CN110888264A - 光学构件和包括其的显示设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光学构件和包括其的显示设备。光学构件包括：基底基板；量子点层，其设置在基底基板上并具有包括下褶皱的第一顶表面，量子点层包括介质层和分散在介质层中的多个量子点；下屏障层，其设置在基底基板和量子点层之间；以及上屏障层，其覆盖量子点层，其中上屏障层具有第二顶表面，第二顶表面具有与量子点层的下褶皱对应的上褶皱。

Description

光学构件和包括其的显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年9月10日提交的韩国专利申请第10-2018-0107618号以及2019年3月11日提交的韩国专利申请第10-2019-0027343号的优先权和权益，为了所有目的各自通过引用在此并入，如同在本文中充分阐释。

技术领域

本发明的示例性实施方式一般涉及光学构件和包括其的显示设备，并且更具体而言，涉及高度可靠的光学构件和包括其的显示设备。

背景技术

显示设备通常包括自发光显示设备、反射显示设备和透射显示设备。透射显示设备包括用于改变光学透射率的显示面板，以及用于向显示面板提供光的背光单元。显示面板控制从背光单元发射的光的透射率以显示图像。

显示设备可包括背光单元中的各种光学构件以改进显示设备的光学特性，比如光学效率和颜色再现特性。此外，为了满足对具有优异的光学特性、薄厚度和高显示质量的显示设备的增加的需求，可在显示设备中另外添加各种光学构件。

本背景部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，因此，其可包含不构成现有技术的信息。

发明内容

根据本发明的示例性实施方式构建的光学构件提供了薄的、高度可靠的光学构件和包括其的显示设备。

本发明构思的另外特征将在随后的描述中阐释，并且将部分地从描述中显而易见，或者可通过本发明构思的实践而获知。

根据示例性实施方式的光学构件包括：基底基板；量子点层，其设置在基底基板上并且具有包括下褶皱的第一顶表面，量子点层包括介质层和分散在介质层中的多个量子点；下屏障层，其设置在基底基板和量子点层之间；和上屏障层，其覆盖量子点层，其中上屏障层具有第二顶表面，第二顶表面具有与量子点层的下褶皱对应的上褶皱。

上屏障层可在基底基板上具有均匀的厚度。

量子点层可在基底基板上具有变化的厚度。

上屏障层可包括无机层。

在第二顶表面上可提供多个上褶皱，并且当在平面图中观察时，多个上褶皱中的至少一个可具有曲线形状。

多个上褶皱中的至少两个可彼此连接。

曲线形状可包括闭环形状。

多个上褶皱可包括具有第一闭环形状的第一褶皱和具有与第一闭环形状不同的第二闭环形状的第二褶皱。

第一褶皱和第二褶皱可彼此连接。

多个上褶皱中的每一个可具有约1μm或更小的垂直厚度。

多个上褶皱之间的距离可小于100μm。

光学构件可进一步包括低折射层，其设置在基底基板和下屏障层之间，并且具有1.5或更小的折射率。

基底基板可包括玻璃基板。

光学构件可进一步包括保护层，其包括有机材料并且设置在上屏障层上，其中保护层可覆盖第二顶表面并且具有平坦的顶表面。

根据另一示例性实施方式的显示设备包括：光源，其被配置为发射光；光学构件，其具有面向光源的入射表面；和显示面板，其设置在光学构件上并且包括多个像素，其中光学构件包括：基底基板，其包括面向显示面板的顶表面、与顶表面相对的底表面和将顶表面连接至底表面的多个侧表面，多个侧表面中的至少一个包括入射表面；下屏障层，其设置在基底基板上，下屏障层具有平坦的顶表面；上屏障层，其设置在下屏障层上，上屏障层具有褶皱的顶表面，褶皱的顶表面具有形成在其上的多个褶皱；以及量子点层，其设置在下屏障层和上屏障层之间，量子点层包括介质层和分散在介质层中的多个量子点，其中当在平面图中观察时，褶皱具有曲线形状。

当在平面图中观察时，褶皱可包括具有第一形状的第一褶皱和具有与第一形状不同的第二形状的第二褶皱。

第一褶皱和第二褶皱可彼此连接。

介质层的顶表面可具有与基底基板的顶表面的形状不同的褶皱的形状。

介质层可在基底基板上具有不均匀的厚度，并且上屏障层可在基底基板上具有均匀的厚度。

上屏障层可包括无机层。

基底基板可包括玻璃基板。

显示设备可进一步包括低折射层，其设置在基底基板和量子点层之间，并且可具有小于1.5的折射率。

显示设备可进一步包括保护层，其设置在上屏障层上并且覆盖上屏障层的褶皱的顶表面，其中保护层可具有平坦的顶表面，平坦的顶表面具有的形状与上屏障层的褶皱的顶表面的形状不同。

显示面板可沿着在一个方向上延伸的轴弯曲。

应当理解，前述一般描述和下述详细描述都是示例性和解释性的，且旨在提供所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

包括附图以提供本发明的进一步理解，并且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图说明了本发明的示例性实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思。

图1是根据示例性实施方式的显示设备的分解透视图。

图2是图1的显示设备的示意性截面图。

图3A是根据示例性实施方式的背光单元的示意性截面图。

图3B是根据示例性实施方式的背光单元的示意性截面图。

图4是根据示例性实施方式的光学构件的分解透视图。

图5A是根据示例性实施方式的光学构件的一部分的截面图。

图5B是显示根据示例性实施方式的光学构件的一部分的图像。

图6A是根据示例性实施方式的光学构件的一部分的截面图。

图6B是根据示例性实施方式的光学构件的一部分的截面图。

图7A、图7B和图7C是根据示例性实施方式的光学构件的截面图。

图8A、图8B、图8C、图8D和图8E是示出根据示例性实施方式的光学构件的制造方法的截面图。

图9A、图9B、图9C和图9D是示出根据示例性实施方式的光学构件的制造方法的截面图。

图10是根据示例性实施方式的显示设备的分解透视图。

图11A、图11B、图11C和图11D是示出根据示例性实施方式的光学构件的制造方法的截面图。

具体实施方式

在以下描述中，为了解释的目的，阐释了许多具体细节，以便提供对本发明的各种示例性实施方式或实行方式的透彻理解。如本文使用的“实施方式”和“实行方式”是可互换的词语，其是采用本文公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见，可在没有这些具体细节的情况下或在用一个或多个等效布置的情况下实践各种示例性实施方式。在其他情况下，以框图形式显示熟知的结构和装置，以便避免不必要地混淆各种示例性实施方式。此外，各种示例性实施方式可能不同，但是不必是排他性的。例如，在不背离本发明构思的情况下，一个示例性实施方式的具体形状、构造和特性可在另一个示例性实施方式中使用或实行。

