CN110892329A - 用于对准和诊断激光束的方法和装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 446
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 52
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 18
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 49
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000009420 retrofitting Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/003—Alignment of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0455—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings having a throughhole enabling the optical element to fulfil an additional optical function, e.g. a mirror or grating having a through-hole for a light collecting or light injecting optical fibre
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/10—Scanning systems
- G02B26/101—Scanning systems with both horizontal and vertical deflecting means, e.g. raster or XY scanners
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/62—Optical apparatus specially adapted for adjusting optical elements during the assembly of optical systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
公开了用于以高度空间节省、低成本和/或改造友好的方式对准和诊断穿过光具组的激光束的方法和装置。光具组的光学组件被安装成使得一个或多个光学组件可以引导它们的出射激光束部分或全部地扫过一个或多个下游传感器。除了别的之外,光学组件的物理设置与撞击数据和/或光束质量数据的点之间的相关性数据还用于对准和/或诊断激光束和/或定位故障部位和/或优化维护时间表。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年7月20日提交的美国非临时专利申请号15/655,079的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
背景技术
在很多产生激光束的系统(诸如激光发生器)或采用激光束的系统(诸如光刻系统)中,通常存在包括一个或多个光学组件(诸如反射镜、光栅、棱镜、光开关、滤光片等)的光具组。光具组是指激光束穿过的一组光学组件。激光束进入光具组并且在通过光具组之后产生一个或多个出射光束。光具组的光学组件可以全部或部分地反射、处理、过滤、修改、聚焦、扩展等激光束以获取一个或多个期望的激光束输出。
最佳激光操作通常要求激光束相对于光具组的每个光学组件和/或在离开光具组时正确对准。对准是指激光束在穿过一个或多个光学组件之后(诸如在穿过光学组件或穿过部分或整个光具组之后)与一个或多个期望点(无论在空间中是真实的还是虚拟的)相交或撞击。备选地或附加地,最佳激光操作通常还要求光束相对于例如覆盖区、能量等具有某些期望的光学特性。激光束诊断是一项重要的工作,并且除了别的之外,还涉及表征激光束的特性,使得可以实现和/或保持最佳激光操作。
改进的激光束对准和/或激光束诊断装置和方法是本发明的实施例的主题。
发明内容
在一个实施例中,本发明涉及一种用于优化光刻系统中的激光束的方法,该激光束穿过包括多个光学组件的光具组。该方法包括使用多个光学组件中的第一光学组件进行光栅化,使得响应于使用第一光学组件进行的光栅化,离开第一光学组件的激光束至少部分扫过第一传感器。该方法还包括使用在使用第一光学组件进行的光栅化期间从第一传感器获取的数据来形成第一光学组件的物理设置与离开第一光学组件的激光束的撞击点的相关性。该方法还包括使用从相关性获取的数据来确认第一光学组件的第一物理设置,该第一物理设置将引起离开第一光学组件的激光束的撞击点撞击第二光学组件上的期望点。该方法还包括通过根据由该确认而确定的第一物理设置来对准第一光学组件,相对于第二光学组件对准离开第一光学组件的激光束。
在另一实施例中,本发明涉及一种光刻系统,该光刻系统具有包括多个光学组件的光具组,该多个光学组件被配置为至少将激光束从一个位置传递到另一位置。该光刻系统包括第一光学组件,该第一光学组件被配置为至少对离开第一光学组件的激光束执行光栅化,以引起离开第一光学组件的激光束至少部分扫过第一传感器。光刻系统还包括第二光学组件,该第二光学组件被配置为至少接收离开第一光学组件的激光束并且对离开第二光学组件的激光束执行光栅化,以引起离开第二光学组件的激光束至少部分扫过第二传感器。
在另一实施例中,本发明涉及一种用于诊断激光束的方法,该激光束被配置为生成深紫外线(DUV)和极紫外线(EUV)之一以用于光刻,该激光束至少穿过光刻系统中的光具组的第一光学组件和第二光学组件。该方法包括使用第一光学组件进行光栅化,使得离开第一光学组件的激光束至少部分扫过第一传感器。该方法还包括使用第二光学组件进行光栅化,使得离开第二光学组件的激光束至少部分扫过第二传感器。该方法还包括根据从第一传感器和第二传感器接收的数据来确认激光束特性以促进执行激光束的诊断。
在又一实施例中,本发明涉及一种用于形成激光束的方法,该激光束被配置为生成深紫外(DUV)光和极紫外(EUV)光之一以用于光刻,该激光束至少穿过光刻系统中的光具组的第一光学组件和第二光学组件。该方法包括在光刻系统的第一操作时段期间,使用第一光学组件将激光束引导到第二光学组件的第一子区域。该方法还包括此后,在光刻系统的第二操作时段期间,使用第一光学组件将激光束引导到第二光学组件的第二子区域,从而光具组中的一个或多个组件被配置为对准激光束,使得离开光具组之后的激光束撞击点不变,而与光刻系统是在第一操作时段期间还是在第二操作时段期间操作无关。
附图说明
在附图的各图中,通过示例而非限制的方式示出了本发明,附图中的相同的附图标记指代相似的元素,并且在附图中:
