CN110783354A - 太赫兹信号探测器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种太赫兹信号探测器，所述太赫兹信号探测器包括衬底及设置于所述衬底上的太赫兹信号探测像素阵列，所述太赫兹信号探测像素阵列包括多条信号线、多条数据线以及由所述多条信号线和所述多条数据线交叉限定的多个像素单元，每一个所述像素单元包括太赫兹信号接收层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述太赫兹信号接收层电连接，所述薄膜晶体管的漏极与其中一条数据线连接，所述薄膜晶体管的栅极与其中一条信号线连接，所述薄膜晶体管用于将所述太赫兹信号接收层接收的太赫兹信号转换为电信号并输出。本发明通过将TFT作为太赫兹信号的处理电路，从而可以实现百万级像素以上的高分辨率太赫兹成像。

Description

太赫兹信号探测器及其制备方法
技术领域
本发明涉及太赫兹信号探测技术领域，尤其涉及一种太赫兹信号探测器及其制备方法。
背景技术
太赫兹波是指频率范围为0.1THz～10THz的电磁波，相对应的波长范围为3毫米～30微米，介于微波与红外线之间，因此也被称作亚毫米波段或远红外波段。
太赫兹波的以下特点使其具有广阔的应用前景：(1)光子能量低。在太赫兹波的频率范围内，其光子能量处于毫电子伏量级，只有X射线光子能量的百万分之一，而生物大分子自身的振动和转动能级位于太赫兹波段，有机分子之间相互作用会在太赫兹波段呈现强烈的吸收特性，因此，太赫兹波可以应用于生物大分子等物质的活体检测、人体安检等。(2)穿透性强。太赫兹波的波长长于可见光，可以穿透多种材料，例如皮革、塑料、脂肪等，并且其在沙尘、烟雾等环境下传输损耗也远远小于可见光，因此，太赫兹波可以应用于复杂环境下的人员装备探测。(3)宽波段与高分辨率。太赫兹波比微波的频段更宽，具有更大的传输容量，其脉冲宽度可以达到皮秒量级、波长短于微波，因此，太赫兹波可以实现更高的时间和空间分辨率的信号传输。
适用于室温下的太赫兹信号探测器主要是热型探测器。其工作原理是太赫兹信号辐射导致其探测单元温度上升，引起某些可测量的物理特性的变化，通过进一步测量这种变化完成太赫兹信号的探测。这些物理特性可以是电阻、电容、热释电效应和热弹性效应等等。这种热型太赫兹信号探测器最大优点是可以在室温下应用，不需要额外制冷单元，整个成像系统功耗、体积等均较小。目前主要的太赫兹信号探测器均是基于硅基的互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术。由于太赫兹信号的波长介于30微米～3000微米之间，以频率为1THz的太赫兹信号为例，其对应波长为300微米，对应的探测像素的尺寸需要300微米以上。因此，如果要实现1024×1024的分辨率，芯片尺寸需要达到30厘米以上，而现有的CMOS技术无法制备如此大尺寸的单个芯片，从而无法实现高分辨率太赫兹成像。
发明内容
为了解决现有技术的不足，本发明提供一种太赫兹信号探测器，将薄膜晶体管与太赫兹信号接收层结合，利用薄膜晶体管可以实现百万级像素以上的高分辨率太赫兹成像。
本发明提出的具体技术方案为：提供一种太赫兹信号探测器，所述太赫兹信号探测器包括衬底及设置于所述衬底上的太赫兹信号探测像素阵列，所述太赫兹信号探测像素阵列包括多条信号线、多条数据线以及由所述多条信号线和所述多条数据线交叉限定的多个像素单元，每一个所述像素单元包括太赫兹信号接收层和薄膜晶体管(TFT)，所述TFT的源极与所述太赫兹信号接收层电连接，所述TFT的漏极与其中一条数据线连接，所述TFT的栅极与其中一条信号线连接，所述TFT用于将所述太赫兹信号接收层接收的太赫兹信号转换为电信号并输出。
进一步地，所述太赫兹信号接收层包括太赫兹信号转换层、热敏层，所述热敏层设于所述衬底与所述太赫兹信号转换层之间。
进一步地，所述太赫兹信号转换层包括导热层、太赫兹信号吸收层，所述导热层设于所述热敏层与所述太赫兹信号吸收层之间。
进一步地，所述太赫兹信号吸收层包括两层金属层及设于所述两层金属层之间的中间介质层。
