CN110855243A - 一种电流源电路以及环形压控振荡器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种电流源电路，包括：能够对目标外电路提供能量来源的目标电流进行镜像的电流镜、用于在电流镜所在输出支路的目标节点产生目标电压的电压产生单元、用于对目标电压与输入至目标外电路的目标输入电压的差值进行放大，得到目标放大信号的差值放大单元，并且，差值放大单元能够将目标放大信号反馈至电流镜，并通过目标放大信号将目标电压调整至与目标输入电压相一致。显然，这样就相当于是利用差值放大单元对电流镜所产生的电流进行了实时调整，并使得电流镜的最终输出电压与目标输入电压相一致，由此就避免了电流源电路中各个电子元器件的功能属性对电流源电路输出电流的干扰与影响，并保证了电流源电路能够输出稳定、可靠的电流。

Description

一种电流源电路以及环形压控振荡器

技术领域

本发明涉及无线通信技术领域，特别涉及一种电流源电路以及环形压控振荡器。

背景技术

电流源电路是一种能够向外电路提供可靠能量来源的电路，在电力电子技术领域有着极为广泛的应用。但是，在现有技术当中，由于电流源电路在对外电路进行供电的过程中，会受到电流源电路中个电子元器件功能属性的影响，从而使得电流源电路不能向外电路提供稳定的电能来源，由此就极大的影响了外电路在运行过程中的稳定性。目前，针对这一技术问题，还没有较为有效的解决办法。

由此可见，如何使得电流源电路能够输出稳定的电流，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种电流源电路以及环形压控振荡器，以使得电流源电路能够输出稳定的电流。其具体方案如下：

一种电流源电路，包括：能够对目标外电路提供能量来源的目标电流进行镜像的电流镜、用于在所述电流镜所在输出支路的目标节点产生目标电压的电压产生单元、用于对所述目标电压与输入至所述目标外电路的目标输入电压的差值进行放大，得到目标放大信号的差值放大单元，并且，所述差值放大单元能够将所述目标放大信号反馈至所述电流镜，并通过所述目标放大信号将所述目标电压调整至与所述目标输入电压相一致。

优选的，所述电流镜包括第一PMOS管和第二PMOS管；

其中，所述第一PMOS管的漏极与所述目标外电路相连，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极相连，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极相连，并连接VDD；

相应的，所述第二PMOS管的栅极与所述差值放大单元的输出端相连，所述第二PMOS管的漏极与所述电压产生单元的输入端相连。

优选的，所述差值放大单元包括第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；

其中，所述第一NMOS管的栅极与所述目标节点相连，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极相连，并接地，所述第一NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的漏极还与所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极的连接线相连，所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的源极相连，所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的源极的连接线与VDD相连，所述第四PMOS管的漏极分别与所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管的栅极用于接收所述目标输入电压。

优选的，所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的型号相同，并且，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的型号相同。

优选的，所述电压产生单元包括第一电阻和第二电阻；

其中，所述第一电阻的第一端与所述第二PMOS管的漏极相连，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端接地。

优选的，所述第一电阻具体为正温度系数热敏电阻，并且，所述第二电阻具体为负温度系数热敏电阻。

优选的，还包括：低通滤波模块；

其中，所述低通滤波模块的第一端与所述第一PMOS管的栅极相连，所述低通滤波模块的第二端与所述第二PMOS管的栅极相连。

优选的，所述低通滤波模块包括第三电阻和第一电容；

其中，所述第三电阻的第一端与所述第二PMOS管的栅极相连，所述第三电阻的第二端分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第一电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述第一PMOS管的源极相连。

相应的，本发明还提供了一种环形压控振荡器，包括环形振荡器以及如前述所公开的一种电流源电路。

可见，在本发明中，首先是利用电流镜对目标外电路提供能量来源的目标电流进行镜像，并通过电压产生单元在电流镜所在输出支路的目标节点产生目标电压，然后，利用差值放大单元对目标电压和输入至目标外电路的目标输入电压的差值进行放大，得到目标放大信号，并利用差值放大单元将目标放大信号反馈至电流镜，以通过目标放大信号将目标电压调整至与目标输入电压相一致。显然，通过这样的设置方式，就相当于是利用差值放大单元对电流镜所产生的电流进行了实时调整，并使得电流镜的最终输出电压与目标输入电压相一致，由此就避免了电流源电路中各个电子元器件的功能属性对电流源电路输出电流的干扰与影响，这样就保证了电流源电路能够输出稳定、可靠的电流。相应的，本发明所提供的一种环形压控振荡器同样具有上述有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的一种电流源电路的结构图；

