称为测定点。在图8中示出从多个测定点导出的伽马与最佳线性学习位置的相关式CL。在图8中示出在相关式CL中与伽马γ1对应的半径位置LP1以及在相关式CL中与伽马γ2对应的半径位置LP2。伽马γ2大于伽马γ1。半径位置LP2小于半径位置LP1。伽马在执行线性修正时被取得,与线性修正的结果相应地变化。伽马表示半径区域的线性误差是大、还是小。随着伽马变大而半径区域的线性误差增加,随着伽马变小而半径区域的线性误差减小。随着伽马变大而半径区域内的利萨如波形接近四边形状,随着伽马变小而半径区域内的利萨如波形接近圆形状。随着伽马变大而半径区域内的利萨如波形的最大振幅相对于最小振幅之比变得大于1,随着伽马变小而半径区域内的利萨如波形的最大振幅相对于最小振幅之比接近1。
RRO学习部620根据在半径区域的线性修正中取得的伽马和相关式CL来设定线性学习位置。RRO学习部620例如也可以从通过各磁盘装置、各头测定出的多个测定点,预先导出按每个磁盘、每个头进行了调整的多个相关式CL,将多个相关式CL记录到预定记录区域、例如盘10和/或非易失性存储器80。在设定线性学习位置的情况下,RRO学习部620选择适合于预定磁盘装置、预定头的相关式。在图8示出的示例中,在取得伽马γ1的情况下,RRO学习部620根据伽马γ1和相关式CL,将从预定磁道的磁道中心朝向外方向的线性学习位置的绝对值设定为半径位置LP1,将从该磁道中心朝向内方向的线性学习位置的绝对值设定为半径位置LP1。在取得伽马γ2的情况下,RRO学习部620根据伽马γ2和相关式CL,将从预定磁道的磁道中心朝向外方向的线性学习位置的绝对值设定为半径位置LP2,将从该磁道中心朝向内方向的线性学习位置的绝对值设定为半径位置LP2。此外,RRO学习部620也可以根据利萨如波形来设定线性学习位置。例如,在RRO学习部620中,随着利萨如波形接近圆形状,增加从预定磁道的磁道中心起的线性学习位置,随着利萨如波形接近四边形状,减小从预定磁道的磁道中心起的线性学习位置。
RRO记录部630将头15定位于预定半径位置,将通过RRO学习取得的RRO修正数据写入到预定伺服区域SV。RRO记录部630将至少一个RRO修正数据写入到各伺服区域SV。RRO记录部630能够调整RRO修正数据的可读半径方向的宽度(以下称为再现宽度)。RRO记录部630例如能够通过RRO修正数据的配置间隔以及写入条件(例如写入电流和/或写入浮起)等来增加和减小再现宽度。另外,再现宽度在写头15W的宽度和读头15R的宽度等设计性条件下也增加和减小。RRO记录部630写入RRO修正数据,使得RRO修正数据的再现宽度的中心位置(以下简称为RRO修正数据)配置在从允许在各磁道写入数据的磁道中心起在半径方向上所设定的预定范围(以下称为允许范围)内。
位置修正部640读取与预定磁道的圆周方向的预定区域(以下称为圆周区域)对应的RRO修正数据(RRObit),根据从读取的RRO修正数据取得的RRO修正量、对该RRO修正数据进行学习的学习位置、从与该RRO修正数据对应的圆周区域的磁道中心至与该RRO修正数据对应的圆周区域内的头位置为止的偏离磁道量,对头位置进行修正以使得接近该圆周区域内的预定半径位置、例如磁道中心。位置修正部640执行以下线性RRO修正处理:根据至少在两个线性学习位置处分别学习到的至少两个RRO修正量,计算半径区域的RRO修正量的变化,根据计算出的半径区域的RRO修正量的变化,修正该半径区域内的头位置。
图9是表示本实施方式所涉及的线性RRO修正处理中的学习位置的决定方法的一例的流程图。
MPU 60在对在伺服区域SV读取到的信号进行解调时执行的线性修正中调整修正参数(B901)。MPU 60将修正参数记录到预定记录区域、例如盘10和非易失性存储器80等(B902)。MPU 60根据修正参数来设定线性学习位置(B903),写入在所设定的线性学习位置处进行了学习的RRO修正数据而结束处理。
图10是表示本实施方式所涉及的线性学习位置的设定方法的一例的流程图。
