CN110868174A - 声学谐振器和滤波器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。

Description

声学谐振器和滤波器
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及声学谐振器和滤波器。
背景技术
谐振器可以用于各种电子应用中实施信号处理功能，例如，一些蜂窝式电话及其它通信装置使用谐振器来实施用于所发射和/或所接收信号的滤波器。可根据不同应用而使用数种不同类型的谐振器，例如薄膜体声谐振器(FBAR)、耦合式谐振器滤波器(SBAR)、堆叠式体声谐振器(SBAR)、双重体声谐振器(DBAR)及固态安装式谐振器(SMR)。
典型的声学谐振器包括上电极、下电极、位于上下电极之间的压电材料、位于下电极下面的声反射结构以及位于声反射结构下面的衬底。通常将上电极、压电层、下电极三层材料在厚度方向上重叠的区域定义为谐振器的有效区域。当在电极之间施加一定频率的电压信号时，由于压电材料所具有的逆压电效应，有效区域内的上下电极之间会产生垂直方向传播的声波，声波在上电极与空气的交界面和下电极下的声反射结构之间来回反射并在一定频率下产生谐振。
目前，传统的谐振器制作方法，对于谐振器工作区域的表面粗糙度不容易控制，影响谐振器性能。
发明内容
针对现有谐振器制作方法中存在的对于谐振器工作区域的表面粗糙度不容易控制，影响谐振器性能的问题，本发明提供一种声学谐振器和滤波器。
为达到上述发明目的，本发明实施例采用了如下的技术方案：
一种声学谐振器，包括：
衬底；
多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及
桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，
其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。
可选地，所述声学谐振器，还包括与所述上电极层的多个边中的一个边电连接的连接部，其中，所述桥部设置在所述连接部与所述上电极层的所述一个边之间。
可选地，在与所述声学谐振器的所述多层结构的末端相邻的位置处，所述压电层包括具有缺陷的过渡部。
可选地，所述上电极层不与所述过渡部相接触。
可选地，所述桥部包括间隙。
可选地，所述间隙包括所述上电极层与所述压电层之间的区域。
可选地，所述过渡部设置在所述间隙的区域下方。
可选地，所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成，所述底壁整体与所述衬底表面平行，所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面。
可选地，所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面。
可选地，所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述底壁所在的平面之上；
所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之下。
可选地，所述上半腔体由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半腔体对应的部分包括顶壁和第二侧壁围成，所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面。
可选地，所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面。
可选地，所述第三曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述顶壁所在的平面之下；
所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之上。
可选地，所述顶壁无突变部分。
本发明还提供了一种半导体器件，包括上述任一种谐振器，多个声学谐振器可以作为滤波器。
相对于现有技术，采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本发明实施例，通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能，此外，在多层结构的末端设置桥部，减小非活性区域的面积，减小寄生电容，改善有效耦合系数。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例声学谐振器的结构示意图；
图2是本发明实施例声学谐振器的结构示意图；
图3是图1中A的放大示意图；
图4是本发明实施例声学谐振器的一种制作方法流程图；
