CN110809077B - 信号处理方法系统、终端以及发光终端背壳 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种信号处理方法、系统、终端以及发光终端背壳，终端边框上设置有双触点POGO PIN连接器的母端；发光终端背壳侧边设置有双触点POGO PIN连接器的公端；双触点POGO PIN连接器的一个触点接地，另一个触点复用为发光终端背壳供电以及为发光终端背壳传输控制命令，终端上设置有处理器CPU、第一微控制单元MCU以及MOSFET驱动电路，发光终端背壳上设置有第二MCU以及限流降压电路，以实现终端与发光终端背壳之间的信号处理。上述方案，既降低了发光终端背壳的空间占用率，也能保障发光终端背壳的功能实现。

Description

信号处理方法系统、终端以及发光终端背壳

技术领域

本发明涉及信号处理技术领域，更具体的说，是涉及一种信号处理方法、系统、终端以及发光终端背壳。

背景技术

传统的终端(如，手机、平板电脑等)背壳通常只是一透明或不透明的普通外壳，主要功能是保护手机防止摔坏或刮伤，在美观方面则比较欠缺。为此，有人发明了发光终端背壳，发光终端背壳可以实现不同的发光效果，受到人们的欢迎。

发光终端背壳要实现不同的发光效果，需要为其提供电源及不同的控制数据，一些主流的发光终端背壳，多通过自带的可充电电池或外接终端电源的方式获取电源，并且可以基于NFC(Near Field Communication，近场通信)或终端的外设接口(如充电接口等)获取不同的控制数据，其中控制数据可以是终端运行的游戏应用中产生的控制数据。当通过自带的可充电电池获取电源时，需要在发光终端背壳上设置电池和充放电部件(如，充放电电路、充放电接口等)，当需要外接终端电源获取电源时，需要在发光终端背壳上设置与终端电源的连接部件，当基于NFC获取不同的控制数据时，需要在发光终端背壳上设置NFC模块，当基于终端的外设接口(如充电接口等)获取不同的控制数据，需要在发光终端背壳上设置与终端处理器的连接部件。

但是，在发光终端背壳上设置相应部件(如，电池、充放电部件，连接部件、NFC模块等)都会导致发光终端背壳的厚度增加，而且，通过连接部件与终端连接，还会占用终端的外设接口，导致外设接口的基本功能无法实现。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种信号处理方法、系统、终端以及发光终端背壳。

为实现上述目的，一方面，本申请提供了一种信号处理方法，应用于信号处理系统，所述系统包括终端与发光终端背壳，所述终端边框上设置有POGO PIN连接器的母端，所述母端包括第一母端触点和第二母端触点；所述发光终端背壳侧边设置有所述POGO PIN连接器的公端，所述公端包括第一公端触点和第二公端触点；所述终端上设置有处理器CPU、第一微控制单元MCU以及金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET驱动电路，所述第一MCU与所述MOSFET驱动电路以及所述母端依次相连；所述发光终端背壳上设置有第二MCU以及限流降压电路，所述公端、所述限流降压电路以及所述第二MCU依次相连；在将所述终端置于所述发光终端背壳内部时，所述第一母端触点与所述第一公端触点相连，且，所述第二母端触点与所述第二公端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述方法包括：

所述第一MCU对所述CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并将所述调制信号发送至所述MOSFET驱动电路；

所述MOSFET驱动电路对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点；

所述第一母端触点将所述第一信号发送至所述第一公端触点；

所述第一公端触点接收所述第一信号，并将所述第一信号发送至所述限流降压电路；

所述限流降压电路对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述第二MCU；

所述第二MCU对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

又一方面，本申请还提供了一种信号处理系统，所述系统包括终端与发光终端背壳，所述终端边框上设置有POGO PIN连接器的母端，所述母端包括第一母端触点和第二母端触点；所述发光终端背壳侧边设置有所述POGOPIN连接器的公端，所述公端包括第一公端触点和第二公端触点；所述终端上设置有处理器CPU、第一微控制单元MCU以及金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET驱动电路，所述第一MCU与所述MOSFET驱动电路以及所述母端依次相连；所述发光终端背壳上设置有第二MCU以及限流降压电路，所述公端、所述限流降压电路以及所述第二MCU依次相连；在将所述终端置于所述发光终端背壳内部时，所述第一母端触点与所述第一公端触点相连，且，所述第二母端触点与所述第二公端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述第一MCU用于对所述CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并将所述调制信号发送至所述MOSFET驱动电路；

