CN110783365B - 一种显示基板以及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示基板以及制作方法，显示基板包括数个阵列排布的子像素，所述子像素的结构包括：发光器件GoLED、第一功能模块以及第二功能模块；其中，所述第一功能模块包括第一TFT、第二TFT以及第一存储电容，所述第一TFT用于控制所述第二TFT开启状态，所述第一存储电容用于控制所述第二TFT的源漏电流大小，所述第二TFT用于控制GoLED的开启和关闭以及亮暗程度；所述第二功能模块包括第三TFT和第二存储电容，所述第三TFT用于控制所述第二存储电容的充电状态，所述第二存储电容用于控制所述发光器件GoLED的栅极电压，进而控制所述发光器件GoLED的发光颜色。

Description

一种显示基板以及制备方法
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种显示基板以及制备方法。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)具有自发光、低能耗、宽视角、色彩丰富、快速响应及可制备柔性屏等诸多优异特性，被认为是极具潜力的下一代显示技术。
现有的OLED显示基板一般是采用RGB三原色法实现全彩显示，具体方法是将RGB三种有机发光材料并行成膜于基板上，构成三原色像素从而构成彩色显示器，但是在显示基板制作完成后，显示基板的子像素R、G、B将会固定不变，严重制约了显示基板的显色指数及ppi等关键指数的提高，此外，如果R、G、B三原色的发光寿命有差异，那么寿命最短的那种颜色将使屏幕整体的效率下降，在显示屏使用期间会出现色差等现象。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明提供一种克服上述问题的显示基板以及制备方法。
本发明公开了一种显示基板，所述显示基板包括数个阵列排布的子像素，所述子像素的结构包括：
发光器件GoLED；
第一功能模块，所述第一功能模块与所述发光器件GoLED的漏极连接，通过控制所述发光器件GoLED的源漏电流，进而控制所述发光器件GoLED的开关状态以及发光亮度；
第二功能模块，所述第二功能模块与所述发光器件GoLED的栅极连接，通过控制所述发光器件GoLED的栅极电压，进而控制所述发光器件GoLED的发光颜色；
其中，所述发光器件GoLED的源极接地。
优选地,所述发光器件GoLED的发光结构包括：
绝缘层，所述绝缘层采用氧化石墨烯制成；
发光层，设于所述绝缘层之上，所述发光层采用半还原氧化石墨烯制成；
源漏电极层，设于所述发光层之上，所述源漏电极层采用还原氧化石墨烯制成。
优选地，其特征在于,所述第一功能模块包括：第一TFT、第二TFT以及第一存储电容；
所述第一TFT的源极接入Gamma Data电信号；
所述第一TFT的栅极接入Gate电信号；
所述第一TFT的漏极与所述第二TFT的栅极连接，所述第一TFT用于控制所述第二TFT的开关状态；
所述第一存储电容与所述第一TFT的漏极、所述第二TFT的栅极和Vdd走线分别连接，所述第一存储电容用于控制所述第二TFT的源漏电流大小；
所述第二TFT的源极接入Vdd电信号；
所述第二TFT的漏极与所述发光器件GoLED的漏极连接，所述第二TFT用于控制所述发光器件GoLED的开关状态以及发光亮度。
优选地,所述第二功能模块包括：第三TFT和第二存储电容；
所述第三TFT的栅极接入Color Gate电信号；
所述第三TFT的漏极接入Color Data电信号；
所述第三TFT的源极与所述第二存储电容的第一电极基板连接，用于控制第二存储电容的充电状态；
所述第二存储电容的第一电极基板与所述发光器件GoLED的栅极连接，用于控制所述发光器件GoLED的栅极电压，进而控制所述发光器件GoLED的发光颜色。
相应地，本发明还公开了对应的一种显示基板的制备方法，包括：
在绝缘衬底上形成第一TFT和第三TFT；