图5是本发明实施例声学谐振器的又一种制作方法流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参见图1，本发明一实施例提供了一种声学谐振器，包括衬底100、多层结构200和桥部300。多层结构200形成于衬底100上，多层结构200由下至上依次包括下电极层230、压电层220和上电极层210，桥部300与多层结构200的末端相邻，且与上电极层210的一部分重叠。其中，在衬底100和多层结构200之间形成有腔体400，腔体400包括位于衬底100上表面之下的下半腔体410和超出衬底100上表面并向多层结构200突出的上半腔体420。通常将腔体400、下电极层230、压电层220和上电极层210在厚度方向上重叠的区域定义为谐振器的有效区域；而将下电极层230、压电层220和上电极层210没有设置在腔体400上方的重叠区域，或其他悬挂结构定义为声学谐振器的非活性区域。在可行的程度内减小声学谐振器的非活性区域的面积有利于谐振器的性能的提升。
作为本发明实施例的一种具体实施方式，参见图2，声学谐振器还包括连接部500。连接部500与上电极层210的多个边中的一个边电连接，此外，连接部500连接到信号线(未示出)以及为了声学谐振器的特定应用而选择的电子组件(未示出)。声学谐振器的这个部分通常被称作声学谐振器的互连侧。其中，桥部300设置在连接部500与上电极层210的上述的一个边之间。桥部300包括形成在部分上电极层210下方的间隙310。在移除在形成间隙310的过程中设置的牺牲层(未示出)之后，间隙310包括空气。然而，间隙310可以由包括低声学阻抗材料的其他材料构成，诸如也掺杂碳(C)的SiO2；或者商业上公知为SiLK的电介质树脂；或者苯并环丁烯(BCB)。可以通过公知的方法将这种低声学阻抗材料设置在间隙310中。低声学阻抗材料可以在移除用于形成间隙的牺牲层之后设置，或者可以被用于代替间隙310中的牺牲层材料并且不被移除。
在本实施例中，通过将牺牲材料(未示出)设置在互连侧上的下电极层230和压电层220的一部分上方并且在牺牲层上方形成上电极层210，来形成桥300，即间隙310包括上电极层210与压电层220之间的区域。其中，牺牲材料包括磷硅酸盐玻璃(PSG)。
作为本发明实施例的一种具体实施方式，参见图2，在与声学谐振器的多层结构200的末端相邻的位置处，压电层220包括在将压电层220形成在下电极层230和衬底100上方的过程中形成的过渡部221。在过渡部221处的压电层220通常包括材料缺陷和空隙(void)，特别地包括诸如晶格缺陷和空隙的结构缺陷。这些缺陷和空隙可以导致在压电材料中传播的机械波的声学能量的损失。声学能量的损失导致谐振结构的Q因子减小。然而，间隙310在过渡部221的位置处的区域中将上电极层210与压电层220分开，即过渡部221设置在间隙310的下方，上电极层210不与过渡部221相接触，使声学谐振器的该部分有效区域中必定不包括缺陷和空隙。因此，减小了由于在过渡部221处的压电层220中的缺陷和空隙而引起的声学损失，并且相比于公知的谐振器(诸如公知的FBAR)改善了Q因子。
在本实施例中，桥部300在声学谐振器的互连侧上的有效区域的边界处提供声学阻抗失配。这种声学阻抗失配导致在边界处的声波反射，否则该声波将会传播到有效区域之外并且损失掉而导致能量损失。通过桥部300防止这种损失，导致Q因子增加。此外，除了在过渡部221之前终止声学谐振器的有效区域之外，桥部300也减小声学谐振器的非活性区域的面积。如FBAR的非活性区域产生在等效电路中与FBAR的活性区域的固有电容并联的寄生电容。该寄生电容降低有效耦合系数(kt2)，并且因此有利于减小寄生电容。减小非活性区域的面积减小了寄生电容并且由此改善了有效耦合系数(kt2)。
作为本发明实施例的一种具体实施方式，参见图1，下半腔体410由底壁101和第一侧壁102围成，底壁101整体与衬底100的表面平行，第一侧壁102为由底壁101的边缘延伸至衬底100上表面的第一圆滑曲面。
其中，底壁101和第一侧壁102均为衬底100的表面壁。而第一侧壁102为第一圆滑曲面能够保证谐振器腔体的性能，不发生突变。
作为本发明实施例的一种具体实施方式，参见图3，所述第一圆滑曲面可以包括圆滑过渡连接的第一曲面1021和第二曲面1022。其中，圆滑过渡连接的第一曲面1021和第二曲面1022是指第一曲面1021和第二曲面1022之间连接处无突变，且第一曲面1021和第二曲面1022两者也为无突变的曲面，从而能够保证谐振器腔体的性能。其中，衬底100是由很多个晶体(例如硅晶体)组成的，无突变是指第一圆滑曲面处的各个晶体之间的间隙不应过大以影响谐振器的性能。
例如，第一曲面1021的竖截面可以呈倒抛物线状，且位于底壁101所在的平面之上，即抛物线顶点与平面相切；第二曲面1022的竖截面可以呈抛物线状，且位于衬底100上表面所在的平面之下，即抛物线顶点与平面相切。第一曲面1021和第二曲面1022圆滑连接。当然，第一曲面1021和第二曲面1022还可以为其他形状的曲面，能够达到第一圆滑曲面处的各个晶体之间的间隙不影响谐振器的性能即可。
