CN110783418B - 一种光电传感器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种光电传感器及其制备方法，该光电传感器包括：第一吸收层和第二吸收层，第一吸收层为本征半导体层，第一吸收层包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置且垂直于入射光的方向，第二吸收层的设置位置包括以下至少之一：设置在本征半导体层内；设置在本征半导体层的第一表面；设置在本征半导体层的第二表面：第二吸收层为间隔排列的条状结构，以使得该光电传感器的暗电流小于或等于预设的暗电流阈值。本申请实施例提供的光电传感器及其制备方法，通过设置第二吸收层为间隔排列的条状结构，使得光电传感器在保持较低的暗电流水平的同时，可以响应光电流产生更多的载流子空穴对。

Description

一种光电传感器及其制备方法
技术领域
本申请实施例涉及但不限于半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种光电传感器及其制备方法。
背景技术
近年来，显示设置被制作成集成光电传感器以实现各种功能，例如：光感测、生物信息检测和人机交互。例如，智能电话通常包括指纹传感器以检测和识别用户的指纹。
现有的非晶硅(Amorphous Silicon，a-Si)PIN(Positive Intrinsic Negative)型光电传感器，在保持暗电流较小(约为1E-09数量级)的同时，也产生了较低的光响应电流(约为1E-05数量级)；
而铜铟镓硒(Cu In Ga Se，CIGS)作为太阳能电池材料，在具有较高光响应电流的同时，也产生较高的暗电流(约为1E-04数量级)，此特性使得CIGS材料无法直接使用在光电传感器上。
发明内容
本申请实施例提供了一种光电传感器及其制备方法，能够使得光电传感器在保持较低暗电流的同时，尽可能提高光响应电流。
第一方面，本申请实施例提供了一种光电传感器，包括：第一吸收层和第二吸收层，所述第一吸收层为光电传感器的本征半导体层，所述第一吸收层包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置且垂直于入射光的方向，其中：
所述第二吸收层的设置位置包括以下至少之一：
设置在所述本征半导体层内；
设置在所述本征半导体层的第一表面；
设置在所述本征半导体层的第二表面；
所述第二吸收层为间隔排列的条状结构，以使得所述光电传感器的暗电流小于或等于预设的暗电流阈值。
可选地，所述光电传感器还包括衬底、第一电极、P型半导体层、N型半导体层、窗口层、保护层和第二电极，其中：
所述衬底、第一电极、P型半导体层、本征半导体层、N型半导体层、窗口层和第二电极从下至上依次层叠设置；
所述保护层的设置位置为以下任意之一：
所述保护层设置在所述P型半导体层、所述本征半导体层、所述N型半导体层以及所述窗口层的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面相对设置且与所述第一表面垂直；
所述保护层设置在所述P型半导体层、所述本征半导体层、所述N型半导体层以及所述窗口层的第一侧面和第二侧面，还设置在所述窗口层远离所述衬底的表面，所述保护层设有通孔，所述第二电极通过所述通孔和所述窗口层连接。
可选地，所述本征半导体层包括第一本征半导体层和第二本征半导体层，所述第二本征半导体层设置在所述第一本征半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二吸收层设置在所述第一本征半导体层和所述第二本征半导体层之间；
所述第二本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度。
可选地，所述第二吸收层设置在所述本征半导体层和所述P型半导体层之间；
所述本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度。
可选地，所述光电传感器还包括缓冲层，其中：
所述缓冲层设置在所述衬底和所述第一电极之间。
可选地，所述光电传感器还包括衬底、保护层、P型半导体层、N型半导体层、第一电极和第二电极，其中：
所述衬底、本征半导体层和保护层从下至上依次层叠设置；所述P型半导体层设置在所述本征半导体层以及所述保护层的第一侧面，所述N型半导体层设置在所述本征半导体层以及所述保护层的第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面相对设置且与所述第一表面垂直；
所述第一电极与所述P型半导体层横向连接，所述第二电极与所述N型半导体层横向连接。