在所述第一TFT的漏极上方形成第一过孔连接电极，在所述第三TFT的源极上方形成第二过孔连接电极；
形成第二TFT的栅极、第二存储电容的第二电极基板和第三过孔连接电极，其中，所述第二TFT的栅极与所述第一TFT的漏极通过第一过孔连接电极连接,所述第三过孔连接电极与所述第二过孔连接电极连接；
形成第三氧化石墨烯层，对所述第三氧化石墨烯层进行刻蚀处理，形成所述第二TFT的有源区填充区和发光器件GoLED的电极区；
形成所述第二TFT的有源层、所述第二TFT的源极以及所述第二TFT的漏极；
形成发光器件GoLED的发光层；
在所述第二存储电容的第二电极基板上方形成第四过孔连接电极，同时形成第五过孔连接电极，所述第五过孔连接电极与所述第三过孔连接电极连接；
形成所述发光器件GoLED的栅极、所述发光器件GoLED的源极以及所述发光器件GoLED的漏极，所述发光器件GoLED的漏极通过第四过孔连接电极与所述第二存储电容的第二电极基板连接，所述发光器件GoLED的栅极通过第二过孔连接电极、第三过孔连接电极以及第五过孔连接电极与所述第三TFT的源极连接；
形成第五氧化石墨烯层，所述第五氧化石墨烯层作为器件保护层以及平坦层。
优选地,形成所述第一TFT和所述第三TFT的步骤包括：
在绝缘衬底上形成第一石墨烯电极层；
对所述第一石墨烯电极层进行图案化，进而形成第一TFT的栅极、第三TFT的栅极以及栅极走线；
在所述第一石墨烯电极层上方形成第一氧化石墨烯层，所述第一氧化石墨烯层作为绝缘层；
对所述第一氧化石墨烯层进行刻蚀处理，形成所述第一TFT的有源区填充区域、所述第三TFT的有源区填充区域以及源漏走线预留区；
在所述第一氧化石墨烯层上方形成第一A-Si层；
利用掩模版将非有效填充区域的A-Si刻蚀掉，留下有效填充区的A-Si；
采用激光技术将有效填充区的A-Si转换为P-Si，进而形成所述第一TFT有源层和所述第三TFT有源层；
采用激光技术将源漏走线预留区处的所述氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，进而形成所述第一TFT的源极、所述第一TFT的漏极、所述第三TFT的源极、所述第三TFT的漏极以及源漏走线，其中，所述第一TFT的源极和所述第一TFT的漏极均与所述第一TFT的有源层连接，所述第三TFT的源极和所述第三TFT的漏极均与所述第一TFT的有源层连接。
优选地,在所述第一TFT的漏极上方形成第一过孔连接电极，在所述第三TFT的源极上方形成第二过孔连接电极的步骤包括：
在所述第一TFT和所述第三TFT上方形成第二氧化石墨层；
采用激光技术将所述第一TFT的漏极上方和所述第三TFT的源极上方对应的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，形成所述第一过孔连接电极和所述第二过孔连接电极。
优选地,形成第二TFT的栅极、第二存储电容的第二电极基板和第三过孔连接电极的步骤包括：
在所述第二氧化石墨层上形成第二石墨烯电极层；
对所述第二石墨烯电极层进行刻蚀处理，进而形成第二TFT的栅极、第二存储电容的第二电极基板以及第三过孔连接电极。
优选地,形成所述第二TFT的有源层、所述第二TFT的源极以及所述第二TFT的漏极的步骤包括：
在所述第三氧化石墨烯层上形成第二A-Si层；
利用掩模版将非有效填充区域的A-Si刻蚀掉，留下有效填充区域的A-Si；
采用激光技术将有效填充区的A-Si转换为P-Si，进而形成第二TFT的有源层；
采用激光技术将源漏走线预留区处的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，作为所述第二TFT的源极、所述第二TFT的漏极以及所述源漏走线，其中，所述第二TFT的源极和所述第二TFT的漏极均与第二TFT的有源层连接。
优选地,形成所述发光器件GoLED的栅极、所述发光器件GoLED的源极以及所述发光器件GoLED的漏极步骤包括：
形成第四氧化石墨烯层；