作为本发明实施例的一种具体实施方式，参见图1，上半腔体420可以由多层结构200的下侧面围成，所述多层结构200的下侧面与上半腔体420对应的部分包括顶壁201和第二侧壁202，第二侧壁202为由顶壁201边缘延伸至衬底100上表面的第二圆滑曲面。
其中，顶壁201和第二侧壁202均为多层结构200的下侧面壁。而第二侧壁202为第二圆滑曲面能够保证谐振器腔体的性能，不发生突变。
作为本发明实施例的一种具体实施方式，参见图3，第二圆滑曲面可以包括圆滑过渡连接的第三曲面2021和第四曲面2022。其中，圆滑过渡连接的第三曲面2021和第四曲面2022是指第三曲面2021和第四曲面2022之间连接处无突变，且第三曲面2021和第四曲面2022两者也为无突变的曲面，从而能够保证谐振器腔体的性能。其中，从晶体的角度讲，衬底100是由很多个晶体(例如硅晶体)组成的，无突变是指第二圆滑曲面处的各个晶体之间的间隙不应过大以影响谐振器的性能。
例如，第三曲面2021的竖截面可以呈抛物线状，且位于顶壁201所在的平面之下，即抛物线顶点与平面相切；第四曲面2022的竖截面呈倒抛物线状，且位于衬底100上表面所在的平面之上，即抛物线顶点与平面相切。当然，第三曲面2021和第四曲面2022还可以为其他形状，能够达到第一圆滑曲面处的各个晶体之间的间隙不影响谐振器的性能即可。
进一步的，参阅图1及图2，顶壁201也无突变部分。此处所述的突变与前述突变一致，从晶体的角度讲，多层结构200也是由很多个晶体组成的，无突变是指顶壁201处的各个晶体之间的间隙不应过大以影响谐振器的性能。
以上实施例中，衬底100可以为硅衬底或其他材质的衬底，对此不予限制。
上述谐振器，通过设置具有下半腔体410和上半腔体420的腔体400，且下半腔体410整体位于衬底100上表面之下，上半腔体320整体位于衬底100上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
参见图4，本发明一实施例中公开一种谐振器的制作方法，包括以下步骤：
步骤301，对衬底进行预处理，改变衬底预设区域部分的预设反应速率，使得预设区域部分对应的预设反应速率大于非预设区域部分对应的预设反应速率。
本步骤中，通过对衬底预设区域部分进行预处理，使得衬底预设区域部分的预设反应速率，达到预设区域部分对应的预设反应速率大于非预设区域部分对应的预设反应速率的效果，从而在后续步骤302中对衬底进行预设反应时，能够使得预设区域部分的反应速率和非预设区域部分的反应速率不同，以生成预设形状的牺牲材料部分。
步骤302，对所述衬底进行所述预设反应，生成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分包括位于所述衬底上表面之上的上半部分和位于所述衬底下表面之下的下半部分。
其中，所述下半部分由底面和第一侧面围成；所述底面整体与所述衬底表面平行，所述第一侧面为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面。所述上半部分由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半部分对应的部分包括顶面和第二侧面，所述第二侧面为由所述顶面边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面。
可选的，所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面；所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述底面所在的平面之上；所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之下。
可选的，所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面；所述第三曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述顶面所在的平面之下；所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之上。
作为本发明实施例的一种具体实施方式，所述第一圆滑曲面的曲率小于第一预设值；所述第二圆滑曲面的曲率小于第二预设值。
可以理解的，由于预设区域部分对应的预设反应速率大于非预设区域部分对应的预设反应速率，因此在对衬底进行预设反应时，预设区域部分反应快和非预设区域部分的反应慢，从而能够生成预设形状的牺牲材料部分。
作为本发明实施例的一种具体实施方式，步骤302具体实现过程可以包括：将所述衬底置于氧化气氛中进行氧化处理，得到牺牲材料部分。对应的，在步骤301中对衬底的预处理为能够提高衬底预设区域部分的氧化反应速率的手段。该手段可以为在预设区域进行离子注入以提高衬底预设区域部分的氧化反应速率，也可以为在衬底上形成一层预设图案的屏蔽层来提高衬底预设区域部分的氧化反应速率。