进一步地，所述太赫兹信号探测器还包括支撑结构及反射层，所述支撑结构位于所述衬底与所述反射层之间。
进一步地，所述支撑结构为可伸缩结构。
进一步地，所述衬底的导热系数不大于空气的导热系数。
进一步地，所述衬底的导热系数不大于0.1W/(m·K)。
进一步地，所述衬底的材质为聚酰亚胺，所述衬底的厚度不大于100微米。
本发明还提供了一种太赫兹信号探测器的制备方法，所述制备方法包括步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上图案化形成多条信号线、多条数据线以及多个呈阵列设置的TFT，所述多条信号线与所述多条数据线交叉限定多个像素单元，每一个像素单元包括一个TFT，每一个像素单元中的TFT的漏极与其中一条数据线连接，每一个像素单元中的TFT的栅极与其中一条信号线连接；
在所述衬底上图案化形成多个呈阵列设置的太赫兹信号接收层，每一个像素单元包括一个太赫兹信号接收层，所述多个呈阵列设置的太赫兹信号接收层与所述多个呈阵列设置的TFT一一对应，每一个像素单元中的TFT的源极与对应的太赫兹信号接收层电连接。
本发明提供的太赫兹信号探测器包括衬底及设置于所述衬底上的太赫兹信号探测像素阵列，所述太赫兹信号探测像素阵列包括由多条信号线和多条数据线交叉限定的多个呈阵列设置的像素单元，每一个所述像素单元包括太赫兹信号接收层和TFT，所述TFT的源极与所述太赫兹信号接收层电连接，将TFT作为太赫兹信号的处理电路，从而可以实现百万级像素以上的高分辨率太赫兹成像。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为实施例一的太赫兹信号探测器的结构示意图；
图2为图1中像素单元沿A-A向的剖面图；
图3a～3c为实施例一的太赫兹信号探测器的制备方法流程图；
图4a～4c为实施例二的太赫兹信号探测器的制备方法流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，相同的标号将始终被用于表示相同的元件。
本申请提供的太赫兹信号探测器包括衬底及设置于衬底上的太赫兹信号探测像素阵列，太赫兹信号探测像素阵列包括多条信号线、多条数据线以及由所述多条信号线和所述多条数据线交叉限定的多个像素单元，每一个像素单元包括太赫兹信号接收层和TFT。TFT的源极与太赫兹信号接收层电连接，TFT的漏极与其中一条数据线连接，TFT的栅极与其中一条信号线连接，太赫兹信号接收层用于接收太赫兹信号即太赫兹电磁波，TFT用于将太赫兹信号转换为电信号并输出。
本申请中通过将TFT作为太赫兹信号的处理电路，由于TFT可以在数十厘米尺寸的芯片上制备百万级像素单元结构，相对于现有的CMOS技术，可以实现百万级像素以上的高分辨率太赫兹成像。
下面通过几个具体的实施例并结合附图来对本申请中的太赫兹信号探测器的结构进行详细的描述。
实施例一
参照图1～2，本实施例中的太赫兹信号探测器包括衬底1及设置于衬底1上的太赫兹信号探测像素阵列。太赫兹信号探测像素阵列包括多条信号线3、多条数据线4以及由多条信号线3和多条数据线4交叉限定的多个像素单元2，每一个像素单元2包括场TFT 21和太赫兹信号接收层22。TFT 21的源极与太赫兹信号接收层22电连接，TFT 21的栅极与其中一条信号线3连接，TFT 21的漏极与其中一条数据线4连接，太赫兹信号接收层22用于接收太赫兹信号即太赫兹电磁波，TFT21用于将太赫兹信号转换为电信号并输出。
太赫兹信号接收层22在接收到太赫兹信号时温度上升，其物理特性发生变化，其中，物理特性包括电阻、电容、热释电效应和热弹性效应等，本实施例以物理特性为电阻为例，当然，这里仅仅是作为示例示出，并不用于限定，物理特性也可以是电容、热释电效应、热弹性效应等。具体地，太赫兹信号接收层22在接收到太赫兹信号时温度上升，其自身电阻值随着温度的变化而发生变化。