可选地，所述第二吸收层设置在所述衬底和所述本征半导体层之间，所述本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度。
可选地，所述第二吸收层设置在所述本征半导体层和所述保护层之间，所述保护层厚度大于所述第二吸收层厚度。
可选地，所述第二吸收层包括第一子吸收层和第二子吸收层，其中：
所述第一子吸收层设置在所述衬底和所述本征半导体层之间，所述本征半导体层厚度大于所述第一子吸收层厚度；
所述第二子吸收层设置在所述本征半导体层和所述保护层之间，所述保护层厚度大于所述第二子吸收层厚度；
所述第一子吸收层和所述第二子吸收层在所述衬底上的正投影交错排列且相互不重叠。
可选地，所述第二吸收层的制作材料为铜铟镓硒。
第二方面，本申请实施例还提供了一种光电传感器的制备方法，包括：
形成第一吸收层和第二吸收层，所述第一吸收层为本征半导体层，所述第一吸收层包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置且垂直于入射光的方向；
所述第二吸收层的形成位置包括以下至少之一：
形成在所述本征半导体层内；
形成在所述本征半导体层的第一表面；
形成在所述本征半导体层的第二表面；
所述第二吸收层为间隔排列的条状结构，以使得所述光电传感器的暗电流小于或等于预设的暗电流阈值。
可选地，在所述形成第一吸收层和第二吸收层之前，所述方法还包括：
在衬底上形成第一电极；
在第一电极上形成P型半导体层；
所述形成第一吸收层和第二吸收层，包括：在所述P型半导体层上形成第一本征半导体层；在所述第一本征半导体层上形成第二吸收层；在所述第二吸收层上形成第二本征半导体层，所述第二本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度；
在所述形成第一吸收层和第二吸收层之后，所述方法还包括：
在所述第二本征半导体层上形成N型半导体层；
在所述N型半导体层上形成窗口层；
在所述窗口层上形成保护层和第二电极。
可选地，在所述形成第一吸收层和第二吸收层之前，所述方法还包括：
在衬底上形成第一电极；
在第一电极上形成P型半导体层；
所述形成第一吸收层和第二吸收层，包括：在所述P型半导体层上形成第二吸收层；在所述第二吸收层上形成本征半导体层，所述本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度；
在所述形成第一吸收层和第二吸收层之后，所述方法还包括：
在所述本征半导体层上形成N型半导体层；
在所述N型半导体层上形成窗口层；
在所述窗口层上形成保护层和第二电极。
可选地，所述形成第一吸收层和第二吸收层，包括：在衬底上形成第二吸收层；在所述第二吸收层上形成本征半导体层，所述本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度；
在所述形成第一吸收层和第二吸收层之后，所述方法还包括：
在所述本征半导体层上形成保护层；
在所述本征半导体层和所述保护层的第一侧面形成P型半导体层以及与P型半导体层横向连接的第一电极；
在所述本征半导体层和所述保护层的第二侧面形成N型半导体层以及与N型半导体层横向连接的第二电极，所述第一侧面和所述第二侧面相对设置。
可选地，所述形成第一吸收层和第二吸收层，包括：
在衬底上形成本征半导体层；
在所述本征半导体层上形成所述第二吸收层；
在所述形成第一吸收层和第二吸收层之后，所述方法还包括：
在所述第二吸收层上形成保护层，所述保护层厚度大于所述第二吸收层厚度；
在所述本征半导体层和所述保护层的第一侧面形成P型半导体层以及与P型半导体层横向连接的第一电极；
在所述本征半导体层和所述保护层的第二侧面形成N型半导体层以及与N型半导体层横向连接的第二电极，所述第一侧面和所述第二侧面相对设置。
本申请实施例提供的光电传感器及其制备方法，通过设置第二吸收层为间隔排列的条状结构，使得光电传感器在保持较低暗电流的同时，可以响应光电流产生更多的载流子空穴对，有利于光电流信号的放大，从而为传感器件提供更高的光电流，有效提高器件信噪比。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为本申请第一实施例提供的第二吸收层的侧视图；
图2为本申请第一实施例提供的第二吸收层的俯视图；
图3为本申请第一实施例提供的光电传感器的结构示意图一；
图4为本申请第一实施例提供的光电传感器的结构示意图二；
图5为本申请第一实施例提供的光电传感器的结构示意图三；
图6为本申请第一实施例提供的光电传感器的结构示意图四；
图7为本申请第一实施例提供的光电传感器的结构示意图五；
图8为本申请第一实施例提供的光电传感器的结构示意图六；
图9为本申请第一实施例提供的光电传感器的结构示意图七；
