CN110783478A - 使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法 - Google Patents
使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法 Download PDFInfo
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Abstract
根据本公开的一个方面，提供一种使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法，其中使用有机发光二极管的照明装置被分为第一区域和第二区域并且包括：基板；设置在基板上的阻挡层；辅助线，其设置在其上设置有阻挡层的基板上的第一区域中；第一电极，其设置在其上设置有阻挡层和辅助线的基板的整个表面上；有机层，其设置在第一电极上；以及第二电极，其设置在有机层上，其中，阻挡层包括第一无机阻挡层、设置在第二区域中的有机阻挡图案，和第二无机阻挡层。因此，可以改善照明装置的可靠性。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年7月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0086401号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种使用有机发光二极管的照明装置，并且更特别地，涉及一种具有改善的可靠性的使用有机发光二极管的照明装置。
背景技术
目前，荧光灯或白炽灯主要被用作照明装置。其中，白炽灯具有良好的显色指数(CRI)，但具有非常低的能量效率。此外，荧光灯具有良好的效率，但具有低的显色指数并且包含汞，这可能引起环境问题。
显色指数是表示颜色再现的指数。换句话说，显色指数表示由特定光源照射的物体的颜色的感觉与由参考光源照射的物体的颜色的感觉类似的程度。日光的CRI是100。
为了解决相关技术的照明装置的问题，近来，提出一种发光二极管(LED)作为照明装置。发光二极管通过无机发光材料配置。发光二极管的发光效率在红光波长范围内最高，并且其发光效率朝向蓝光波长范围和具有最高可见度的绿光波长范围降低。因此，存在如下缺点：当将红光发光二极管、绿光发光二极管和蓝光发光二极管组合以发射白光时，发光效率降低。
作为另一替选方案，已经开发了使用有机发光二极管(OLED)的照明装置。有机发光二极管通过顺序地形成在基板上的阳极、多个有机层和阴极配置。
包括在有机发光二极管中的多个有机层易受水分的影响使得当水分从外部渗透至有机层上时，在有机层中引起单元(cell)收缩。因此，有机发光二极管的可靠性劣化。
发明内容
本公开要实现的一个目的是提供一种抑制水分从外部的渗透的使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法。
本公开要实现的另一个目的是提供一种包括具有多个有机阻挡图案的阻挡层的使用有机发光二极管的照明装置及其制造方法。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上面未提及的其他目的。
为了解决上述问题，根据本公开的一个方面，使用有机发光二极管的照明装置被分为第一区域和第二区域，并且包括：基板；设置在基板上的阻挡层；辅助线，其设置在其上设置有阻挡层的基板上的第一区域中；第一电极，其设置在其上设置有阻挡层和辅助线的基板的整个表面上；设置在第一电极上的有机层；以及设置在有机层上的第二电极，其中阻挡层包括第一无机阻挡层、设置在第二区域中的有机阻挡图案，和第二无机阻挡层。因此，可以改善照明装置的可靠性。
为了解决上述问题，根据本公开的另一方面，一种使用有机发光二极管的照明装置的制造方法包括：提供被分为第一区域和第二区域的基板；在基板上沉积第一无机阻挡层；在其上沉积有第一无机阻挡层的基板上的第二区域中形成有机阻挡图案；在其上形成有有机阻挡图案的基板的整个表面上沉积第二无机阻挡层；在其上沉积有第二无机阻挡层的基板上的第一区域中形成辅助线；在其上设置有第二无机阻挡层和辅助线的基板的整个表面上形成第一电极；在其上形成有第一电极的基板的整个表面上沉积有机层；以及在其上形成有有机层的基板的整个表面上沉积第二电极。因此，可以制造具有改善的外部防潮功能的照明装置。
示例性实施例的其他详细内容包括在详细描述和附图中。
根据本公开的一些实施例，多个有机阻挡图案设置在特定区域中以抑制来自外部的水分渗透，从而改善了照明装置的可靠性。
根据本公开的一些实施例，有机阻挡图案形成为具有岛形状，使得所有水分渗透路径被阻挡以抑制有机发光二极管的单元收缩。
根据本公开的效果不限于上面例示的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1是示出了根据本公开的一个示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的截面图；
图2A至图2C是示出了根据本公开的一个示例性实施例的有机层的叠层结构的截面图；
图3A是根据本公开的一个示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的前视图，以及图3B是根据本公开的一个示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的照明单元的放大图；
图4是沿图3A的线I-I'截取的截面图；
图5A至图5J是顺序地示出了根据本公开的图4中所示的一个示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法的平面图；
图6是根据本公开的另一示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的截面图；以及
图7A至图7J是顺序地示出了根据本公开的图6中所示的另一示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法的平面图。
具体实施方式
通过参考下面与附图一起详细地描述的示例性实施例，本公开的优点和特点以及实现优点和特点的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文所公开的示例性实施例，而是将以各种不同形式来实现。示例性实施例仅作为示例提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围来限定。
用于描述本公开的示例性实施例的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例，并且本公开不限于此。遍及说明书，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明以避免不必要地模糊本公开的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由......组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“在......上”、“在......上方”、“在......下方”和“紧靠”的术语来描述两个部分之间的位置关系时，除非这些术语与术语“立即地”或“直接地”一起使用，否则一个或更多个部分可以位于该两个部分之间。
当将元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接介于其他元件上或其间。
尽管术语“第一”、“第二”等被用于描述各种不同部件，但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅被用于区分一个部件与其他部件。因此，下面要提到的第一部件可以是本公开的技术构思中的第二部件。
遍及说明书，相同的附图标记通常表示相同的元件。
为了便于描述，示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示部件的尺寸和厚度。
本公开的各种不同实施例的特征可以被部分地或全部地彼此遵循或组合，并且可以以技术上的各种不同方式来联结和操作，并且这些实施例可以彼此独立地或相关联地执行。