在图9的B903的处理中,MPU 60取得修正参数中的伽马(B1001)。MPU 60根据伽马和相关式CL来计算线性学习位置(B1002)。MPU 60设定计算出的线性学习位置(B1003),进入到B903的处理。
根据本实施方式,磁盘装置1在对在伺服区域SV读取到的信号进行解调时执行的线性修正中调整修正参数,根据修正参数中的伽马和相关式CL来设定线性学习位置。因此,磁盘装置1能够提高线性RRO修正处理的精度。因而,磁盘装置1能够改善伺服定位精度。
接着,说明变形例和其它实施方式所涉及的磁盘装置。在变形例和其它实施方式中,对与上述实施方式相同的部分标记相同的参照标号而省略其详细说明。
(变形例1)
在变形例1的磁盘装置1中,线性学习位置的设定方法与上述实施方式不同。
RRO学习部620在半径区域执行线性修正之后,测定执行了线性修正的半径区域、例如在半径方向上相邻的两个磁道内的线性误差的变动,根据测定出的线性误差的变动来设定RRO学习位置。
图11是表示线性误差的变动的一例的图。在图11中,横轴表示半径方向,纵轴表示半径区域的线性误差。在横轴上,随着朝向外方向的箭头而位于盘10的外周侧,随着朝向内方向的箭头而位于盘10的内周侧。在纵轴上,随着从原点0朝向正的箭头而线性误差在正值的方向上增加,随着从原点0朝向负的箭头而线性误差在负值的方向上减小。在图11中示出例如如图3所示两个伺服磁道量的半径区域内的线性误差的变动。在图11中示出半径区域内的线性误差的变动REL1以及小于半径区域内的线性误差的变动REL1的线性误差的变动REL2。在图11中示出用于设定线性学习位置的阈值RE1、RE2。阈值RE1和RE2例如绝对值相同。此外,阈值RE1和RE2也可以绝对值不同。例如图11示出的示例也可以与图7示出的示例相对。
在图11示出的示例中,RRO学习部620在半径区域执行线性修正之后,测定执行了线性修正的半径区域、例如在半径方向上相邻的两个磁道的线性误差的变动REL1。RRO学习部620判定为线性误差的变动REL1大于阈值RE1和RE2,设定线性学习位置A、例如图7示出的px12和px22。
RRO学习部620在执行线性修正之后,测定执行线性修正的半径区域内的线性误差的变动REL2。RRO学习部620判定为线性误差的变动REL2小于阈值RE1和RE2,设定大于线性学习位置A的线性学习位置B、例如图7示出的px11和px21。
图12是表示变形例1所涉及的线性学习位置的设定方法的一例的流程图。
在图9的B903的处理中,MPU 60在执行了线性修正的半径区域测定线性误差(B1201),判定线性误差(的绝对值)是大于阈值(的绝对值)、还是为阈值以下(B1202)。在判定为线性误差大于阈值的情况下(B1202:“是”),MPU 60设定线性学习位置A(B1203),进入到B903的处理。在判定为线性误差小于阈值的情况下(B1202:“否”),MPU 60设定大于线性学习位置A的线性学习位置B(B1204),进入到B903的处理。
根据变形例1,磁盘装置1在半径区域执行线性修正之后,测定执行了线性修正的半径区域的线性误差,根据测定出的线性误差来设定RRO学习位置。因此,磁盘装置1能够改善伺服定位精度。
(变形例2)
在变形例2的磁盘装置1中,线性学习位置的设定方法与上述实施方式和变形例1不同。
RRO学习部620在半径区域执行线性修正之后,检测执行了线性修正的半径区域、例如在半径方向上相邻的两个磁道内的线性误差的半径区域内的变动周期成分,检测具有比变动周期成分的变动周期振幅的阈值(以下称为振幅阈值)大的变动周期振幅的至少一个变动周期成分,检测具有比振幅阈值大的变动周期振幅的至少一个变动周期成分中的最短变动周期的变动周期成分(以下称为最短周期成分),每隔最短周期成分的变动周期一半以下的间隔来设定线性学习位置、例如两个线性学习位置。变动周期例如与半径方向的位置对应。例如RRO学习部620作为FFT(Fast Fourier Transform:快速傅里叶变换)频谱而取得相邻的两个磁道内的线性误差的周期成分。