除非另外指出，否则示出的示例性实施方式应理解为提供改变一些方式的细节的示例性特征，在这些方式中可在实践中实行本发明构思。因此，除非另外指出，否则在不背离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文单独或共同称为“元件”)可另外组合、分开、互换和/或重排。

通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用来使邻近元件之间的边界清楚。这样，除非另外指出，否则存在或缺少交叉影线或阴影都不是表达或表明对元件的特定材料、材料性质、维度、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何倾向或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述目的，元件的尺寸和相对尺寸可被放大。当可以不同地实行示例性实施方式时，具体工艺顺序可与描述的顺序不同地进行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时进行或者以与描述的顺序相反的顺序进行。而且，相同的附图标记表示相同的元件。

当一个元件，比如层，被称为在另一元件或层“上”，“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上，直接连接至或耦接至另一元件或层，或可存在中间元件或层。然而，当一个元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”，“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。鉴于此，术语“连接”可指用或不用中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，D1-轴、D2-轴和D3-轴不限于直角坐标系的三个轴，比如x轴、y轴和z轴，并且可在更广泛的意义上来解释。例如，D1-轴、D2-轴和D3-轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一种”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一种”可解释为仅X、仅Y、仅Z，或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，比如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。

尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可称为第二元件。

空间相对术语，比如“下方”、“下面”、“之下”、“下”、“上面”、“上方”、“之上”、“上”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等，可在本文中用于描述性目的，并且从而用于描述如附图中示出的一个元件与另一个元件(多个元件)的关系。空间相对术语旨在涵盖除了图中描绘的取向之外的用途、操作和/或制造中的设备的不同取向。例如，如果将图中的设备翻转，描述为在其他元件或特征“下面”或“下方”的元件则将取向在其他元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“下面”可涵盖上面和下面的取向两者。此外，设备可以其他方式取向(例如，旋转90度或处于其他取向)，这样，相应地解释本文使用的空间相对描述语。

本文使用的术语是出于描述特定实施方式的目的，并非旨在限制。如本文所使用，单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“所述(the)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。此外，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，具体限定存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。还应注意，如本文所使用，术语“基本上”、“约”和其他类似术语，作为近似的术语使用而不是作为程度的术语，并且，这样，用于解释本领域普通技术人员会识别的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。

参考作为理想的示例性实施方式和/或中间结构的示意图示的截面图示和/或分解图示，本文中描述了各种示例性实施方式。这样，应预料到例如由于制造技术和/或公差造成的图示形状的变化。因此，本文公开的示例性实施方式不应必须解释为限于区域的特定示出的形状，而是要包括例如由于制造造成的形状的偏差。如此，图中示出的区域本质上可为示意性的，并且这些区域的形状可不反映装置的区域的实际形状，这样，不一定旨在限制。

除非以其他方式限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。术语，比如常用词典中限定的那些，应解释为具有的含义与它们在相关领域的语境下的含义一致，并且不应以理想化或过于正式的意义解释，除非本文明确如此限定。

图1是根据示例性实施方式的显示设备的分解透视图。图2是图1的显示设备的示意性截面图。图3A是根据示例性实施方式的背光单元的示意性截面图。图3B是根据示例性实施方式的背光单元的示意性截面图。下文，将参考图1至图3B描述根据本发明构思的示例性实施方式的显示设备。

如图1所示，显示设备DA可包括显示面板100、背光单元BLU、上保护构件410、下保护构件420和光学膜500。背光单元BLU可包括光源200和光学构件300。

显示面板100可接收电信号并基于所接收的电信号显示图像。用户可接收从显示设备DA的显示面板100提供的图像信息。显示面板100可包括显示表面IS，其基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。显示表面IS可包括有源区域AA和外周区域NAA。显示面板100可在基本上垂直于第三方向DR3的有源区域AA上显示图像。有源区域AA可由电信号选择性激活。显示面板100可包括设置在有源区域AA中的多个像素PX。

外周区域NAA可邻近于有源区域AA。在示例性实施方式中，外周区域NAA可包围有源区域AA。将电信号提供给像素PX的各种驱动电路或接收来自外部装置的电信号的焊盘可设置在外周区域NAA中。

图2示例性地示出显示面板100的区域，其中设置一个像素PX。下文，将参考图2描述显示面板100。

显示面板100可包括第一基板110、第二基板120和液晶层LCL。第一基板110可包括第一基底层S1、像素PX和多个绝缘层10、20和30。如图2所示，绝缘层10、20和30可包括在第三方向DR3上顺序堆叠的第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30。

第一基底层S1可由绝缘材料形成，或可包括绝缘材料。例如，第一基底层S1可由玻璃和塑料材料中的至少一种形成，或可包括玻璃和塑料材料中的至少一种。

像素PX可包括薄膜晶体管TR和像素电极PE。薄膜晶体管TR可包括半导体图案AL、控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE。半导体图案AL可设置在第一基底层S1和第一绝缘层10之间。半导体图案AL可由半导体材料形成，或可包括半导体材料。例如，半导体材料可包括非晶硅、多晶硅、单晶硅、氧化物半导体和化合物半导体中的至少一种。在一些示例性实施方式中，像素PX可包括多个薄膜晶体管，其半导体材料彼此相同或不同，但是本发明构思不限于此。

控制电极CE可设置在第一绝缘层10和第二绝缘层20之间。控制电极CE可与半导体图案AL间隔开，其间插入第一绝缘层10。

输入电极IE和输出电极OE可设置在第二绝缘层20和第三绝缘层30之间。输入电极IE和输出电极OE可彼此间隔开。输入电极IE和输出电极OE中的每一个可穿透第一绝缘层10和第二绝缘层20，并且可耦接至半导体图案AL。

像素电极PE可连接至薄膜晶体管TR。像素电极PE、共用电极CME和液晶层LCL可形成液晶电容器CLC。在液晶电容器CLC中，像素电极PE和共用电极CME之间产生的电场可用于控制液晶层LCL中液晶分子的取向，并因此控制液晶层LCL的光学透射率。从像素PX发射的光的强度可由液晶层LCL的光学透射率确定。