在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开的示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置。
图1是示出了根据本公开的示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的截面图。
在本公开中，提供了一种使用由有机材料形成的有机发光二极管的照明装置，而不是使用由无机材料形成的无机发光二极管的照明装置。
由有机发光材料形成的绿光有机发光二极管和红光有机发光二极管的发光效率相对优于无机发光二极管的发光效率。此外，与无机发光二极管相比，有机发光二极管具有相对较宽的红光、绿光和蓝光的发光峰的宽度，从而改善了显色指数(CRI)，使得照明装置的光与日光更为类似。
参照图1，根据本公开的一个示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置100包括执行表面发光的有机发光二极管单元110和封装有机发光二极管单元110的封装单元120。
具体地，有机发光二极管单元110可以从下侧顺序地包括基板111、内部光提取层112、平坦化层113、阻挡层114、第一电极115、有机层116和第二电极117。
可以在有机发光二极管单元110下方另外地设置用于增加雾度的外部光提取层118。然而，本公开不限于此，并且本公开的照明装置100可以不包括外部光提取层。此处，外部光提取层118配置成使得将诸如TiO2的散射颗粒分散在树脂中，并且可以通过粘结剂层(未示出)附接在基板111下方。
另外，如下面将参照图3B和图4描述的，有机发光二极管单元110还可以包括用于补偿第一电极115的导电性的辅助线AL和用于抑制第一电极115和第二电极117的短路的绝缘层INS。
基板111可以通过透明玻璃配置。此外，基板111可以通过具有柔性的聚合物材料例如聚酰亚胺配置。
此处，发光的有机层116以及设置在有机层116上和下方以向有机层116供给电荷的第一电极115和第二电极117可以形成有机发光二极管(OLED)。
例如，第一电极115可以是向有机层116供给空穴的阳极并且第二电极117可以是向有机层116供给电子的阴极，但不限于此并且第一电极115和第二电极117的功能可以交换。
通常，第一电极115可以通过作为具有高的功函数和良好导电性的透明金属氧化物材料的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)，或者薄金属膜配置以容易地注入空穴。此处，薄金属膜的具体示例可以指金属例如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)，或其合金。第一电极115可以通过单堆叠体配置，或者也可以通过由上述材料配置的多堆叠体配置。
此外，期望地，第二电极117通过具有低的功函数的导电材料配置以便容易地向有机层116注入电子。用于第二电极117的材料的具体示例可以通过金属例如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)，或其合金配置。第二电极117也可以通过单堆叠体配置，以及通过由上述材料配置的多堆叠体配置。
有机层116可以通过包括红光有机发光层EML的单堆叠体结构配置，或者形成为具有包括多个红光有机发光层的多堆叠体串联结构，或者包括红绿光有机发光层EML和天蓝光有机发光层EML的多堆叠体串联结构。
此外，有机层116可以包括分别向有机发光层EML注入电子和空穴的电子注入层EIL和空穴注入层HIL，以及分别向发光层传输注入的电子和空穴的电子传输层ETL和空穴传输层HTL，以及产生电荷例如电子和空穴的电荷产生层CGL。下面将参照图2A至图2C来描述其具体结构。
当将电流施加至第一电极115和第二电极117时，电子被从第二电极117注入至有机层116，并且空穴被从第一电极115注入至有机层116。此后，在有机层116中产生激子。当激子衰变时，产生对应于发光层的最低未占分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)的能量差的光。
此处，根据第一电极115和第二电极117的透射率和反射率，确定在有机层116中产生的光是向前侧发射还是向后侧发射。
在本公开的一个示例性实施例中，如上所述，第一电极115是透明电极并且第二电极117被用作反射电极。因此，从有机层116发射的光被第二电极117反射以透过第一电极115，使得光被产生至有机发光二极管单元110的下部。也就是说，根据本公开的示例性实施例的有机发光二极管单元110可以执行底部发光。然而，本公开不限于此，并且第一电极115被用作反射电极并且第二电极117被用作透明电极，使得有机发光二极管单元110可以执行顶部发光。
此外，阻挡层114设置在第一电极115下方以阻挡水分、空气或细颗粒从基板111和内部光提取层112渗透。
为了抑制水分和空气的渗透，阻挡层114可以包括多个无机阻挡层，以及为了阻挡细颗粒，阻挡层114可以包括多个有机阻挡图案。
具体地，如下面将参照图4描述的，根据本公开的有机阻挡图案114b可以设置成具有仅在第二区域A2中的岛形状，第二区域A2是除了其中设置有辅助线AL的第一区域A1之外的辅助线AL之间的区域。此外，顺序地层合第一无机阻挡层114a、有机阻挡图案114b和第二无机阻挡层114c。
此处，第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c可以形成为围绕有机阻挡图案114b。下面将参照图4来描述其细节。
内部光提取层112设置在基板111与阻挡层114之间以增加从执行底部发光的有机发光二极管产生的光的外部提取效率。
内部光提取层112将钛氧化物TiO2颗粒插入树脂以增加内部光散射并增加表面粗糙度，从而提高光学提取效率。具体地，内部光提取层112可以通过喷墨涂布方法形成为具有450nm的厚度，并且钛氧化物TiO2颗粒的直径可以为200nm至300nm。然而，具体值可以根据照明装置100的设计的需要变化为各种不同值。
平坦化层113设置在内部光提取层112上以补偿内部光提取层112的表面粗糙度，从而改善有机发光二极管单元110的可靠性。
平坦化层113通过将氧化锆颗粒插入树脂来配置并且补偿内部光提取层112的表面粗糙度。具体地，平坦化层113可以通过喷墨涂布方法形成为具有150nm的厚度，并且氧化锆颗粒的直径可以是50nm。然而，具体值可以根据照明装置100的设计的需要变化为各种不同值。
封装单元120覆盖有机发光二极管单元110以通过阻挡来自外部的影响来保护有机发光二极管单元110。封装单元120包括与第二电极117接触的粘结剂层121、与粘结剂层121接触的金属膜122以及附接至金属膜122上的保护膜123。
粘结剂层121可以通过压敏粘结剂(PSA)配置，该压敏粘结剂(PSA)接合金属膜122和有机发光二极管单元110。粘结剂层121的厚度可以是30μm，但不限于此并且可以根据照明装置100的设计的需要变化为各种不同值。
将金属膜122设置在粘结剂层121上以保持照明装置100的刚性。为此，金属膜122可以由厚度为20μm的铜(Cu)形成，但是不限于此，并且可以根据照明装置100的设计的需要以各种不同形式变化。
保护膜123设置在金属膜122上以吸收照明装置100的外部冲击并保护照明装置100。为此，保护膜123可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜形成，该聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜是厚度为100μm的聚合物膜，但不限于此并且可以根据照明装置100的设计的需要以各种不同形式变化。
图2A至图2C是示出了根据本公开的一个示例性实施例的有机层的叠层结构的截面图。
具体地，图2A示出了具有单堆叠体的有机层116，图2B示出了具有包括双叠层的串联结构的有机层116，以及图2C示出了具有包括三叠层的串联结构的有机层116。