所述MOSFET驱动电路用于对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点；

所述第一母端触点用于将所述第一信号发送至所述第一公端触点；

所述第一公端触点用于接收所述第一信号，并将所述第一信号发送至所述限流降压电路；

所述限流降压电路用于对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述第二MCU；

所述第二MCU用于对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

又一方面，本申请还提供了一种终端，所述终端边框上设置有POGO PIN连接器的母端，所述母端包括第一母端触点和第二母端触点；所述终端上设置有处理器CPU、第一微控制单元MCU以及金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET驱动电路，所述第一MCU与所述MOSFET驱动电路以及所述母端依次相连；在将所述终端置于发光终端背壳内部时，所述第一母端触点与所述发光终端背壳的第一公端触点相连，且，所述第二母端触点与所述发光终端背壳的第二公端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述第一MCU用于对所述CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并将所述调制信号发送至所述MOSFET驱动电路；

所述MOSFET驱动电路用于对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点；

所述第一母端触点用于将所述第一信号发送至所述第一公端触点，以使所述第一公端触点将所述第一信号发送至所述发光终端背壳的限流降压电路；由所述限流降压电路对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述发光终端背壳的第二MCU；由所述第二MCU对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

又一方面，本申请还提供了一种发光终端背壳，所述发光终端背壳侧边设置有所述POGO PIN连接器的公端，所述公端包括第一公端触点和第二公端触点；所述发光终端背壳上设置有第二MCU以及限流降压电路，所述公端、所述限流降压电路以及所述第二MCU依次相连；在将终端置于所述发光终端背壳内部时，所述第一公端触点与所述终端的第一母端触点相连，且，所述第二公端触点与所述终端的第二母端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述第一公端触点用于接收所述第一母端触点发送的第一信号，并将所述第一信号发送至所述限流降压电路；所述第一信号是所述终端中的第一MCU对所述终端中的CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并由所述终端中的MOSFET驱动电路对所述调制信号进行驱动生成的；

所述限流降压电路用于对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述第二MCU；

所述第二MCU用于对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明提供了一种信号处理方法、系统、终端以及发光终端背壳，终端边框上设置有双触点POGO PIN连接器的母端；发光终端背壳侧边设置有双触点POGO PIN连接器的公端；双触点POGO PIN连接器的一个触点接地，另一个触点复用为发光终端背壳供电以及为发光终端背壳传输控制命令，终端上设置有处理器CPU、第一微控制单元MCU以及MOSFET驱动电路，发光终端背壳上设置有第二MCU以及限流降压电路，以实现终端与发光终端背壳之间的信号处理。上述方案，既降低了发光终端背壳的空间占用率，也能保障发光终端背壳的功能实现。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种信号处理系统的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种POGO PIN连接器的母端的示意图；

图3为本申请实施例提供的一种POGO PIN连接器的公端的示意图；

图4为本申请实施例提供的一种信号处理系统的内部结构示意图；

图5为本申请实施例提供的一种信号处理方法的交互流程示意图；

图6为本申请实施例提供的一种占空比示意图；

图7为本申请实施例提供的一种占空比示意图；

图8为本申请实施例提供的一种控制信号的示意图；

图9为本申请实施例提供的一种调制信号的示意图；

图10为本申请实施例提供的一种MOSFET驱动电路的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的一种限流降压电路的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为方便理解，先对本申请的信号处理系统进行说明。

请参阅附图1，图1为本申请实施例提供的一种信号处理系统的结构示意图，该信号处理系统包括终端1与发光终端背壳2，所述终端边框上设置有POGO PIN连接器的母端(终端放置于发光终端背壳内部时，终端边框上对应图中标号3的所示的发光终端背壳的位置处)，所述母端包括第一母端触点和第二母端触点；所述发光终端背壳侧边设置有所述POGO PIN连接器的公端3，所述公端包括第一公端触点和第二公端触点。