图10为本申请第一实施例提供的光电传感器的结构示意图八；
图11为本申请第一实施例提供的光电传感器的结构示意图九；
图12为本申请第二实施例提供的光电传感器的制备方法的流程示意图一；
图13为本申请第二实施例提供的光电传感器的制备方法的流程示意图二；
图14为本申请第二实施例提供的光电传感器的制备方法的流程示意图三；
图15为本申请第二实施例提供的光电传感器的制备方法的流程示意图四；
附图标记说明:
Figure BDA0002281186820000061
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本申请的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
除非另外定义，本申请实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语一直出该词前面的元件或误检涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者误检。
第一实施例
本申请实施例提供一种光电传感器，包括：第一吸收层和第二吸收层，第一吸收层为该光电传感器的本征半导体层，第一吸收层包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置且垂直于入射光的方向，其中：
第二吸收层的设置位置包括以下至少之一：
设置在本征半导体层内；
设置在本征半导体层的第一表面；
设置在本征半导体层的第二表面；
第二吸收层为间隔排列的条状结构，以使得光电传感器的暗电流小于或等于预设的暗电流阈值。
图1为本申请实施例提供的第二吸收层的侧视图，图2为本申请实施例提供的第二吸收层的俯视图，如图1和图2所示，本申请实施例通过设置第二吸收层11为间隔排列的条状结构，可以使得光电传感器在保持较低的暗电流水平的同时，响应光电流产生更多的载流子空穴对，有利于光电流信号的放大。
在本申请的一些示例性实施例中，该条状结构可以为如图2所示的规则几何图案间隔排列的条状结构或其他任意不规则几何图案间隔排列的条状结构。
在本申请的一些示例性实施例中，该规则几何图案可以为如图2所示的矩形或其他任意的几何形状。
在本申请的一些示例性实施例中，第二吸收层11的制作材料为铜铟镓硒。
在本申请的一些示例性实施例中，该光电传感器还包括：P型半导体层和N型半导体层，其中，P型半导体层、本征半导体层(即第一吸收层)和N型半导体层构成纵向结构或横向结构的半导体结。
在本申请的一些示例性实施例中，P型半导体层为P型非晶硅层，本征半导体层为本征非晶硅层，N型半导体层为N型非晶硅层。
由于非晶硅(a-Si)PIN传感器具有较小的暗电流，本申请实施例在保持非晶硅PIN传感器具有较低暗电流特性的同时，对光也有更强的响应能力，进而使得光电传感器整体具有较高的信噪比，探测效率更高。
如图3所示，在本申请的一些示例性实施例中，P型半导体层101、本征半导体层102、N型半导体层103构成纵向结构的半导体结10，本征半导体层102包括第一本征半导体层1021和第二本征半导体层1022，该光电传感器还包括衬底12、第一电极13、窗口层14、保护层15和第二电极16；
衬底12、第一电极13、P型半导体层101、第一本征半导体层1021、第二吸收层11、第二本征半导体层1022、N型半导体层103、窗口层14和第二电极16从下至上依次层叠设置，第二本征半导体层1022厚度大于第二吸收层11厚度；
保护层15至少覆盖半导体结10以及窗口层14的第一侧面17和第二侧面18，第一侧面17和第二侧面18相对设置且与衬底12连接第一电极13的表面垂直。
在本申请的一些示例性实施例中，衬底12的制作材料可以为钠钙玻璃、石英玻璃、蓝宝石等。
在本申请的一些示例性实施例中，窗口层14和第二电极16的制作材料为氧化铟锡ITO或其他透明导电材料。
本申请实施例通过使得保护层15至少覆盖半导体结10以及窗口层14的第一侧面17和第二侧面18，可以防止在制作过程中，第二电极16与半导体结10的第一侧面17或第二侧面18搭接。
如图4所示，在本申请的一些示例性实施例中，保护层15还覆盖窗口层14远离衬底12的表面141；
保护层15设有通孔151，第二电极16通过通孔151和窗口层14连接。
在该实施例中，第二电极16的制作材料可以为金属钼等。
如图5所示，在本申请的一些示例性实施例中，第二吸收层11包括第一子吸收层111和第二子吸收层112，其中：
第一子吸收层111设置在第一本征半导体层1021和P型半导体层101之间，第一本征半导体层1021厚度大于第一子吸收层111厚度；