参照图2A，有机层116通过顺序层合的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、有机发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)配置。
空穴注入层HIL是将空穴从第一电极115顺畅地注入至有机发光层EML的有机层。空穴注入层HIL可以由包括HAT-CN(二吡嗪[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈)、CuPc(酞菁)、F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基-醌二甲烷)和NPD(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺)中的任何一种或更多种的材料形成，但不限于此。
空穴传输层HTL是将空穴从空穴注入层HIL顺畅地传递至有机发光层EML的有机层。例如，空穴传输层HTL可以由包括NPD(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺)、TPD(N,N'-双-(3-甲基苯基)-N,N'-双-(苯基)-联苯胺)、s-TAD(2,2',7,7'-四(N,N-二甲氨基)-9,9-螺芴)和MTDATA(4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)中的任何一种或更多种的材料形成，但不限于此。
电子阻挡层EBL是阻挡注入有机发光层EML的电子穿过空穴传输层HTL的有机层。电子阻挡层EBL阻挡电子的移动以改善空穴和电子在有机发光层EML中的复合，并且提高有机发光层EML的发光效率。即使电子阻挡层EBL可以由与空穴传输层HTL的材料相同的材料形成，并且空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL也可以形成为不同的层，但是不限于此并且可以组合空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL。
在有机发光层EML中，通过第一电极115供给的空穴和通过第二电极117供给的电子复合以产生激子。此处，产生激子的区域被称为发光区域(或发光区)或复合区。
有机发光层(EML)设置在空穴传输层HTL与电子传输层ETL之间，并且包括发射具有特定颜色的光的材料。在这种情况下，有机发光层EML可以包括发射红光的材料。
有机发光层EML可以具有主体-掺杂剂体系，也就是说，其中具有大重量比的主体材料掺杂有具有小重量比的发光掺杂剂材料的体系。
在这种情况下，有机发光层EML可以包括多种主体材料或者包括单一主体材料。包括多种主体材料或单一主体材料的有机发光层EML掺杂有红光磷光掺杂剂材料。也就是说，有机发光层EML是红光发光层，并且从有机发光层EML发射的光的波长范围可以是600nm至660nm。
红光磷光掺杂剂材料是能够发射红光的材料。从掺杂有红光磷光掺杂剂材料的有机发光层EML发射的EL光谱具有红光波长区域中的峰或者具有对应于红光的波长区域中的峰。
红光磷光掺杂剂材料可以由包括包含Ir(ppy)3(fac三(2-苯基吡啶)铱)(三(2-苯基吡啶)铱)、PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)、Ir(piq)3(三(1-苯基异喹啉)铱)、Ir(piq)2(acac)(双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱)、PtOEP(八乙基卟啉铂)PBD：Eu(DBM)3(邻菲罗啉)和苝的铱(Ir)配体复合物中的任何一种或更多种的材料形成，但是不限于此。
电子传输层ETL被供给来自电子注入层EIL的电子。电子传输层ETL将供给的电子传递至有机发光层EML。
此外，电子传输层ETL执行与空穴阻挡层HBL的功能相同的功能。空穴阻挡层可以抑制不参与复合的空穴从有机发光层EML泄漏。
例如，电子传输层ETL可以由Liq(8-羟基喹啉-锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)和BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)中的任何一种或更多种形成，但不限于此。
电子注入层EIL是将电子从第二电极117顺畅地注入至有机发光层EML的层。例如，电子注入层EIL可以由包括碱金属或诸如LiF、BaF2和CsF的碱土金属离子形式中的任何一种或更多种的材料形成，但不限于此。
根据使用有机发光二极管的照明装置100的结构或特性，可以省略电子注入层EIL和电子传输层ETL。
参照图2B，有机层116包括：第一叠层ST1，其包括第一有机发光层EML1；第二叠层ST2，其包括第二有机发光层EML2；以及电荷产生层CGL，其设置在第一叠层ST1与叠层ST2之间。
此处，第一叠层ST1包括电子注入层EIL、第一电子传输层ETL1、第一有机发光层EML1、第一电子阻挡层EBL1和第一空穴传输层HTL1。第二叠层ST2包括第二电子传输层ETL2、第二有机发光层EML2、第二电子阻挡层EBL2、第二空穴传输层HTL2和空穴注入层HIL，并且每层的功能和配置均如上所述。
同时，电荷产生层CGL设置在第一叠层ST1与第二叠层ST2之间。电荷产生层CGL向第一叠层ST1和第二叠层ST2供给电荷以控制第一叠层ST1与第二叠层ST2之间的电荷平衡。
电荷产生层CGL包括N型电荷产生层N-CGL和P型电荷产生层P-CGL。N型电荷产生层N-CGL与第二电子传输层ETL2接触，并且P型电荷产生层P-CGL设置在N型电荷产生层N-CGL与第一空穴传输层HTL1之间。电荷产生层CGL可以通过包括N型电荷产生层N-CGL和P型电荷产生层P-CGL的多个层配置，但是不限于此并且可以通过单堆叠体配置。
N型电荷产生层N-CGL将电子注入至第一叠层ST1。N型电荷产生层N-CGL可以包括N型掺杂剂材料和N型主体材料。N型掺杂剂材料可以是元素周期表上的第1族和第2族的金属、可以注入电子的有机材料或其混合物。例如，N型掺杂剂材料可以是碱金属和碱土金属中的任何一种。也就是说，N型电荷产生层N-CGL可以由掺杂有诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)的碱金属或诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)的碱土金属的有机层116形成，但不限于此。N型主体材料可以由能够传递电子的材料形成，例如可以由Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、Liq(8-羟基喹啉醇-锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、螺-PBD和BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)、SAlq、TPBi(2,2',2-(1,3,5-苯并三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、恶二唑、三唑、菲咯啉、苯并恶唑和苯并噻唑中的任何一种或更多种形成，但不限于此。
P型电荷产生层P-CGL将空穴注入至第二叠层ST2。P型电荷产生层P-CGL可以包括P型掺杂剂材料和P型主体材料。P型掺杂剂材料可以由金属氧化物、诸如四氟-四氰基喹啉并二甲烷(F4-TCNQ)、HAT-CN(六氮杂苯并菲-六腈)或六氮杂苯并菲的有机材料或诸如V2O5、MoOx和WO3的金属材料形成，但不限于此。P型主体材料可以由能够传递空穴的材料形成，例如可以由包括NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺)、TPD(N,N'-双-(3-甲基苯基)-N,N'-双-(苯基)-联苯胺)和MTDATA(4,4',4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)中的任何一种或更多种的材料形成，但不限于此。