图1示出了具有三个示例光学组件(反射镜)的示例简化光具组。
图2A示出了附接到反射镜的背面的传感器。
图2B是示出附接到具有通孔的板的传感器的侧视图。
图2C示出了附接到夹具的传感器,该夹具可移除地向下延伸到反射镜的前方以在激光束扫过传感器时接收激光束。
图2D示出了设置在反射镜的外围的外部的传感器。
图3示出了根据本发明的一个或多个实施例的用于激光束对准的方法。
图4A示出了当激光束穿过虚拟平面时具有激光束覆盖区的激光束。
图4B示出了具有矩形激光束覆盖区的激光束
图4C示出了具有传感器表面区域和周边的传感器。
图5A示出了其中激光束的激光束覆盖区撞击传感器表面的周边的外部的情况。
图5B示出了其中激光束的激光束覆盖区与传感器表面的周边重叠的情况。
图5C示出了其中激光束的激光束覆盖区已经离开传感器表面的周边的情况。
图6示出了三个示例反射镜和两个下游传感器。
图7示出了根据本发明的实施例的用于执行波束诊断的方法。
具体实施方式
现在将参考如附图所示的本发明的一些实施例来详细描述本发明。在下面的描述中,阐述了很多具体细节以便提供对本发明的透彻理解。然而,对于本领域的技术人员很清楚的是,可以在没有一些或所有这些具体细节的情况下实施本发明。在其他情况下,未详细描述众所周知的工艺步骤和/或结构,以免不必要地使本发明晦涩难懂。
在本发明的一个或多个实施例中,公开了用于激光束对准和激光束诊断的改进的装置和方法。在一个或多个实施例中,上游光学组件的物理设置随时间(优选地在短时间段内)改变,使得激光束根据上游光学组件的变化的物理设置而光栅化(或扫掠)过部分或整个下游传感器。在激光束的扫掠期间,记录上游光学组件的物理设置并且将其与下游传感器上的激光束撞击位置相关,从而在上游光学组件的物理设置与下游传感器上的激光束撞击点之间建立相关性数据。注意,根据本发明的一个或多个实施例,该对准方法依赖于响应于上游光学组件的变化的物理设置而收集与传感器上的多个激光撞击点有关的数据来建立相关性。这允许使用比激光束覆盖区小得多的传感器来建立相关性,如稍后将在本文中讨论的。
光学组件的物理设置可以是指光学组件位置相对于某个参考位置的X/Y/Z平移。备选地或附加地,光学组件的物理设置可以是指光学组件如何被“指向”。也就是说,光学组件的物理设置可以是指光学组件相对于某个俯仰/偏航/倾斜基准的俯仰、偏航和/或倾斜指向。更进一步,光学组件的物理设置可以是指引起离开光学组件的激光束在离开光学组件之后改变激光束的后续撞击点的光学组件的任何行为。例如,改变反射镜的曲率或使用光学组件电子地和/或光学地操纵波束可以改变激光束在离开光学组件之后的下一下游撞击点,并且也是改变执行光栅化的光学组件的物理设置的示例。在本文中的示例中,采用平移和指向改变作为示例以简化讨论,但是应当理解,这并不限制以对离开光学组件的激光束进行光栅化为目的的改变光学组件的物理设置的定义。可以对安装在允许调节物理设置的夹具上的光学组件手动(即,通过手)来执行物理设置,或更优选地,响应于控制信号通过调节物理设置的机电致动器来执行物理设置,并且更优选地响应于控制信号在数字计算机的控制下来执行物理设置。
为了使用具体示例进一步讨论这一点,例如,如果光学组件是反射镜,则该反射镜的物理设置可以包括如何在X/Y/Z方向和/或反射镜的俯仰/偏航/倾斜指向上平移反射镜。作为示例,而非旨在施加限制,当平移给定反射镜(即,沿X、Y或Z方向移动)时和/或当改变其指向(即,改变其俯仰、偏航和/或倾斜)以改变离开该给定反射镜的激光束在下游组件(诸如下游传感器和/或下游光学组件)上的撞击点时,这样的移动或运动(涉及平移和/或指向变化)在本文中称为“光栅化”给定光学组件。
在一个或多个实施例中(而不是对本文中的本发明的实施例的要求或限制),下游传感器在物理和/或逻辑上与上游光学组件下游的下游光学组件相关联。例如,可以存在上游光学组件A和下游传感器B,其中下游传感器B与下游光学组件C相关联。下游传感器B可以直接或间接地经由某种安装装置(例如,臂或板)附接在下游光学组件C的前方、旁边或后方。当上游光学组件A改变其物理设置时,激光束扫过部分或整个下游传感器B,从而形成上述相关性数据。
一旦形成相关性数据,上游光学组件的物理设置与下游元件上的激光束撞击点之间的关系是已知的。现在还已知改变上游光学组件的物理设置将如何改变下游撞击点。然后可以调节上游光学组件的物理设置以获取期望撞击点,从而实现对准。换言之,可以通过对光学组件的位置执行适当的平移和/或改变光学组件的指向以引起离开该光学组件的激光束的撞击点撞击期望的空间位置、下游光学组件上的期望位置或下游传感器上的期望位置来对准激光束。可以在原始上游光学组件下游的其他光学组件/传感器对上连续(如果需要,可以迭代地)应用同一技术,从而实现整个光具组的对准。
相关性数据也可以存储在计算机系统和/或计算机可读介质中,和/或经由计算机网络可用,以供其他设备使用和/或将来使用。这些用途可以包括对准、光束诊断、故障定位、维护优化等。本文中的术语“计算机”或“计算机系统”是指具有一个或多个逻辑单元和一个或多个存储单元的任何设备,该存储单元能够执行计算,存储结果,等等,而与形状因子无关。例如,计算机可以包含独立设备和/或网络设备和/或虚拟计算设备(诸如云计算)。
在本文中的示例中,将反射镜用作光学组件以简化讨论,尽管应当理解,现实世界的光具组中可以涉及各种不同类型的光学组件。此外,例如,使用俯仰角(向上或向下)和/或偏航角(向左或向右)的变化来表示光学组件反射镜的物理设置的变化。然而,还应当理解,根据本发明的一个或多个实施例,可以涉及任何类型的物理设置改变(例如,X/Y/Z平移和/或倾斜/俯仰/偏航指向改变)。
为了实现前述的物理设置改变,可以将这样的光学组件安装在用于适当的物理设置改变的适当的安装件上。例如,这样的光学组件可以安装在弹簧偏置的框架上以压靠调节螺钉,安装为经由诸如手动调节、音圈、线性或非线性机电致动器或电机等调节机构而移动。步进电机是机电致动器的示例,其可以直接或间接地(例如,经由螺钉、齿轮、链条、皮带等)在适当安装的光学组件上执行物理设置改变。甚至可以提供手动可调式安装件,以允许通过以下方式进行手动对准:例如,通过手动工具旋转螺钉,或者经由手动可调式安装件上的适当的手动操作来手动调节安装角度/平移距离。这些仅是示例,而非旨在限制本发明的各种实施例。
图1示出了具有三个反射镜102、104和106的示例简化光具组100。反射镜106相对于反射镜104处于下游,反射镜104相对于反射镜102处于下游。激光束108沿箭头110A的方向进入光具组100,并且沿箭头110B的方向离开光具组100。
