CN110767966A - 一种双模谐振结构及滤波器 - Google Patents
一种双模谐振结构及滤波器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110767966A CN110767966A CN201911058591.7A CN201911058591A CN110767966A CN 110767966 A CN110767966 A CN 110767966A CN 201911058591 A CN201911058591 A CN 201911058591A CN 110767966 A CN110767966 A CN 110767966A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- edge
- dielectric
- coupling window
- dual
- dielectric block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/2002—Dielectric waveguide filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
- H01P7/105—Multimode resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种双模谐振结构及滤波器,包括至少一个介质块,所述介质块为长方体,所述介质块的长、宽和高分别对应第一棱边、第二棱边和第三棱边;所述第一棱边的长度大于第二棱边的长度,所述第一棱边的长度大于第三棱边的长度,第二棱边的长度和第三棱边的长度相等或近似;所述介质块中至少一个第一棱边被切除;所述介质块表面镀有金属层,所述介质块与所述第一棱边平行或重合的面上开设有至少一个第一耦合窗口,以漏出所述介质块。通过介质块长宽高的关系,实现基模双模。通过棱边开切角,实现介质块双模耦合。在介质块表面镀金属层,介质块一面开设有平行于该开槽的耦合窗口,实现两个介质块之间的耦合。
Description
技术领域
本发明实施例涉及滤波器技术领域,尤其涉及一种双模谐振结构及滤波器。
背景技术
介质谐振器最早可追溯到上个世纪三十年代末,但是由于当时的工艺和技术水平较低,未能研制出在微波频段下损耗足够小的高介电常数材料,因而介质谐振器未能得到推广和应用。直到六十年代,由于材料科学和技术的进展,研制出低损耗、高介电常数的微波介质材料已成为可能。同时由于空间技术的发展,对电子设备的高可靠性和小型化的要求日益迫切。因此,对介质谐振器的研究又重新活跃了起来。在七十年代,美国和日本等国先后研制成功了几种满足性能要求的陶瓷介质系列材料。从此,介质谐振器才真正作为一种新的微波元件运用到微波电路中。如今,介质谐振器凭借其高Qu,小体积和优异温度稳定性的优势,已广泛应用于各种射频应用中,如滤波器和天线等。
介质谐振器的主要性能优点是结构相对简单,体积较小,Q值高,成本较低,更突出的表现是频率稳定度高,易于进行机械调节或电源电压控制调谐,并且在1到几十GHz的频率区间内,可以直接产生所需固定频率的振荡而无需倍频。介质谐振器有多种谐振模式,介质谐振器不同模式的谐振频率与介质的结构有关,合理设计尺寸,则介质谐振器会有两个或三个模式的频率接近,有两个谐振频率接近模式的介质谐振器,可以用作双模滤波器。
矩形双模介质谐振器是利用表面镀银正方形介质波导中的两个正交简并模相互进行耦合来实现,在没有微扰的情况下,两个简并模没有耦合,只有电磁场进行扰动,才能使得两个简并模发生耦合,从而产生滤波器特征。
