CN110806957A - 一种降低固态盘高温误码率的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种一种降低固态盘高温误码率的方法,步骤如下:主控制器内建温度传感器,实时测量自身的温度;主控制器在读取数据时,会根据Flash的温度与主控制器的温度差异,结合控制器对Flash的IO操作强度,分析Flash的工作状态;主控制器从预存的数据库获得当前状态下的最佳读取阈值执行读取操作,降低误码率。本发明的方法是在检测Flash温度高于阈值时,Flash温度低于低温阈值时,进行背景垃圾回收,比如说频繁读、写操作等,起到加热作用,使得Flash温度上升,降低误码率。主控制器降低读写速率,以减少自身发热,最终降低温度,降低误码率。
Description
技术领域
本发明属于固态硬盘技术领域,更具体地说,涉及一种降低固态盘高温误码率的方法。
背景技术
固态硬盘由控制单元与存储单元组成。存储单元采用的是Flash存储介质,控制单元包括主控制器、DDR内存和SAS接口。
固态硬盘中的随着NANDFlash工艺的提升,温度对Flash的寿命影响越来越来越严重。固态盘读写速度越来越高,读写时引起的发热也越来越严重。结合严苛的工作环境,在高速读写时Flash的温度会更高,直到出现不可恢复的错误。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供了一种降低固态盘高温误码率的方法,设计合理,通过动态调节Flash工作温度,进一步降低温度对误码率的影响。
为实现上述目的,本发明提供了如下技术方案:
一种降低固态盘高温误码率的方法,其特征在于:步骤如下:主控制器内建温度传感器,实时测量自身的温度;主控制器在读取数据时,会根据Flash的温度与主控制器的温度差异,结合控制器对Flash的IO操作强度,分析Flash的工作状态;主控制器从预存的数据库获得当前状态下的最佳读取阈值执行读取操作,降低误码率。
优化的,主控制器预留温度传感器接口,在硬件电路设计时靠近NANDFlash的位置安装温度传感器。
优化的,主控制器从预存的数据库获得当前状态下的最佳读取阈值执行读取操作,具体操作如下:a、如果当前的Flash温度超过高温阈值,自动降低读取压力,以使得Flash温度逐渐下降到安全区域;b、如果Flash温度低于低温阈值,则启动背景垃圾回收操作,以提高Flash温度。
由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明的方法是在检测Flash温度高于阈值时,Flash温度低于低温阈值时,进行背景垃圾回收,比如说频繁读、写操作等,起到加热作用,使得Flash温度上升,降低误码率。主控制器降低读写速率,以减少自身发热,最终降低温度,降低误码率。
具体实施方式
实施例
一种降低固态盘高温误码率的方法,步骤如下:
主控制器内建温度传感器,实时测量自身的温度。控制器预留温度传感器接口,在硬件电路设计时靠近NANDFlash的位置安装温度传感器。
主控制器在读取数据时,会根据Flash的温度与主控制器的温度差异,结合控制器对Flash的IO操作强度,分析Flash的工作状态。主控制器从预存的数据库获得当前状态下的最佳读取阈值执行读取操作,具体操作如下:a、如果当前的Flash温度超过高温阈值,自动降低读取压力,以使得Flash温度逐渐下降到安全区域;b、如果Flash温度低于低温阈值,则启动背景垃圾回收操作,以提高Flash温度。
主控制器从预存的数据库获得当前状态下的最佳读取阈值执行读取操作,降低误码率。
本发明的方法是在检测Flash温度高于阈值时,Flash温度低于低温阈值时,进行背景垃圾回收,比如说频繁读、写操作等,起到加热作用,使得Flash温度上升,降低误码率。主控制器降低读写速率,以减少自身发热,最终降低温度,降低误码率。
本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例,凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种降低固态盘高温误码率的方法,其特征在于:
步骤如下:
主控制器内建温度传感器,实时测量自身的温度;
主控制器在读取数据时,会根据Flash的温度与主控制器的温度差异,结合控制器对Flash的IO操作强度,分析Flash的工作状态;
主控制器从预存的数据库获得当前状态下的最佳读取阈值执行读取操作,降低误码率。
2.根据权利要求1所述的一种降低固态盘高温误码率的方法,其特征在于:主控制器预留温度传感器接口,在硬件电路设计时靠近NAND Flash的位置安装温度传感器。
3.根据权利要求1所述的一种降低固态盘高温误码率的方法,其特征在于:主控制器从预存的数据库获得当前状态下的最佳读取阈值执行读取操作,具体操作如下:
a、如果当前的Flash温度超过高温阈值,自动降低读取压力,以使得Flash温度逐渐下降到安全区域;
b、如果Flash温度低于低温阈值,则启动背景垃圾回收操作,以提高Flash温度。
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