还示出了两个传感器114和116。传感器114在反射镜102的下游,而传感器116在反射镜104的下游。在一个实施例中,传感器114附接到反射镜104的背面。在一个实施例中,传感器114和/或传感器116被配置为检测约193nm的激光波长。在另一实施例中,传感器114和/或传感器116被配置为检测约248nm的激光波长。术语“约193nm”是指193nm+/-10%的波长,更优选地是193nm+/-5%的激光波长,甚至更优选地是193nm+/-2%或更小的激光波长。术语“约248nm”是指248nm+/-10%的波长,更优选地是248nm+/-5%的激光波长,甚至更优选地是248nm+/-2%或更小的激光波长。然而,应当理解,本发明的实施例不限于任何特定激光波长,即使它们对于产生用于半导体晶片的光刻的深紫外(DUV)或极紫外(EUV)光所采用的激光波长可能是非常有用的。
在图1的示例中,尽管反射镜104主要被设计为反射光,但是少量的光可以穿过其反射层并且可以被传感器114感测。在一个示例中,已经观察到,即使在反射镜前面的反射镜的反射层反射的光超过撞击反射层的光的99%,传感器通常也能够检测到光。根据本发明的一个或多个实施例,这种将传感器固定到光学组件(诸如反射镜104)的背面的方法是一种用于实现激光束对准的高度节省空间的方法。附加地,如果用传感器对现有光具组设计进行改造以实现激光束对准,则这种方法的空间效率和简单性使得这样的改造变得简单。
这在图2A中示出,其中传感器114A被示出为附接到反射镜104A的背面。例如,附接可以使用适当的粘合方法来进行,或者可以使用机械夹具来进行。传感器114A可以直接附接到反射镜104A的背面,其中传感器表面指向以接收从上游进入反射层的光。备选地,具有板状或任何其他物理形状的物理组件可以在其中钻出一个或多个小孔,并且传感器表面可以面对该物理组件,使得仅传感器的一小部分可用于接收光。然后,可以定位包括传感器和物理组件的部件,使得镜104A被设置在对光束执行光栅化的上游光学组件与包括传感器和物理组件的部件之间。这使得相对较大的传感器(可能更便宜或更容易生产)可以呈现为体积更小的传感器,因为它仅接收激光束覆盖区的一部分,从而提高了检测粒度和/或准确性,从而改善了相关性数据。
图2B是示出传感器222附接到板224的侧视图(此处以板为例,并非意在限制物理组件的形状,该形状限制撞击传感器的激光束的大小),板224又附接到反射镜226的背面。板224中的孔228仅允许传感器222的一部分经由孔228接收光,其中传感器222的传感器表面的其他部分被板224阻挡,从而使得传感器222可以充当比传感器222的传感器表面的物理尺寸可以指示的小得多的传感器。
下游传感器也可以安装在夹具上,以可移除地延伸到在下游反射镜前面的激光路径中,以接收来自上游反射镜的光。这在图2C中示出,其中传感器242附接到夹具244并且向下延伸到反射镜246前面,以便在激光束248扫过传感器242时接收激光束248。在这个位置,传感器242和夹具244被定位为使得包括传感器242和夹具244的部件设置在下游反射镜与执行光栅光束的光栅化的上游反射镜之间。在对准完成之后,夹具244和传感器242可以向上撤回或移开,从而不干扰激光操作。
下游传感器还可以可移除地或永久地安装在下游光学组件(诸如反射镜)旁边(即,在其外围的外部),以接收来自对光束执行光栅化的上游光学组件的光。在需要改变法线束路径以获取相关性数据的情况下(诸如在光学谐振器中),或者在生产过程期间期望最小程度地将传感器暴露于激光时,侧面安装是有益的(例如,在执行对准并且将光具组用于光刻生产目的之后,在生产过程中最小程度地将传感器暴露于激光可以延长传感器的使用寿命)。这在图2D中示出,其中传感器252可移除地或永久地设置在夹具256上的反射镜254的侧面(即,在其外围的外部)。
在一个或多个实施例中,下游传感器不必在逻辑上或物理上与下游光学组件相关联,以便从上游光学组件接收光并且实现对准。重要的是,下游传感器和上游光学组件配对以使下游传感器能够在上游光学组件的物理设置改变时接收光,并且建立数据相关性;传感器的安装方式以及其是否在逻辑上或物理上与任何其他组件相关联是特定于实施例的,而不是本发明的中心思想。
图3示出了根据本发明的一个或多个实施例的用于激光束对准的方法。在步骤302中,提供激光束并且使其撞击上游光学组件(诸如图1的光具组100的反射镜102)。在步骤306中,根据时间来改变上游光学组件的物理设置,以允许离开上游光学组件的激光束扫过部分或整个下游传感器。例如,上游光学组件的物理设置的改变可以经由X/Y/Z平移和/或俯仰/偏航/倾斜指向改变来实现。
当激光束扫过下游传感器时,从下游传感器收集关于激光束在传感器表面上的撞击的数据(步骤308)。还从与上游光学组件相关联的硬件收集关于上游光学组件的物理设置的数据。例如,可以从反射镜的机电致动器或从其他安装硬件(在不采用机电致动器的情况下)获取反射镜的(多个)偏航角、俯仰角和/或倾斜指向角,并且将其与传感器上的激光束撞击数据相关。
在步骤310中,然后生成相关性数据的表或数据库,以根据上游光学组件的物理设置来指示激光束撞击点和/或告知激光束撞击点如何随着上游光学组件物理设置随时间变化而变化。
在步骤312中,使用相关性数据来确定适合于实现下游光学组件和/或下游传感器上的期望激光束撞击点的上游光学组件的物理设置(例如,X/Y/Z平移和/或偏航/俯仰/倾斜指向)。
在步骤314中,使用在步骤310中计算出的相关性数据和/或在步骤312中确定的期望的物理设置数据,改变上游光学组件物理设置,以在下游光学组件和/或下游传感器上实现期望的激光束撞击点。此时,离开上游组件的激光束相对于下游光学组件(例如,下游光学组件和/或下游传感器)对准。
在可选步骤316中,可以使用该光学组件下游的传感器对准下游光学组件下游的连续光学组件。对准可以连续地进行(并且如果需要的话可以迭代地进行),直到整个光具组对准激光束。
如所讨论的,随着上游光学组件物理设置改变,激光束扫过部分或整个下游传感器。在使用传感器数据来确定激光束撞击点时,有一些考虑因素可能会有用。为了便于讨论,采用激光束覆盖区的概念。图4A示出了在穿过虚拟平面406时具有激光束覆盖区404的激光束。覆盖区可以具有任何形状,包括圆形(在图4A的情况下为404)、矩形(图4B的408)或任何任意形状。图4C示出了具有传感器表面区域422和周边424的传感器420。现在将以图4A和4B的覆盖区以及图4C的传感器为例来讨论在创建上述相关性数据时可能有用的一些考虑因素。
在一个或多个实施例中,所采用的传感器具有的传感器表面面积可以小于激光束的覆盖区。在某些情况下,足够大以感测整个激光束覆盖区的传感器可能非常昂贵或不存在,尤其是在激光高频范围内,而这样的传感器的较小版本以更实惠的价格可获取。
当激光束的覆盖区响应于上游光学组件物理设置的变化而开始其扫描时,在激光束覆盖区与传感器表面之间最初可能没有重叠。这在图5A中示出(情况1),其中激光束的激光束覆盖区502撞击传感器表面508的周边506的外部。在这一点上,传感器记录没有激光撞击在其上。
在某个点,激光束覆盖区502开始与传感器表面508的周边506相交。这在图5B中示出(情况2)。随着激光束在扫描期间开始与传感器表面相交,传感器会感觉到一些激光撞击在其传感器表面上,并且由传感器输出的数据存在变化。该信息与相交开始时上游光学组件的对应物理设置数据一起被记录。