第二子吸收层112设置在第一本征半导体层1022和第二本征半导体层1022之间，第二本征半导体层1022厚度大于第二子吸收层112厚度；
第一子吸收层111和第二子吸收层112在衬底12上的正投影交错排列且相互不重叠。
如图6所示，在本申请的一些示例性实施例中，该光电传感器还包括缓冲层19，其中：
缓冲层19设置在衬底12和第一电极13之间。
本申请实施例通过设置缓冲层19，可以阻挡衬底12中的杂质渗进半导体结10中。当衬底12的材质比较纯净时，可以不设置缓冲层19。
如图7所示，在本申请的一些示例性实施例中，P型半导体层101、本征半导体层102、N型半导体层103构成纵向结构的半导体结10，光电传感器还包括衬底12、第一电极13、窗口层14、保护层15和第二电极16，其中：
衬底12、第一电极13、P型半导体层101、第二吸收层11、本征半导体层102、N型半导体层103、窗口层14和第二电极16从下至上依次层叠设置，本征半导体层102厚度大于第二吸收层11厚度；
保护层15至少覆盖半导体结10以及窗口层14的第一侧面17和第二侧面18，第一侧面17和第二侧面18相对且与衬底12连接第一电极13的表面垂直。
如图8所示，在本申请的一些示例性实施例中，P型半导体层101、本征半导体层102、N型半导体层103构成横向结构的半导体结10，光电传感器还包括衬底12、保护层15、第一电极13和第二电极16，其中：
衬底12、本征半导体层102、第二吸收层11和保护层15从下至上依次层叠设置，保护层15厚度大于第二吸收层11厚度；
第一电极13与P型半导体层101横向连接，第二电极16与N型半导体层103横向连接。
如图9所示，在本申请的一些示例性实施例中，P型半导体层101、本征半导体层102、N型半导体层103构成横向结构的半导体结10，其中：
衬底12、第二吸收层11、本征半导体层102和保护层15从下至上依次层叠设置，本征半导体层102厚度大于第二吸收层11厚度；
第一电极13与P型半导体层101横向连接，第二电极16与N型半导体层103横向连接。
如图10所示，在本申请的一些示例性实施例中，P型半导体层101、本征半导体层102、N型半导体层103构成横向结构的半导体结10，第二吸收层11包括第一子吸收层111和第二子吸收层112，其中：
衬底12、第一子吸收层111、本征半导体层102、第二子吸收层112和保护层15从下至上依次层叠设置，本征半导体层102厚度大于第一子吸收层111厚度，保护层15厚度大于第二子吸收层112厚度，第一子吸收层111和第二子吸收层112在衬底12上的正投影交错排列且相互不重叠；
第一电极13与P型半导体层101横向连接，第二电极16与N型半导体层103横向连接。
如图11所示，在本申请的一些示例性实施例中，该光电传感器还包括缓冲层19，其中：
缓冲层19设置在衬底12和本征半导体层102之间。
在本申请的一些示例性实施例中，缓冲层19的制作材料为氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)或者氮氧化硅(SiON)等。
在本申请的一些示例性实施例中，保护层15的制作材料为氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)或者氮氧化硅(SiON)等。
第二实施例
基于前述实施例的发明构思，本申请实施例还提供了一种光电传感器的制备方法，以克服现有的光电传感器存在的光响应电流较低的问题，该制备方法具体包括以下步骤：
形成第一吸收层和第二吸收层，该第一吸收层为该光电传感器的本征半导体层，第一吸收层包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置且垂直于入射光的方向；
第二吸收层的形成位置包括以下至少之一：
形成在本征半导体层内；
形成在本征半导体层的第一表面；
形成在本征半导体层的第二表面；
第二吸收层为间隔排列的条状结构，以使得光电传感器的暗电流小于或等于预设的暗电流阈值。
在本申请的一些示例性实施例中，该制备方法还包括以下步骤：
形成P型半导体层和N型半导体层，其中，P型半导体层、本征半导体层(即第一吸收层)和N型半导体层构成纵向结构或横向结构的半导体结。
基于前述实施例的发明构思，本申请实施例还提供了一种光电传感器的制备方法，以克服现有的光电传感器存在的光响应电流较低的问题，图12为本申请实施例提供的光电传感器的制备方法的流程示意图一，如图12所示，该制备方法具体包括以下步骤：
步骤1201、在衬底上形成第一电极；
在本申请的一些示例性实施例中，步骤1201包括：
在衬底上形成缓冲层；
在缓冲层上形成第一电极。
步骤1202、在第一电极上依次形成P型半导体层、第一本征半导体层；
本申请实施例中，第一本征半导体层可以起到保护P型半导体层的作用。