参照图2C，有机层116包括：第一叠层ST1，其包括第一有机发光层EML1；第二叠层ST2，其包括第二有机发光层EML2；第三叠层ST3，其包括第三有机发光层EML3；第一电荷产生层CGL1，其设置在第一叠层ST1与第二叠层ST2之间；以及第二电荷产生层CGL2，其设置在第二叠层ST2与第三叠层ST3之间。
此处，第一叠层ST1包括电子注入层EIL、第一电子传输层ETL1、第一有机发光层EML1、第一电子阻挡层EBL1和第一空穴传输层HTL1。第二叠层ST2包括第二电子传输层ETL2、第二有机发光层EML2、第二电子阻挡层EBL2和第二空穴传输层HTL2。第三叠层ST3包括第三电子传输层ETL3、第三有机发光层EML3、第三电子阻挡层EBL3、第三空穴传输层HTL3和空穴注入层HIL。每层的功能和配置如上所述。
第一电荷产生层CGL1包括第一N型电荷产生层N-CGL1和第一P型电荷产生层P-CGL1，并且第一N型电荷产生层N-CGL1与第二电子传输层ETL2接触。第一P型电荷产生层P-CGL1设置在第一N型电荷产生层N-CGL1与第一空穴传输层HTL1之间。
第二电荷产生层CGL2包括第二N型电荷产生层N-CGL2和第二P型电荷产生层P-CGL2，并且第二N型电荷产生层N-CGL2与第三电子传输层ETL3接触。第二P型电荷产生层P-CGL2设置在第二N型电荷产生层N-CGL2与第二空穴传输层HTL2之间。第一电荷产生层CGL1和第二电荷产生层CGL2的功能和配置如上所述。
此处，第一有机发光层EML1和第三有机发光层EML3是红绿光有机发光层并且从第一有机发光层EML1和第三有机发光层EML3发射的光的波长范围可以是520nm至580nm。第二有机发光层EML2是天蓝光有机发光层并且从第二有机发光层EML2发射的光的波长范围可以是450nm至480nm。
图3A是根据本公开的一个示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的前视图，以及图3B是根据本公开的一个示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的照明单元的放大图。
图4是沿图3A的线I-I'截取的截面图。
具体地，图3A示出了第一电极115、第二电极117和封装单元120的布置。图4不仅示出了第二电极117和第二接触电极117p的连接关系以及第一电极115和第一接触电极115p的连接关系，而且示出了第一区域A1和第二区域A2中的部件的布置。
如图3A、图1和图4中所示，第一电极115设置在基板111上，第二电极117设置在第一电极115上，并且封装单元120设置成覆盖第二电极117。
此处，第一电极115和第二电极117的交叠区域可以被定义为照明单元EA，在该照明单元EA处光从设置在第一电极115与第二电极117之间的有机层116产生。
换句话说，根据本公开的照明装置100可以被分为实际向外部发射光的照明单元EA以及通过第一接触电极115p和第二接触电极117p电连接至外部以将信号施加至照明单元EA的焊盘单元PA1和PA2。
焊盘单元PA1和PA2不被诸如金属膜122的封装单元阻挡，使得焊盘单元PA1和PA2可以通过第一接触电极115p和第二接触电极117p电连接至外部。因此，金属膜122可以附接至基板111的除了焊盘单元PA1和PA2之外的照明单元EA的整个表面上。然而，本公开不限于此。
也就是说，在照明单元EA的外边缘处的焊盘单元PA1和PA2中，没有形成有机层116、第二电极117、粘结剂层121和金属膜122，使得第一接触电极115p和第二接触电极117p被暴露于外部。
焊盘单元PA1和PA2可以位于照明单元EA的外部。在图3A中，尽管示出了第二焊盘单元PA2位于第一焊盘单元PA1之间，但是本公开不限于此。
此外，在图3A中，尽管示出了焊盘单元PA1和PA2仅位于照明单元EA的一个外侧，但是本公开不限于此。因此，本公开的焊盘单元PA1和PA2可以设置在照明单元EA的一个外侧和另一个外侧。此外，本公开的第一焊盘单元PA1可以位于照明单元EA的一个外侧而第二焊盘单元PA2可以位于照明单元EA的另一个外侧。
对此，设置在第一焊盘单元PA1中的第一接触电极115p由与设置在照明单元EA中的第一电极115的材料在相同层上的相同材料形成。因此，第一接触电极115p通过在形成第一电极115时相同的工艺形成以电连接至第一电极115。
设置在第二焊盘单元PA2中的第二接触电极117p通过相同工艺由与设置在照明单元EA中的第一电极115的材料在相同层上的相同材料形成。然而，第二接触电极117p相对于第一电极115和电连接至第一电极115的辅助线AL分开，并且通过连接孔CNT电连接至第二电极117。
具体地，如图4中所示，第一接触电极115p通过辅助线AL连接至第一电极115以与第一电极115形成等电位面。因此，第一接触电极115p、辅助线AL和第一电极115彼此电连接。此外，第二接触电极117p电连接至第二电极117和虚拟电极DM。
上述虚拟电极DM由与辅助线AL的材料在相同层上的相同材料形成，但是与辅助线AL电隔离。因此，第一电极115和第二电极117没有电连接。
利用该连接结构，设置在第一焊盘单元PA1中的第一接触电极115p可以将从外部施加的信号传递至第一电极115。此外，设置在第二焊盘单元PA2中的第二接触电极117p可以将从外部施加的信号传递至第二电极117。
同时，第一电极115由透明导电层形成，以具有所发射的光透过第一电极的优点，但是也具有与不透明金属相比电阻非常高的缺点。因此，当制造大尺寸的照明装置100时，施加至大的照明单元EA的电流的分布由于透明高电阻导电层的高电阻而不均匀。因此，大尺寸的照明装置由于不均匀的电流分布而不能发射具有均匀亮度的光。
因此，如图3B和图4中所示，为了大尺寸的照明装置100的具有均匀亮度的发光的目的，可以设置电连接至第一电极115的辅助线AL，该辅助线AL使施加至照明单元EA的电流的分布均匀。
辅助线AL设置在整个照明单元EA上方，其具有具有小的厚度的网格形状、网状形状、六边形或八边形形状或者圆形形状。辅助线AL可以通过具有良好导电性的金属例如铝(Al)、金(Au)、铜(Cu)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)或其合金配置。即使未在附图中示出，辅助线AL还可以配置成具有上辅助线AL和下辅助线AL的双层结构，但是本公开不限于此并且辅助线可以通过单堆叠体配置。
此处，在图4中，示出了电连接至第一电极115的辅助线AL设置在第一电极115下方以与第一电极115电接触。然而，本公开不限于此并且辅助线AL可以设置在第一电极115上方。
此外，如图3B和图4中所示，在供给电流的第一电极115中形成短路减少图案SR以实现窄路径，并且多个有机层116覆盖短路减少图案SR以抑制整个板的短路。也就是说，短路减少图案SR被形成为围绕各个像素的发光区域的外边缘，并且将电阻添加至各个像素以限制电流在产生短路的区域中流动。
绝缘层INS设置在第一区域A1上的第一电极115与第二电极117之间，在第一区域A1处照明单元EA的绝缘层INS设置成抑制由于有机层116的损坏引起的第一电极115与第二电极117之间的短路。
具体地，绝缘层INS配置成覆盖辅助线AL和第一电极115。如上所述，绝缘层INS被形成为包围辅助线AL以减少由辅助线AL引起的台阶。因此，之后形成在绝缘层INS上的各种不同层可以稳定地形成而不会被短路。
此处，绝缘层INS可以通过诸如硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的无机材料配置。然而，绝缘层INS可以通过诸如光亚克力(photoacryl)PAC的有机层配置并且还可以通过无机层和有机层的多个层来配置。
在下文中，将参照图4详细地描述根据本公开的一个示例性实施例的包括有机发光二极管的照明装置的阻挡层。
如图4中所示，根据本公开的一个示例性实施例的包括有机发光二极管的照明装置100可以被分为其中设置有辅助线AL的第一区域A1和其中设置有机阻挡图案114b的第二区域A2。第二区域A2的一部分可以包括发光区域，在该发光区域中第一电极115、有机层116和第二电极117顺序地层合以发光。
此处，如图3B中所示，形成由第一电极115、以及与第二电极117接触的有机层116限定的多个发光区域以配置各个像素。形成非发光区域来以矩阵形状围绕发光区域。