激光束覆盖区502继续扫过传感器表面508并且在某个点离开传感器表面508。随着激光束覆盖区502离开并且不再与传感器表面508的周边506重叠(图5C所示的情况3),传感器从检测到一些激光转变为没有检测到激光,并且其传感器输出相应地变化。注意到这一点、以及相交结束时上游光学组件的对应物理设置数据。
在情况2(重叠开始)和情况3(重叠结束)下收集的物理设置数据提供有关相对于上游光学组件的物理设置数据(例如,从光学组件的机电致动器获取)的激光束的撞击点的信息。
在一些情况下,在一个或多个方向(诸如水平、竖直或水平+竖直)上或在重叠或非重叠路径上跨传感器的部分或整个表面的多次通过(可以响应于在图5B的情况2下感测到的数据来进行在传感器附近的多次通过)可以提供关于激光覆盖区的中心(或周长)相对于传感器表面的中心(或周长)的改进信息。在其他情况下,数据收集继续达重叠开始时的情况2(图5B)与重叠结束时的情况3(图5C)之间的持续时间,以便于推断,以便备选地或附加地改善关于激光束覆盖区的位置相对于传感器表面的位置的相关性数据。这允许更精确地确定激光束撞击点,从而提高相关性数据的准确性。即使传感器表面的大小等于或大于激光束覆盖区,也是如此,因为该实施例至少部分取决于重叠开始和/或结束的时间,而不仅取决于传感器表面是否可以捕获激光束的整个覆盖区。
如所提及的,传感器可以安装到在其中钻有孔的物理组件(例如但不限于板),并且传感器通过物理组件中的该孔接收激光以使得有效传感器区域相对于所接收的激光显得更小。这具有改善数据分辨率和粒度的优点,从而也改善了相关性数据的准确性。
关于激光束诊断,由传感器接收的激光也可以用于表征或诊断激光束。这可以通过传感器接收来自其上游光学组件的激光并且将激光特性与某个参考进行比较来完成。作为另一示例,可以使用现有的激光束诊断软件和/或技术来分析激光束的相关特性。激光特性可以是例如其亮度、频率、相位、能量等中的一个或多个。传感器还可以保持随着时间而接收的激光特性的历史。这样做的好处是使得工程师能够执行数据分析,以标识哪个光学组件倾向于更早且更快速地发生故障并且,解决光具组中的薄弱环节(因为任何一个设计不当的光学组件的故障都会引起整个光具组被损坏,即使其他光学组件可能还有很长的使用寿命)。这还具有使得工程师能够检测光特性模式劣化,并且预测何时需要维护以优化维护方案和/或时间表的优点。
在一个或多个实施例中,监测光具组中的多个传感器产生可用于获取光具组中发生故障的位置的粗略确定。例如,如果传感器A认为激光束的特性令人满意,但紧在下游的传感器B检测到激光束特性异常,则该证据可能表明损坏发生在光具组中的传感器A与传感器B之间的某处,从而允许工程师更快地定位故障并且进行修复。在可以具有20至40个光学组件的光具组中,快速定位故障部位的能力可以节省宝贵的时间。
由于以节省空间的方式将下游传感器放置在下游光学组件的背面或附近(如前所述),本发明的实施例使得可以快速且经济高效地改造现有的光具组以提供执行激光束诊断的能力。
在执行激光束诊断时,相对于上游光学组件的损坏检查,较小的传感器允许较高的粒度。这与当前的思想流派相反,当前的思想流派致力于制造足够大以覆盖激光覆盖区的传感器。如所讨论的,可以采用带孔的物理组件来提供用于由传感器感测的小孔,从而提高诊断准确度。但是,甚至可以将更大的传感器用于诊断目的(例如,通过考虑能级或某些复合信息),以将问题定位到光具组中的两个传感器之间,并且建立随时间变化的激光束特性的历史以用于改善光学组件设计和优化维护。
在一个或多个实施例中,可以一次一个小区域地“检查”上游光学组件。例如,使用本文中公开的技术,反射镜可以一次检查其表面的小区域。图6示出了三个示例反射镜602、604和606,其中反射镜606在反射镜604的下游。反射镜604又在反射镜602的下游。传感器614在反射镜602的下游,而传感器616在反射镜604的下游。通过改变反射镜602的物理设置(例如,X/Y/Z平移和/或偏航/俯仰/倾斜指向),从反射镜602反射回来的激光束可以撞击反射镜604的不同区域(诸如630或632)。每当反射镜604的新区域被照亮时,反射镜604的该区域可以由其下游的传感器检查。检查可以通过改变反射镜604的物理设置(例如,通过改变其俯仰/偏航/倾斜指向)来执行,从而使离开反射镜604的光束扫过下游传感器616。传感器616然后可以记录光束特性以确认其上游反射镜604上的该区域(诸如630或632)的健康状况。以这种方式,可以依次检查反射镜604的每个区域是否存在诸如局部反射表面劣化的问题。在示例实施例中,可以通过该技术依次检查反射镜604的多个区域。
图7示出了根据本发明的实施例的用于执行波束诊断的方法。在步骤702中,提供激光束并且使其入射到上游光学组件(诸如图1的光具组100的反射镜102)上。在步骤706中,改变上游光学组件的物理设置以允许激光束扫过部分或整个下游传感器。例如,可以经由X/Y/Z平移和/或俯仰/偏航/倾斜指向变化来实现上游光学组件的物理设置的变化。
当激光束扫过下游传感器时,由下游传感器收集关于要监测的激光束特性的数据(步骤708)。如果早先已经进行了对准(例如,根据图3的步骤),则早先已经获取了相关性数据以促进准确的激光束指向,并且可以提供物理设置数据以使得上游光学组件能够指向例如直接在下游传感器处的激光束以节省时间。
在步骤710中,分析激光束特性以检测激光束特性的问题(这表明一个或多个上游光学组件有问题)。例如,可以通过将由一个或多个传感器接收的激光束特性与参考激光束特性进行比较,以检测一个或多个相关特性(例如,功率、相干性、发散性等)是否已经降至可接受性能阈值以下。诊断还可以包括将由一个或多个传感器接收的激光束特性与过去为相同的一个或多个传感器获取的历史激光束特性数据进行比较,以检测光束质量的可能变化或劣化趋势。在一个实施例中,由一个或多个传感器随时间接收的激光束特性数据可以帮助工程师确认关于何时需要对传感器上游的光学组件进行维护/更换的维护预测。
如果在光具组中监测多个传感器,则可以将任何问题向下定位到两个传感器之间的组件(光学或非光学),如前所述。例如,如果确认传感器1、2和3的激光束特性是可接受的,但是光具组中的传感器4告知激光束质量已经受到损害,则工程师可以合理地推断出问题很可能被定位到传感器3与传感器4之间的组件(在该示例中,激光束依次穿过由传感器1、2、3和4可检测的路径)。
在可选步骤712中,可以随时间记录激光束特性以创建带有时间戳的激光束特性数据的数据库。该数据库使得工程师能够优化维护和/或预测故障和/或执行故障分析。