图2为本申请实施例提供的一种POGO PIN连接器的母端的示意图。

图3为本申请实施例提供的一种POGO PIN连接器的公端的示意图。

如图4所示，图4为本申请实施例提供的一种信号处理系统的内部结构示意图。如图4所示，所述终端内部设置有处理器CPU11、第一微控制单元MCU12以及金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET驱动电路13，所述第一MCU与所述MOSFET驱动电路以及所述母端14依次相连；所述发光终端背壳上设置有限流降压电路22、第二MCU23以及发光灯24，所述公端21、所述限流降压电路22、所述第二MCU23以及发光灯24依次相连；在将所述终端置于所述发光终端背壳内部时，所述第一母端触点与所述第一公端触点相连，且，所述第二母端触点与所述第二公端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述第一MCU用于对所述CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并将所述调制信号发送至所述MOSFET驱动电路；

所述MOSFET驱动电路用于对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点；

所述第一母端触点用于将所述第一信号发送至所述第一公端触点；

所述第一公端触点用于接收所述第一信号，并将所述第一信号发送至所述限流降压电路；

所述限流降压电路用于对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述第二MCU；

所述第二MCU用于对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

基于以上系统，本申请还提供了一种信号处理方法，下面通过以下实施例详细说明。

请参阅附图5，图5为本申请实施例提供的一种信号处理方法的交互流程示意图，该方法包括如下步骤：

S501：第一MCU对CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并将调制信号发送至MOSFET驱动电路。

S502：MOSFET驱动电路对调制信号进行驱动，生成第一信号，并将第一信号发送至第一母端触点。

S503：第一母端触点将第一信号发送至第一公端触点。

S504：第一公端触点接收第一信号，并将第一信号发送至限流降压电路；

S505：限流降压电路对第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将第二信号发送至第二MCU。

S506：第二MCU对第一信号进行解调，生成控制命令，并根据控制命令控制发光终端背壳的灯效。

控制命令的示例如下说明：

如一次传输的数据为48bit，

命令+数据长度+数据+校验(CRC8)

8bit 8bit 24bit 8bit

则，解析出的控制灯效为红色的命令可为0x01 0x18 0x00 0x00 0xff 0x46。

作为一种可实施方式，所述第一MCU对所述CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，包括：

所述第一MCU将所述控制信号中的低电平加载预设调制信号，生成按照预设占空比输出的至少一个高低电平；

将所述至少一个高低电平与所述控制信号中的高电平组合生成调制信号。

具体地，第一MCU在软件上将控制信号和预设的调制信号(周期载波信号)进行耦合，对控制信号中的数据1，不耦合调制信号，直接拉高MOSFET驱动电路中的CPU_DATA管脚，对控制信号中的数据0，耦合调制信号，控制MOSFET驱动电路中的CPU_DATA管脚，按预设占空比输出周期性的高低电平。需要说明的是，预设占空比可以采用50％(如图6所示)、66％(如图7所示)、90％中的任意一种。占空比越大如90％相比50％来说，对发光终端背壳的供电能力越足，电压跌落越小。但一味的提高占空比，会对器件的响应速度，带宽要求更高。因此，实际应用过程中，可根据终端的性能、发光终端背壳的需求等确定合适的占空比，对此，本申请不进行任何限定。

调制信号中，对应所述控制信号的一组高低电平的信号段中第一次下降沿与最后一次下降沿之间的长度不同，代表的数据位不同，作为一种可实施方式，当所述长度中包括预设的调制信号的周期的数量为第一数值时，确定所述长度对应的信号段为起始位；当所述长度中包括预设的调制信号的周期的数量为第二数值时，确定所述长度对应的信号段为数据位0；当所述长度中包括预设的调制信号的周期的数量为第三数值时，确定所述长度对应的信号段为数据位1；当所述长度中包括预设的调制信号的周期的数量为第四数值时，确定所述长度对应的信号段为停止位；当所述长度中包括预设的调制信号的周期的数量为第五数值时，确定所述长度对应的信号段为校验位，校验位可以有多种形式，比如，奇偶校验方式对应的奇偶校验位。