现有技术中,为了降低体积,一般采用高次双模进行滤波器设计,这种滤波器因较薄导致单腔Q值较低,从而滤波器的插损较大,同时因采用的是高次双模,而更低频率的基模会在通带左边产生谐振峰,从而使带外抑制变差甚至不满足滤波器的使用要求。
发明内容
本发明实施例提供一种双模谐振结构及滤波器,用以解决现有双模滤波器技术中因较薄导致单腔Q值较低,从而滤波器的插损较大,同时因采用的是高次双模,而更低频率的基模会在通带左边产生谐振峰,从而使带外抑制变差甚至不满足滤波器的使用要求的问题。
第一方面,本发明实施例提供一种双模谐振结构,包括至少一个介质块,所述介质块为长方体,所述介质块的长、宽和高分别对应第一棱边、第二棱边和第三棱边;所述第一棱边的长度大于第二棱边的长度,所述第一棱边的长度大于第三棱边的长度,第二棱边的长度和第三棱边的长度相等或近似;
所述介质块中至少一个第一棱边被切除;所述介质块表面镀有金属层,所述介质块与所述第一棱边平行或重合的面上开设有至少一个第一耦合窗口,以漏出所述介质块。
作为优选的,所述介质块被切除第一棱边后形成的区域表面平行于所述第一棱边。
作为优选的,所述介质块还包括至少一个第二耦合窗口,所述第二耦合窗口与所述第一耦合窗口平行或相交。
作为优选的,所述第一耦合窗口的长度小于所述第一棱边的长度;所述第一耦合窗口的宽度小于第二棱边的长度,和/或所述第一耦合窗口的宽度小于第三棱边的长度。
作为优选的,所述双模谐振结构包括至少两个介质块,且相邻的两介质块间的第一耦合窗口对应对接;或
所述双模谐振结构包括至少两个介质块,相邻的两介质块间的第一耦合窗口和第二耦合窗口分别对应对接。
作为优选的,所述双模谐振结构包括至少三个介质块,且相邻的两介质块间的第一耦合窗口对应对接;或
所述双模谐振结构包括至少三个介质块,且相邻的两介质块间的第一耦合窗口和第二耦合窗口分别对应对接。
作为优选的,相邻且连接的两个介质块间的所述第一耦合窗口和/或第二耦合窗口大小相等或不相等。
第二方面,本发明实施例提供一种滤波器,包括如本发明第一方面实施例所述的双模谐振结构。
本发明实施例提供的一种双模谐振结构及滤波器,通过介质块长宽高的关系,实现基模双模;通过棱边开切角,实现介质块双模耦合;在介质块表面镀金属层,介质块一面开设有平行于该开槽的耦合窗口,实现两个介质块之间的耦合;解决现有双模滤波器技术中因较薄导致单腔Q值较低,从而滤波器的插损较大,同时因采用的是高次双模,而更低频率的基模会在通带左边产生谐振峰,从而使带外抑制变差甚至不满足滤波器的使用要求的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为根据本发明实施例的单个介质块结构示意图;
图2为根据本发明实施例中的第一耦合窗口和第二耦合窗口平行示意图;
图3为根据本发明实施例中的第一耦合窗口和第二耦合窗口相交示意图;
图4为根据本发明实施例中的几种切角方式示意图;
图5为根据本发明实施例中的切角位置示意图;
图6为根据本发明实施例中的两个介质块拼接示意图;
图7为根据本发明实施例中的三个介质块拼接示意图;
图8为根据本发明实施例中的四个介质块一种拼接方式示意图;
图9为根据本发明实施例中的四个介质块另一种拼接方式示意图;
图10为根据本发明实施例中的四个介质块又一种拼接方式示意图;
图11为根据本发明实施例的四个介质块拼接后仿真曲线。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
介质谐振器的主要性能优点是结构相对简单,体积较小,Q值高,成本较低,更突出的表现是频率稳定度高和相位噪声低,易于进行机械调节或电源电压控制调谐,并且在1到几十GHz的频率区间内,可以直接产生所需固定频率的振荡而无需倍频。介质谐振器有多种谐振模式,介质谐振器不同模式的谐振频率与介质的结构有关,合理设计尺寸,则介质谐振器会有两个或三个模式的频率接近,有两个谐振频率接近模式的介质谐振器,可以用作双模滤波器,有三个谐振频率接近模式的介质谐振器,可用作三模滤波器。