图2为本发明实施例所提供的另一种电流源电路的结构图；

图3为现有技术中环形压控振荡器的结构图；

图4为本发明实施例所提供的一种环形压控振荡器的结构图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参见图1，图1为本发明实施例所提供的一种电流源电路的结构图，该电流源电路包括：能够对目标外电路提供能量来源的目标电流进行镜像的电流镜、用于在电流镜所在输出支路的目标节点产生目标电压的电压产生单元、用于对目标电压与输入至目标外电路的目标输入电压的差值进行放大，得到目标放大信号的差值放大单元，并且，差值放大单元能够将目标放大信号反馈至电流镜，并通过目标放大信号将目标电压调整至与目标输入电压相一致。

在本实施例中，是提供了一种能够提供稳定电流输出的电流源电路，在该电流源电路中，首先是利用电流镜对目标外电路提供能量来源的目标电流进行镜像，也即，利用电流镜将向目标外电路提供能量来源的目标电流镜像至电流镜当中，之后，电流产生单元会在电流镜所在输出支路的目标节点产生目标电压，此时，差值放大单元会对电压产生单元所产生的目标电压与输入至目标外电路的目标输入电压的差值进行放大，得到目标放大信号，而且，差值放大信号还会将目标放大信号反馈至电流镜当中，并通过目标放大信号将电压产生单元所产生的目标电压调整至与目标输入电压相一致。

能够想到的是，通过这样的设置方式，就相当于是利用差值放大单元对电流镜的输出电流进行了实时调整，并使得电流镜所输出的目标电压与目标输入电压相一致，由此就保证了电流源电路输出电流的稳定性与可靠性。

需要说明的是，在本实施例中，电流镜可以是由两个MOS管所组成的简单电流镜，也可以是由多个MOS管所组成的改进型电流镜，只要是能够对目标外电路提供能量来源的目标电流进行复制、镜像即可，此处不作具体限定。

可见，在本实施例中，首先是利用电流镜对目标外电路提供能量来源的目标电流进行镜像，并通过电压产生单元在电流镜所在输出支路的目标节点产生目标电压，然后，利用差值放大单元对目标电压和输入至目标外电路的目标输入电压的差值进行放大，得到目标放大信号，并利用差值放大单元将目标放大信号反馈至电流镜，以通过目标放大信号将目标电压调整至与目标输入电压相一致。显然，通过这样的设置方式，就相当于是利用差值放大单元对电流镜所产生的电流进行了实时调整，并使得电流镜的最终输出电压与目标输入电压相一致，由此就避免了电流源电路中各个电子元器件的功能属性对电流源电路输出电流的干扰与影响，这样就保证了电流源电路能够输出稳定、可靠的电流。

基于上述实施例，本实施例对技术方案作进一步的说明与优化，请参见图2，图2为本发明实施例所提供的另一种电流源电路的结构图。具体的，电流镜包括第一PMOS管M1和第二PMOS管M2；

其中，第一PMOS管M1的漏极与目标外电路相连，第一PMOS管M1的栅极与第二PMOS管M2的栅极相连，第一PMOS管M1的源极与第二PMOS管M2的源极相连，并连接VDD；

相应的，第二PMOS管M2的栅极与差值放大单元的输出端相连，第二PMOS管M2的漏极与电压产生单元的输入端相连。

在本实施例中，是提供了一种电流镜的具体连接方式，也即，该电流镜是由第一PMOS管和第二PMOS管所组成，通过该电流镜能够对目标外电路提供能量来源的目标电流进行复制，并将第一PMOS管的漏极电流复制至第二PMOS管的漏极。

显然，通过本实施例所提供的技术方案，可以相对简化电流镜的结构复杂度。

基于上述实施例，本实施例对技术方案作进一步的说明与优化，请参见图2，图2为本发明实施例所提供的另一种电流源电路的结构图。具体的，差值放大单元包括第三PMOS管M13、第四PMOS管M14、第一NMOS管M11和第二NMOS管M12；

其中，第一NMOS管M11的栅极与目标节点相连，第一NMOS管M11的源极与第二NMOS管M12的源极相连，并接地，第一NMOS管M11的漏极与第三PMOS管M13的漏极相连，第一NMOS管M11的漏极还与第三PMOS管M13的栅极和第四PMOS管M14的栅极的连接线相连，第三PMOS管M13的源极与第四PMOS管M14的源极相连，第三PMOS管M13的源极与第四PMOS管M14的源极的连接线与VDD相连，第四PMOS管M14的漏极分别与第二PMOS管M2的栅极和第二NMOS管M12的漏极相连，第二NMOS管M12的栅极用于接收目标输入电压。

