CN110771302A - 一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法 - Google Patents

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赵孟良
钟启文
任延靖
李莉
田闵玉
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    • AHUMAN NECESSITIES
    • A01AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01CPLANTING; SOWING; FERTILISING
    • A01C1/00Apparatus, or methods of use thereof, for testing or treating seed, roots, or the like, prior to sowing or planting

Abstract

本发明公开了一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,包括如下步骤:步骤一,块茎处理切块;步骤二,赤霉素浸泡;步骤三,混合溶液制备;步骤四,浸泡培养处理;步骤五,温室培养;选择带芽眼且并无损伤、腐烂的菊芋块茎,用清水冲洗干净,然后放在干燥遮阳处晾干表面水分,将晾干后的菊芋块茎切成小块,每块带单一芽眼,切块应纵切,从头部向脐部切,小块茎一切为二,中等块茎切为四块,较大块茎先纵向切成两大块,然后再从脐部芽眼切块;称取一定量的赤霉素溶液,加入少量酒精进行溶解,然后加入蒸馏水进行稀释至所需浓度;本发明,极大缩短菊芋块茎萌发的时间,苗期长势较好,出面率高。

Description

一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法
技术领域
本发明涉及农业技术领域,具体为一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法。
背景技术
菊芋是多年生草本植物,高1-3米,有块状的地下茎及纤维状根,菊芋块茎收获后即进入休眠,在科研及小规模生产上通过采用赤霉素浸泡的方法打破休眠后进行研究或生产,但一般菊芋块茎从打破休眠到萌发这段过程需要10-15天的时间,时间间隔较长,势必会影响科研及农业进程,因此,设计一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法是很有必要的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,包括如下步骤:步骤一,块茎处理切块;步骤二,赤霉素浸泡;步骤三,混合溶液制备;步骤四,浸泡培养处理;步骤五,温室培养;
其中在上述的步骤一中,选择带芽眼且并无损伤、腐烂的菊芋块茎,用清水冲洗干净,然后放在干燥遮阳处晾干表面水分,将晾干后的菊芋块茎切成小块,每块带单一芽眼,切块应纵切,从头部向脐部切,小块茎一切为二,中等块茎切为四块,较大块茎先纵向切成两大块,然后再从脐部芽眼切块;
其中在上述的步骤二中,称取一定量的赤霉素溶液,加入少量酒精进行溶解,然后加入蒸馏水进行稀释至所需浓度,将小块的菊芋块茎放入赤霉素溶液中浸泡10min,取出用纱布吸干表面溶液,用保鲜袋包裹后置于25℃环境下培养24h;
其中在上述的步骤三中,配备0.5-1mg/kg的三十烷醇溶液,同时配备20-25ppm萘乙酸钠溶液,按照三十烷醇溶液和萘乙酸钠溶液重量比为1∶1放入搅拌容器中充分混合搅拌,制得混合溶液;
其中在上述的步骤四中,将保鲜袋包裹后培养的小块菊芋块茎取出,放入在混合溶液中继续浸泡4h,然后将小块菊芋块茎放在育苗盘上,将育苗盘错开摞放在催芽室的育苗盘架上,培养24h,保证培养适宜的温湿度条件;
其中在上述的步骤五中,将培养后的块茎小块放在温室大棚中继续培养,实行双行播种培养,培养前先在温室大棚内开挖10cm左右深的沟,施足底肥,浇足水,水下渗后进行培养,每铺一层块茎小块撒一层湿沙,铺3-5层块茎小块,最后上面盖草苫或麻袋保湿,最后盖土封沟,同时保证培养块茎小块之间的距离,在温室大棚培养期间,定期喷洒催芽生根剂,促进生长,提高成活率,待出苗率达到50%以上时,及时将草苫或麻袋移出,进行引苗,经5-7天,芽长达0.5cm左右后即可炼芽播种。
根据上述技术方案,所述步骤一中,菊芋块茎小块重量为3-5g,切刀一定要用酒精消毒一次。
根据上述技术方案,所述步骤二中,稀释好的赤霉素溶液浓度为10mg/L。