本实施例中位于同一行上的像素单元2中的TFT 21的栅极分别与同一条信号线3连接，位于同一列上的像素单元2中的TFT 21的漏极分别与同一条数据线4连接。具体地，TFT 21的栅极通过信号线3外接直流电压偏置(图未示)，TFT 21的源极与太赫兹信号接收层22电连接，TFT 21的漏极通过数据线4输出一与接收到的太赫兹信号对应的电流信号，较佳地，TFT 21的漏极通过数据线与一读出电路(图未示)连接，太赫兹信号接收层22在接收到太赫兹信号辐射时自身电阻值发生变化，从而造成TFT 21的源极和漏极之间的电压发生变化，最终导致场TFT 21的漏极输出电流的大小发生变化，读出电路根据TFT 21的漏极的输出电流获得探测信号。其中，可以通过将TFT 21的源极与太赫兹信号接收层22直接接触来实现TFT 21与太赫兹信号接收层22的电连接，也可以通过在TFT 21的源极与太赫兹信号接收层22之间设置金属互连线5，通过金属互连线5来实现TFT21与太赫兹信号接收层22的电连接。
本实施例中的每个像素单元互相之间独立输出信号，通过读出电路的选址功能来选择性输出单个像素单元的探测信号，当然，也可以通过读出电路同时选择多个像素单元的探测信号一起输出，这里对多个像素单元的信号输出方式不做限定。
本实施例中的太赫兹信号探测像素阵列中像素单元的个数可以根据分辨率的需求而调整，例如，分辨率设置为a╳b，则太赫兹信号探测像素阵列的大小为a╳b，即像素单元的总数为a╳b。
具体地，太赫兹信号接收层22包括太赫兹信号转换层22a、热敏层22b，热敏层22b设于衬底1与太赫兹信号转换层22a之间。太赫兹信号转换层22a用于接收太赫兹信号并将太赫兹信号转换成热量并使得其自身的温度上升，太赫兹信号转换层22a再将热量传递给热敏层22b。热敏层22b与TFT21的源极电连接，热敏层22b的材质是对温度敏感的材质，因此，热敏层22b的电阻值的大小随着温度的变化而变化，从而造成TFT21的源极和漏极之间的电压发生变化，最终导致TFT21的漏极输出电流的大小发生变化。其中，可以通过将TFT21的源极与热敏层22b直接接触来实现TFT21与热敏层22b的电连接，也可以通过在TFT21的源极与热敏层22b之间设置金属互连线5，通过金属互连线5来实现TFT21与热敏层22b的电连接。
本实施例中的热敏层22b的材质为锗锑碲合金(GST)、氧化钒(VOx)、氧化钛(TiOx)、锆钛酸铅(PZT)、钛酸钡(BaTiO3)、非晶硅热敏电阻材料中的至少一种，即热敏层22b的材质可以是锗锑碲合金(GST)、氧化钒(VOx)、氧化钛(TiOx)、锆钛酸铅(PZT)、钛酸钡(BaTiO3)、非晶硅热敏电阻材料中的一种，也可以是锗锑碲合金(GST)、氧化钒(VOx)、氧化钛(TiOx)、锆钛酸铅(PZT)、钛酸钡(BaTiO3)、非晶硅热敏电阻材料中的至少两种组成的复合材料。当然，这里列举的几种材料仅仅是作为示例示出，不用于限定，只要是对温度敏感的材料均可。
太赫兹信号转换层22a包括导热层220、太赫兹信号吸收层221，导热层220设于热敏层22b与太赫兹信号吸收层221之间。通过太赫兹信号吸收层221可以更好的对太赫兹信号进行吸收并将吸收的太赫兹信号转换成热量，通过导热层220可以更好的将太赫兹信号吸收层221的热量传导至热敏层22b，从而提升了太赫兹信号的检测精度。
导热层220具有较高的热传导率，本实施例中的导热层220的材质为氮化硅(SiNx)、非晶硅(a-Si)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化铁(FeOx)、氧化钛(TiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氮化钛(TiNx)、砷化镓(GaAs)中的至少一种，即导热层220的材质可以为氮化硅(SiNx)、非晶硅(a-Si)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化铁(FeOx)、氧化钛(TiOx)氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氮化钛(TiNx)、砷化镓(GaAs)中的一种，也可以为氮化硅(SiNx)、非晶硅(a-Si)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化铁(FeOx)、氧化钛(TiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氮化钛(TiNx)、砷化镓(GaAs)中的至少两种组成的复合材料。当然，这里列举的几种材料仅仅是作为示例示出，不用于限定，只要是对温度敏感具有较高热传导率的材料均可。