基于以上，本申请实施例提出如下示例，请参阅附图8，图8为本申请实施例提供的一种控制信号的示意图；图9为本申请实施例提供的一种调制信号的示意图。该示例中，对应所述控制信号的一组高低电平的信号段中第一次下降沿与最后一次下降沿之间的长度中包括20个预设的调制信号的周期时，确定该信号段为起始位，包括10个预设的调制信号的周期时，确定该信号段为数据位0，包括15个预设的调制信号的周期时，确定该信号段为数据位1，包括30个以上的预设的调制信号的周期时，确定该信号段为停止位。

本申请中，第一母端触点以及第一公端触点可以复用，即为发光终端背壳供电，又为发光终端背壳传输控制命令，当不需要传输命令时，第一母端触点保持恒高电平给发光终端背壳提供电源，当终端有控制命令需要发送给发光终端背壳时，目前可采用发送原始数据的方式至第一母端触点，该方式比较直接，对硬件及软件要求较低，但是，控制命令会存在较长的低电平，而低电平会使第一母端触点输出0，导致发光终端背壳电源波动较大，严重情况下回影响到正常工作。为解决该问题，本方案中增加了MOSFET驱动电路，使MOSFET驱动电路对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点，第一信号不会出现长时间的低电平，因此可以减少对发光终端背壳的供电影响。

请参阅附图10，图10为本申请实施例提供的一种MOSFET驱动电路的结构示意图，所述MOSFET驱动电路包括三极管和MOSFET，则所述MOSFET驱动电路对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点，包括：所述MOSFET驱动电路接收到所述调制信号中的高电平之后，所述三极管导通拉低所述MOSFET的门极，使所述MOSFET导通输出包含4.2V的电源信号的第一信号至所述第一母端触点；所述MOSFET驱动电路接收到所述调制信号中的低电平之后，所述三极管截止拉高所述MOSFET的门极，使所述MOSFET输出不包含4.2V的电源信号的第一信号至所述第一母端触点。

请参阅附图11，图11为本申请实施例提供的一种限流降压电路的结构示意图，所述限流降压电路包括限流电阻、二极管以及RC滤波电路，则所述限流降压电路对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述第二MCU；

所述限流降压电路将所述4.2V的电源信号经过所述二极管以及所述RC滤波电路之后生成3.3V的电源信号进行供电；

所述限流降压电路将所述第一信号经过所述限流电阻后生成第二信号。

基于终端侧的调制，在本申请中，所述第二MCU对所述第一信号进行解调，生成控制命令，包括：所述第二MCU识别出所述第一信号中的起始位、数据位0、数据位1、停止位以及校验位；所述第二MCU根据所述第一信号中的起始位、数据位0、数据位1、停止位以及校验位生成控制命令。

作为一种可实施方式，所述第二MCU识别出所述第一信号中的起始位、数据位0、数据位1、停止位以及校验位，包括：

所述第二MCU确定出所述第一信号中的对应所述控制信号的一组高低电平的信号段中第一次下降沿与最后一次下降沿之间的长度；

根据所述长度识别出所述第一信号中的起始位、数据位0、数据位1、停止位以及校验位。

其中，所述根据所述长度识别出所述第一信号中的起始位、数据位0、数据位1、停止位以及校验位，包括：

获取所述预设的调制信号的周期；

当所述长度中包括所述周期的数量为第一数值时，确定所述长度对应的信号段为起始位；

当所述长度中包括所述周期的数量为第二数值时，确定所述长度对应的信号段为数据位0；

当所述长度中包括所述周期的数量为第三数值时，确定所述长度对应的信号段为数据位1；

当所述长度中包括所述周期的数量为第四数值时，确定所述长度对应的信号段为停止位；

当所述长度中包括所述周期的数量为第五数值时，确定所述长度对应的信号段为校验位。

以图8、图9所示的调制方式为例，第二MCU进行解调时，可利用中断及定时器(或捕获)对下降沿进行判断，当第一个下降沿到来时，软件做好标识，跳过后续4个下降沿，直接等到第5个下降沿到来时，计算出第一第五下降沿之间的时间，从而得到两次数据位的宽度，然后进行判断识别出起始位，数据位0，数据位1，停止位等。