步骤1203、在第一本征半导体层上形成第二吸收层，第二吸收层为间隔排列的条状结构；
在本申请的一些示例性实施例中，第二吸收层通过掩膜蒸镀法形成。
步骤1204、在第二吸收层上形成第二本征半导体层，第二本征半导体层厚度大于第二吸收层厚度；
在本申请的一些示例性实施例中，第二吸收层包括第一子吸收层和第二子吸收层，步骤1202至1204，包括：
在第一电极上形成P型半导体层；
在P型半导体层上形成第一子吸收层，第一子吸收层为间隔排列的条状结构；
在第一子吸收层上形成第一本征半导体层，第一本征半导体层厚度大于第一子吸收层厚度；
在第一本征半导体层上形成第二子吸收层，第二子吸收层为间隔排列的条状结构，第一子吸收层和第二子吸收层在衬底上的正投影交错排列且相互不重叠；
在第二子吸收层上形成第二本征半导体层，第二本征半导体层厚度大于第二子吸收层厚度。
步骤1205、在第二本征半导体层上形成N型半导体层，P型半导体层、第一本征半导体层、第二本征半导体层和N型半导体层构成纵向结构的半导体结；
步骤1206、在N型半导体层上形成窗口层；
在本申请的一些示例性实施例中，窗口层的制作材料为氧化铟锡ITO或其他透明导电材料。
步骤1207、在窗口层上形成保护层和第二电极。
在本申请的一些示例性实施例中，保护层覆盖半导体结以及窗口层的第一侧面和第二侧面，第一侧面和第二侧面与衬底连接第一电极的表面垂直。
本申请实施例通过使得保护层至少覆盖半导体结以及窗口层的第一侧面和第二侧面，可以防止在制作过程中，第二电极与半导体结的第一侧面或第二侧面搭接。
当保护层只覆盖半导体结以及窗口层的第一侧面和第二侧面时，第二电极和窗口层的制备材料可以都选用氧化铟锡ITO或其他透明导电材料，且第二电极和窗口层可以同时形成而成。
在本申请的一些示例性实施例中，保护层覆盖半导体结以及窗口层的第一侧面和第二侧面，第一侧面和第二侧面与衬底连接第一电极的表面垂直，保护层还覆盖窗口层远离衬底的表面。此时，先形成保护层，再在保护层上形成通孔，接着形成第二电极，并使得第二电极通过通孔和窗口层连接。此时，窗口层的制备材料可以为氧化铟锡ITO或其他透明导电材料，第二电极的制备材料可以为金属钼等。
基于前述实施例的发明构思，本申请实施例还提供了一种光电传感器的制备方法，以克服现有的光电传感器存在的光响应电流较低的问题，图13为本申请实施例提供的光电传感器的制备方法的流程示意图二，如图13所示，该制备方法具体包括以下步骤：
步骤1301、在衬底上形成第一电极；
在本申请的一些示例性实施例中，步骤1301包括：
在衬底上形成缓冲层；
在缓冲层上形成第一电极。
步骤1302、在第一电极上形成P型半导体层；
步骤1303、在P型半导体层上形成第二吸收层，第二吸收层为间隔排列的条状结构；
步骤1304、在第二吸收层上形成本征半导体层，本征半导体层厚度大于第二吸收层厚度；
在本申请的一些示例性实施例中，第二吸收层通过掩膜蒸镀法形成。
步骤1305、在本征半导体层上形成N型半导体层，P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成纵向结构的半导体结；
步骤1306、在N型半导体层上形成窗口层；
在本申请的一些示例性实施例中，窗口层的制作材料为氧化铟锡ITO或其他透明导电材料。
步骤1307、在窗口层上形成保护层和第二电极。
基于前述实施例的发明构思，本申请实施例还提供了一种光电传感器的制备方法，以克服现有的光电传感器存在的光响应电流较低的问题，图14为本申请实施例提供的光电传感器的制备方法的流程示意图三，如图14所示，该制备方法具体包括以下步骤：
步骤1401、在衬底上形成本征半导体层；
在本申请的一些示例性实施例中，步骤1401包括：
在衬底上形成缓冲层；
在缓冲层上形成本征半导体层。
步骤1402、在本征半导体层上形成第二吸收层，第二吸收层为间隔排列的条状结构；
在本申请的一些示例性实施例中，第二吸收层通过掩膜蒸镀法形成。
步骤1403、在第二吸收层上形成保护层，保护层厚度大于第二吸收层厚度；
在本申请的一些示例性实施例中，第二吸收层包括第一子吸收层和第二子吸收层，步骤1401至1403，包括：
在衬底上形成第一子吸收层，第一子吸收层为间隔排列的条状结构；
在第一子吸收层上形成本征半导体层，本征半导体层厚度大于第一子吸收层厚度；
在本征半导体层上形成第二子吸收层，第二子吸收层为间隔排列的条状结构，第一子吸收层和第二子吸收层在衬底上的正投影交错排列且相互不重叠；
在第二子吸收层上形成保护层，保护层厚度大于第二子吸收层厚度。
步骤1404、在本征半导体层和保护层的第一侧面形成P型半导体层以及与P型半导体层横向连接的第一电极；
步骤1405、在本征半导体层和保护层的第二侧面形成N型半导体层以及与N型半导体层横向连接的第二电极，第一侧面和第二侧面相对。