当然，在其他实施例中，步骤301中的预处理还可以为氧化处理之外的手段，同样该手段可以为在预设区域进行离子注入以提高衬底预设区域部分的氧化反应速率，也可以为在衬底上形成一层预设图案的屏蔽层来提高衬底预设区域部分的氧化反应速率。
步骤303，在所述牺牲材料层上形成多层结构；所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层。
步骤304，去除所述牺牲材料部分，形成谐振器。
本实施例中，衬底可以为硅衬底或其他材质的衬底，对此不予限制。此外，实施例中还包括形成桥部的步骤：通过将牺牲材料设置在互连侧上的下电极层和压电层的一部分上方并且在牺牲层上方形成上电极层，来形成桥部。
上述谐振器制作方法，通过对衬底进行预处理来使得衬底预设区域部分的反应速率大于非预设区域部分对应的预设反应速率，从而能够在对衬底进行预设反应时，生成预设形状的牺牲材料部分，再在所述牺牲材料层上形成多层结构，最后去除牺牲材料部分形成具有特殊腔体结构的谐振器，相对于传统的制作方法对谐振器工作区域的表面粗糙度更为容易控制。
参见图5，本发明一实施例公开一种谐振器制作方法，包括以下步骤：
步骤401，在衬底上形成屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述衬底上除预设区域之外的区域。
本步骤中，在衬底上形成屏蔽层的过程可以包括：
在所述衬底上形成屏蔽介质，所述屏蔽层用于屏蔽所述衬底除预设区域之外的区域发生所述预设反应；
去除预设区域对应的屏蔽介质，形成所述屏蔽层。
其中，屏蔽介质的作用为使得衬底上覆盖屏蔽介质部分的反应速率低于未覆盖屏蔽介质部分的反应速率。进一步的，屏蔽层可以用于屏蔽所述衬底除预设区域之外的区域发生所述预设反应。
步骤402，对形成屏蔽层的衬底进行预处理，控制衬底上与所述预设区域对应的部分发生预设反应，得到牺牲材料部分；所述牺牲材料部分包括位于所述衬底上表面之上的上半部分和位于所述衬底下表面之下的下半部分。
其中，所述下半部分由底面和第一侧面围成；所述底面整体与所述衬底表面平行，所述第一侧面为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面。所述上半部分由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半部分对应的部分包括顶面和第二侧面，所述第二侧面为由所述顶面边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面。
可选的，所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面。例如，所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述底面所在的平面之上；所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之下。
可选的，所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面；所述第三曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述顶面所在的平面之下；所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之上。
作为本发明实施例的一种具体实施方式，所述第一圆滑曲面的曲率小于第一预设值；所述第二圆滑曲面的曲率小于第二预设值。
作为一种可实施方式，步骤402的实现过程可以包括：将所述衬底置于氧化气氛中进行氧化处理，控制衬底上与所述预设区域对应的部分发生氧化反应，得到牺牲材料部分。
其中，所述将所述衬底置于氧化气氛中进行氧化处理，可以包括：
在预设范围的工艺温度环境中，向所述衬底通入高纯氧气，以使得所述衬底上与所述预设区域对应的部分生成氧化层；
经过第一预设时间后，停止向所述衬底通入高纯氧气，通过湿氧氧化、氢氧合成氧化和高压水汽氧化中的一种或多种方式，使得衬底上的氧化层厚度达到预设厚度；
停止向所述衬底通入湿氧并向所述衬底通入高纯氧气，经过第二预设时间后完成对所述衬底的氧化处理。
其中，所述预设范围可以为1000℃～1200℃；所述第一预设时间可以为20分钟～140分钟；所述预设厚度可以为0.4μm～4μm；所述第二预设时间可以为20分钟～140分钟；所述高纯氧气的流量可以为3L/分钟～15L/分钟。
需要说明的是，采用纯氧气、湿氧、氢氧合成和高压水汽氧化中的一种手段或几种手段的结合，过渡区形貌会有一定的差别；同时，屏蔽层的种类和结构的选择，对过渡区的形貌有一定的营销，根据多层结构的厚度和压电层对曲率变化的要求，合理选择氧化方式和屏蔽层种类和结构。
步骤403，去除预处理后的衬底屏蔽层。
步骤404，在去除屏蔽层后的衬底上形成多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层。