像素电极PE可设置在第三绝缘层30上。像素电极PE可穿透第三绝缘层30并可耦接至薄膜晶体管TR。如果将电信号的栅信号施加至控制电极CE，则薄膜晶体管TR可导通(turned on)，并且在该情况下，如果将电信号的数据信号施加至输入电极IE，则数据信号可以导通状态通过薄膜晶体管TR传送至输出电极OE和像素电极PE。

第二基板120可包括第二基底层S2、滤色器层CF、外涂层CC和共用电极CME。第二基底层S2可由绝缘材料形成，或可包括绝缘材料。例如，第二基底层S2可由玻璃和塑料材料中的至少一种形成，或可包括玻璃和塑料材料中的至少一种。

第二基底层S2可包括面向第一基底层S1的后表面和面向后表面的前表面。前表面的至少一部分可用作显示表面IS(例如，参见图1)。滤色器层CF和共用电极CME可设置在第二基底层S2的后表面上。

滤色器层CF可包括黑矩阵BM和彩色图案CP。黑矩阵BM可阻挡入射在黑矩阵BM上的光。例如，黑矩阵BM可覆盖显示光的像素区域周围的区域，从而限定像素区域并防止光通过像素区域周围的区域泄漏。

彩色图案CP可设置为邻近于黑矩阵BM。彩色图案CP可与像素PX的像素电极PE重叠。在示例性实施方式中，在像素区域上可分别提供多个彩色图案CP。像素区域中的每一个可为由液晶电容器CLC控制并对应于像素电极PE的区域。

彩色图案CP可允许穿过其的光具有特定波长或颜色。彩色图案CP可包括染料、颜料、有机荧光材料和无机荧光材料中的至少一种。在另一示例性实施方式中，滤色器层CF可设置在第一基底层S1上以形成第一基板110。或者，在一些示例性实施方式中，可省略滤色器层CF。滤色器层CF的形状可多方面地改变，并且本发明构思不限于滤色器层CF的特定形状。

外涂层CC可覆盖滤色器层CF。外涂层CC可由绝缘材料形成，或可包括绝缘材料。外涂层CC可覆盖滤色器层CF的后表面并且可向共用电极CME提供平坦的表面。在一些示例性实施方式中，可从显示面板100中省略外涂层CC。

共用电极CME可沿着像素电极PE产生电场。在图示的示例性实施方式中，共用电极CME可设置在第二基底层S2的后表面上，并且可形成在多个像素之上。然而，本发明构思不限于此，并且在一些示例性实施方式中，共用电极CME可形成为分别提供在像素区域上的多个图案。在其他示例性实施方式中，共用电极CME可设置在第一基底层S1上以形成第一基板110。图2显示像素电极PE具有无缝隙形状，然而，在一些示例性实施方式中，可提供显示面板100的共用电极CME和像素电极PE中的至少一个以具有多个缝隙。

液晶层LCL可包括液晶分子。液晶分子可具有化学结构，其取向可由像素电极PE和共用电极CME之间产生的电场控制。液晶层LCL的光学透射率可基本上由液晶分子的取向控制。

图3A中示出了图1的背光单元BLU的示意性截面图。根据另一示例性实施方式，背光单元BLU-1可进一步包括另外的元件，如图3B所示。首先，将参考图1和图3A描述背光单元BLU。

背光单元BLU可向显示面板100提供光。显示面板100可控制像素PX中的每一个中的光的透射率以显示图像。在示例性实施方式中，显示面板100可为透射型显示面板。

光源200可产生光，并在横向方向上向光学构件300提供光。光源200可包括电路基板210和多个发光元件220。电路基板210可为在第一方向DR1上延长的板状结构，并可具有分别在第一方向DR1和第三方向DR3上测量的长度和宽度。电路基板210可包括绝缘基板和安装在绝缘基板上的电路线。电路线可用于将电信号从外部传送至发光元件220，或使发光元件220彼此电连接。

发光元件220中的每一个都可产生光。发光元件220可设置在电路基板210上并可电连接至电路基板210。发光元件220可在电路基板210的长度方向上彼此间隔开。如图1所示，根据示例性实施方式的发光元件220可布置形成第一方向DR1上的单列。

光学构件300可为设置为基本上平行于显示面板100的板状元件。可设置光学构件300，以使其顶表面300-S(参见图1)面向显示面板100。

光学构件300可接收来自光源200的光并将光提供给显示面板100。光学构件300可控制从光源200发射的光的传播路径，以使光可均匀入射到显示面板100上。

在示例性实施方式中，光学构件300可将入射光转换成白光。在该情况下，即使光源200产生非白色(例如，蓝色)光，通过光学构件300向显示面板100提供的光也可为白色的。更具体地，光学构件300可用作导光板和光转换构件。在该情况下，作为单一结构提供的光学构件300可用于替换导光板和光转换构件二者，这可减少显示设备DA的总厚度并简化组装显示设备DA的工艺。

光学构件300可包括基底基板310和量子点单元320。基底基板310可包括面向光源200的入射表面SF1。如图3A所示，基底基板310的侧表面中的一个可用作入射表面SF1，但是本发明构思不限于此。例如，基底基板310的侧表面中的至少两个可用作入射表面SF1。

基底基板310可由绝缘材料形成，或可包括绝缘材料。例如，基底基板310可由玻璃形成，或可包括玻璃。

基底基板310可配置为允许通过入射表面SF1入射的光朝向基底基板310的顶表面传播。例如，入射光可沿着基本上平行于第二方向DR2的初始路径传播，并且基底基板310可沿着基本上平行于第三方向DR3的方向改变传播路径。光学构件300的导光功能可基本上由基底基板310实现。

量子点单元320可设置在基底基板310上。量子点单元320可包括量子点层321、下屏障层322和上屏障层323。量子点层321可包括多个量子点。量子点层321可改变入射到其上的光的波长。

下屏障层322和上屏障层323可密封量子点层321。下屏障层322可设置在量子点层321和基底基板310之间以保护量子点层321免受下层元件的影响，并防止外部湿气或水进入量子点层321。上屏障层323可设置在量子点层321上以覆盖量子点层321的顶表面。上屏障层323可保护量子点层321免受其上元件的影响，并防止外部湿气或水进入量子点层321。

下屏障层322和上屏障层323中的每一个可由无机材料形成，或可包括无机材料。例如，下屏障层322和上屏障层323中的每一个可包括金属氧化物和金属氮化物中的至少一种。更具体地，下屏障层322和上屏障层323中的每一个可由硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、钛氧化物和其任意组合中的至少一种形成，或可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、钛氧化物和其任意组合中的至少一种。然而，本发明构思不限于此，并且各种无机材料可用作下屏障层322和上屏障层323中的至少一个，只要下屏障层322和上屏障层323密封量子点层321即可。在示例性实施方式中，下屏障层322和上屏障层323可独立地形成。因此，下屏障层322和上屏障层323可由相同材料或不同材料形成，或可包括相同材料或不同材料。