阻挡层114包括设置在第一区域A1和第二区域A2两者中的第一无机阻挡层114a、设置在第一无机阻挡层114a上的第二区域A2中的第二有机阻挡图案114b以及设置在第一区域A1和第二区域A2两者中以围绕并覆盖有机阻挡图案114b的第二无机阻挡层114c。
更具体地，有机阻挡图案114b设置在整个第二区域A2中使得有机阻挡层的端部指的是第二区域A2的端部。此外，辅助线AL设置在整个第一区域A1中使得辅助线AL的端部指的是第一区域A1的端部。此外，第一区域A1和第二区域A2是连续的使得有机阻挡图案114b的端部和辅助线AL的端部设置在相同的线上。
此外，有机阻挡图案114b仅设置在照明单元EA的第二区域A2中以具有岛形状，但是不设置在焊盘单元PA1和PA2中。
第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c执行防潮功能并且有机阻挡图案114b用于阻挡细颗粒。因此，第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c可以通过作为无机绝缘材料的Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Y2O3、CeO2、Ta2O5、La2O5、Nb2O5、SiO2和SiNx之一配置。此外，有机阻挡图案114b可以通过丙烯酸树脂或环氧树脂配置，并且特别地，可以通过光亚克力(PAC)配置。
通常，当第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c是通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，厚度约为
至
此外，当第一无机阻挡层和第二无机阻挡层是通过原子层沉积工艺形成的膜时，厚度约为
至在有机阻挡图案114b的情况下，使用狭缝涂布工艺施加1μm至5μm的厚度。然而，可以根据工艺或环境将厚度减小或增加至预定水平。也就是说，有机阻挡图案114b的厚度可以比第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c中的每个的厚度更厚。
此处，由于通过狭缝涂布工艺形成有机阻挡图案114b，所以有机阻挡图案114b的上表面可以形成为平坦的。因此，不需要用于有机阻挡图案114b上的平坦化的单独部件。
与本公开的示例性实施例不同，当所有的第一无机阻挡层114a、有机阻挡层和第二无机阻挡层114c设置在整个第一区域A1和第二区域A2中时，在照明装置的竖直方向上抑制水分渗透。此外，改善了由于细颗粒引起的阻挡层缺陷的可靠性。
然而，由于在有机阻挡层的水平方向上的弱的防潮功能，通过第一无机阻挡层114a渗透的水分渗透至有机阻挡层上。此外，渗透的水分在有机阻挡层的水平方向上移动以透过第二无机阻挡层114c，这可能导致对有机层116的损坏。
也就是说，当在整个第一区域A1和第二区域A2上形成有机阻挡层时，可能存在如下问题：有机阻挡层提供渗透水分的水平移动路径。
因此，根据本公开的一个示例性实施例的包括有机发光二极管的照明装置包括设置在第一区域A1和第二区域A2两者中的第一无机阻挡层114a、设置在第一无机阻挡层114a上的第二区域A2中的有机阻挡图案114b和设置在第一区域A1和第二区域A2两者中以围绕并覆盖有机阻挡图案114b的第二无机阻挡层114c。因此，有机阻挡层没有形成在整个第一区域A1和第二区域A2中，而有机阻挡图案114b仅形成在第二区域A2中。
首先，如下将分别针对第一区域A1和第二区域A2分析由于照明装置的竖直方向上的水分渗透和细颗粒引起的损坏。
在第一区域A1中，在竖直方向上设置第一无机阻挡层114a、第二无机阻挡层114c、辅助线AL、第一电极115和绝缘层INS之后，设置有机层116。即使水分从第一区域A1的下部渗透，渗透的水分也被第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c阻挡。此外，下部的水分和细颗粒完全设置在第一区域A1中的辅助线AL阻挡使得水分不会渗透至第一区域A1中。此外，不用担心由于细颗粒引起的部件的损坏。
此外，在第二区域A2中，在竖直方向设置第一无机阻挡层114a、有机阻挡图案114b、第二无机阻挡层114c和第一电极115之后，设置有机层116。因此，如上所述，即使水分从下部渗透，水分渗透也被第一无机阻挡层114a和第二无机阻挡层114c阻挡，并且由于细颗粒引起的损坏的风险通过有机阻挡图案114b降低。
接下来，如下将分析水平方向上的水分渗透。
关于照明装置的水平方向，穿过第一无机阻挡层114a的一些水分渗透至有机阻挡图案114b上，并且渗透的水分在有机阻挡图案114b的水平方向上移动。然而，有机阻挡图案114b仅形成在第二区域A2中，而没有形成在第一区域A1中，使得限制渗透的水分在水平方向上移动。
因此，渗透有机阻挡图案114b的水分不在水平方向上移动使得水分仅在竖直方向上移动。然而，如上所述，水分不能在竖直方向上渗透使得水分不会渗透至有机层116中。
也就是说，有机阻挡图案114b仅形成在第二区域A2中以阻挡水分的水平移动路径。
因此，根据本公开的一个示例性实施例的包括有机发光二极管的照明装置100包括具有在第二区域A2中的岛形状的有机阻挡图案114b。因此，有效地阻挡了来自外部的水分渗透，从而改善了照明装置的可靠性。
图5A至图5J是顺序地示出了根据本公开的图4中所示的一个示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法的平面图。
在下文中，将参考根据本公开的图1至图4中所示的一个示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置。
参照图5A，在基板111的整个表面上沉积第一无机阻挡层114a，该基板111被分为照明单元EA以及焊盘单元PA1和PA2。此处，第一无机阻挡层114a可以通过原子层沉积方法形成，但是不限于此并且可以使用诸如物理气相沉积方法和化学气相沉积方法的各种不同沉积方法。
此处，第一无机阻挡层114a可以通过作为无机绝缘材料的Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Y2O3、CeO2、Ta2O5、La2O5、Nb2O5、SiO2和SiNx之一配置。
当第一无机阻挡层114a是通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，第一无机阻挡层114a可以被沉积为具有约至
的厚度。此外，当第一无机阻挡层是通过原子层沉积工艺形成的膜时，第一无机阻挡层可以被沉积为具有约
至
的厚度。然而，可以根据工艺或环境将厚度减小或增加至预定水平。
基板111可以通过透明玻璃配置。此外，基板111可以通过具有柔性的聚合物材料例如聚酰亚胺配置。
接下来，参照图5B，在其上沉积有第一无机阻挡层114a的基板111上的第一区域A1中形成第二无机阻挡图案114c-1。
即使在附图中未示出，也在第二区域A2上设置掩模并且第二无机阻挡图案114c-1可以仅形成在其中没有设置掩模的第一区域A1中。
第二无机阻挡图案114c-1不仅在照明单元EA的第一区域A1中形成，而且在焊盘单元PA1和PA2中形成使得通过后处理形成的有机阻挡图案114b没有形成在焊盘单元PA1和PA2中。
接下来，参照图5C，在其上沉积有第一无机阻挡层114a的基板上的第二区域A2中形成有机阻挡图案114b。
此处，有机阻挡层114b可以由丙烯酸树脂或环氧树脂形成，并且特别地，可以由光亚克力(PAC)形成。
具体地，使用狭缝涂布工艺在第二无机阻挡图案114c-1之间的第二区域A2中形成有机阻挡图案114b以具有1μm至5μm的厚度。
此处，由于通过狭缝涂布工艺形成有机阻挡图案114b，所以有机阻挡图案114b的上表面可以形成为平坦的。因此，不需要用于有机阻挡图案114b上的平坦化的单独部件。
接下来，参照图5D，在其上形成有有机阻挡图案114b和第二无机阻挡图案114c-1的基板111的整个表面上沉积第二无机阻挡上层114c-2。此处，第二无机阻挡上层114c-2可以通过与第一无机阻挡层114a的沉积类似的原子层沉积方法形成，但是不限于此并且可以使用诸如物理气相沉积方法和化学气相沉积法的各种不同沉积方法。