根据上述技术方案,所述步骤二中,赤霉素溶液在使用的时候,最好避开有强光的中午,以免造成药效不强,进行兑好的赤霉素溶液需要立即使用掉,防止时间长了以后药水失效。
根据上述技术方案,所述步骤四中,催芽室由双层砖墙建成,中间填充无机隔热材料,同时配备暖气加温设备、电热加温设备和电扇,另外催芽室中应配备水源,当苗盘缺水时能够及时浇水,地面上也应经常洒水,以保持较高的空气湿度。
根据上述技术方案,所述步骤五中,封沟时不易将沟封平,可封到沟深的2/3处。
根据上述技术方案,所述步骤五中,保证温室大棚培养条件为温度16-20℃,湿度70%-75%。
根据上述技术方案,所述步骤五中,炼芽时将小块置于室内散光处摊晾4-6h,当芽长达到0.5-1cm时,将带芽块茎置于室内散射光下使芽变绿。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:通过赤霉素溶液浸泡带单一芽眼的菊芋块茎小块,充分打破休眠组织,通过保鲜袋包裹培养促进块茎对赤霉素的吸收,大幅度的促进块茎发芽,通过三十烷醇溶液与块茎中有类赤霉素作用的物质相互作用,迅速打破休眠,促进块茎提早萌动发芽,通过萘乙酸钠溶液使块茎细胞壁疏松,增强可塑性,增加细胞的渗透性,增加吸水能力,促进了块茎发芽时有机物质的转化,促进新根、新芽的产生,促进蛋白质、核酸等物质的合成,为发芽、发根提供物质基础,通过催芽室进行催芽处理,然后通过温室大棚进行培养,混沙保湿继续催芽出苗,保证培养间距和水肥,同时定期喷洒催芽生根剂,实现快速萌发出苗,5-7天可以发芽,且苗期长势较好,出面率达95%以上。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明的方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:
一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,包括如下步骤:步骤一,块茎处理切块;步骤二,赤霉素浸泡;步骤三,混合溶液制备;步骤四,浸泡培养处理;步骤五,温室培养;
其中在上述的步骤一中,选择带芽眼且并无损伤、腐烂的菊芋块茎,用清水冲洗干净,然后放在干燥遮阳处晾干表面水分,将晾干后的菊芋块茎切成小块,每块带单一芽眼,切块应纵切,从头部向脐部切,小块茎一切为二,中等块茎切为四块,较大块茎先纵向切成两大块,然后再从脐部芽眼切块,步骤一中,菊芋块茎小块重量为3-5g,切刀一定要用酒精消毒一次;
其中在上述的步骤二中,称取一定量的赤霉素溶液,加入少量酒精进行溶解,然后加入蒸馏水进行稀释至所需浓度,将小块的菊芋块茎放入赤霉素溶液中浸泡10min,取出用纱布吸干表面溶液,用保鲜袋包裹后置于25℃环境下培养24h,步骤二中,稀释好的赤霉素溶液浓度为10mg/L;步骤二中,赤霉素溶液在使用的时候,最好避开有强光的中午,以免造成药效不强,进行兑好的赤霉素溶液需要立即使用掉,防止时间长了以后药水失效;
其中在上述的步骤三中,配备0.5-1mg/kg的三十烷醇溶液,同时配备20-25ppm萘乙酸钠溶液,按照三十烷醇溶液和萘乙酸钠溶液重量比为1∶1放入搅拌容器中充分混合搅拌,制得混合溶液;
其中在上述的步骤四中,将保鲜袋包裹后培养的小块菊芋块茎取出,放入在混合溶液中继续浸泡4h,然后将小块菊芋块茎放在育苗盘上,将育苗盘错开摞放在催芽室的育苗盘架上,培养24h,保证培养适宜的温湿度条件,步骤四中,催芽室由双层砖墙建成,中间填充无机隔热材料,同时配备暖气加温设备、电热加温设备和电扇,另外催芽室中应配备水源,当苗盘缺水时能够及时浇水,地面上也应经常洒水,以保持较高的空气湿度;
其中在上述的步骤五中,将培养后的块茎小块放在温室大棚中继续培养,实行双行播种培养,培养前先在温室大棚内开挖10cm左右深的沟,施足底肥,浇足水,水下渗后进行培养,每铺一层块茎小块撒一层湿沙,铺3-5层块茎小块,最后上面盖草苫或麻袋保湿,最后盖土封沟,步骤五中,封沟时不易将沟封平,可封到沟深的2/3处;同时保证培养块茎小块之间的距离,在温室大棚培养期间,定期喷洒催芽生根剂,促进生长,提高成活率,待出苗率达到50%以上时,及时将草苫或麻袋移出,进行引苗,经5-7天,芽长达0.5cm左右后即可炼芽播种,步骤五中,保证温室大棚培养条件为温度16-20℃,湿度70%-75%;步骤五中,炼芽时将小块置于室内散光处摊晾4-6h,当芽长达到0.5-1cm时,将带芽块茎置于室内散射光下使芽变绿。