在图3A中，下屏障层322和上屏障层323图示为暴露量子点层321的侧表面。然而，本发明构思不限于此，并且在一些示例性实施方式中，量子点层321的侧表面可用下屏障层322和上屏障层323中的至少一个覆盖，并且可不暴露于外部。

现在，参见图3B，背光单元BLU-1可进一步包括低折射层330。低折射层330可设置在基底基板310和量子点单元320之间。低折射层330可覆盖基底基板310的顶表面。

低折射层330可具有的折射率低于基底基板310的折射率。例如，低折射层330可具有低于约1.5的折射率。低折射层330可改进基底基板310的导光性能。

回来参见图1，上保护构件410可设置在显示面板100上以覆盖显示面板100。上保护构件410可包括暴露显示面板100的至少一部分的开口410-OP。例如，开口410-OP可至少暴露显示面板100的有源区域AA，使得用户可识别有源区域AA上显示的图像的部分(例如，穿过开口410-OP)。在示例性实施方式中，显示设备DA可进一步包括设置在开口410-OP中的透明的保护构件。或者，上保护构件410可为光学透明的。在该情况下，可省略开口410-OP。

下保护构件420可与上保护构件410组合以保护显示面板100和背光单元BLU。下保护构件420可包括底部分420-B和侧壁部分420-W。底部分420-B可具有的面积等于或大于显示面板100的面积和光学构件300的面积。侧壁部分420-W可连接至底部分420-B，并可基本上在第三方向DR3上从底部分420-B弯曲。底部分420-B和侧壁部分420-W可限定内部空间420-SS。显示面板100和背光单元BLU可设置在内部空间420-SS中并可被保护免受外部冲击。

光学膜500可设置在显示面板100和光学构件300之间。光学膜500可配置为以改进的效率或改进的空间均匀性，允许从光学构件300发射的光入射到显示面板100。光学膜500可包括单个片或多个片。例如，光学膜500可包括网状片、棱镜片和散射片中的至少一种。在一些示例性实施方式中，可从显示设备DA中省略光学膜500。

图4是示出根据示例性实施方式的光学构件的分解透视图。图5A是示出根据示例性实施方式的光学构件的一部分的截面图。图5B是显示根据示例性实施方式的光学构件的一部分的图像。为了便于图示，基底基板310和量子点单元320分别在图4中示出。图5A中示出了图4的量子点单元320的区域。下文，将参考图4至图5B描述根据示例性实施方式的光学构件。

基底基板310可包括顶表面SF-U、底表面SF-L和多个侧表面SF1、SF2、SF3和SF4。可设置基底基板310，以使顶表面SF-U面向显示面板100(例如，参见图1)。量子点单元320可设置在顶表面SF-U上。与顶表面SF-U相对的底表面SF-L可为面向下保护构件420的底部分420-B(例如，参见图1)的表面。

侧表面SF1、SF2、SF3和SF4可包括第一侧表面SF1、第二侧表面SF2、第三侧表面SF3和第四侧表面SF4。第一侧表面SF1和第二侧表面SF2中的每一个可基本上平行于由第一方向DR1和第三方向DR3限定的平面，并可在第二方向DR2上面向彼此。第三侧表面SF3和第四侧表面SF4中的每一个可基本上平行于由第二方向DR2和第三方向DR3限定的平面，并可在第一方向DR1上面向彼此。

如上所述，侧表面SF1、SF2、SF3和SF4中的至少一个可放置为面向光源200(例如，参见图1)并可用作入射表面。下文，第一侧表面SF1将被描述为入射表面。

量子点单元320可包括在第三方向DR3上堆叠的下屏障层322、量子点层321和上屏障层323。下屏障层322可设置在基底基板310之上。下屏障层322的顶表面322-S(下文，“LBL顶表面”)可具有的形状对应于设置在其下的基底基板310的顶表面的形状。在示出的示例性实施方式中，与上屏障层323的顶表面323-S(下文，“UBL顶表面”)相比，LBL顶表面322-S可基本上是平坦的。

量子点层321可包括介质层MX、多个量子点PT1和PT2以及散射颗粒SP。量子点PT1和PT2以及散射颗粒SP可分散在介质层MX中。

介质层MX可由通常称为粘合剂的各种树脂组成形成。例如，介质层MX可由聚合物树脂形成，或可包括聚合物树脂。更具体地，介质层MX可由丙烯酸树脂、聚氨酯树脂(urethane resin)、硅酮树脂和环氧树脂中的至少一种形成，或可包括丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂和环氧树脂中的至少一种。介质层MX可为光学透明的树脂。然而，本发明构思不限于此，并且能够将量子点PT1和PT2分散于其中的任何元素都可用作介质层MX。

量子点PT1和PT2可改变入射在其上的光的波长。量子点PT1和PT2中的每一种可具有包括几百至几千个原子的纳米级结晶材料。由于量子点PT1和PT2的尺寸，量子点PT1和PT2可表现出由量子约束效应导致的带隙增加。当入射到量子点PT1和PT2的光的能量大于量子点PT1和PT2中的每一种的带隙时，量子点PT1和PT2中的每一种可吸收光以具有激发态，并且当返回到其基态时，量子点PT1和PT2中的每一种可发射具有特定波长的光。所发射的光的波长可由带隙确定。这样，可控制量子点PT1和PT2中的每一种的尺寸或组分以调整量子约束效应，这影响了要从量子点PT1和PT2发射的光的光学特性(例如，波长)。

量子点PT1和PT2中的每一种可选自由下述组成的组中：II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和其组合。

II-VI族化合物可选自由下述组成的组中：二元化合物(例如，CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和MgS)，二元化合物的混合物，三元化合物(例如，CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和MgZnS)，三元化合物的混合物，四元化合物(例如，HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe)，以及四元化合物的混合物。

III-V族化合物可选自由下述组成的组中：二元化合物(例如，GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和InSb)，二元化合物的混合物，三元化合物(例如，GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs和InPSb)、三元化合物的混合物，四元化合物(例如，GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和InAlPSb)，以及四元化合物的混合物。IV-VI族化合物可选自由下述组成的组中：二元化合物(例如，SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和PbTe)，二元化合物的混合物，三元化合物(例如，SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和SnPbTe)，三元化合物的混合物，四元化合物(例如，SnPbSSe、SnPbSeTe和SnPbSTe)，以及四元化合物的混合物。IV族元素可选自由下述组成的组中：Si、Ge和其混合物。IV族化合物可包括二元化合物，其选自由下述组成的组中：SiC、SiGe和其混合物。