矩形双模介质谐振器是利用表面镀银正方形介质波导中的两个正交简并模相互进行耦合来实现,在没有微扰的情况下,两个简并模没有耦合,只有电场进行扰动,才能使得两个简并模发生耦合,从而产生滤波器特征。
现有技术中,为了降低体积,一般采用高次双模进行滤波器设计,这种滤波器因较薄导致单腔Q值较低,从而滤波器的插损较大,同时因采用的是高次双模,而更低频率的基模会在通带左边产生谐振峰,从而使带外抑制变差甚至不满足滤波器的使用要求。
因此,本发明实施例提供的一种双模谐振结构及滤波器,通过介质块长宽高的关系,实现基模双模;通过棱边开切角,实现介质块双模耦合。在介质块表面镀金属层,介质块一面开设有平行于该开槽的耦合窗口,实现两个介质块之间的耦合;解决现有双模滤波器技术中因较薄导致单腔Q值较低,从而滤波器的插损较大,同时因采用的是高次双模,而更低频率的基模会在通带左边产生谐振峰,从而使带外抑制变差甚至不满足滤波器的使用要求的问题。以下将通过多个实施例进行展开说明和介绍。
图1为本发明实施例提供的一种双模谐振结构,包括至少一个介质块1,所述介质块1为长方体,所述介质块1的长、宽和高分别对应第一棱边、第二棱边和第三棱边(在本实施例中,由于介质块为长方体,因此,长宽高对应的第一棱边、第二棱边和第三棱边都包括4个);所述第一棱边的长度大于第二棱边的长度,所述第一棱边的长度大于第三棱边的长度,第二棱边的长度和第三棱边的长度相等或近似;
所述介质块1中至少一个第一棱边被切除,如图1中对应的切除部分11,一条第一棱边被切除;所述介质块1表面镀有金属层,所述介质块1中至少一个与所述第一棱边平行或重合的面上开设有第一耦合窗口12,以漏出所述介质块1。
通过介质块长宽高的关系,实现基模双模;通过棱边开切角,实现介质块双模耦合。在介质块表面镀金属层,介质块一面开设有平行于该开槽的耦合窗口,实现两个介质块之间的耦合;解决现有双模滤波器技术中因较薄导致单腔Q值较低,从而滤波器的插损较大,同时因采用的是高次双模,而更低频率的基模会在通带左边产生谐振峰,从而使带外抑制变差甚至不满足滤波器的使用要求的问题。
在本实施例中,作为一种优选的实施方式,通过在长方体的介质块1的一边切角,即如图1中切除部分11,实现基模双模之间的耦合,在本实施例中,如图1中所示,介质块1的长、宽和高分别为a、b和c,分别对应第一棱边、第二棱边和第三棱边,其中第二棱边和第三棱边的长度相等或近似,即0≤∣b-c∣≤1mm,或若b≤c,则0.9≤b/c≤1,若b≥,则0.9≤c/b≤1。
在上述各实施例的基础上,作为又一种优选的实施方式,c/b=0.95或b/c=0.95.
在本实施例中,作为一种优选的实施方式,1.5b<a,且1.5c<a,以使高次谐波远些。
在上述各实施例的基础上,作为又一种优选的实施方式,3b<a,且3c<a,以使高次谐波更远。
在本实施例中,作为一种优选的实施方式,在长方体的介质块中,至少一个第一棱边被切除,即延第一棱边平行方向对介质块进行切角,该切除部分11的形状不做要求,切除后的该介质块在该区域可以为内凹形状,也可以为平切,如图4中所示,为本发明实施例提供的三种切角方式,除本发明实施例中提到的该三种方式外,还有其他切角形状,本实施例中不一一列举。
在上述实施例的基础上,作为另一种优选的实施方式,介质块1的两条第一棱边被切角,切角的形状相同或不相同,即延第一棱边平行方向对介质块1进行切角,该切除部分11的形状不做要求,切除后的该介质块在该区域可以为内凹形状,也可以为平切;在本实施例中,被切除的第一棱边可以介质块中相邻的两条第一棱边,也可以为不相邻的第一棱边;如图5中所示,为本发明实施例方法下的两个切角的几种切角位置,其切角方式也可以选择平切或内凹,或者不同切角方式组合。