在一个或多个实施例中,每个光学组件的期望对准可以包括考虑引导激光束撞击下游光学组件的不同子区域,以避免过度加重下游光学组件的任何特定子区域。例如,在数周或数月或多个激光脉冲的光刻生产的第一时段期间(例如,用于半导体晶片的生产处理),上游光学组件X可以引导出射激光束撞击下游光学组件Y的子区域。在第一操作时段的期满时,上游光学组件X可以改变其物理设置以引导出射激光束撞击下游光学组件Y的不同子区域B。该方法类似于结合图3的对准步骤所讨论的方法,除了期望的对准现在包括考虑在下游光学组件的不同子区域之间进行切换以避免随着时间过度加重任何一个子区域。激光束的对准可以由下游光学组件Y或由其下游的组件执行,以确保离开光具组的激光束撞击期望的位置/目标,而与涉及哪个子区域/哪个操作时段无关。本文中已经讨论了该对准方面。
可以预先制定时间表以随着时间将下游光学组件的不同子区域暴露于激光束,以避免过度加重任何子区域。还可以响应于来自传感器的诊断数据来执行下游光学组件的子区域之间的切换,该传感器告知(多个)上游光学组件的激光束质量劣化问题(例如,使用先前讨论的定位概念)。此外,由于可以如先前所讨论的那样对准整个光具组或其一部分,因此可以采用建模来响应于个体光学组件的不同物理设置设定来计算出各种不同的备选激光束路径,以确保在任何光学组件上没有子区域被过度加重并且激光束在离开光具组时会正确对准以供使用,如前所述。这种方法可以有利地允许光具组在由于光学组件(诸如反射镜)劣化引起的激光束质量问题而可能需要维护之前运行更长的时间。
从前述内容可以理解,本发明的实施例允许在涉及单个光学组件时或在光具组中涉及多个光学组件时以高度空间有效、低成本和/或改造友好的方式对准和/或诊断激光束。
以下示例是示出本公开中设想的一些实现的设备和过程的各种示例实现。
示例1.一种用于优化光刻系统中的激光束的方法,所述激光束穿过包括多个光学组件的光具组,所述方法包括:
使用所述多个光学组件中的第一光学组件进行光栅化,使得响应于使用所述第一光学组件进行的所述光栅化,离开所述第一光学组件的所述激光束至少部分扫过第一传感器;
使用在使用所述第一光学组件进行的所述光栅化期间从所述第一传感器获取的数据,在所述第一光学组件的物理设置与所述激光束的撞击点之间形成相关性;
使用从所述相关性获取的数据来确认所述第一光学组件的第一物理设置,所述第一物理设置引起离开所述第一光学组件的所述激光束的所述撞击点撞击第二光学组件上的期望点;以及
通过根据所述第一物理设置对准所述第一光学组件来相对于所述第二光学组件对准离开所述第一光学组件的所述激光束。
示例2.根据示例1所述的方法,其中所述第一传感器的覆盖区小于所述激光束的覆盖区。
示例3.根据示例1所述的方法,其中对离开所述第一光学组件的所述激光束进行光栅化包括改变所述第一光学组件的指向。
示例4.根据示例1所述的方法,其中对离开所述第一光学组件的所述激光束进行光栅化包括平移所述第一光学组件的位置。
示例5.根据示例1所述的方法,其中所述第一传感器设置在所述第二光学组件的外围的外部。
示例6.根据示例1所述的方法,其中所述第一传感器被定位为使得所述第二光学组件设置在所述第一传感器与所述第一光学组件之间。
示例7.根据示例6所述的方法,其中所述第一传感器使用粘合剂附接到所述第二光学组件,其中所述第二光学组件是反射镜。
示例8.根据示例6所述的方法,其中所述第一传感器使用机械夹具附接到所述第二光学组件,其中所述第二光学组件是反射镜。
示例9.根据示例6所述的方法,还包括具有孔的物理组件,所述孔被配置为仅允许离开所述第一光学组件的所述激光束的一部分通过所述孔进入所述第一传感器,所述物理组件被定位在所述第一光学组件与所述第一传感器之间,所述孔的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区,其中所述第一传感器和所述物理组件被定位为使得所述第二光学组件设置在所述第一光学组件与包括所述第一传感器和所述物理组件的部件之间。
示例10.根据示例6所述的方法,还包括具有孔的物理组件,所述孔被配置为仅允许离开所述第一光学组件的所述激光束的一部分通过所述孔进入所述第一传感器,所述物理组件被定位在所述第一光学组件与所述第一传感器之间,所述孔的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区,其中所述第一传感器和所述物理组件被定位为使得包括所述第一传感器和所述物理组件的部件设置在所述第二光学组件与所述第一光学组件之间。
示例11.根据示例1所述的方法,其中所述第一传感器设置在所述第二光学组件与所述第一光学组件之间。
示例12.根据示例1所述的方法,其中将所述第一传感器设置在可移动的夹具上,使得在光刻生产期间,所述第一传感器能够从第一传感器位置移开,其中当所述第一传感器在使用所述第一光学组件进行的所述光栅化期间被定位在所述第一传感器位置处时,所述第一传感器设置在所述第一光学组件与所述第二光学组件之间。
示例13.根据示例1所述的方法,其中所述第一传感器被配置为检测约193nm的激光波长。
示例14.根据示例1所述的方法,其中所述第一传感器被配置为检测约248nm的激光波长。
示例15.根据示例1所述的方法,还包括:
使用所述多个光学组件中的所述第二光学组件进行光栅化,使得响应于使用所述第二光学组件进行的所述光栅化,离开所述第二光学组件的所述激光束至少部分扫过第二传感器;
使用在使用所述第二光学组件进行的所述光栅化期间从所述第二传感器获取的数据,在所述第二光学组件的物理设置与离开所述第二光学组件的所述激光束的撞击点之间形成相关性;
使用从所述第二光学组件的所述物理设置与离开所述第二光学组件的所述激光束的撞击点之间的所述相关性获取的数据,确认所述第二光学组件的第二物理设置,所述第二物理设置将引起离开所述第二光学组件的所述激光束的所述撞击点撞击第三光学组件上的期望点;以及
通过根据由确认所述第二物理设置而确定的所述第二物理设置对准所述第二光学组件,相对于所述第三光学组件对准离开所述第二光学组件的所述激光束。
示例16.一种光刻系统,具有包括多个光学组件的光具组,所述多个光学组件被配置为至少将激光束从一个位置传递到另一位置,所述光刻系统包括:
第一光学组件,被配置为至少对离开所述第一光学组件的激光束执行光栅化,以引起离开所述第一光学组件的所述激光束至少部分扫过第一传感器;以及
第二光学组件,被配置为至少接收离开所述第一光学组件的所述激光束,并且对离开所述第二光学组件的所述激光束执行光栅化,以引起离开所述第二光学组件的所述激光束至少部分扫过第二传感器。
示例17.根据示例16所述的光刻系统,其中所述第一传感器的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区。
示例18.根据示例16所述的光刻系统,其中使用所述第一光学组件进行所述光栅化包括改变所述第一光学组件的指向。
示例19.根据示例16所述的光刻系统,其中使用所述第一光学组件进行所述光栅化包括平移所述第一光学组件的位置。
示例20.根据示例16所述的光刻系统,其中所述第一传感器被定位为使得所述第二光学组件设置在所述第一传感器与所述第一光学组件之间。
示例21.根据示例20所述的光刻系统,其中所述第一传感器使用粘合剂附接到所述第二光学组件,其中所述第二光学组件是反射镜。