这里，二元化合物、三元化合物或四元化合物可在整个颗粒中具有均匀的浓度，或可在每个颗粒中具有空间上变化的浓度分布。

量子点PT1和PT2中的每一种可具有核壳结构，其包括核以及包围核的壳。在一些示例性实施方式中，量子点PT1和PT2中的每一种可具有核/壳结构，其中一个量子点被另一个量子点包围。在核以及壳之间的界面处，包含在壳中的元素可具有朝向中心方向逐渐降低的浓度。

量子点PT1和PT2中的每一种可为纳米级颗粒。量子点PT1和PT2中的每一种可具有发光波长光谱，其半峰全宽(FWHM)小于约45nm，并且在一些示例性实施方式中，小于约40nm，并且在一些其他示例性实施方式中，小于约30nm。在该情况下，量子点PT1和PT2可改进颜色纯度或颜色再现特性。此外，量子点PT1和PT2可沿径向发射光，这可改进视角。

在示例性实施方式中，量子点PT1和PT2可基本上为球形、锥形、多臂或立方纳米颗粒。在另一示例性实施方式中，量子点PT1和PT2可为纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板状颗粒，但是本发明构思不限于此。

在示出的示例性实施方式中，量子点PT1和PT2可包括第一量子点PT1和第二量子点PT2。入射到第一量子点PT1和第二量子点PT2上并从其发射的光的波长可彼此不同。然而，本发明构思不限于此，并且在一些示例性实施方式中，由量子点PT1和PT2转换的光的波长可在单波长范围内。另外，在示例性实施方式中，量子点PT1和PT2可进一步包括转换光的其他波长的另外量子点。然而，本发明构思不限于此，并且量子点PT1和PT2的类型或数量可多方面地改变。

散射颗粒SP可包括由高反射金属氧化物(比如钛氧化物)和二氧化硅类材料中的至少一种形成的纳米颗粒。散射颗粒SP可散射从量子点PT1和PT2发射的光以改进量子点单元320中的光再循环效率。这样，可改进从量子点单元320发射的光的光学效率。然而，本发明构思不限于此，并且在一些示例性实施方式中，可从量子点单元320中省略散射颗粒SP。

在示出的示例性实施方式中，量子点层321的顶表面321-S(下文，“QDL顶表面”)可包括多个褶皱或凹凸图案WRK-Q(下文，“QDL褶皱”)。QDL褶皱WRK-Q(即下褶皱)可为QDL顶表面321-S的一部分，在与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面相比时，QDL顶表面321-S基本上在第三方向DR3上突起。当在垂直方向上测量时，QDL褶皱WRK-Q可具有约1μm或更小的厚度。这样，在与LBL顶表面322-S相比时，QDL顶表面321-S可为不平的。

QDL褶皱WRK-Q可通过在量子点层321形成期间或之后出现或保留在量子点层321中的残余应力形成。由于存在QDL褶皱WRK-Q，QDL顶表面321-S可具有褶皱的形状。QDL褶皱WRK-Q的不平的形状可转录到上屏障层323的顶表面。下面将更详细描述。

上屏障层323可设置在量子点层321上以直接覆盖QDL顶表面321-S。上屏障层323可在基底基板310上具有基本上均匀的厚度。例如，上屏障层323可在与QDL褶皱WRK-Q重叠的QDL顶表面321-S的区域中具有厚度T2，并且在邻近于QDL褶皱WRK-Q的QDL顶表面321-S的区域中具有基本上等于T2的厚度T1。

在示出的示例性实施方式中，上屏障层323的顶表面323-S(例如，UBL顶表面)可限定光学构件的顶表面300-S(例如，参见图1)。UBL顶表面323-S可具有的形状对应于设置在其下的QDL顶表面321-S的形状。这样，UBL顶表面323-S可包括对应于QDL褶皱WRK-Q的多个褶皱WRK(即上褶皱)。褶皱WRK可为UBL顶表面323-S的一部分，在与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面相比时，UBL顶表面323-S基本上在第三方向DR3上突起。由于存在褶皱WRK，在与基底基板310的顶表面SF-U相比时，UBL顶表面323-S可具有不平的部分。例如，由于存在褶皱WRK，UBL顶表面323-S可具有褶皱的形状。

图5B是显示UBL顶表面323-S的区域的放大形状的图像。参见图5B，褶皱WRK可随机布置在上屏障层323的顶表面323-S上。

当在平面图中观察时，褶皱WRK中的至少一个可具有基本上的曲线形状。曲线形状可指至少具有弧形部分或弯曲部分的形状，并且可包括开放或闭合的曲线形状。在图5B中，为了便于图示，仅一些褶皱WRK(例如，第一褶皱WRK1、第二褶皱WRK2和第三褶皱WRK3)用附图标记表明。

当在平面图中观察时，第一褶皱WRK1可具有曲线形状。例如，第一褶皱WRK1可具有非闭合(例如，开放)的曲线形状。当在平面图中观察时，第二褶皱WRK2可具有曲线形状。例如，第二褶皱WRK2可具有开放的曲线形状。

第一褶皱WRK1和第二褶皱WRK2可具有彼此独立的形状。具体而言，第一褶皱WRK1的曲线形状和第二褶皱WRK2的曲线形状可彼此相同或不同，因为它们被独立地控制。在示出的示例性实施方式中，第一褶皱WRK1和第二褶皱WRK2图示为具有彼此不同的曲线形状。

第一褶皱WRK1和第二褶皱WRK2可彼此连接。在示出的示例性实施方式中，第二褶皱WRK2的末端连接至第一褶皱WRK1的一部分。然而，本发明构思不限于此。例如，在一些示例性实施方式中，第一褶皱WRK1和第二褶皱WRK2可在其他位置处彼此连接或可彼此分离。

第三褶皱WRK3可与第一褶皱WRK1和第二褶皱WRK2间隔开。第三褶皱WRK3可具有曲线形状。第三褶皱WRK3的曲线形状可为闭环形状。

根据示例性实施方式，当在平面图中观察时，褶皱WRK可具有各种形状。如上所述，一些褶皱WRK可彼此连接，或可彼此分离或间隔开。另外，一些褶皱WRK可为非闭合(例如，开放)的曲线形状或闭合的曲线形状。在示例性实施方式中，褶皱WRK之间的距离可等于或小于约100μm。