此处，第二无机阻挡上层114c-2也可以通过Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Y2O3、CeO2、Ta2O5、La2O5、Nb2O5、SiO2和SiNx之一配置。
当第二无机阻挡上层114c-2是通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，第二无机阻挡上层114c-2可以被沉积为具有约
至
的厚度。此外，当第二无机阻挡上层114c-2是通过原子层沉积工艺形成的膜时，第二无机阻挡上层114c-2可以被沉积为具有约
至
的厚度。然而，可以根据工艺或环境将厚度减小或增加至预定水平。
在下文中，第二无机阻挡上层114c-2和第二无机阻挡图案114c-1整体地被限定为第二无机阻挡层114c。
接下来，参照图5E，在其上沉积有第二无机阻挡层114c的基板111上的第一区域A1中形成辅助线AL和虚拟电极DM。
此处，辅助线AL和虚拟电极DM可以通过相同的工艺在相同层上由相同的材料形成。具体地，虚拟电极DM可以部分地形成在第二焊盘单元PA2中以连接至将在下面描述的第二接触电极117p。
尽管未具体地示出，但是在其上形成有第二无机阻挡层114c的基板的整个表面上形成具有良好导电性的金属例如铝(Al)、金(Au)、铜(Cu)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)或其合金的单堆叠体或多堆叠体导电层。此后，在仅在第二区域A2中形成光掩模之后，蚀刻层合的导电层以形成要设置在第一区域A1中的辅助线AL和虚拟电极DM。
接下来，参照图5F，沉积诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的氧化物材料或薄金属膜以被图案化以形成第一电极115、第一接触电极115p和第二接触电极117p。此处，薄金属膜的具体示例可以指金属例如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)，或其合金。第一电极115也可以通过单堆叠体配置，或者通过由上述材料配置的多堆叠体配置。
具体地，如上所述，在形成在照明单元EA中的第一电极115中，可以形成在第二区域A2的外边缘处实现窄路径的短路减少图案SR。
此外，第一接触电极115p形成在第一焊盘单元PA1中以电连接至第一电极115和辅助线AL。第二接触电极117p形成在第二焊盘单元PA2中以与第一电极115和辅助线AL电短路，并且电连接至虚拟电极DM。
接下来，参照图5G，在其上形成有短路减少图案SR的第一电极115上形成绝缘层INS。
此外，绝缘层INS形成在整个第一区域A1中以被分为多个绝缘层以覆盖形成在第二区域A2中的短路减少图案SR。
此外，为了通过后处理形成的第二电极117和第二接触电极117p的接触的目的，设置在与第二焊盘单元PA2相邻的照明单元EA中的绝缘层INS可以形成为包括接触孔CNT。
此处，绝缘层INS可以由诸如硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的无机材料形成。然而，绝缘层INS可以由诸如光亚克力(PAC)的有机层形成并且还可以由无机层和有机层的多个层形成。
接下来，参照图5H，在其上形成有绝缘层INS和第一电极115的基板111的整个表面上形成有机层116。
有机层116可以通过包括红光有机发光层的单堆叠体结构配置，或者形成为具有包括多个红光有机发光层的多堆叠体串联结构，或者包括红绿光有机发光层和天蓝光有机发光层的多堆叠体串联结构。
具体地，设置在第二区域A2中并且邻接(abut)第一电极115的有机层116被施加有电流以发光。相比之下，设置在第一区域A1中并且邻接绝缘层INS的有机层116没有被施加电流使得不发光。
接下来，参照图5I，沉积第二电极117以覆盖多个有机层116。
此处，第二电极117可以由金属例如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)，或其合金形成。此外，第二电极117可以形成为单堆叠体，或者也可以形成为通过上述材料配置的多堆叠体。第二电极117的一侧形成为电连接至第二接触电极117p。
接下来，参照图5J，在基板111除了第一焊盘单元PA1和第二焊盘单元PA2之外的照明单元的整个表面上，形成压敏粘结剂(PSA)层121、金属膜122和保护膜123。此外，将压力从上部至下部施加至金属膜122和保护膜123以使金属膜122和保护膜123彼此接合，从而完成照明装置。
在下文中，将描述根据本公开的另一示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置。本公开的示例性实施例与本公开的另一示例性实施例之间的区别在于阻挡层的结构。因此，将省略本公开的另一示例性实施例与本公开的一个示例性实施例的相同部分，并且将主要地描述阻挡层的结构。
图6是根据本公开的另一示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的截面图。
根据本公开的另一示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的阻挡层包括第一无机阻挡层214a、设置在第二区域A2中的圆化(round)有机阻挡图案214b、第二无机阻挡层214c和阻挡平坦化层214d。
具体地，如图6中所示，根据本公开的另一示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的阻挡层包括：第一无机阻挡层214a，其设置在基板111上的第一区域A1和第二区域A2两者中；至少一个圆化有机阻挡图案214b，其设置在第一无机阻挡层214a上的第二区域A2中；第二无机阻挡层214c，其设置在第一区域A1和第二区域A2两者中以便覆盖并围绕有机层阻挡图案214b；以及阻挡平坦化层214d，其补偿由于至少一个圆化有机阻挡图案214b引起的粗糙度。
更具体地，有机阻挡图案214b设置在整个第二区域A2中使得有机阻挡图案214b的端部指的是第二区域A2的端部。此外，辅助线AL设置在整个第一区域A1中使得辅助线AL的端部指的是第一区域A1的端部。此外，第一区域A1和第二区域A2是连续的使得有机阻挡图案214b的端部和辅助线AL的端部设置在相同的线上。
此外，至少一个圆化有机阻挡图案214b仅设置在照明单元EA的第二区域A2中以具有岛形状，但不设置在焊盘单元PA1和PA2中。
此处，第一无机阻挡层214a和第二无机阻挡层214c执行防潮功能，并且有机阻挡图案214b用于阻挡细颗粒。因此，第一无机阻挡层214a和第二无机阻挡层214c可以通过作为无机绝缘材料的Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Y2O3、CeO2、Ta2O5、La2O5、Nb2O5、SiO2和SiNx之一配置。此外，有机阻挡图案214b可以通过丙烯酸树脂或环氧树脂配置，并且特别地，可以通过光亚克力(PAC)配置。
通常，对于第一无机阻挡层214a和第二无机阻挡层214c，当使用通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，厚度约为
至
此外，当使用通过原子层沉积工艺形成的膜时，厚度约为
至
在有机阻挡图案214b的情况下，使用喷墨工艺施加1μm至5μm的厚度。然而，可以根据工艺或环境将厚度减小或增加至预定水平。也就是说，有机阻挡图案214b的厚度可以比第一无机阻挡层214a和第二无机阻挡层214c中的每个的厚度更厚。
此处，由于通过喷墨工艺形成有机阻挡图案214b，所以有机阻挡图案214b可以形成为具有至少一个圆化形状。
因此，覆盖圆化有机阻挡图案214b的第二无机阻挡层214c也可以具有圆化形状。因此，当第一电极115直接形成在圆化阻挡层上时，可能在阻挡层与有机发光二极管之间导致缺陷使得可能不期望地劣化照明装置的可靠性。
为了解决表面均匀性的劣化的问题，根据本公开的另一示例性实施例的照明装置200还包括在第二无机阻挡层214c上的阻挡平坦化层214d。