图13是表示线性误差的变动周期成分的一例的图。在图13中,横轴表示半径区域的线性误差的变动周期(以下简称为变动周期)的倒数,纵轴表示变动周期振幅。变动周期的倒数为将伺服磁道间距除以变动周期而得到的值。在此,一个伺服磁道间距相当于在半径方向上相邻的两个磁道的半径方向的距离。横轴表示1/变动周期=0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10。在纵轴上,随着朝向大的箭头而变动周期振幅增加,随着朝向小的箭头而变动周期振幅减小。在图13中示出变动周期振幅A1和A2以及振幅阈值Ath1和Ath2。变动周期振幅A1大于振幅阈值Ath1。振幅阈值Ath2大于变动周期振幅A1和振幅阈值Ath1。变动周期振幅A2大于变动周期振幅A1、振幅阈值Ath1以及振幅阈值Ath2。在图13中示出变动周期的倒数4(=0.25伺服磁道间距)处的变动周期振幅A1的变动周期成分T1以及变动周期的倒数2(=0.5伺服磁道间距)处的变动周期振幅A2的变动周期成分T2。
在图13示出的示例中,RRO学习部620检测大于振幅阈值Ath1的变动周期振幅即变动周期成分T1和变动周期成分T2。RRO学习部620从变动周期成分T1和变动周期成分T2中作为最短周期成分而检测变动周期成分T1。RRO学习部620每隔变动周期成分T1的变动周期0.25伺服磁道间距的一半以下即0.125伺服磁道间距以下的间隔来设定线性学习位置。
在图13示出的示例中,RRO学习部620检测大于振幅阈值Ath2的变动周期振幅A2即变动周期成分T2。RRO学习部620作为最短周期成分而检测变动周期成分T2。RRO学习部620每隔变动周期成分T2的变动周期0.5伺服磁道间距的一半以下即0.25伺服磁道间距以下的间隔来设定线性学习位置。
图14是表示变形例2所涉及的线性学习位置的设定方法的一例的示意图。在图14中,横轴表示半径方向。在横轴上,随着朝向外方向的箭头而位于盘10的外周侧,随着朝向内方向的箭头而位于盘10的内周侧。在图14中示出在半径方向上相邻的两个磁道TRm和TRm-1。在图14中示出磁道TRm的磁道中心TRCm以及磁道TRm-1的磁道中心TRCm-1。在图14中示出变动周期MTP的最短周期成分FCL。在最短周期成分FCL中,圆点表示所设定的线性学习位置。在图14中,每隔变动周期MTP的1/2以下的间隔来设定两个线性学习位置。在图14中,在半径方向上以线性学习位置间隔Ld使两个线性学习位置分离。换言之,线性学习位置间隔为间隔Ld。在图14中示出两个线性学习位置px31和px32。线性学习位置px31相对于磁道中心TRCm朝向外方向以偏离磁道量x远离。线性学习位置px32相对于磁道中心TRCm朝向内方向远离。线性学习位置px32从线性学习位置px31朝向内方向以间隔Ld远离。
在图14示出的示例中,RRO学习部620每隔最短周期成分FCL的变动周期MTP的1/2(MTP/2)以下的间隔来设定两个线性学习位置。例如RRO学习部620以磁道TRm周围的变动周期MTP/2以下的预定间隔,设定相对于磁道TRm的磁道中心TRCm朝向外方向以偏离磁道量x远离的线性学习位置px31。例如RRO学习部620以磁道TRm周围的变动周期MTP/2以下的预定间隔,将根据线性学习位置px31从磁道TRm的磁道中心TRCm起的偏离磁道量x和线性学习位置间隔Ld来计算出的相对于磁道中心TRCm朝向内方向的偏离磁道量Ld-x的半径位置设定为线性学习位置px32。
图15是表示基于变形例2所涉及的线性修正的线性学习位置的设定方法的一例的流程图。
在图9的B903的处理中,MPU 60在执行了线性修正的半径区域内测定线性误差(B1501),检测测定出的线性误差的变动周期成分(B1502),检测具有比振幅阈值大的变动周期振幅的至少一个变动周期成分(B1503)。MPU 60检测具有比振幅阈值大的变动周期振幅的至少一个变动周期成分中的最短周期成分(B1504),每隔最短周期成分的变动周期一半以下的间隔来设定线性学习位置、例如两个线性学习位置(B1505),进入到B903的处理。