为了进一步提升太赫兹信号的吸收效果，太赫兹信号吸收层221包括两层金属层200及设于两层金属层200之间的中间介质层201。两层金属层200与中间介质层201形成超材料结构，其中，位于中间介质层201的顶部的金属层200用于将位于特定工作频带外的其他波段的太赫兹信号进行反射，位于中间介质层201的底部的金属层200用于将位于特定工作频带内的太赫兹信号进行反射，中间介质层201作为太赫兹信号的吸收调制层。通过调节两个金属层200的形状、导电率以及通过调节中间介质层201的形状、介电常数、厚度，从而来调节整个太赫兹信号吸收层221对太赫兹信号的响应频率、吸收率等，最终获得在特定工作频带下的太赫兹信号的高响应、高吸收效果。
金属层200的材质为铝(Al)、金(Au)、铁(Fe)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、钛钨合金(TiWx)、钨(W)、镍(Ni)、硅化镍(NiSix)、镍铬合金(NiCr)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)中的至少一种，即金属层200的材质可以是铝(Al)、金(Au)、铁(Fe)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、钛钨合金(TiWx)、钨(W)、镍(Ni)、硅化镍(NiSix)、镍铬合金(NiCr)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)中的一种，也可以是铝(Al)、金(Au)、铁(Fe)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、钛钨合金(TiWx)、钨(W)、镍(Ni)、硅化镍(NiSix)、镍铬合金(NiCr)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)中的至少两种组成的复合材料。
中间介质层201的材质为氮化硅(SiNx)、非晶硅(a-Si)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化铁(FeOx)、氧化钛(TiOx)、氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氮化钛(TiNx)、砷化镓(GaAs)中的至少一种，即中间介质层201的材质可以为氮化硅(SiNx)、非晶硅(a-Si)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化铁(FeOx)、氧化钛(TiOx)氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氮化钛(TiNx)、砷化镓(GaAs)中的一种，也可以为氮化硅(SiNx)、非晶硅(a-Si)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化铁(FeOx)、氧化钛(TiOx)氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氮化钛(TiNx)、砷化镓(GaAs)中的至少两种组成的复合材料。
本实施例中衬底1的导热系数不大于空气的导热系数，通过采用导热系数不大于空气的导热系数的热绝缘材料作为太赫兹信号探测器的衬底，从而不需要采用悬空结构，降低了制备难度和制备成本。