阻挡平坦化层214d需要通过可以经受可溶处理的材料配置以使阻挡层平坦化。如上所述，当阻挡平坦化层214d由有机层形成时，提供了渗透水分的移动路径。因此，平坦化层需要由无机层形成。
因此，阻挡平坦化层214d可以通过硅氧烷或硅氮烷配置，该硅氧烷或硅氮烷是可以进行可溶处理的无机材料。
图7A至图7J是顺序地示出了根据本公开的图6中所示的另一示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法的平面图。
接下来，将参照图7A至图7J来描述根据本公开的另一示例性实施例的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法。
如上所述，本公开的示例性实施例与本公开的另一示例性实施例之间的区别在于阻挡层的结构。因此，将详细地描述根据本公开的另一示例性实施例的阻挡层的制造方法。
参照7A，在基板111的整个表面上沉积第一无机阻挡层214a，该基板111被分为照明单元EA以及焊盘单元PA1和PA2。此处，第一无机阻挡层214a可以通过原子层沉积方法形成，但是不限于此并且可以使用诸如物理气相沉积方法和化学气相沉积方法的各种不同沉积方法。
此处，第一无机阻挡层214a可以通过作为无机绝缘材料的Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Y2O3、CeO2、Ta2O5、La2O5、Nb2O5、SiO2和SiNx之一配置。
当第一无机阻挡层214a是通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，第一无机阻挡层214a可以被沉积为具有约
至的厚度。此外，当第一无机阻挡层是通过原子层沉积工艺形成的膜时，第一无机阻挡层可以被沉积为具有约
至
的厚度。然而，可以根据工艺或环境将厚度减小或增加至预定水平。
基板111可以通过透明玻璃配置。此外，基板111可以通过具有柔性的聚合物材料例如聚酰亚胺配置。
当第一无机阻挡层214a是通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，第一无机阻挡层214a可以被沉积为具有约
至
的厚度。此外，当第一无机阻挡层是通过原子层沉积工艺形成的膜时，第一无机阻挡层可以被沉积为具有约
至
的厚度。然而，可以根据工艺或环境将厚度减小或增加至预定水平。
接下来，如图7B中所示，通过喷墨工艺在其上沉积有第一无机阻挡层214a的基板111上的第二区域A2中形成至少一个圆化有机阻挡图案214b。
具体地，首先，沉积在基板111上的第一无机阻挡层214a的表面经受疏水处理。通过这样做，通过增加第一无机阻挡层214a的表面能，当稍后在第二区域A2中施加有机材料时，可以控制所施加的有机材料的扩散程度。
接下来，通过在第二区域A2中重复施加有机材料来叠加(superimposed)有机材料以在第二区域A2中形成至少一个圆化有机阻挡图案214b。
具体地，有机阻挡图案214b可以使用喷墨工艺由丙烯酸树脂或环氧树脂形成，并且特别地，可以由光亚克力(PAC)形成，以具有1μm至5μm的厚度。然而，可以根据工艺或环境将厚度减小或增加至预定水平。
接下来，在图7B中，公开了有机阻挡图案214b的形状包括多个圆化形状，但不限于此。有机阻挡图案214b可以形成为具有一个圆化形状，即圆顶形状，并且可以根据有机材料的粘度和第一无机阻挡层214a的表面的疏水处理的程度来确定形状。
接下来，参照图7C，在其上形成有有机阻挡图案214b的基板111的整个表面上沉积第二无机阻挡层214c。此处，第二无机阻挡层214c可以通过与第一无机阻挡层214a的沉积类似的原子层沉积方法形成，但是不限于此并且可以使用诸如物理气相沉积方法和化学气相沉积方法的各种不同沉积方法。
此处，第二无机阻挡层214c可以通过作为无机绝缘材料的Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、ZnO、Y2O3、CeO2、Ta2O5、La2O5、Nb2O5、SiO2和SiNx之一配置。
当第二无机阻挡层214c是通过化学气相沉积方法形成的薄膜时，第二无机阻挡层214c可以被沉积为具有约
至
的厚度。此外，当第二无机阻挡层114c是通过原子层沉积工艺形成的膜时，第二无机阻挡层214c可以被沉积为具有约
至
的厚度。然而，可以根据工艺或环境将厚度减小或增加至预定水平。
此处，如图7C中所示，在第一无机阻挡层214a上的第二区域A2中形成的有机阻挡图案214b形成为具有至少一个圆化形状。因此，在有机阻挡图案214b上的第二无机阻挡层214c中，至少一个圆化形状原样地在第二区域A2中被反映。当第一电极115直接形成在圆化阻挡层上时，可能在阻挡层与有机发光二极管之间导致缺陷，从而劣化照明装置的可靠性。
因此，如图7D中所示，为了解决表面均匀性劣化的问题，在第二无机阻挡层214c上形成阻挡平坦化层214d以使阻挡层平坦化。
具体地，阻挡平坦化层214d需要通过可以经受可溶处理的材料配置以使阻挡层平坦化。如上所述，当阻挡平坦化层214d由有机层形成时，提供了渗透水分的移动路径。因此，平坦化层需要由无机层形成。
因此，阻挡平坦化层214d可以通过在反映至少一个圆化形状的第二无机阻挡层214c上旋涂作为经受可溶处理的无机材料的硅氧烷或硅氮烷形成。
接下来，参照图7E，在其上沉积有阻挡平坦化层214d的基板111上的第一区域A1中形成辅助线AL和虚拟电极DM。
此处，辅助线AL和虚拟电极DM可以通过相同的工艺在相同层上由相同的材料形成。具体地，虚拟电极DM可以部分地形成在第二焊盘单元PA2中以连接至将在下面描述的第二接触电极117p。
尽管未具体示出，但是在其上形成有第二无机阻挡层214c的基板111的整个表面上形成具有良好导电性的金属例如铝(Al)、金(Au)、铜(Cu)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)，或其合金的单堆叠体或多堆叠体导电层。此后，在仅在第二区域A2中形成光掩模之后，蚀刻层叠的导电层以形成要设置在第一区域A1中的辅助线AL和虚拟电极DM。
接下来，参照图7F，沉积诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的氧化物材料或薄金属膜以被图案化以形成第一电极115、第一接触电极115p和第二接触电极117p。此处，薄金属膜的具体示例可以通过金属例如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)，或其合金配置。第一电极115可以通过单堆叠体配置，或者也可以通过由上述材料配置的多堆叠体配置。
具体地，如上所述，在形成在照明单元EA中的第一电极115中，可以形成在第二区域A2的外边缘处实现窄路径的短路减少图案SR。
此外，第一接触电极115p形成在第一焊盘单元PA1中以电连接至第一电极115和辅助线AL。第二接触电极117p形成在第二焊盘单元PA2中以与第一电极115和辅助线AL电短路并且电连接至虚拟电极DM。
接下来，参照图7G，在其上形成有短路减少图案SR的第一电极115上形成绝缘层INS。
此外，绝缘层INS形成在整个第一区域A1中以被分为多个绝缘层，以覆盖形成在第二区域A2中的短路减少图案SR。
此外，为了通过后处理形成的第二电极117和第二接触电极117p的接触的目的，设置在与第二焊盘单元PA2相邻的照明单元EA中的绝缘层INS可以形成为包括接触孔CNT。
此处，绝缘层INS可以由诸如硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的无机材料形成。然而，绝缘层INS可以由诸如光亚克力(PAC)的有机层形成，并且还可以由无机层和有机层的多个层形成。
接下来，参照图7H，在其上形成有绝缘层INS和第一电极115的基板111的整个表面上形成有机层116。
有机层116可以通过包括红光有机发光层EML的单堆叠体结构配置，或者形成为具有包括多个红光有机发光层的多堆叠体串联结构，或者包括红绿光有机发光层EML和天蓝光有机发光层EML的多堆叠体串联结构。