示例22.根据示例20所述的光刻系统,其中所述第一传感器耦合到具有孔的物理组件,所述孔被配置为仅允许离开所述第一光学组件的所述激光束的一部分通过所述孔进入所述第一传感器,所述孔的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区,其中所述第一传感器和所述物理组件被定位为使得所述第二光学组件设置在所述第一光学组件与包括所述第一传感器和所述物理组件的部件之间。
示例23.根据示例16所述的光刻系统,其中所述第一传感器被配置为检测约193nm的激光波长。
示例24.根据示例16所述的光刻系统,其中所述第一传感器被配置为检测约248nm的激光波长。
示例25.一种用于诊断激光束的方法,所述激光束被配置为生成深紫外(DUV)光和极紫外(EUV)光之一以用于光刻,所述激光束至少穿过光刻系统中的光具组的第一光学组件和第二光学组件,所述方法包括:
使用所述第一光学组件进行光栅化,使得离开所述第一光学组件的所述激光束至少部分扫过第一传感器;
使用第二光学组件进行光栅化,使得离开所述第二光学组件的所述激光束至少部分扫过第二传感器;以及
根据从所述第一传感器和所述第二传感器接收的数据来确认激光束特性以促进执行所述激光束的所述诊断。
示例26.根据示例25所述的方法,其中所述诊断包括将激光束质量问题定位到所述第一传感器与所述第二传感器之间的所述光具组的分段中的组件。
示例27.根据示例25所述的方法,其中所述诊断包括将来自由所述第一传感器和所述第二传感器中的至少一个传感器获取的数据的激光束特性与参考激光束特性进行比较。
示例28.根据示例25所述的方法,其中所述诊断包括将来自由所述第一传感器获取的数据的激光束特性与过去从所述第一传感器获取的历史激光束特性数据进行比较。
示例29.根据示例25所述的方法,还包括从激光束质量下降趋势来确认所述第一光学组件的维护预测,所述激光束质量下降趋势是从由所述第一传感器随时间接收的数据得出的。
示例30.一种用于形成激光束的方法,所述激光束被配置为生成深紫外(DUV)光和极紫外(EUV)光之一以用于光刻,所述激光束至少穿过光刻系统中的光具组的第一光学组件和第二光学组件,所述方法包括:
在所述光刻系统的第一操作时段期间,使用所述第一光学组件将所述激光束引导到所述第二光学组件的第一子区域;以及
此后,在所述光刻系统的第二操作时段期间,使用所述第一光学组件将所述激光束引导到所述第二光学组件的第二子区域,从而所述光具组中的一个或多个组件被配置为对准所述激光束使得离开所述光具组之后的所述激光束撞击点不变,而与所述光刻系统是在所述第一操作时段期间还是在所述第二操作时段期间操作无关。
示例31.根据示例30所述的方法,其中响应于预定时间表而执行从所述第一子区域到所述第二子区域的切换。
示例32.根据示例30所述的方法,其中响应于对离开所述第二光学组件的所述激光束的激光束特性的分析而执行从所述第一子区域到所述第二子区域的切换。
尽管已经根据几个优选实施例描述了本发明,但是存在落入本发明的范围内的变更、置换和等同物。应当理解,本发明还包括这些变更、置换和等同物。还应当注意,存在很多能够实现本发明的方法和装置的备选方式。尽管本文中提供了各种示例,但是意图在于,这些示例是说明性的,而不是对本发明的限制。
可以使用以下条款进一步描述实施例:
1.一种用于优化光刻系统中的激光束的方法,所述激光束穿过包括多个光学组件的光具组,所述方法包括:
使用所述多个光学组件中的第一光学组件进行光栅化,使得响应于使用所述第一光学组件进行的所述光栅化,离开所述第一光学组件的所述激光束至少部分扫过第一传感器;
使用在使用所述第一光学组件进行的所述光栅化期间从所述第一传感器获取的数据来在所述第一光学组件的物理设置与所述激光束的撞击点之间形成相关性;
使用从所述相关性获取的数据来确认所述第一光学组件的第一物理设置,所述第一物理设置引起离开所述第一光学组件的所述激光束的所述撞击点撞击第二光学组件上的期望点;以及
通过根据所述第一物理设置对准所述第一光学组件来相对于所述第二光学组件对准离开所述第一光学组件的所述激光束。
2.根据条款1所述的方法,其中所述第一传感器的覆盖区小于所述激光束的覆盖区。
3.根据条款1所述的方法,其中对离开所述第一光学组件的所述激光束进行光栅化包括改变所述第一光学组件的指向。
4.根据条款1所述的方法,其中对离开所述第一光学组件的所述激光束进行光栅化包括平移所述第一光学组件的位置。
5.根据条款1所述的方法,其中所述第一传感器设置在所述第二光学组件的外围的外部。
6.根据条款1所述的方法,其中所述第一传感器被定位为使得所述第二光学组件设置在所述第一传感器与所述第一光学组件之间。
7.根据条款6所述的方法,其中所述第一传感器使用粘合剂附接到所述第二光学组件,其中所述第二光学组件是反射镜。
8.根据条款6所述的方法,其中所述第一传感器使用机械夹具附接到所述第二光学组件,其中所述第二光学组件是反射镜。
9.根据条款6所述的方法,还包括具有孔的物理组件,所述孔被配置为仅允许离开所述第一光学组件的所述激光束的一部分通过所述孔进入所述第一传感器,所述物理组件被定位在所述第一光学组件与所述第一传感器之间,所述孔的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区,其中所述第一传感器和所述物理组件被定位为使得所述第二光学组件设置在所述第一光学组件与包括所述第一传感器和所述物理组件的部件之间。
10.根据条款6所述的方法,还包括具有孔的物理组件,所述孔被配置为仅允许离开所述第一光学组件的所述激光束的一部分通过所述孔进入所述第一传感器,所述物理组件被定位在所述第一光学组件与所述第一传感器之间,所述孔的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区,其中所述第一传感器和所述物理组件被定位为使得包括所述第一传感器和所述物理组件的部件设置在所述第二光学组件与所述第一光学组件之间。
11.根据条款1所述的方法,其中所述第一传感器设置在所述第二光学组件与所述第一光学组件之间。
12.根据条款1所述的方法,其中将所述第一传感器设置在可移动的夹具上,使得在光刻生产期间,所述第一传感器能够从第一传感器位置移开,其中当所述第一传感器在使用所述第一光学组件进行的所述光栅化期间被定位在所述第一传感器位置处时,所述第一传感器设置在所述第一光学组件与所述第二光学组件之间。
13.根据条款1所述的方法,其中所述第一传感器被配置为检测约193nm的激光波长。
14.根据条款1所述的方法,其中所述第一传感器被配置为检测约248nm的激光波长。
15.根据条款1所述的方法,还包括:
使用所述多个光学组件中的所述第二光学组件进行光栅化,使得响应于使用所述第二光学组件进行的所述光栅化,离开所述第二光学组件的所述激光束至少部分扫过第二传感器;