在示例性实施方式中，上屏障层323可包括具有多个褶皱WRK的不平的顶表面323-S。褶皱WRK可由QDL顶表面321-S的基本上不平的轮廓形成。在示例性实施方式中，即使当量子点层321受外部冲击或温度改变而变形时，由于上屏障层323沿着QDL褶皱WRK-Q形成，因此上屏障层323可减小由量子点层321的变形引起的各种技术应力。这样，可抑制或防止上屏障层323损坏(例如，从量子点层321分层或被破坏)，并因此可改进光学构件300的可靠性。

图6A是根据示例性实施方式的光学构件的一部分的截面图。图6B是根据示例性实施方式的光学构件的一部分的截面图。图6A和图6B的截面图中示出了量子点单元320-1和320-2的一些区域。下文，将参考图6A和图6B描述根据示例性实施方式的光学构件，图6A和图6B可包括与先前参考图1至图5B描述的基本上相同的元件。这样，将省略基本上相同的元件的重复描述以避免冗余。

如图6A所示，量子点单元320-1可包括具有多个层的下屏障层322-1，以及具有多个层的上屏障层323-1。下屏障层322-1可包括第一下层L11和第二下层L21。第一下层L11和第二下层L21中的每一个可由无机材料形成，或可包括无机材料。例如，第一下层L11和第二下层L21中的每一个可由金属氧化物、硅氧化物、硅氮化物和其任意组合中的至少一种形成，或可包括金属氧化物、硅氧化物、硅氮化物和其任意组合中的至少一种。第一下层L11和第二下层L21的材料可彼此相同或不同，但不限于此。

上屏障层323-1可包括第一上层L12和第二上层L22。第一上层L12和第二上层L22中的每一个可由无机材料形成，或可包括无机材料。第一上层L12和第二上层L22的材料可彼此相同或不同，但不限于此。

如图6B所示，在与图5A的量子点单元320相比时，量子点单元320-2可进一步包括覆盖层324。覆盖层324可设置在上屏障层323上以覆盖UBL顶表面323-S。在该情况下，图1的光学构件300的顶表面300-S可对应于覆盖层324的顶表面。

覆盖层324可覆盖褶皱WRK，并在量子点单元320-2上提供基本上平坦的顶表面。这样，在覆盖层324中，与褶皱WRK重叠的部分的厚度T3可与邻近于褶皱WRK的部分的厚度T4不同。

覆盖层324可由有机材料形成，或可包括有机材料。覆盖层324可为光学透明的。由于覆盖层324的透明度，从量子点单元320-2发射的光的效率不会降低。

图7A至图7C是各自示出根据示例性实施方式的光学构件的截面图。图7B和图7C中所示的光学构件示例性地示出受外部冲击或受热而变形的图7A的光学构件300。下文，将参考图7A至图7C描述根据示例性实施方式的光学构件。

如图7A所示，光学构件300可包括基底基板310和量子点单元320。UBL顶表面323-S可包括褶皱WRK。上屏障层323可具有基本上均匀的厚度。例如，上屏障层323可具有在褶皱WRK处的厚度T1，和在邻近于褶皱WRK的区域处的基本上等于T1的厚度T2。量子点层321可包括褶皱的顶表面321-S。由于存在褶皱WRK，量子点层321可具有不均匀的厚度。量子点层321可在褶皱WRK下面具有最大厚度TQ。

参见图7B，当在光学构件300-TS上施加拉伸应力TS-I时，量子点层321可变形。QDL顶表面321-S的褶皱程度可减小，并且量子点层321可具有的最大厚度TQ1小于图7A的最大厚度TQ。拉伸应力TS-I可由外部冲击或由可保留在量子点层321中的残余应力引起。

参见图7C，当在光学构件300-CS上施加压缩应力CS-I时，量子点层321可变形。QDL顶表面321-S的褶皱程度可增加，并且量子点层321可具有的最大厚度TQ2大于图7A的最大厚度TQ。压缩应力CS-I可由外部冲击或由可保留在量子点层321中的残余应力引起。

在示例性实施方式中，上屏障层323可形成为沿着不平的QDL顶表面321-S具有基本上均匀的厚度，因此，即使当QDL顶表面321-S的褶皱程度改变时，上屏障层323也可保持与量子点层321稳定接触。UBL顶表面323-S的褶皱WRK-T和WRK-C的程度可通过QDL顶表面321-S的变形而减小或增加，然而，在图7A的光学构件300中，由于上屏障层323的厚度均匀地保持，因此上屏障层323的中性平面的位置不会改变。

这样，上屏障层323可在QDL顶表面321-S的变形下稳定地保持，因此，可改进光学构件300-TS和300-CS的可靠性。

图8A至图8E是示出根据示例性实施方式的光学构件的制造方法的截面图。图9A至图9D是示出根据示例性实施方式的光学构件的制造方法的截面图。图9A至图9C中示出了对应于图8C至图8E的步骤。下文，将参考图8A至图9D描述根据示例性实施方式的光学构件的制造方法，并且将省略与先前参考图1至图7C描述的光学构件中的元件基本上相同的元件的重复描述以避免冗余。

如图8A所示，可提供基底基板310。基底基板310可为玻璃基板。基底基板310可具有面朝向上方或第三方向DR3(例如，参见图1)的顶表面310-S。

此后，如图8B所示，下屏障层322和初始量子点层321-I可顺序形成在基底基板310上。例如，下屏障层322可通过在基底基板310的顶表面310-S上涂布无机材料而形成。涂布工艺可包括沉积或印刷工艺。

初始量子点层321-I可在形成下屏障层322之后形成。初始量子点层321-I可包括介质层MX、第一量子点PT1和第二量子点PT2。初始量子点层321-I可通过在下屏障层322上涂布其中分散第一量子点PT1和第二量子点PT2的介质层MX而形成。

此后，如图8C和图8D所示，可固化初始量子点层321-I以形成量子点层321。如图8C所示，初始量子点层321-I的固化工艺可包括其中提供热HT的热固化工艺。根据初始量子点层321-I的组成和量以及量子点层321的期望的厚度，多方面地调整热固化工艺中的工艺温度或时间。

如图8D所示，量子点层321可形成为在顶表面321-S(下文，“QDL顶表面”)上具有褶皱WRK-Q(下文，“QDL褶皱”)。在固化工艺后，与LBL顶表面322-S相比，QDL顶表面321-S可具有褶皱的形状。