在本实施例中，当目标节点处的目标电压Vx小于输入至目标外电路的目标输入电压Vin时，流经第二NMOS管M12的电流会大于流经第一NMOS管M11的电流，第一NMOS管M11的电流通过第三PMOS管M13和第四PMOS管M14所构成的电流镜，会使得第四PMOS管M14的电流小于第二NMOS管M12的电流，但是，因为第四PMOS管M14和第二NMOS管M12为串联关系，所以，流经第二NMOS管M12的电流必须与流经第四PMOS管M14的电流相一致，此时，第四PMOS管M14的漏极电压会降低，由此会使得第二NMOS管M12和第四PMOS管M14的电流值趋于相同。同时，因为第四PMOS管M14的漏极连接第二PMOS管M2的栅极，此时，第二PMOS管M2的栅极电压会降低，第二PMOS管M2的漏极电流I2会增大，由此导致目标节点处的目标电压Vx会增大，并最终使得目标电压Vx与目标输入电压Vin趋于相同。

当目标节点处的目标电压Vx大于输入至目标外电路的目标输入电压Vin时，第四PMOS管M14的漏极电压升高，第二PMOS管M2的漏极电流I2会降低，并由此导致目标节点处的目标电压Vx降低。由此可见，不管是目标节点处的目标电压Vx是大于目标输入电压Vin，还是目标节点处的目标电压Vx小于目标输入电压Vin，通过本实施例所提供的差值放大单元以及由第一PMOS管M1和第二PMOS管M2所构成的电流镜会最终使得目标节点处的目标电压Vx等于目标输入电压Vin，并使得第一PMOS管M1的漏极电流等于第二PMOS管M2的漏极电流。

可见，通过本实施例所提供的技术方案，进一步保证了电流源电路在工作过程中的整体可靠性。

作为一种优选的实施方式，第三PMOS管M13和第四PMOS管M14的型号相同，并且，第一NMOS管M11和第二NMOS管M12的型号相同。

具体的，可以将第三PMOS管M13和第四PMOS管M14设置为型号相同的PMOS管，并且，可以将第一NMOS管M11和第二NMOS管M12设置为型号相同的NMOS管。因为通过这样的设置方式，不仅可以方便工作人员对环形压控振荡器的搭建过程，而且，也可以进一步提高环形压控振荡器在工作过程中的整体稳定性。

基于上述实施例，本实施例对技术方案作进一步的说明与优化，请参见图2，图2为本发明实施例所提供的另一种电流源电路的结构图。具体的，电压产生单元包括第一电阻R1和第二电阻R2；

其中，第一电阻R1的第一端与第二PMOS管M2的漏极相连，第一电阻R1的第二端与第二电阻R2的第一端相连，第二电阻R2的第二端接地。

在本实施例中，是将电压产生单元设置为第一电阻R1和第二电阻R2，因为电阻的造价成本相对低廉，所以，当将电压产生单元设置为这样的结构形式时，不仅可以降低电压产生单元的造价成本，而且，也可以相对降低电压产生单元的结构复杂度。

作为一种优选的实施方式，第一电阻R1具体为正温度系数热敏电阻，并且，第二电阻R2具体为负温度系数热敏电阻。

可以理解的是，因为当目标节点处的目标电压Vx等于目标输入电压Vin时，第二PMOS管M2的漏极电流I2的数学表达式为：

通过上述第二PMOS管M2的漏极电流I2的数学表达式可知，I2还和第一电阻R1和第二电阻R2的阻值之和存在一定的关系，所以，在本实施例中，还可以将第一电阻R1设置为正温度系数热敏电阻，并将第二电阻R2设置为负温度系数热敏电阻。这样就可以使得第一电阻R1和第二电阻R2的温度系数相互抵消，由此就可以使得第一电阻R1和第二电阻R2的阻值之和能够不随着温度的变化而变化。显然，通过这样的设置方式，能够使得电流源电路所输出的电流更加稳定与可靠。

基于上述实施例，本实施例对技术方案作进一步的说明与优化，具体的，上述电流源电路还包括：低通滤波模块；

其中，低通滤波模块的第一端与第一PMOS管M1的栅极相连，低通滤波模块的第二端与第二PMOS管M2的栅极相连。

在本实施例中，还可以在第一PMOS管M1的栅极和第二PMOS管M2的栅极连接之间添加低通滤波模块，以利用低通滤波模块将电流I1和I2中的热噪声成分进行去除，这样就可以使得电流源电路所输出的电流更加稳定与可靠。