对所述第四氧化石墨烯层进行刻蚀处理，形成发光器件GoLED的栅极预留区、源极预留区以及漏极预留区；
采用激光技术将所述栅极预留区、所述源极预留区以及所述漏极预留区处对应的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，作为发光器件GoLED的栅极、发光器件GoLED的源极以及发光器件GoLED的漏极。
本发明实施例的显示基板以及制备方法具有以下优点：
通过在绝缘衬底上制作出第一TFT，第二TFT以及第一存储电容，进而构成功能模块1，然后在绝缘衬底上制作出第三TFT以及第二存储电容，进而构城功能模块2，通过功能模块1来控制发光器件GoLED的源漏电流，进而控制发光器件GoLED的开启和关闭以及亮暗程度；同时通过第二功能模块控制发光器件GoLED的栅极电压来控制发光器件GoLED的发光颜色，发光器件GoLED可以根据栅极电压的不同实现红绿蓝三种颜色切换，从而弥补了现有显示器件中红绿蓝子像素固定不变的缺点，增加了显示器显示效果。
附图说明
图1为本发明的显示基板子像素驱动电路示意图；
图2为本发明的GoLED的发光区结构示意图；
图3至图26为本发明的一个实施例的显示基板制备方法的原理示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段和效果，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
请参阅图1，图1为本发明的显示基板子像素驱动电路示意图。本发明实施例提供一种显示面板，包括：发光器件GoLED、第一功能模块1以及第二功能模块2，具体地：
第一功能模块1包括第一TFT(T1)、第二TFT(T2)以及第一存储电容(Cs)，第一TFT(T1)的栅极接入Gate信号，第一TFT(T1)的源极接入Gamma Data信号，第一TFT(T1)的漏极与第二TFT(T2)的栅极连接；第一存储电容(Cs)的第一电极基板为第二TFT(T2)的栅极，第二电极基板为第二TFT(T2)的源极；第二TFT(T2)的源极接入Vdd信号，第二TFT(T2)的漏极与发光器件GoLED的漏极相连。第一TFT(T1)用于控制第二TFT(T2)开启状态，第一存储电容(Cs)用于控制T2开启程度进而控制T2的源漏电流大小，T2用于控制GoLED的开启和关闭以及亮暗程度。具体作用过程为：当接入Gate电压信号后，Gate电压信号控制第一TFT(T1)开启，当接入Gamma Data电压信号后，第一TFT(T1)产生漏极电流，因而第二TFT(T1)的栅极电压升高，第二TFT(T1)开启，同时给第一存储电容(Cs)充电。当Gate电压信号控制第一TFT(T1)关闭后，第一存储电容(Cs)具有电压保持功能，能保持第二TFT(T2)的开启状态。GammaData的不同电压决定了第一存储电容(Cs)的充电量(电压)，而第一存储电容(Cs)不同的充电量(电压)决定了第二TFT(T2)的开启状态，从而决定了第二TFT(T2)的漏极电流大小，进而实现对发光器件GoLED的开启、关闭以及发光亮度的控制。
第二功能模块2包括第三TFT(T3)和第二存储电容(Cc)，第三TFT(T3)的栅极接入Color gate电压信号，第三TFT(T3)的漏极接入Color Data电压信号，第三TFT(T3)的源极与第二存储电容(Cc)的第一电极基板连接，且与发光器件GoLED的栅极连接；第二存储电容(Cc)的第一电极基板与所述发光器件GoLED的栅极连接，第二存储电容(Cc)的第二电极基板接地。第三TFT(T3)用于控制第二存储电容(Cc)的充电状态，而第二存储电容主要控制GoLED发光器件的栅极电压，进而控制GoLED的发光颜色。具体的作用过程为：当接入ColorData电压信号后，Color Data电压信号控制第三TFT(T3)开启，接入Color Data电压信号后，第三TFT(T3)产生漏极电流，发光器件GoLED的栅极电压升高，从而发光器件GoLED开启，同时第三TFT(T3)产生的漏极电流给第二存储电容(Cc)充电。当Color Gate电压信号控制第三TFT(T1)关闭后，第二存储电容(Cc)具有电压保持功能，能保持发光器件GoLED的开启状态。Color Data的不同电压信号决定了第二存储电容(Cc)的充电量(电压)，而第二存储电容(Cc)不同的充电量(电压)决定了发光器件GoLED的栅极电压大小，进而实现对发光器件GoLED的发光颜色的控制。