基于上述,本发明的优点在于,本发明,通过赤霉素溶液浸泡带单一芽眼的菊芋块茎小块,充分打破休眠组织,通过保鲜袋包裹培养促进块茎对赤霉素的吸收,大幅度的促进块茎发芽,通过三十烷醇溶液与块茎中有类赤霉素作用的物质相互作用,迅速打破休眠,促进块茎提早萌动发芽,通过萘乙酸钠溶液使块茎细胞壁疏松,增强可塑性,增加细胞的渗透性,增加吸水能力,促进了块茎发芽时有机物质的转化,促进新根、新芽的产生,促进蛋白质、核酸等物质的合成,为发芽、发根提供物质基础,通过催芽室进行催芽处理,然后通过温室大棚进行培养,混沙保湿继续催芽出苗,保证培养间距和水肥,同时定期喷洒催芽生根剂,实现快速萌发出苗,5-7天可以发芽,且苗期长势较好,出面率达95%以上。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,包括如下步骤:步骤一,块茎处理切块;步骤二,赤霉素浸泡;步骤三,混合溶液制备;步骤四,浸泡培养处理;步骤五,温室培养;其特征在于:
其中在上述的步骤一中,选择带芽眼且并无损伤、腐烂的菊芋块茎,用清水冲洗干净,然后放在干燥遮阳处晾干表面水分,将晾干后的菊芋块茎切成小块,每块带单一芽眼,切块应纵切,从头部向脐部切,小块茎一切为二,中等块茎切为四块,较大块茎先纵向切成两大块,然后再从脐部芽眼切块;
其中在上述的步骤二中,称取一定量的赤霉素溶液,加入少量酒精进行溶解,然后加入蒸馏水进行稀释至所需浓度,将小块的菊芋块茎放入赤霉素溶液中浸泡10min,取出用纱布吸干表面溶液,用保鲜袋包裹后置于25℃环境下培养24h;
其中在上述的步骤三中,配备0.5-1mg/kg的三十烷醇溶液,同时配备20-25ppm萘乙酸钠溶液,按照三十烷醇溶液和萘乙酸钠溶液重量比为1∶1放入搅拌容器中充分混合搅拌,制得混合溶液;
其中在上述的步骤四中,将保鲜袋包裹后培养的小块菊芋块茎取出,放入在混合溶液中继续浸泡4h,然后将小块菊芋块茎放在育苗盘上,将育苗盘错开摞放在催芽室的育苗盘架上,培养24h,保证培养适宜的温湿度条件;
其中在上述的步骤五中,将培养后的块茎小块放在温室大棚中继续培养,实行双行播种培养,培养前先在温室大棚内开挖10cm左右深的沟,施足底肥,浇足水,水下渗后进行培养,每铺一层块茎小块撒一层湿沙,铺3-5层块茎小块,最后上面盖草苫或麻袋保湿,最后盖土封沟,同时保证培养块茎小块之间的距离,在温室大棚培养期间,定期喷洒催芽生根剂,促进生长,提高成活率,待出苗率达到50%以上时,及时将草苫或麻袋移出,进行引苗,经5-7天,芽长达0.5cm左右后即可炼芽播种。
2.根据权利要求1所述的一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,其特征在于:所述步骤一中,菊芋块茎小块重量为3-5g,切刀一定要用酒精消毒一次。
3.根据权利要求1所述的一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,其特征在于:所述步骤二中,稀释好的赤霉素溶液浓度为10mg/L。
4.根据权利要求1所述的一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,其特征在于:所述步骤二中,赤霉素溶液在使用的时候,最好避开有强光的中午,以免造成药效不强,进行兑好的赤霉素溶液需要立即使用掉,防止时间长了以后药水失效。
5.根据权利要求1所述的一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,其特征在于:所述步骤四中,催芽室由双层砖墙建成,中间填充无机隔热材料,同时配备暖气加温设备、电热加温设备和电扇,另外催芽室中应配备水源,当苗盘缺水时能够及时浇水,地面上也应经常洒水,以保持较高的空气湿度。
6.根据权利要求1所述的一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,其特征在于:所述步骤五中,封沟时不易将沟封平,可封到沟深的2/3处。
7.根据权利要求1所述的一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,其特征在于:所述步骤五中,保证温室大棚培养条件为温度16-20℃,湿度70%-75%。
8.根据权利要求1所述的一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,其特征在于:所述步骤五中,炼芽时将小块置于室内散光处摊晾4-6h,当芽长达到0.5-1cm时,将带芽块茎置于室内散射光下使芽变绿。
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