使用在使用所述第二光学组件进行的所述光栅化期间从所述第二传感器获取的数据,在所述第二光学组件的物理设置与离开所述第二光学组件的所述激光束的撞击点之间形成相关性;
使用从所述第二光学组件的所述物理设置与离开所述第二光学组件的所述激光束的撞击点之间的所述相关性获取的数据,确认所述第二光学组件的第二物理设置,所述第二物理设置引起离开所述第二光学组件的所述激光束的所述撞击点撞击第三光学组件上的期望点;以及
通过根据由确认所述第二物理设置而确定的所述第二物理设置对准所述第二光学组件,相对于所述第三光学组件对准离开所述第二光学组件的所述激光束。
16.一种光刻系统,具有包括多个光学组件的光具组,所述多个光学组件被配置为至少将激光束从一个位置传递到另一位置,所述光刻系统包括:
第一光学组件,被配置为至少对离开所述第一光学组件的激光束执行光栅化,以引起离开所述第一光学组件的所述激光束至少部分扫过第一传感器;以及
第二光学组件,被配置为至少接收离开所述第一光学组件的所述激光束,并且对离开所述第二光学组件的所述激光束执行光栅化,以引起离开所述第二光学组件的所述激光束至少部分扫过第二传感器。
17.根据条款16所述的光刻系统,其中所述第一传感器的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区。
18.根据条款16所述的光刻系统,其中使用所述第一光学组件进行所述光栅化包括改变所述第一光学组件的指向。
19.根据条款16所述的光刻系统,其中使用所述第一光学组件进行所述光栅化包括平移所述第一光学组件的位置。
20.根据条款16所述的光刻系统,其中所述第一传感器被定位为使得所述第二光学组件设置在所述第一传感器与所述第一光学组件之间。
21.根据条款20所述的光刻系统,其中所述第一传感器使用粘合剂附接到所述第二光学组件,其中所述第二光学组件是反射镜。
22.根据条款20所述的光刻系统,其中所述第一传感器耦合到具有孔的物理组件,所述孔被配置为仅允许离开所述第一光学组件的所述激光束的一部分通过所述孔进入所述第一传感器,所述孔的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区,其中所述第一传感器和所述物理组件被定位为使得所述第二光学组件设置在所述第一光学组件与包括所述第一传感器和所述物理组件的部件之间。
23.根据条款16所述的光刻系统,其中所述第一传感器被配置为检测约193nm的激光波长。
24.根据条款16所述的光刻系统,其中所述第一传感器被配置为检测约248nm的激光波长。
Claims (24)
1.一种用于优化光刻系统中的激光束的方法,所述激光束穿过包括多个光学组件的光具组,所述方法包括:
使用所述多个光学组件中的第一光学组件进行光栅化,使得响应于使用所述第一光学组件进行的所述光栅化,离开所述第一光学组件的所述激光束至少部分扫过第一传感器;
使用在使用所述第一光学组件进行的所述光栅化期间从所述第一传感器获取的数据,在所述第一光学组件的物理设置与所述激光束的撞击点之间形成相关性;
使用从所述相关性获取的数据来确认所述第一光学组件的第一物理设置,所述第一物理设置将引起离开所述第一光学组件的所述激光束的所述撞击点撞击第二光学组件上的期望点;以及
通过根据所述第一物理设置对准所述第一光学组件,相对于所述第二光学组件对准离开所述第一光学组件的所述激光束。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一传感器的覆盖区小于所述激光束的覆盖区。
3.根据权利要求1所述的方法,其中对离开所述第一光学组件的所述激光束进行光栅化包括:改变所述第一光学组件的指向。
4.根据权利要求1所述的方法,其中对离开所述第一光学组件的所述激光束进行光栅化包括:平移所述第一光学组件的位置。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一传感器被设置在所述第二光学组件的外围的外部。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一传感器被定位为使得所述第二光学组件被设置在所述第一传感器与所述第一光学组件之间。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述第一传感器使用粘合剂而被附接到所述第二光学组件,其中所述第二光学组件是反射镜。
8.根据权利要求6所述的方法,其中所述第一传感器使用机械夹具而被附接到所述第二光学组件,其中所述第二光学组件是反射镜。
9.根据权利要求6所述的方法,还包括具有孔的物理组件,所述孔被配置为仅允许离开所述第一光学组件的所述激光束的一部分通过所述孔进入所述第一传感器,所述物理组件被定位在所述第一光学组件与所述第一传感器之间,所述孔具有的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区,其中所述第一传感器和所述物理组件被定位为使得所述第二光学组件被设置在所述第一光学组件与包括所述第一传感器和所述物理组件的部件之间。
10.根据权利要求6所述的方法,还包括具有孔的物理组件,所述孔被配置为仅允许离开所述第一光学组件的所述激光束的一部分通过所述孔进入所述第一传感器,所述物理组件被定位在所述第一光学组件与所述第一传感器之间,所述孔具有的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区,其中所述第一传感器和所述物理组件被定位为使得包括所述第一传感器和所述物理组件的部件被设置在所述第二光学组件与所述第一光学组件之间。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一传感器被设置在所述第二光学组件与所述第一光学组件之间。
12.根据权利要求1所述的方法,其中将所述第一传感器被设置在可移动的夹具上,使得在光刻生产期间,所述第一传感器能够从第一传感器位置移开,其中当所述第一传感器在使用所述第一光学组件进行的所述光栅化期间被定位在所述第一传感器位置处时,所述第一传感器被设置在所述第一光学组件与所述第二光学组件之间。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一传感器被配置为检测约193nm的激光波长。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一传感器被配置为检测约248nm的激光波长。
15.根据权利要求1所述的方法,还包括:
使用所述多个光学组件中的所述第二光学组件进行光栅化,使得响应于使用所述第二光学组件进行的所述光栅化,离开所述第二光学组件的所述激光束至少部分扫过第二传感器;
使用在使用所述第二光学组件进行的所述光栅化期间从所述第二传感器获取的数据,在所述第二光学组件的物理设置与离开所述第二光学组件的所述激光束的撞击点之间形成相关性;