步骤405，移除所述牺牲材料部分。
本实施例中，所述屏蔽层可以为SiN材质层、SiO2材质层、多晶硅材质层，或为由上述两种或三种材质混合组成的多层结构，所述衬底可以为硅衬底或其他材质的衬底，对此不予限制。此外，实施例中还包括形成桥部的步骤：通过将牺牲材料(PSG)设置在互连侧上的下电极层和压电层的一部分上方并且在牺牲层上方形成上电极层，来形成桥部。
一个实施例中，屏蔽层可以采用SiN，也可以采用多层膜结构，SiN作为氧化屏蔽层，其屏蔽效果较好，屏蔽区和非屏蔽区反应速率相差较大。可以通过刻蚀或腐蚀等手段，把需要制作谐振器区域的屏蔽介质去除，将硅片放在氧化气氛中进行氧化，有屏蔽介质部分的反应速率和没有屏蔽介质部分的反应速率相差较大：没有屏蔽介质部分的反应速率较快，衬底Si与氧气反应形成SiO2，生成的SiO2厚度不断增加，其上表面逐渐比有屏蔽介质部分的表面升高，没有屏蔽介质部分的Si表面逐渐下降，相对没有屏蔽介质部分的表面降低，由于屏蔽层的边缘部分氧气会从侧面进入屏蔽层下面，使得屏蔽层边缘的氧化速率较没有屏蔽介质部分的氧化速率慢，比有屏蔽介质部分的氧化速率快，越接近屏蔽介质的边缘，速率越趋于没有屏蔽介质部分的氧化速率。在屏蔽层边缘形成一个没有速率变化的过渡区域，该过渡区域通过优化氧化方式和屏蔽层种类和结构，可以形成圆滑曲面，在该圆滑曲面上生长含AlN等压电薄膜的多层结构，可以确保压电薄膜的晶体质量。
本发明实施例还公开一种半导体器件，包括上述任一种谐振器，具有上述谐振器所具有的有益效果。例如，该半导体器件可以为滤波器。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种声学谐振器，其特征在于，包括：
衬底；
多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及
桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，
其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。
2.如权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于：还包括与所述上电极层的多个边中的一个边电连接的连接部，其中，所述桥部设置在所述连接部与所述上电极层的所述一个边之间。
3.如权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于：在与所述声学谐振器的所述多层结构的末端相邻的位置处，所述压电层包括具有缺陷的过渡部。
4.如权利要求3所述的声学谐振器，其特征在于：所述上电极层不与所述过渡部相接触。
5.如权利要求3所述的声学谐振器，其特征在于：所述桥部包括间隙。
6.如权利要求5所述的声学谐振器，其特征在于：所述间隙包括所述上电极层与所述压电层之间的区域。
7.如权利要求5所述的声学谐振器，其特征在于：所述过渡部设置在所述间隙的区域下方。
8.如权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于：所述下半腔体由底壁和第一侧壁围成，所述底壁整体与所述衬底表面平行，所述第一侧壁为由所述底壁边缘延伸至所述衬底上表面的第一圆滑曲面。
9.如权利要求8所述的声学谐振器，其特征在于：所述第一圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面。
10.如权利要求9所述的声学谐振器，其特征在于：所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述底壁所在的平面之上；
所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之下。
11.如权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于：所述上半腔体由所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构与所述上半腔体对应的部分包括顶壁和第二侧壁围成，所述第二侧壁为由所述顶壁边缘延伸至所述衬底上表面的第二圆滑曲面。
12.如权利要求11所述的声学谐振器，其特征在于：所述第二圆滑曲面包括圆滑过渡连接的第三曲面和第四曲面。
13.如权利要求12所述的声学谐振器，其特征在于：所述第三曲面的竖截面呈抛物线状，且位于所述顶壁所在的平面之下；
所述第四曲面的竖截面呈倒抛物线状，且位于所述衬底上表面所在的平面之上。
14.如权利要求11至13任一项所述的声学谐振器，其特征在于：所述顶壁无突变部分。
15.一种半导体器件，其特征在于：包括权利要求1至14任一项所述的谐振器。
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