请参阅图2，图2是GoLED的发光区结构示意图，GoLED的工作原理为当电信号输入到发光器件后，使石墨烯/氧化石墨烯(半还原氧化石墨烯)界面产生强电场，空穴在强电场冲击电子，空穴电子在石墨烯量子点中复合发光，通过控制石墨烯/氧化石墨烯间注入的电流量，可以控制复合光子空穴对的数量，即控制光的强度；发光颜色可以通过栅极场强进行静电电场耦合，调制石墨烯费米能级导致电子空穴复合的能量发生变化，通过Eg＝hv可知光谱频率将发生变化，即改变发光颜色。
实施例2
本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
步骤S1：在绝缘衬底上形成第一TFT和第三TFT；
步骤S2：在所述第一TFT的漏极上方形成第一过孔连接电极，在所述第三TFT的源极上方形成第二过孔连接电极；
步骤S3：形成第二TFT的栅极、第二存储电容的第二电极基板和第三过孔连接电极，其中，所述第二TFT的栅极与所述第一TFT的漏极通过第一过孔连接电极连接,所述第三过孔连接电极与所述第二过孔连接电极连接；
步骤S4：形成第三氧化石墨烯层，对所述第三氧化石墨烯层进行刻蚀处理，形成所述第二TFT的有源区填充区和发光器件GoLED的电极区；
步骤S5：形成所述第二TFT的有源层、所述第二TFT的源极以及所述第二TFT的漏极；
步骤S6：形成发光器件GoLED的发光层；
步骤S7：在所述第二存储电容的第二电极基板上方形成第四过孔连接电极，同时形成第五过孔连接电极，所述第五过孔连接电极与所述第三过孔连接电极连接；
步骤S8：形成所述发光器件GoLED的栅极、所述发光器件GoLED的源极以及所述发光器件GoLED的漏极，所述发光器件GoLED的漏极通过第四过孔连接电极与所述第二存储电容的第二电极基板连接，所述发光器件GoLED的栅极通过第二过孔连接电极、第三过孔连接电极以及第五过孔连接电极与所述第三TFT的源极连接；
步骤S9：形成第五氧化石墨烯层，所述第五氧化石墨烯层作为器件保护层以及平坦层。
需要说明的是，发光器件GoLED的制作过程与第二TFT的有源层、第二TFT的源极以及第二TFT的漏极的制备顺序不受限制，即发光器件GoLED的制作步骤S6、步骤S7以及步骤S8可以按顺序在步骤S5之前进行。
在本实施例中，步骤S1“在绝缘衬底上形成第一TFT和第三TFT”，具体包括以下步骤：
步骤S1a：参照图3，在绝缘衬底1上形成第一石墨烯电极层2。
步骤S1b：参照图4，对第一石墨烯电极层进行图案化，进而形成第一TFT的栅极3、第三TFT的栅极4以及栅极走线。
步骤S1c：参照图5，在第一石墨烯电极层上方形成第一氧化石墨烯层5。
步骤S1d：参照图6，对第一氧化石墨烯层5进行刻蚀处理，形成第一TFT的有源区填充区域6、所述第三TFT的有源区填充区域7以及源漏走线预留区。
步骤S1e：参照图7，在第一氧化石墨烯层5上方形成第一A-Si层8。
步骤S1f：参照图8，利用掩模版将非有效填充区域的A-Si刻蚀掉，留下有效填充区的A-Si。具体地：
在第一A-Si层8上旋涂一层光刻胶，利用曝光显影技术将掩模版上的图案转移到光刻胶上，再通过刻蚀工艺将非有效填充区域的A-Si刻蚀掉，留下有效填充区的A-Si。
步骤S1g：参照图9，采用激光技术将有效填充区的A-Si转换为P-Si，进而形成所述第一TFT有源层9和所述第三TFT有源层10。
步骤S1h：参照图10，采用激光技术将源漏走线预留区处的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，进而形成第一TFT的源极11、第一TFT的漏极12、第三TFT的源极13、第三TFT的漏极14以及源漏走线，其中，第一TFT的源极11和第一TFT的漏极12均与第一TFT的有源层9连接，第三TFT的源极13和第三TFT的漏极14均与第三TFT的有源层10连接。