具体地，设置在第二区域A2中并且邻接第一电极115的有机层116被施加有电流以发光。相比之下，设置在第一区域A1中并且邻接绝缘层INS的有机层116没有被施加电流使得不发光。
接下来，参照7I，沉积第二电极117以覆盖多个有机层116。
第二电极117可以由金属例如镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钛(Ti)、铟(In)、钇(Y)、锂(Li)、钆(Gd)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)和铅(Pb)，或其合金形成。此外，第二电极117可以形成为单堆叠体，或者也可以形成为通过上述材料配置的多堆叠体。第二电极117的一侧形成为电连接至第二接触电极117p。
接下来，参照图7J，在基板111除了第一焊盘单元PA1和第二焊盘单元PA2之外的照明单元的整个表面上，形成压敏粘结剂(PSA)层121、金属膜122和保护膜123。此外，将压力从上部至下部施加至金属膜122和保护膜123以使金属膜122和保护膜123彼此附接，从而完成照明装置。
本公开的示例性实施例还可以描述如下：
根据本公开的一个方面，使用有机发光二极管的照明装置被分为第一区域和第二区域，并且包括：基板；设置在基板上的阻挡层；设置在其上设置有阻挡层的基板上的第一区域中的辅助线；设置在其上设置有阻挡层和辅助线的基板的整个表面上的第一电极；设置在第一电极上的有机层；以及设置在有机层上的第二电极，其中，阻挡层包括第一无机阻挡层、设置在第二区域中的有机阻挡图案，和第二无机阻挡层。因此，可以改善照明装置的可靠性。
第一无机阻挡层和第二无机阻挡层可以围绕有机阻挡图案。
有机阻挡图案的厚度可以比第一无机阻挡层和第二无机阻挡层中的任何一个的厚度更厚。
有机阻挡图案可以由光亚克力(PAC)制成。
有机阻挡图案可以具有圆化形状。
使用有机发光二极管的照明装置还可以包括设置在圆化有机阻挡图案上的阻挡平坦化层。
阻挡平坦化层可以由硅氧烷或硅氮烷制成。
第一电极可以包括在第二区域的外边缘处实现窄路径的短路减少图案。
使用有机发光二极管的照明装置还可以包括覆盖第一电极和辅助线的绝缘层。
使用有机发光二极管的照明装置还可以包括：第一接触电极，其电连接至第一电极并且在第一焊盘单元中露出于外部；以及第二接触电极，其电连接至第二电极并且在第二焊盘单元中露出于外部。
根据本公开的另一方面，一种使用有机发光二极管的照明装置的制造方法包括：提供被分为第一区域和第二区域的基板；在基板上沉积第一无机阻挡层；在其上沉积有第一无机阻挡层的基板上的第二区域中形成有机阻挡图案；在其上形成有有机阻挡图案的基板的整个表面上沉积第二无机阻挡层；在其上沉积有第二无机阻挡层的基板上的第一区域中形成辅助线；在其上设置有第二无机阻挡层和辅助线的基板的整个表面上形成第一电极；在其上形成有第一电极的基板的整个表面上沉积有机层；以及在其上形成有有机层的基板的整个表面上沉积第二电极。因此，可以制造具有改善的外部防潮功能的照明装置。
形成有机阻挡图案可以包括：在其上沉积有第一无机阻挡层的基板上的第一区域中形成第二无机阻挡图案；以及在其上沉积有第一无机阻挡层的基板上的第二无机阻挡图案之间形成有机阻挡图案。
形成有机阻挡图案可以包括：使第一无机阻挡层的表面具有疏水性并且使用喷墨方法在其上沉积有第一无机阻挡层的基板上的第二区域中形成有机阻挡图案。
制造方法还可以包括：在沉积第二无机阻挡层之后，通过旋涂方法在第二无机阻挡层上形成阻挡平坦化层。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，仅出于说明目的，提供了本公开的示例性实施例，而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应该理解，上述示例性实施例在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应该基于所附权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应该被解释为落入本公开的范围内。
Claims (15)
1.一种使用有机发光二极管的照明装置，所述照明装置被分为第一区域和第二区域，所述照明装置包括：
基板；
设置在所述基板上的阻挡层；
设置在所述基板上的所述第一区域中的辅助线；
设置在所述基板的整个表面上的第一电极；
设置在所述第一电极上的有机层；以及
设置在所述有机层上的第二电极，
其中所述阻挡层包括第一无机阻挡层、设置在所述第二区域中的有机阻挡图案，以及第二无机阻挡层。
2.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中所述第一无机阻挡层和所述第二无机阻挡层围绕所述有机阻挡图案。
3.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中所述有机阻挡图案的厚度比所述第一无机阻挡层的厚度更厚，以及
其中所述有机阻挡图案的厚度比所述第二无机阻挡层的厚度更厚。
4.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中所述有机阻挡图案由光亚克力制成。
5.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中所述有机阻挡图案具有圆化形状。
6.根据权利要求5所述的使用有机发光二极管的照明装置，还包括：
设置在所述圆化有机阻挡图案上的阻挡平坦化层。
7.根据权利要求6所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中所述阻挡平坦化层由硅氧烷或硅氮烷制成。
8.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，
其中所述第一电极包括在所述第二区域的外边缘处实现窄路径的短路减少图案。
9.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，还包括：
覆盖所述第一电极和所述辅助线的绝缘层。
10.根据权利要求1所述的使用有机发光二极管的照明装置，还包括：
第一接触电极，其电连接至所述第一电极并且在第一焊盘单元中露出于外部，以及
第二接触电极，其电连接至所述第二电极并且在第二焊盘单元中露出于外部。
11.一种使用有机发光二极管的照明装置的制造方法，包括：
提供被分为第一区域和第二区域的基板；
在所述基板上沉积第一无机阻挡层；
在其上沉积有所述第一无机阻挡层的所述基板上的所述第二区域中形成有机阻挡图案；
在其上形成有所述有机阻挡图案的所述基板的整个表面上沉积第二无机阻挡层；
在其上沉积有所述第二无机阻挡层的所述基板上的所述第一区域中形成辅助线；
在其上设置有所述第二无机阻挡层和所述辅助线的所述基板的整个表面上形成第一电极；
在其上形成有所述第一电极的所述基板的整个表面上沉积有机层；以及
在其上形成有所述有机层的所述基板的整个表面上沉积第二电极。
12.根据权利要求11所述的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法，其中所述形成有机阻挡图案包括：
在其上沉积有所述第一无机阻挡层的所述基板上的所述第一区域中形成第二无机阻挡图案；以及
在其上沉积有所述第一无机阻挡层的所述基板上的所述第二无机阻挡图案之间形成所述有机阻挡图案。
13.根据权利要求11所述的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法，其中所述形成有机阻挡图案包括：
使所述第一无机阻挡层的表面具有疏水性；以及
使用喷墨方法在其上沉积有所述第一无机阻挡层的所述基板上的所述第二区域中形成所述有机阻挡图案。
14.根据权利要求13所述的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法，
所述制造方法还包括：
在所述沉积第二无机阻挡层之后，
通过旋涂法在所述第二无机阻挡层上形成阻挡平坦化层。
15.根据权利要求14所述的使用有机发光二极管的照明装置的制造方法，
其中所述阻挡平坦化层由硅氧烷或硅氮烷制成。
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