根据变形例2,磁盘装置1在半径区域执行了线性修正之后,测定执行了线性修正的半径区域的线性误差,检测测定出的线性误差的变动周期成分,检测具有比振幅阈值大的变动周期振幅的至少一个变动周期成分。磁盘装置1检测具有比振幅阈值大的变动周期振幅的至少一个变动周期成分中的最短周期成分,每隔最短周期成分的变动周期一半以下的间隔来设定线性学习位置。因此,磁盘装置1能够改善伺服定位精度。
以上说明了几个实施方式,但是这些实施方式仅作为示例而呈现,并不意图限定发明的范围。这些新实施方式能够以其它各种方式实施,在不脱离发明的宗旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式、其变形包含在发明的范围、宗旨,并且包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。
本申请享受以日本专利申请2018-174650号(申请日:2018年9月19日)基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。

Claims (10)

1.一种磁盘装置,具备:
盘,其具有包括伺服扇区的记录区域;
头,其对上述盘写入数据,从上述盘读取数据;以及
控制器,其取得与根据读取上述伺服扇区而取得的第一线性误差来设定的多个测定位置分别对应的、对上述记录区域的可重复性偏摆的多个修正数据,根据上述多个修正数据来修正上述头的位置,
上述控制器随着上述第一线性误差变大而缩小上述多个测定位置的间隔。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置,
上述控制器根据与在读取了上述伺服扇区时取得的上述第一线性误差对应的参数来设定上述多个测定位置。
3.根据权利要求2所述的磁盘装置,
上述控制器根据上述参数和表示上述参数与上述多个测定位置的关系的第一式来设定上述多个测定位置。
4.根据权利要求1所述的磁盘装置,
上述控制器根据在修正了上述第一线性误差之后读取上述伺服扇区而取得的第二线性误差来设定上述多个测定位置。
5.根据权利要求4所述的磁盘装置,
上述控制器在判定为上述第二线性误差大于第一阈值的情况下,将上述多个测定位置设定于第一测定位置,在判定为上述第二线性误差小于上述第一阈值的情况下,将上述多个测定位置设定于大于上述第一测定位置的第二测定位置。
6.根据权利要求4所述的磁盘装置,
上述控制器根据上述第二线性误差的多个周期成分来设定上述多个测定位置。
7.根据权利要求6所述的磁盘装置,
上述控制器根据上述多个周期成分中的振幅大于第一阈值且最短的第一周期的第一周期成分来设定上述多个测定位置。
8.根据权利要求7所述的磁盘装置,
上述控制器每隔上述第一周期的一半以下的第二周期而设定上述多个测定位置。
9.一种磁盘装置,具备:
盘,其具有包括伺服扇区的记录区域;
头,其对上述盘写入数据,从上述盘读取数据;以及
控制器,其取得与根据读取上述伺服扇区而取得的利萨如波形来设定的多个测定位置分别对应的、对上述记录区域的可重复性偏摆的多个修正数据,根据上述多个修正数据来修正上述头的位置。
10.一种头位置的修正方法,应用于磁盘装置,该磁盘装置具备:盘,其具有包括伺服扇区的记录区域;以及头,其对上述盘写入数据,从上述盘读取数据,上述修正方法包括:
取得与根据读取上述伺服扇区而取得的第一线性误差来设定的多个测定位置分别对应的、对上述记录区域的可重复性偏摆的多个修正数据,根据上述多个修正数据来修正上述头的位置,
随着上述第一线性误差变大而缩小上述多个测定位置的间隔。
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