需要说明的是，由所述第三TFT的源极构成了第二存储电容的第一电极基板。
需要说明的是，在绝缘衬底上形成第一TFT和第三TFT的过程中，第一TFT和第三TFT的有源层和源漏电极的制备顺序是不受限制的，即步骤S1h可以在步骤S1d之前进行。
在本实施例中，步骤S2“在第一TFT的漏极上方形成第一过孔连接电极，在第三TFT的源极上方形成第二过孔连接电极”，具体包括以下步骤：
步骤S2a：参照图11，在第一TFT和第三TFT上方形成第二氧化石墨层13。
步骤S2b：参照图12，采用激光技术将第一TFT的漏极上方和第三TFT的源极上方对应的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，形成第一过孔连接电极14和形成第二过孔连接电极15。
在本实施例中，步骤S3“形成第二TFT的栅极、第二存储电容的第二电极基板和第三过孔连接电极，其中,所述第二TFT的栅极与所述第一TFT的漏极通过第一过孔连接电极连接,所述第三过孔连接电极与所述第二过孔连接电极连接”，具体包括以下步骤：
步骤S3a：参照图13，在第二氧化石墨层13上形成第二石墨烯电极层16。
步骤S3b：参照图14，对第二石墨烯电极层16进行刻蚀处理，进而形成第二TFT的栅极17、第二存储电容的第二电极基板18以及第三过孔连接电极19。
在本实施例中，步骤S4“形成第三氧化石墨烯层，对所述第三氧化石墨烯层进行刻蚀处理，形成所述第二TFT的有源区填充区和发光器件GoLED的电极区”，具体包括以下步骤：
步骤S4a：参照图15，形成第三氧化石墨烯层20。
步骤S4b：参照图16，对第三氧化石墨烯层进行刻蚀处理，形成第二TFT的有源区填充区21和发光器件GoLED的电极区22。
在本实施例中，步骤S5“形成第二TFT的有源层、第二TFT的源极以及第二TFT的漏极”，具体包括以下步骤：
步骤S5a：参照图17，在第三氧化石墨烯层20上形成第二A-Si层23。
步骤S5b：参照图18，利用掩模版将非有效填充区域的A-Si刻蚀掉，留下有效填充区域的A-Si。
步骤S5c：参照图19，采用激光技术将有效填充区的A-Si转换为P-Si，进而形成第二TFT的有源层24。
步骤S5d：参照图20，采用激光技术将源漏走线预留区处的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，作为第二TFT的源极25、第二TFT的漏极26以及源漏走线，其中，第二TFT的源极25和第二TFT的漏极26均与第二TFT的有源层24连接。
需要说明的是，其中，第一存储电容的第一电极基板由第二TFT的栅极构成，第一存储电容的第二电极基板为所述第二TFT的源极构成，即第二TFT的栅极、第二TFT的源极以及中间的氧化石墨烯共同构成了第一存储电容。
在本实施例中，步骤S6“形成发光器件GoLED的发光层”，具体包括以下步骤：
参照图21，采用激光技术将在发光器件区域的第三氧化石墨烯层还原成半还原氧化石墨烯形成量子点，进而形成发光器件GoLED的发光层27。
在本实施例中，步骤S7“在所述第二存储电容的第二电极基板上方形成第四过孔连接电极，同时形成第五过孔连接电极，所述第五过孔连接电极与所述第三过孔连接电极连接”，具体包括以下步骤：
参照图22，采用激光技术将第二存储电容的第二电极基板18上方和第三过孔连接电极19上方对应的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，从而形成第四过孔连接电极28和第五过孔连接电极29，其中，第四过孔连接电极28与第二存储电容的第二电极基板18连接，第五过孔连接电极29与第三过孔连接电极19连接。
在本实施例中，步骤S8“形成发光器件GoLED的栅极、发光器件GoLED的源极以及发光器件GoLED的漏极”，具体包括以下步骤：