请参见图2，图2为本发明实施例所提供的另一种电流源电路的结构图，具体的，低通滤波模块包括第三电阻R3和第一电容C1；

其中，第三电阻R3的第一端与第二PMOS管M2的栅极相连，第三电阻R3的第二端分别与第一PMOS管M1的栅极和第一电容C1的第一端相连，第二电容的第二端与第一PMOS管M1的源极相连。

具体的，可以将低通滤波模块设置为第三电阻R3和第一电容C1，因为通过第三电阻R3和第一电容C1不仅能够起到对电流I1和I2进行滤波的作用，而且，第三电阻R3和第一电容C1的结构形式简单，所以，当将低通滤波模块设置为第三电阻R3和第一电容C1时，就可以相对降低环形压控振荡器的结构复杂度。

相应的，本发明实施例还公开了一种环形压控振荡器，包括环形振荡器以及如前述所公开的一种电流源电路。

基于上述实施例所公开的内容，在本实施例中，是提供一种电流源电路的具体应用场景实施例。可以理解的是，在实际应用中，环形压控振荡器是一种输出信号频率受输入电压控制的电子元器件。由于环形压控振荡器具有占地空间小、频率输出范围高的优点，所以，环形压控振荡器在实际生活中得到了极为广泛的应用。

请参见图3，图3为现有技术中环形压控振荡器的结构图。其中，该环形压控振荡器由PMOS管M1、Mp1、Mp2和Mp3以及NMOS管Mn1、Mn2和Mn3所组成，PMOS管M1的栅极用于接收输入电压，PMOS管的源极连接VDD，并通过PMOS管M1的漏极为该环形压控振荡器输入注入电流，其中，注入电流的数学表达式为：

式中，β为与PMOS管的属性相关的常数，VDD为电源电压，Vin为该环形压控振荡器的输入电压，Vth1为PMOS管M1的阈值电压。

由于环形压控振荡器的震荡原理来自于环形压控振荡器中各个MOS管的周期性充放电，假设它们的充放电周期为T，则充放电周期T的数学表达式为：

式中，VDD为电源电压，C为环形压控振荡器中各个MOS管的寄生电容，它与环形压控振荡器中各个MOS管的属性相关，I₃为PMOS管M1的注入电流，假设环形压控振荡器的输出信号频率为Fout，那么，该输出信号频率Fout的数学表达式为：

式中，β为与PMOS管的属性相关的常数，VDD为电源电压，Vin为该环形压控振荡器的输入电压，Vth1为PMOS管M1的阈值电压，K为常数，由环形压控振荡器的设计工艺所决定，C为环形压控振荡器中各个MOS管的寄生电容。

通过上述环形压控振荡器输出信号频率Fout的数学表达式可知，环形压控振荡器的输出信号频率Fout与输入电压Vin呈非线性关系，而环形压控振荡器的输出信号频率Fout与输入电压Vin之间的非线性关系会使得环形压控振荡器的输出信号产生交调与杂散。也即，由于输入环形压控振荡器的注入电流不稳定，从而导致环形压控振荡器的输出信号会产生交调与杂散。

而在本实施例中，是将电流源电路中的目标外电路设置为环形振荡器，并由环形振荡器和电流源电流组成一种新型的环形压控振荡器。也即，是将本发明实施例所提供的电流源电路应用于上述环形压控振荡器中，组成一种新型的环形压控振荡器，具体请参见图4，图4为本发明实施例所提供的一种环形压控振荡器的结构图。

在图4当中，环形振荡器是由PMOS管Mp1、Mp2和Mp3以及NMOS管Mn1、Mn2和Mn3所组成的电路连接部分，其中，电流I3为环形振荡器所输入的注入电流；第二PMOS管M2与第一PMOS管M1形成电流镜，也即，第二PMOS管M2可以将第二PMOS管M2的栅极电流镜像复制至第一PMOS管M1的栅极处，忽略沟道长度调制效应，电流I4流经第二PMOS管M2后，会流经由第一电阻R1和第二电阻R2所组成的电压产生单元，由欧姆定律可知，电流I4会满足下列关系式，也即：

式中，Vx为第二PMOS管M2的漏极所在支路的目标节点处的目标电压，R为电压产生单元所具有的电阻值。

当目标节点处的目标电压Vx不等于输入至压控振荡器的目标输入电压Vin时，差值放大单元会将它们之间的差值进行放大，得到目标放大信号，并且，差值放大单元会将目标放大信号反馈至第二PMOS管M2的栅极，由于第二PMOS管M2的漏极电压会随着第二PMOS管M2的栅极电压变化而变化，所以，差值放大单元最终会通过目标放大信号将目标电压Vx调整至与目标输入电压Vin相一致。