QDL褶皱WRK-Q可通过在初始量子点层321-I的顶表面321-S上施加应力SS而形成。当施加更强的应力SS时，可形成的QDL褶皱WRK-Q的褶皱程度更大。当QDL褶皱WRK-Q的褶皱程度变得更大时，QDL褶皱WRK-Q的突起程度可变得更大。

褶皱程度可以各种方式调整。例如，褶皱程度可根据初始量子点层321-I的材料特性变化。具体而言，褶皱程度可取决于初始量子点层321-I的玻璃化转变温度。当初始量子点层321-I对固化工艺期间提供的热HT的稳定性变得更低时，褶皱程度可变得更大。

在示例性实施方式中，褶皱程度可根据量子点层321的厚度变化。例如，可提供更大量的初始量子点层321-I以形成更厚的初始量子点层321-I，并且在该情况下，当量子点层321的厚度变得更大时，褶皱程度可变得更大。

在示例性实施方式中，褶皱程度可根据基底基板310和初始量子点层321-I之间的玻璃化转变温度之差变化。基底基板310和初始量子点层321-I对固化工艺期间提供的热HT的稳定性可彼此不同。这样，可在初始量子点层321-I中出现残余应力，并且当残余应力为压缩应力时，褶皱程度可增加。

此后，如图8E所示，上屏障层323可形成在量子点层321上以形成光学构件300。例如，上屏障层323可通过在QDL顶表面321-S上涂布无机层而形成。涂布工艺可包括沉积或印刷工艺。

上屏障层323可形成为使顶表面323-S(下文，“UBL顶表面”)沿着QDL顶表面321-S起褶皱。UBL顶表面323-S可具有从QDL顶表面321-S转录的垂直轮廓。这样，UBL顶表面323-S可包括对应于QDL褶皱WRK-Q的多个褶皱WRK。

在根据示例性实施方式的光学构件300中，由于包括无机材料的上屏障层323形成在具有褶皱的顶表面321-S的量子点层321上，因此上屏障层323可形成为具有褶皱的顶表面323-S。固化工艺期间的量子点层321的变形可由热应力(比如热HT)引起。这样，通过形成根据示例性实施方式的具有不平的顶表面321-S的量子点层321，可释放由热HT引起的热应力。

根据示例性实施方式，上屏障层323可直接形成在变形的量子点层321上，因此，可抑制或防止量子点层321在后续步骤中变形。此外，由于上屏障层323沿着量子点层321的褶皱WRK-Q形成，因此，即使当褶皱WRK-Q由于量子点层321的后续变形而变形时，也能够防止或抑制上屏障层323中出现损坏或分层问题。

参见图9A至图9D，根据示例性实施方式，UBL顶表面的QDL褶皱WRK-Q和褶皱WRK可基本上同时形成。如图9A和图9B所示，可固化第一初始量子点层321-I1以形成第二初始量子点层321-I2。第一初始量子点层321-I1可对应于图8C中所示的初始量子点层321-I。

第二初始量子点层321-I2可具有平坦的顶表面321-S20，不同于通过固化第一初始量子点层321-I1形成的图8D的量子点层321。第一初始量子点层321-I1的顶表面321-S10可与第二初始量子点层321-I2的顶表面321-S20基本上相同。在该情况下，尽管第二初始量子点层321-I2可暴露于由热HT引起的热应力，然而，其顶表面321-S20不会由第一初始量子点层321-I1的顶表面321-S10变形。

此后，如图9C所示，初始上屏障层323-I可形成在第二初始量子点层321-I2上。初始上屏障层323-I可具有的顶表面323-S10具有从第二初始量子点层321-I2的顶表面321-S20转录的轮廓。这样，初始上屏障层323-I的顶表面323-S10可为基本上平坦的表面。

如图9D所示，第二初始量子点层321-I2和初始上屏障层323-I可变形以形成量子点层321和上屏障层323。图9C和图9D示出上屏障层323在其形成后变形，然而，本发明构思不限于此。例如，在一些示例性实施方式中，上屏障层323可在其形成期间变形。

量子点层321可由于第二初始量子点层321-I2受残余应力SS(比如来自热HT的热应力)变形而形成。由于残余应力SS，褶皱WRK-Q和WRK可分别形成在QDL顶表面321-S和上屏障层323的顶表面323-S上。在示例性实施方式中，残余应力SS可为对褶皱WRK-Q和WRK的压缩应力。

根据示例性实施方式，由于上屏障层323可直接形成在变形的量子点层321上，因此能够防止或抑制量子点层321在后续步骤中进一步变形。此外，在示例性实施方式中，由于上屏障层323沿着量子点层321的褶皱WRK-Q形成，因此即使当褶皱WRK-Q由于量子点层321的后续变形而变形时，也能够防止或抑制上屏障层323中出现损坏或分层问题。

图10是根据示例性实施方式的显示设备的分解透视图。图11A至图11D是示出根据示例性实施方式的光学构件的制造方法的截面图。下文，将参考图10至图11D描述根据示例性实施方式的显示设备。

如图10所示，显示设备DA-C可具有曲线形状。显示设备DA-C可包括显示面板100C、背光单元BLU、上保护构件410C、下保护构件420C和光学膜500。

显示面板100C可具有曲线形状。显示面板100C可包括第一基板110C和第二基板120C。第一基板110C和第二基板120C中的每一个也可具有曲线形状，并且除了其曲线形状之外，第一基板110C和第二基板120C可具有与图1的第一基板110和第二基板120基本上相同的特征。这样，将省略基本上相同的元件和特征的重复描述。

上保护构件410C和下保护构件420C中的每一个可具有曲线形状。当在显示设备DA-C中组装时，光学膜500可处于弯曲状态。除了上保护构件410C、下保护构件420C和光学膜500的曲线形状之外，它们可具有与图1的上保护构件410、下保护构件420和光学膜500基本上相同的特征。这样，将省略基本上相同的元件和特征的重复描述。

背光单元BLU可包括光源200C和光学构件300C。光源200C可包括电路基板210C和多个发光元件220C。在示例性实施方式中，光源200C可具有与图1的光源200基本上相同的特征，因此，将省略其重复描述以避免冗余。

光学构件300C可在特定方向上具有曲线形状。可设置光学构件300C以使其顶表面300C-S面向显示面板100C。除了其曲线形状之外，光学构件300C可对应于图1的光学构件300。下文，将参考图11A至图11D更详细地描述光学构件300C。