基于以上，本申请还公开了一种终端，所述终端边框上设置有POGO PIN连接器的母端，所述母端包括第一母端触点和第二母端触点；所述终端上设置有处理器CPU、第一微控制单元MCU以及金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET驱动电路，所述第一MCU与所述MOSFET驱动电路以及所述母端依次相连；在将所述终端置于发光终端背壳内部时，所述第一母端触点与所述发光终端背壳的第一公端触点相连，且，所述第二母端触点与所述发光终端背壳的第二公端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述第一MCU用于对所述CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并将所述调制信号发送至所述MOSFET驱动电路；

所述MOSFET驱动电路用于对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点；

所述第一母端触点用于将所述第一信号发送至所述第一公端触点，以使所述第一公端触点将所述第一信号发送至所述发光终端背壳的限流降压电路；由所述限流降压电路对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述发光终端背壳的第二MCU；由所述第二MCU对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

另外，本申请还公开了一种发光终端背壳，所述发光终端背壳侧边设置有所述POGO PIN连接器的公端，所述公端包括第一公端触点和第二公端触点；所述发光终端背壳上设置有第二MCU以及限流降压电路，所述公端、所述限流降压电路以及所述第二MCU依次相连；在将终端置于所述发光终端背壳内部时，所述第一公端触点与所述终端的第一母端触点相连，且，所述第二公端触点与所述终端的第二母端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述第一公端触点用于接收所述第一母端触点发送的第一信号，并将所述第一信号发送至所述限流降压电路；所述第一信号是所述终端中的第一MCU对所述终端中的CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并由所述终端中的MOSFET驱动电路对所述调制信号进行驱动生成的；

所述限流降压电路用于对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述第二MCU；

所述第二MCU用于对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置类实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种信号处理方法，其特征在于，应用于信号处理系统，所述系统包括终端与发光终端背壳，所述终端边框上设置有POGO PIN连接器的母端，所述母端包括第一母端触点和第二母端触点；所述发光终端背壳侧边设置有所述POGO PIN连接器的公端，所述公端包括第一公端触点和第二公端触点；所述终端上设置有处理器CPU、第一微控制单元MCU以及金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET驱动电路，第一MCU与所述MOSFET驱动电路以及所述母端依次相连；所述发光终端背壳上设置有第二MCU以及限流降压电路，所述公端、所述限流降压电路以及所述第二MCU依次相连；在将所述终端置于所述发光终端背壳内部时，所述第一母端触点与所述第一公端触点相连，且，所述第二母端触点与所述第二公端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述方法包括：

所述第一MCU对所述CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并将所述调制信号发送至所述MOSFET驱动电路；

所述MOSFET驱动电路对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点；

所述第一母端触点将所述第一信号发送至所述第一公端触点；

所述第一公端触点接收所述第一信号，并将所述第一信号发送至所述限流降压电路；

所述限流降压电路对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述第二MCU；

所述第二MCU对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一MCU对所述CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，包括：

所述第一MCU将所述控制信号中的低电平加载预设调制信号，生成按照预设占空比输出的至少一个高低电平；

将所述至少一个高低电平与所述控制信号中的高电平组合生成调制信号。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MOSFET驱动电路包括三极管和MOSFET，则所述MOSFET驱动电路对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点，包括：

所述MOSFET驱动电路接收到所述调制信号中的高电平之后，所述三极管导通拉低所述MOSFET的门极，使所述MOSFET导通输出包含4.2V的电源信号的第一信号至所述第一母端触点；

所述MOSFET驱动电路接收到所述调制信号中的低电平之后，所述三极管截止拉高所述MOSFET的门极，使所述MOSFET输出不包含4.2V的电源信号的第一信号至所述第一母端触点。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述限流降压电路包括限流电阻、二极管以及RC滤波电路，则所述限流降压电路对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述第二MCU；

所述限流降压电路将所述4.2V的电源信号经过所述二极管以及所述RC滤波电路之后生成3.3V的电源信号进行供电；

所述限流降压电路将所述第一信号经过所述限流电阻后生成第二信号。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二MCU对所述第一信号进行解调，生成控制命令，包括：

所述第二MCU识别出所述第一信号中的起始位、数据位0、数据位1、停止位以及校验位；

所述第二MCU根据所述第一信号中的起始位、数据位0、数据位1、停止位以及校验位生成控制命令。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二MCU识别出所述第一信号中的起始位、数据位0、数据位1、停止位以及校验位，包括：