基于前述实施例的发明构思，本申请实施例还提供了一种光电传感器的制备方法，以克服现有的光电传感器存在的光响应电流较低的问题，图15为本申请实施例提供的光电传感器的制备方法的流程示意图四，如图15所示，该制备方法具体包括以下步骤：
步骤1501、在衬底上形成第二吸收层，第二吸收层为间隔排列的条状结构；
在本申请的一些示例性实施例中，步骤1501包括：
在衬底上形成缓冲层；
在缓冲层上形成第二吸收层，第二吸收层为间隔排列的条状结构。
在本申请的一些示例性实施例中，第二吸收层通过掩膜蒸镀法形成。
步骤1502、在第二吸收层上形成本征半导体层，本征半导体层厚度大于吸收层厚度；
步骤1503、在本征半导体层上形成保护层，保护层覆盖本征半导体层远离衬底的表面；
步骤1504、在本征半导体层和保护层的第一侧面形成P型半导体层以及与P型半导体层横向连接的第一电极；
步骤1505、在本征半导体层和保护层的第二侧面形成N型半导体层以及与N型半导体层横向连接的第二电极，第一侧面和第二侧面相对。
在本申请实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
虽然本申请所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本申请而采用的实施方式，并非用以限定本申请。任何本申请所属领域内的技术人员，在不脱离本申请所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种光电传感器，其特征在于，包括：第一吸收层和第二吸收层，所述第一吸收层为所述光电传感器的本征半导体层，所述本征半导体层设置为本征非晶硅层，所述第一吸收层包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置且垂直于入射光的方向，其中：
所述第二吸收层的设置位置包括以下至少之一：
设置在所述本征半导体层内；
设置在所述本征半导体层的第一表面；
设置在所述本征半导体层的第二表面；
所述第二吸收层为间隔排列的条状结构，以使得所述光电传感器的暗电流小于或等于预设的暗电流阈值，且响应光电流产生更多的载流子空穴对；
所述第二吸收层的制作材料为铜铟镓硒。
2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括衬底、第一电极、P型半导体层、N型半导体层、窗口层、保护层和第二电极，其中：
所述衬底、第一电极、P型半导体层、本征半导体层、N型半导体层、窗口层和第二电极从下至上依次层叠设置；
所述保护层的设置位置为以下任意之一：
所述保护层设置在所述P型半导体层、所述本征半导体层、所述N型半导体层以及所述窗口层的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面相对设置且与所述第一表面垂直；
所述保护层设置在所述P型半导体层、所述本征半导体层、所述N型半导体层以及所述窗口层的第一侧面和第二侧面，还设置在所述窗口层远离所述衬底的表面，所述保护层设有通孔，所述第二电极通过所述通孔和所述窗口层连接。
3.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述本征半导体层包括第一本征半导体层和第二本征半导体层，所述第二本征半导体层设置在所述第一本征半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二吸收层设置在所述第一本征半导体层和所述第二本征半导体层之间；
所述第二本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度。
4.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述第二吸收层设置在所述本征半导体层和所述P型半导体层之间；
所述本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度。
5.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括缓冲层，其中：
所述缓冲层设置在所述衬底和所述第一电极之间。
6.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括衬底、保护层、P型半导体层、N型半导体层、第一电极和第二电极，其中：
所述衬底、本征半导体层和保护层从下至上依次层叠设置；所述P型半导体层设置在所述本征半导体层以及所述保护层的第一侧面，所述N型半导体层设置在所述本征半导体层以及所述保护层的第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面相对设置且与所述第一表面垂直；