如图11A和图11B所示，具有曲线形状的基底基板310C可通过沿着弯曲轴BX使初始基底基板310C-I弯曲而形成。这样，可在基底基板310C中出现应力SS1。应力SS1可为压缩应力。基底基板310C可由于应力SS1而沿着弯曲轴BX弯曲。

基底基板310C可沿着弯曲轴BX以曲率半径RC弯曲。尽管图11B显示基底基板310C以单曲率半径(例如，曲率半径RC)均匀弯曲，然而，本发明构思不限于此。例如，在一些示例性实施方式中，基底基板310C可以至少两个不同曲率半径弯曲。

此后，如图11C所示，下屏障层322C、量子点层321C和上屏障层323C可顺序形成在基底基板310C上以形成光学构件300C。褶皱WRK可形成在上屏障层323C的顶表面上。如上所述，褶皱WRK可在固化量子点层321C时形成，或可通过在形成上屏障层323C时形成的褶皱形成，因此，将省略其重复描述。

如图11D所示，应力SS2可在光学构件300C形成之后在基底基板310C中出现。应力SS2可为基底基板310C的残余应力，并且可为拉伸应力。残余应力可由在基底基板310C上施加的弯曲应力引起。

在示例性实施方式中，由于具有褶皱WRK的UBL顶表面323C-S，即使在量子点层321C等由于应力SS2而变形时，也可稳定地保持上屏障层323C和量子点层321C之间的粘附强度。因此，能够防止或抑制上屏障层323C从量子点层321C分层或被破坏，从而改进光学构件300C的可靠性。

根据本发明构思的示例性实施方式，覆盖量子点层的无机屏障层可形成为具有褶皱。因此，即使在量子点层由于热应力或外部冲击而变形时，也可抑制或防止无机屏障层损坏，因此，可改进光学构件的可靠性。

尽管本文已经描述了某些示例性实施方式和实行方式，但是其他实施方式和修改将从该描述中显而易见。因此，本发明构思不限于这种实施方式，而是限于所附的权利要求的更宽范围以及会对本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等效布置。

Claims (24)

1.一种光学构件，包括：

基底基板；

量子点层，所述量子点层设置在所述基底基板上并且具有包括下褶皱的第一顶表面，所述量子点层包括介质层和分散在所述介质层中的多个量子点；

下屏障层，所述下屏障层设置在所述基底基板和所述量子点层之间；和

上屏障层，所述上屏障层覆盖所述量子点层，

其中所述上屏障层具有第二顶表面，所述第二顶表面具有与所述量子点层的所述下褶皱对应的上褶皱。

2.如权利要求1所述的光学构件，其中所述上屏障层在所述基底基板上具有均匀的厚度。

3.如权利要求2所述的光学构件，其中所述量子点层在所述基底基板上具有变化的厚度。

4.如权利要求2所述的光学构件，其中所述上屏障层包括无机层。

5.如权利要求1所述的光学构件，其中：

在所述第二顶表面上提供多个所述上褶皱；并且

当在平面图中观察时，所述多个所述上褶皱中的至少一个具有曲线形状。

6.如权利要求5所述的光学构件，其中所述多个所述上褶皱中的至少两个彼此连接。

7.如权利要求5所述的光学构件，其中所述曲线形状包括闭环形状。

8.如权利要求7所述的光学构件，其中所述多个所述上褶皱包括具有第一闭环形状的第一褶皱和具有与所述第一闭环形状不同的第二闭环形状的第二褶皱。

9.如权利要求8所述的光学构件，其中所述第一褶皱和所述第二褶皱彼此连接。

10.如权利要求5所述的光学构件，其中所述多个所述上褶皱中的每一个具有1μm或更小的垂直厚度。

11.如权利要求10所述的光学构件，其中所述多个所述上褶皱之间的距离小于100μm。

12.如权利要求1所述的光学构件，进一步包括低折射层，所述低折射层设置在所述基底基板和所述下屏障层之间，并且具有1.5或更小的折射率。

13.如权利要求1所述的光学构件，其中所述基底基板包括玻璃基板。

14.如权利要求1所述的光学构件，进一步包括保护层，所述保护层包括有机材料并且设置在所述上屏障层上，

其中所述保护层覆盖所述第二顶表面并且具有平坦的顶表面。

15.一种显示设备，包括：

光源，所述光源被配置为发射光；

光学构件，所述光学构件具有面向所述光源的入射表面；和

显示面板，所述显示面板设置在所述光学构件上并且包括多个像素，

其中所述光学构件包括：

基底基板，所述基底基板包括面向所述显示面板的顶表面、与所述顶表面相对的底表面和将所述顶表面连接至所述底表面的多个侧表面，所述多个侧表面中的至少一个包括所述入射表面；

下屏障层，所述下屏障层设置在所述基底基板上，所述下屏障层具有平坦的顶表面；

上屏障层，所述上屏障层设置在所述下屏障层上，所述上屏障层具有褶皱的顶表面，所述褶皱的顶表面具有形成在其上的多个褶皱；以及

量子点层，所述量子点层设置在所述下屏障层和所述上屏障层之间，所述量子点层包括介质层和分散在所述介质层中的多个量子点，其中，当在平面图中观察时，所述褶皱具有曲线形状。

16.如权利要求15所述的显示设备，其中，当在平面图中观察时，所述褶皱包括具有第一形状的第一褶皱和具有与所述第一形状不同的第二形状的第二褶皱。

17.如权利要求16所述的显示设备，其中所述第一褶皱和所述第二褶皱彼此连接。

18.如权利要求15所述的显示设备，其中所述介质层的顶表面具有与所述基底基板的所述顶表面的形状不同的褶皱的形状。

19.如权利要求18所述的显示设备，其中：

所述介质层在所述基底基板上具有不均匀的厚度；且

所述上屏障层在所述基底基板上具有均匀的厚度。

20.如权利要求15所述的显示设备，其中所述上屏障层包括无机层。

21.如权利要求15所述的显示设备，其中所述基底基板包括玻璃基板。

22.如权利要求15所述的显示设备，进一步包括低折射层，所述低折射层设置在所述基底基板和所述量子点层之间，并且具有小于1.5的折射率。

23.如权利要求15所述的显示设备，进一步包括保护层，所述保护层设置在所述上屏障层上并且覆盖所述上屏障层的所述褶皱的顶表面，

其中所述保护层具有平坦的顶表面，所述平坦的顶表面具有的形状与所述上屏障层的所述褶皱的顶表面的形状不同。

24.如权利要求15所述的显示设备，其中所述显示面板沿着在一个方向上延伸的轴弯曲。

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