具体地，本实施例中的衬底1的导热系数不大于0.02W/(m·K)，较佳地，衬底1的材质为聚酰亚胺，衬底1的厚度不大于100微米。通过将衬底1的材质选为聚酰亚胺可以实现高效隔热的同时实现衬底1的薄型化。本实施例中通过将TFT21作为太赫兹信号的处理电路，由于TFT 21可以实现数十厘米尺寸或更大的面积上制备百万级像素单元的芯片结构，因此，本实施例中的太赫兹信号探测器可以实现高分辨率太赫兹成像，而现有的基于硅基的互补式金属氧化物半导体(CMOS)的探测器由于受到硅基芯片制备工艺的制约，其单个芯片大小无法达到数十厘米尺寸，因此无法在数十厘米尺寸上实现百万级像素以上的高分辨太赫兹成像。此外，本实施例通过采用导热系数不大于空气的导热系数的热绝缘材料作为太赫兹信号探测器的衬底，从而不需要采用悬空结构，降低了制备难度和制备成本。
参照图3a～3c，本实施例还提供了上述太赫兹信号探测器的制备方法，包括步骤：
S1、提供一衬底1，衬底1的导热系数不大于空气的导热系数，其导热系数不大于0.02W/(m·K)，较佳地，衬底1的材质为聚酰亚胺，衬底1的厚度不大于100微米，如图3a所示；
S2、在衬底1上图案化形成多条信号线3、多条数据线4以及多个呈阵列设置的TFT21，多条信号线3与多条数据线4交叉限定多个像素单元2，每一个像素单元2包括一个TFT21，每一个像素单元2中的TFT 21的漏极与其中一条数据线4连接，每一个像素单元2中的TFT 21的栅极与其中一条信号线3连接，如图3b所示，其中，信号线3和数据线4在图3b中未示出；
S3、在衬底1上图案化形成多个呈阵列设置的太赫兹信号接收层22，每一个像素单元2包括一个太赫兹信号接收层22，多个呈阵列设置的太赫兹信号接收层22与多个呈阵列设置的TFT 21一一对应，每一个像素单元2中的TFT 21的源极与对应的太赫兹信号接收层22电连接，即位于同一个像素单元2中的TFT 21的源极与太赫兹信号接收层22电连接，如图3c所示。
在步骤S3中，可以通过将TFT 21的源极与太赫兹信号接收层22直接接触来实现TFT 21与太赫兹信号接收层22的电连接，也可以通过在TFT 21的源极与太赫兹信号接收层22之间设置金属互连线5，通过金属互连线5来实现TFT 21与太赫兹信号接收层22的电连接，即若通过金属互连线5来实现TFT 21与太赫兹信号接收层22的电连接，步骤S2还包括在图案化形成TFT 21的同时图案化形成金属互连线5，如图3b所示。
具体地，步骤S3包括在形成有TFT 21和金属互连线5的衬底1上沉积光刻胶，通过光刻工艺对光刻胶进行刻蚀获得热敏层22b的图案，以刻蚀后的光刻胶为掩模，通过磁控溅射技术沉积热敏材料层，将光刻胶去除，获得热敏层22b，其中，热敏层22b的厚度为100nm，热敏层22b的材质为锗锑碲合金(GST)，热敏层22b通过金属互连线5与TFT 21的源极连接。在热敏层22b上沉积热传导材料层，对热传导材料层进行图案化得到导热层220，导热层220的厚度为200nm，导热层220的材质为氮化硅(SiNx)，导热层220的长度为1～100微米、宽度为1～100微米。依次在导热层220上沉积第一金属材料层、中间介质材料层、第二金属材料层，对第一金属材料层、中间介质材料层、第二金属材料层进行图案化处理得到太赫兹信号吸收层221，其中，太赫兹信号吸收层221包括两层金属层200及位于两层金属层200之间的中间介质层201。两层金属层200的厚度均为50nm，两层金属层200的材质均为铝，中间介质层201的厚度为1000nm，其材质为非晶氮化硅，如图3c所示。
实施例二
参照图4c，本实施例与实施例一的不同之处在于本实施例中的太赫兹信号探测器还包括支撑结构6及反射层7，支撑结构6位于衬底1与反射层7之间。反射层7与衬底1之间形成具有一定距离的微腔结构，该微腔结构作为太赫兹信号探测器的光学谐振腔，从而实现对特定波长的太赫兹信号的探测。
具体地，反射层7包括基板71及设置于基板71表面的金属层72，金属层72位于基板71朝向衬底1的表面上。基板71的材质为玻璃，金属层72的材质为铝，当然，金属层72的材质也可以选为其他具有较高反射率的金属。
反射层7可以将从衬底1直接出射的太赫兹信号反射并依次经过热敏层22b、导热层220后入射至太赫兹信号吸收层221中，从而提升整个太赫兹信号探测器对太赫兹信号的吸收率。