在上述实施例的基础上,作为另一种优选的实施方式,介质块1的三条第一棱边被切角,切角的形状相同或不相同,即延第一棱边平行方向对介质块1进行切角,该切除部分11的形状不做要求,切除后的该介质块在该区域可以为内凹形状,也可以为平切。
在上述实施例的基础上,作为另一种优选的实施方式,介质块1的四条第一棱边被切角,切角的形状相同或不相同,即延第一棱边平行方向对介质块1进行切角,该切除部分11的形状不做要求,切除后的该介质块在该区域可以为内凹形状,也可以为平切。
在本实施例中,作为一种优选的实施方式,在该长方体的介质块中,还开设有第一耦合窗口12,该第一耦合窗口12平行于被切角的第一棱边,以供不同的介质块1拼接。
在上述实施例的基础上,所述介质块1被切除的第一棱边后形成的区域表面平行于所述第一棱边。
在其他实施例中,所述介质块1被切除的第一棱边后形成的区域表面也可以不平行于所述第一棱边。
在本实施例中,作为一种优选的实施方式,被切除的第一棱边后形成的区域表面平行于第一棱边,如上述实施例中所述,切除后的该介质块在该区域可以为内凹形状,也可以为平切。
在上述各实施例的基础上,如图2和图3中所示,还包括第二耦合窗口13,所述第二耦合窗口13与所述第一耦合窗口12平行或相交。
在本实施例中,作为一种优选的实施方式,在第一耦合窗口12对应的面上还开设有第二耦合窗口13,具体的,该第二耦合窗口13与第一耦合窗口12平行或相交,在第一耦合窗口12和第二耦合窗口13相交时,可以产生零点。
在本实施例中,上述的第一耦合窗口12和第二耦合窗口13相交包括两种情况,即由于介质块的面的限制,以及第一耦合窗口12和第二耦合窗口13长度的限制,使得第一耦合窗口12和第二耦合窗口13在不平行时有两种情况,第一种情况是第一耦合窗口12和第二耦合窗口13在介质块的面上相互交叉,第二种情况是第一耦合窗口12和第二耦合窗口13在介质块的面不交叉,但是若双向延长第一耦合窗口12和第二耦合窗口13,则第一耦合窗口12和第二耦合窗口13在介质块外存在交叉点。
在上述各实施例的基础上,所述第一耦合窗口12的长度小于所述第一棱边的长度;所述第一耦合窗口12的宽度远小于第二棱边的长度,或所述第一耦合窗口12的宽度远小于第三棱边的长度。
在本实施例中,作为一种优选的实施方式,为了使耦合效果更好,第一耦合窗口12的长度l<a,且第一耦合窗口的宽度h远小于b/c,即h<0.5b,或h<0.5c。
在上述各实施例的基础上,作为又一种优选的实施方式,h<0.4b或h<0.4c。
在上述各实施例的基础上,作为又一种优选的实施方式,h<0.3b或h<0.3c。
在上述各实施例的基础上,作为又一种优选的实施方式,h<0.2b或h<0.2c。
在上述各实施例的基础上,长边大于两短边,两短边近似,形成基模双模;通带低端不会有谐振峰,一个介质块抵两个介质块;在耦合窗口面积大小相同的情况下,本实施例中取窗口宽度窄、长度大,以使带外抑制更佳。
在上述各实施例的基础上,细长结构的耦合使得带外抑制变好,与网络综合的理论值接近,否则与网络综合的理论值相关较远。
在本实施例中,作为一种优选的实施方式,由于该介质块1表面镀有金属层,如银层,因此开设的第一耦合窗口12的深度需要大于或等于金属层的厚度,以使介质块能够漏出,方面耦合窗口拼接/对接。
在上述各实施例的基础上,所述介质块1至少包括两个,且相邻的两介质块间的第一耦合窗口相互对接;或
所述介质块至少包括两个,相邻的两介质块间的第一耦合窗口和第二耦合窗口相互对接/拼接。