当目标电压Vx与目标输入电压Vin一致时，会存在如下数学表达式：

那么，该环形压控振荡器的输出信号频率Fout的数学表达式为：

显然，通过该环形压控振荡器的输出信号频率Fout的数学表达式可知，通过本实施例所提供的环形压控振荡器，就能够将环形压控振荡器的输出信号频率Fout的表达式由现有技术当中的非线性形式变换为线性形式，由此就可以避免环形压控振荡器输出信号中所出现的交调与杂散。

可见，在本实施例中，因为流过第二PMOS管的漏极电流等于第二PMOS管的漏极所在支路上目标节点处的目标电压与电压产生单元所具阻值的比值，所以，当目标节点处的电流输入至差值放大单元时，差值放大单元会将第二PMOS管的漏极所在支路上目标节点处的目标电压与目标输入电压之间的差值进行放大，得到目标放大信号，并将目标放大信号反馈至第二PMOS管的栅极；由于第二PMOS管的漏极电压会随着第二PMOS管的栅极电压变化而变化，所以，差值放大单元会根据目标放大信号将目标节点处的目标电压调整至与目标输入电压相一致；并且，在此过程中，由于电流镜会将第二PMOS管的栅极电压镜像复制至第一PMOS管的栅极，所以，此时第一PMOS管的栅极电流会等于第二PMOS管的栅极电流，那么，流过第一PMOS管的漏极电流就会等于目标输入电压与电压产生单元所具阻值的比值。在此情况下，环形振荡器注入电流的表达式就会由非线性形式变换为线性形式，显然，当环形振荡器注入电流的表达式由非线性形式变换为线性形式时，就能够将环形压控振荡器的输出信号频率的表达式由非线性形式变换为线性形式，由此就可以避免环形压控振荡器输出信号中所出现的交调与杂散。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种电流源电路以及环形压控振荡器进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (9)

1.一种电流源电路，其特征在于，包括：能够对目标外电路提供能量来源的目标电流进行镜像的电流镜、用于在所述电流镜所在输出支路的目标节点产生目标电压的电压产生单元、用于对所述目标电压与输入至所述目标外电路的目标输入电压的差值进行放大，得到目标放大信号的差值放大单元，并且，所述差值放大单元能够将所述目标放大信号反馈至所述电流镜，并通过所述目标放大信号将所述目标电压调整至与所述目标输入电压相一致。

2.根据权利要求1所述的电流源电路，其特征在于，所述电流镜包括第一PMOS管和第二PMOS管；

其中，所述第一PMOS管的漏极与所述目标外电路相连，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极相连，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极相连，并连接VDD；

相应的，所述第二PMOS管的栅极与所述差值放大单元的输出端相连，所述第二PMOS管的漏极与所述电压产生单元的输入端相连。

3.根据权利要求2所述的电流源电路，其特征在于，所述差值放大单元包括第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；

其中，所述第一NMOS管的栅极与所述目标节点相连，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极相连，并接地，所述第一NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的漏极还与所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极的连接线相连，所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的源极相连，所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的源极的连接线与VDD相连，所述第四PMOS管的漏极分别与所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管的栅极用于接收所述目标输入电压。

4.根据权利要求3所述的电流源电路，其特征在于，所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的型号相同，并且，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的型号相同。

5.根据权利要求2所述的电流源电路，其特征在于，所述电压产生单元包括第一电阻和第二电阻；

其中，所述第一电阻的第一端与所述第二PMOS管的漏极相连，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端接地。

6.根据权利要求5所述的电流源电路，其特征在于，所述第一电阻具体为正温度系数热敏电阻，并且，所述第二电阻具体为负温度系数热敏电阻。

7.根据权利要求2所述的电流源电路，其特征在于，还包括：低通滤波模块；

其中，所述低通滤波模块的第一端与所述第一PMOS管的栅极相连，所述低通滤波模块的第二端与所述第二PMOS管的栅极相连。

8.根据权利要求7所述的电流源电路，其特征在于，所述低通滤波模块包括第三电阻和第一电容；

其中，所述第三电阻的第一端与所述第二PMOS管的栅极相连，所述第三电阻的第二端分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第一电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述第一PMOS管的源极相连。

9.一种环形压控振荡器，其特征在于，包括环形振荡器以及如权利要求1至8任一项所述的电流源电路。

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