使用从所述第二光学组件的所述物理设置与离开所述第二光学组件的所述激光束的所述撞击点之间的所述相关性获取的数据,确认所述第二光学组件的第二物理设置,所述第二物理设置将引起离开所述第二光学组件的所述激光束的所述撞击点撞击第三光学组件上的期望点;以及
通过根据由确认所述第二物理设置而确定的所述第二物理设置来对准所述第二光学组件,相对于所述第三光学组件对准离开所述第二光学组件的所述激光束。
16.一种光刻系统,具有包括多个光学组件的光具组,所述多个光学组件被配置为至少将激光束从一个位置传递到另一位置,所述光刻系统包括:
第一光学组件,被配置为至少对离开所述第一光学组件的激光束执行光栅化,以引起离开所述第一光学组件的所述激光束至少部分扫过第一传感器;以及
第二光学组件,被配置为至少接收离开所述第一光学组件的所述激光束,并且对离开所述第二光学组件的所述激光束执行光栅化,以引起离开所述第二光学组件的所述激光束至少部分扫过第二传感器。
17.根据权利要求16所述的光刻系统,其中所述第一传感器的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区。
18.根据权利要求16所述的光刻系统,其中使用所述第一光学组件进行所述光栅化包括:改变所述第一光学组件的指向。
19.根据权利要求16所述的光刻系统,其中使用所述第一光学组件进行所述光栅化包括:平移所述第一光学组件的位置。
20.根据权利要求16所述的光刻系统,其中所述第一传感器被定位为使得所述第二光学组件被设置在所述第一传感器与所述第一光学组件之间。
21.根据权利要求20所述的光刻系统,其中所述第一传感器使用粘合剂而被附接到所述第二光学组件,其中所述第二光学组件是反射镜。
22.根据权利要求20所述的光刻系统,其中所述第一传感器被耦合到具有孔的物理组件,所述孔被配置为仅允许离开所述第一光学组件的所述激光束的一部分通过所述孔进入所述第一传感器,所述孔具有的覆盖区小于离开所述第一光学组件的所述激光束的覆盖区,其中所述第一传感器和所述物理组件被定位为使得所述第二光学组件被设置在所述第一光学组件与包括所述第一传感器和所述物理组件的部件之间。
23.根据权利要求16所述的光刻系统,其中所述第一传感器被配置为检测约193nm的激光波长。
24.根据权利要求16所述的光刻系统,其中所述第一传感器被配置为检测约248nm的激光波长。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/655,079 US11079564B2 (en) | 2017-07-20 | 2017-07-20 | Methods and apparatuses for aligning and diagnosing a laser beam |
US15/655,079 | 2017-07-20 | ||
PCT/US2018/041500 WO2019018165A1 (en) | 2017-07-20 | 2018-07-10 | METHODS AND APPARATUSES FOR ALIGNING AND DIAGNOSING A LASER BEAM |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110892329A true CN110892329A (zh) | 2020-03-17 |
Family
ID=65015269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880046016.2A Pending CN110892329A (zh) | 2017-07-20 | 2018-07-10 | 用于对准和诊断激光束的方法和装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11079564B2 (zh) |
JP (1) | JP6899925B2 (zh) |
KR (1) | KR102345931B1 (zh) |
CN (1) | CN110892329A (zh) |
TW (1) | TWI685721B (zh) |
WO (1) | WO2019018165A1 (zh) |
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- 2017-07-20 US US15/655,079 patent/US11079564B2/en active Active
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2018
- 2018-07-10 JP JP2019565567A patent/JP6899925B2/ja active Active
- 2018-07-10 KR KR1020207001852A patent/KR102345931B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-10 CN CN201880046016.2A patent/CN110892329A/zh active Pending
- 2018-07-10 WO PCT/US2018/041500 patent/WO2019018165A1/en active Application Filing
- 2018-07-18 TW TW107124726A patent/TWI685721B/zh active
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- 2021-07-09 US US17/371,235 patent/US20210333501A1/en active Pending
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WO2019018165A1 (en) | 2019-01-24 |
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KR20200018674A (ko) | 2020-02-19 |
TW201908874A (zh) | 2019-03-01 |
KR102345931B1 (ko) | 2021-12-30 |
JP6899925B2 (ja) | 2021-07-07 |
US20210333501A1 (en) | 2021-10-28 |
TWI685721B (zh) | 2020-02-21 |
US20190025536A1 (en) | 2019-01-24 |
JP2020527738A (ja) | 2020-09-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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