支撑结构6包括多个支柱61，支柱61的数量可以根据实际需要设定，多个支柱61均匀分布于衬底1和反射层7的边缘。
较佳地，本实施例中的支撑结构6为可伸缩结构，可伸缩结构采用现有的可伸缩部件。可伸缩结构可以使得衬底1与反射层7之间的距离在10～1000微米之间调整，通过采用可伸缩结构可以形成腔长可调的微腔结构，从而实现对不同波长的太赫兹信号的探测。
参照图4a～4c，本实施例中的太赫兹信号探测器的制备方法与实施例一的不同之处在于还包括：
步骤S4、在基板71上沉积金属层72，如图4a所示；
步骤S5、在金属层72上制备支撑结构6，如图4b所示；
步骤S6、将实施例一中步骤S3中获得的形成有信号线3、数据线4、TFT 21以及太赫兹信号接收层22的衬底1与支撑结构6固定，获得本实施例中的太赫兹信号探测器，如图4c所示。
具体地，在步骤S4中，基板71的材质为玻璃，金属层72的材质为铝，在10cm╳10cm大小的玻璃基底上利用真空热蒸镀技术沉积一层厚度为1000nm的金属Al作为金属层72，在玻璃基底边缘粘贴宽度为5mm、厚度为10～1000微米的胶条作为支撑结构6，将步骤S3中获得的形成有信号线3、数据线4、TFT 21以及太赫兹信号接收层22的衬底1与支撑结构6固定，使得反射层7与衬底1之间形成10～1000微米的微腔作为太赫兹信号探测器的光学谐振腔，从而实现对特定波长的太赫兹信号的探测。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种太赫兹信号探测器，其特征在于，所述太赫兹信号探测器包括衬底及设置于所述衬底上的太赫兹信号探测像素阵列，所述太赫兹信号探测像素阵列包括多条信号线、多条数据线以及由所述多条信号线和所述多条数据线交叉限定的多个像素单元，每一个所述像素单元包括太赫兹信号接收层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述太赫兹信号接收层电连接，所述薄膜晶体管的漏极与其中一条数据线连接，所述薄膜晶体管的栅极与其中一条信号线连接，所述薄膜晶体管用于将所述太赫兹信号接收层接收的太赫兹信号转换为电信号并输出。
2.根据权利要求1所述的太赫兹信号探测器，其特征在于，所述太赫兹信号接收层包括太赫兹信号转换层、热敏层，所述热敏层设于所述衬底与所述太赫兹信号转换层之间。
3.根据权利要求2所述的太赫兹信号探测器，其特征在于，所述太赫兹信号转换层包括导热层、太赫兹信号吸收层，所述导热层设于所述热敏层与所述太赫兹信号吸收层之间。
4.根据权利要求3所述的太赫兹信号探测器，其特征在于，所述太赫兹信号吸收层包括两层金属层及设于所述两层金属层之间的中间介质层。
5.根据权利要求1所述的太赫兹信号探测器，其特征在于，所述太赫兹信号探测器还包括支撑结构及反射层，所述支撑结构位于所述衬底与所述反射层之间。
6.根据权利要求5所述的太赫兹信号探测器，其特征在于，所述支撑结构为可伸缩结构。
7.根据权利要求1～6任一项所述的太赫兹信号探测器，其特征在于，所述衬底的导热系数不大于空气的导热系数。
8.根据权利要求7所述的太赫兹信号探测器，其特征在于，所述衬底的导热系数不大于0.1W/(m·K)。
9.根据权利要求8所述的太赫兹信号探测器，其特征在于，所述衬底的材质为聚酰亚胺，所述衬底的厚度不大于100微米。
10.一种太赫兹信号探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上图案化形成多条信号线、多条数据线以及多个呈阵列设置的薄膜晶体管，所述多条信号线与所述多条数据线交叉限定多个像素单元，每一个像素单元包括一个薄膜晶体管，每一个像素单元中的薄膜晶体管的漏极与其中一条数据线连接，每一个像素单元中的薄膜晶体管的栅极与其中一条信号线连接；
在所述衬底上图案化形成多个呈阵列设置的太赫兹信号接收层，每一个像素单元包括一个太赫兹信号接收层，所述多个呈阵列设置的太赫兹信号接收层与所述多个呈阵列设置的薄膜晶体管一一对应，每一个像素单元中的薄膜晶体管的源极与对应的太赫兹信号接收层电连接。
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