所述第二MCU确定出所述第一信号中的对应所述控制信号的一组高低电平的信号段中第一次下降沿与最后一次下降沿之间的长度；

根据所述长度识别出所述第一信号中的起始位、数据位0、数据位1、停止位以及校验位。

7.根据所述权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述长度识别出所述第一信号中的起始位、数据位0、数据位1、停止位以及校验位，包括：

获取预设调制信号的周期；

当所述长度中包括所述周期的数量为第一数值时，确定所述长度对应的信号段为起始位；

当所述长度中包括所述周期的数量为第二数值时，确定所述长度对应的信号段为数据位0；

当所述长度中包括所述周期的数量为第三数值时，确定所述长度对应的信号段为数据位1；

当所述长度中包括所述周期的数量为第四数值时，确定所述长度对应的信号段为停止位；

当所述长度中包括所述周期的数量为第五数值时，确定所述长度对应的信号段为校验位。

8.一种信号处理系统，其特征在于，所述系统包括终端与发光终端背壳，所述终端边框上设置有POGO PIN连接器的母端，所述母端包括第一母端触点和第二母端触点；所述发光终端背壳侧边设置有所述POGO PIN连接器的公端，所述公端包括第一公端触点和第二公端触点；所述终端上设置有处理器CPU、第一微控制单元MCU以及金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET驱动电路，第一MCU与所述MOSFET驱动电路以及所述母端依次相连；所述发光终端背壳上设置有第二MCU以及限流降压电路，所述公端、所述限流降压电路以及所述第二MCU依次相连；在将所述终端置于所述发光终端背壳内部时，所述第一母端触点与所述第一公端触点相连，且，所述第二母端触点与所述第二公端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述第一MCU用于对所述CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并将所述调制信号发送至所述MOSFET驱动电路；

所述MOSFET驱动电路用于对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点；

所述第一母端触点用于将所述第一信号发送至所述第一公端触点；

所述第一公端触点用于接收所述第一信号，并将所述第一信号发送至所述限流降压电路；

所述限流降压电路用于对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述第二MCU；

所述第二MCU用于对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

9.一种终端，其特征在于，所述终端边框上设置有POGO PIN连接器的母端，所述母端包括第一母端触点和第二母端触点；所述终端上设置有处理器CPU、第一微控制单元MCU以及金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET驱动电路，第一MCU与所述MOSFET驱动电路以及所述母端依次相连；在将所述终端置于发光终端背壳内部时，所述第一母端触点与所述发光终端背壳的第一公端触点相连，且，所述第二母端触点与所述发光终端背壳的第二公端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述第一MCU用于对所述CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并将所述调制信号发送至所述MOSFET驱动电路；

所述MOSFET驱动电路用于对所述调制信号进行驱动，生成第一信号，并将所述第一信号发送至所述第一母端触点；

所述第一母端触点用于将所述第一信号发送至所述第一公端触点，以使所述第一公端触点将所述第一信号发送至所述发光终端背壳的限流降压电路；由所述限流降压电路对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述发光终端背壳的第二MCU；由所述第二MCU对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

10.一种发光终端背壳，其特征在于，所述发光终端背壳侧边设置有POGO PIN连接器的公端，所述公端包括第一公端触点和第二公端触点；所述发光终端背壳上设置有第二MCU以及限流降压电路，所述公端、所述限流降压电路以及所述第二MCU依次相连；在将终端置于所述发光终端背壳内部时，所述第一公端触点与所述终端的第一母端触点相连，且，所述第二公端触点与所述终端的第二母端触点相连；所述第二母端触点以及所述第二公端触点接地；

所述第一公端触点用于接收所述第一母端触点发送的第一信号，并将所述第一信号发送至所述限流降压电路；所述第一信号是所述终端中的第一MCU对所述终端中的CPU发送的控制信号进行调制，生成调制信号，并由所述终端中的MOSFET驱动电路对所述调制信号进行驱动生成的；

所述限流降压电路用于对所述第一信号进行限流降压，生成第二信号，并将所述第二信号发送至所述第二MCU；

所述第二MCU用于对所述第一信号进行解调，生成控制命令，并根据所述控制命令控制所述发光终端背壳的灯效。

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