步骤S8a：参照图23，形成第四氧化石墨烯层30。
步骤S8b：参照图24，对第四氧化石墨烯层30进行刻蚀处理，形成发光器件GoLED的栅极预留区、源极预留区以及漏极预留区。
步骤S8c：参照图25，采用激光技术将栅极预留区、源极预留区以及漏极预留区处对应的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，作为发光器件GoLED的栅极31、发光器件GoLED的源极32以及发光器件GoLED的漏极33。
在本实施例中，步骤S9“形成第五氧化石墨烯层，所述第五氧化石墨烯层作为器件保护层以及平坦层”，所述第五氧化石墨烯层34如图26所示。
以上对本发明实施例提供的显示基板以及制备方法进行了详细介绍，本文中应用的具体个例对本发明的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时，本领域技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (7)

1.一种显示基板，其特征在于,所述显示基板包括数个阵列排布的子像素，所述子像素的结构包括：
发光器件GoLED；
第一功能模块，所述第一功能模块与所述发光器件GoLED的漏极连接，通过控制所述发光器件GoLED的源漏电流，进而控制所述发光器件GoLED的开关状态以及发光亮度；
第二功能模块，所述第二功能模块与所述发光器件GoLED的栅极连接，通过控制所述发光器件GoLED的栅极电压，进而控制所述发光器件GoLED的发光颜色；
其中，所述发光器件GoLED的源极接地；
所述发光器件GoLED的发光结构包括：
绝缘层，所述绝缘层采用氧化石墨烯制成；
发光层，设于所述绝缘层之上，所述发光层采用半还原氧化石墨烯制成；
源漏电极层，设于所述发光层之上，所述源漏电极层采用还原氧化石墨烯制成；
所述第一功能模块包括：第一TFT、第二TFT以及第一存储电容；
所述第一TFT的源极接入Gamma Data电信号；
所述第一TFT的栅极接入Gate电信号；
所述第一TFT的漏极与所述第二TFT的栅极连接，所述第一TFT用于控制所述第二TFT的开关状态；
所述第一存储电容与所述第一TFT的漏极、所述第二TFT的栅极和Vdd走线分别连接，所述第一存储电容用于控制所述第二TFT的源漏电流大小；
所述第二TFT的源极接入Vdd电信号；
所述第二TFT的漏极与所述发光器件GoLED的漏极连接，所述第二TFT用于控制所述发光器件GoLED的开关状态以及发光亮度；
所述第二功能模块包括：第三TFT和第二存储电容；
所述第三TFT的栅极接入Color Gate电信号；
所述第三TFT的漏极接入Color Data电信号；
所述第三TFT的源极与所述第二存储电容的第一电极基板连接，用于控制第二存储电容的充电状态；
所述第二存储电容的第一电极基板与所述发光器件GoLED的栅极连接，用于控制所述发光器件GoLED的栅极电压，进而控制所述发光器件GoLED的发光颜色。
2.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述方法用于制备权利要求1所述的显示基板，所述方法包括：
在绝缘衬底上形成第一TFT和第三TFT；
在所述第一TFT的漏极上方形成第一过孔连接电极，在所述第三TFT的源极上方形成第二过孔连接电极；
形成第二TFT的栅极、第二存储电容的第二电极基板和第三过孔连接电极，其中，所述第二TFT的栅极与所述第一TFT的漏极通过第一过孔连接电极连接,所述第三过孔连接电极与所述第二过孔连接电极连接；
形成第三氧化石墨烯层，对所述第三氧化石墨烯层进行刻蚀处理，形成所述第二TFT的有源区填充区和发光器件GoLED的电极区；
形成所述第二TFT的有源层、所述第二TFT的源极以及所述第二TFT的漏极；
形成发光器件GoLED的发光层；
在所述第二存储电容的第二电极基板上方形成第四过孔连接电极，同时形成第五过孔连接电极，所述第五过孔连接电极与所述第三过孔连接电极连接；