所述第一电极与所述P型半导体层横向连接，所述第二电极与所述N型半导体层横向连接。
7.根据权利要求6所述的光电传感器，其特征在于，所述第二吸收层设置在所述衬底和所述本征半导体层之间，所述本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度。
8.根据权利要求6所述的光电传感器，其特征在于，所述第二吸收层设置在所述本征半导体层和所述保护层之间，所述保护层厚度大于所述第二吸收层厚度。
9.根据权利要求6所述的光电传感器，其特征在于，所述第二吸收层包括第一子吸收层和第二子吸收层，其中：
所述第一子吸收层设置在所述衬底和所述本征半导体层之间，所述本征半导体层厚度大于所述第一子吸收层厚度；
所述第二子吸收层设置在所述本征半导体层和所述保护层之间，所述保护层厚度大于所述第二子吸收层厚度；
所述第一子吸收层和所述第二子吸收层在所述衬底上的正投影交错排列且相互不重叠。
10.一种光电传感器的制备方法，其特征在于，包括：
形成第一吸收层和第二吸收层，所述第一吸收层为所述光电传感器的本征半导体层，所述本征半导体层设置为本征非晶硅层，所述第一吸收层包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置且垂直于入射光的方向；
所述第二吸收层的形成位置包括以下至少之一：
形成在所述本征半导体层内；
形成在所述本征半导体层的第一表面；
形成在所述本征半导体层的第二表面；
所述第二吸收层为间隔排列的条状结构，以使得所述光电传感器的暗电流小于或等于预设的暗电流阈值，且响应光电流产生更多的载流子空穴对；所述第二吸收层的制作材料为铜铟镓硒。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述形成第一吸收层和第二吸收层之前，所述方法还包括：
在衬底上形成第一电极；
在第一电极上形成P型半导体层；
所述形成第一吸收层和第二吸收层，包括：在所述P型半导体层上形成第一本征半导体层；在所述第一本征半导体层上形成第二吸收层；在所述第二吸收层上形成第二本征半导体层，所述第二本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度；
在所述形成第一吸收层和第二吸收层之后，所述方法还包括：
在所述第二本征半导体层上形成N型半导体层；
在所述N型半导体层上形成窗口层；
在所述窗口层上形成保护层和第二电极。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述形成第一吸收层和第二吸收层之前，所述方法还包括：
在衬底上形成第一电极；
在第一电极上形成P型半导体层；
所述形成第一吸收层和第二吸收层，包括：在所述P型半导体层上形成第二吸收层；在所述第二吸收层上形成本征半导体层，所述本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度；
在所述形成第一吸收层和第二吸收层之后，所述方法还包括：
在所述本征半导体层上形成N型半导体层；
在所述N型半导体层上形成窗口层；
在所述窗口层上形成保护层和第二电极。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成第一吸收层和第二吸收层，包括：在衬底上形成第二吸收层；在所述第二吸收层上形成本征半导体层，所述本征半导体层厚度大于所述第二吸收层厚度；
在所述形成第一吸收层和第二吸收层之后，所述方法还包括：
在所述本征半导体层上形成保护层；
在所述本征半导体层和所述保护层的第一侧面形成P型半导体层以及与P型半导体层横向连接的第一电极；
在所述本征半导体层和所述保护层的第二侧面形成N型半导体层以及与N型半导体层横向连接的第二电极，所述第一侧面和所述第二侧面相对设置。
14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成第一吸收层和第二吸收层，包括：
在衬底上形成本征半导体层；
在所述本征半导体层上形成所述第二吸收层；
在所述形成第一吸收层和第二吸收层之后，所述方法还包括：
在所述第二吸收层上形成保护层，所述保护层厚度大于所述第二吸收层厚度；
在所述本征半导体层和所述保护层的第一侧面形成P型半导体层以及与P型半导体层横向连接的第一电极；
在所述本征半导体层和所述保护层的第二侧面形成N型半导体层以及与N型半导体层横向连接的第二电极，所述第一侧面和所述第二侧面相对设置。
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