形成所述发光器件GoLED的栅极、所述发光器件GoLED的源极以及所述发光器件GoLED的漏极，所述发光器件GoLED的源极通过第四过孔连接电极与所述第二存储电容的第二电极基板连接，所述发光器件GoLED的栅极通过第二过孔连接电极、第三过孔连接电极以及第五过孔连接电极与所述第三TFT的源极连接；
形成第五氧化石墨烯层，所述第五氧化石墨烯层作为器件保护层以及平坦层。
3.根据权利要求2所述的一种显示基板的制备方法，其特征在于,形成所述第一TFT和所述第三TFT的步骤包括：
在绝缘衬底上形成第一石墨烯电极层；
对所述第一石墨烯电极层进行图案化，进而形成第一TFT的栅极、第三TFT的栅极以及栅极走线；
在所述第一石墨烯电极层上方形成第一氧化石墨烯层，所述第一氧化石墨烯层作为绝缘层；
对所述第一氧化石墨烯层进行刻蚀处理，形成所述第一TFT的有源区填充区域、所述第三TFT的有源区填充区域以及源漏走线预留区；
在所述第一氧化石墨烯层上方形成第一A-Si层；
利用掩模版将非有效填充区域的A-Si刻蚀掉，留下有效填充区的A-Si；
采用激光技术将有效填充区的A-Si转换为P-Si，进而形成所述第一TFT有源层和所述第三TFT有源层；
采用激光技术将源漏走线预留区处的所述氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，进而形成所述第一TFT的源极、所述第一TFT的漏极、所述第三TFT的源极、所述第三TFT的漏极以及源漏走线，其中，所述第一TFT的源极和所述第一TFT的漏极均与所述第一TFT的有源层连接，所述第三TFT的源极和所述第三TFT的漏极均与所述第一TFT的有源层连接。
4.根据权利要求2所述的一种显示基板的制备方法，其特征在于,在所述第一TFT的漏极上方形成第一过孔连接电极，在所述第三TFT的源极上方形成第二过孔连接电极的步骤包括：
在所述第一TFT和所述第三TFT上方形成第二氧化石墨层；
采用激光技术将所述第一TFT的漏极上方和所述第三TFT的源极上方对应的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，形成所述第一过孔连接电极和所述第二过孔连接电极。
5.根据权利要求4所述的一种显示基板的制备方法，其特征在于,形成第二TFT的栅极、第二存储电容的第二电极基板和第三过孔连接电极的步骤包括：
在所述第二氧化石墨层上形成第二石墨烯电极层；
对所述第二石墨烯电极层进行刻蚀处理，进而形成第二TFT的栅极、第二存储电容的第二电极基板以及第三过孔连接电极。
6.根据权利要求2所述的一种显示基板的制备方法，其特征在于,形成所述第二TFT的有源层、所述第二TFT的源极以及所述第二TFT的漏极的步骤包括：
在所述第三氧化石墨烯层上形成第二A-Si层；
利用掩模版将非有效填充区域的A-Si刻蚀掉，留下有效填充区域的A-Si；
采用激光技术将有效填充区的A-Si转换为P-Si，进而形成第二TFT的有源层；
采用激光技术将源漏走线预留区处的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，作为所述第二TFT的源极、所述第二TFT的漏极以及所述源漏走线，其中，所述第二TFT的源极和所述第二TFT的漏极均与第二TFT的有源层连接。
7.根据权利要求2所述的一种显示基板的制备方法，其特征在于,形成所述发光器件GoLED的栅极、所述发光器件GoLED的源极以及所述发光器件GoLED的漏极步骤包括：
形成第四氧化石墨烯层；
对所述第四氧化石墨烯层进行刻蚀处理，形成发光器件GoLED的栅极预留区、源极预留区以及漏极预留区；
采用激光技术将所述栅极预留区、所述源极预留区以及所述漏极预留区处对应的氧化石墨烯还原成还原氧化石墨烯，作为发光器件GoLED的栅极、发光器件GoLED的源极以及发光器件GoLED的漏极。
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