在本实施例中,作为一种优选的实施方式,介质块至少包括两个,至少两个所述介质块1中,相邻的两个介质块1的第一耦合窗口12相互对接/拼接,以实现相邻两个介质块1的拼接,其中由于第一耦合窗口12的对应区域未金属化,即未镀金属层,因此能够实现介质块1之间的传递;如图6中所示,若只有两个介质块,则该两个介质块除了通过第一耦合窗口拼接外,还分别设有输入端、输出端,图中两个介质块之间的黑色填充区域仅为第一耦合窗口12对接的示意图,图中箭头分别表示输入、输出,在本实施例中,图中的虚线内的部分表示为介质块,虚线与实线之间的区域为金属镀层,当然其只是示意图,目的是为了方便直观表达,对其中局部进行了放大化处理,如耦合窗口宽度、金属镀层厚度,因此图中尺寸、比例并不代表实际产品的尺寸、比例;作为输入、输出的介质块上分别设有输入端口和输出端口。或者
在本实施例中,作为另一种优选的实施方式,介质块至少包括两个,相邻的两个介质块的第一耦合窗口和第二耦合窗口相互对接,以实现相邻两个介质块的拼接,其中由于第一耦合窗口和第二耦合窗口的对应区域未金属化,即未镀金属层,因此能够实现介质块之间的信号传递;若只有两个介质块,则该两个介质块除了通过第一耦合窗口、第二耦合窗口拼接外,还分别设有输入端、输出端,作为输入、输出的介质块上分别设有输入端口和输出端口。
在上述各实施例的基础上,所述介质块至少包括三个,且相邻的两介质块间的第一耦合窗口对接,作为输入、输出的介质块上分别设有输入端口和输出端口。或
所述介质块至少包括三个,且相邻的两介质块间的第一耦合窗口和第二耦合窗口分别对接。
在本实施例中,作为又一种优选的实施方式,所述介质块至少包括三个,且相邻的两介质块间的第一耦合窗口对接/拼接,以实现相邻两个介质块的拼接,其中由于第一耦合窗口对应区域未金属化,即未镀金属层,因此能够实现介质块之间的信号传递,如图7中所示,当介质块为3个时的一种连接方式,图中两个介质块之间的网格填充区域仅为第一耦合窗口12对接的示意图,图中箭头分别表示输入、输出;作为输入、输出的介质块上分别设有输入端口和输出端口,在本实施例中,图中的虚线内的部分表示为介质块,虚线与实线之间的区域为金属镀层,当然其只是示意图,目的是为了方便直观表达,对其中局部进行了放大化处理,如耦合窗口宽度、金属镀层厚度,因此图中尺寸、比例并不代表实际产品的尺寸、比例。或
在上述各实施例的基础上,作为又一种优选的实施方式,相邻的两介质块间的第一耦合窗口和第二耦合窗口拼接/对接,以实现相邻两个介质块的拼接,其中由于第一耦合窗口和第二耦合窗口的对应区域未金属化,即未镀金属层,因此能够实现介质块之间的信号传递。作为输入、输出的介质块上分别设有输入端口和输出端口。
在上述各实施例的基础上,作为又一种优选的实施方式,该介质块包括四个,如图中所示,相邻的两个介质块间通过第一耦合窗口拼接/对接,以实现相邻两个介质块的拼接,其中由于第一耦合窗对应区域未金属化,即未镀金属层,因此能够实现介质块之间的信号传递。作为输入、输出的介质块上分别设有输入端口和输出端口。如图8中所示,当介质块为4个时的一种连接方式,图中两个介质块之间的网格填充区域仅为第一耦合窗口12对接的示意图,图中箭头分别表示输入、输出,在本实施例中,图中的虚线内的部分表示为介质块,虚线与实线之间的区域为金属镀层,当然其只是示意图,目的是为了方便直观表达,对其中局部进行了放大化处理,如耦合窗口宽度、金属镀层厚度,因此图中尺寸、比例并不代表实际产品的尺寸、比例;图11为4个介质块拼接后的仿真曲线图,如图中所示,通过四个介质块实现了八模。
为了与前面各个实施例中介质块的切角方式对应,在本实施例中,针对4个介质块的拼接情况,还给出了另外两种实施方式,如图9中的不同切角数量、不同切角位置的组合,当然并不仅限定图9这一种组合;又如图10中输入端、输出端之间相邻时,输入端、输出端对应的介质块间也可以拼接。
在上述各实施例的基础上,作为又一种优选的实施方式,该介质块包括四个,如图中所示,相邻的两个介质块间通过第一耦合窗口和第二耦合窗口拼接/对接,以实现相邻两个介质块的拼接,其中由于第一耦合窗和第二耦合窗口对应区域未金属化,即未镀金属层,因此能够实现介质块之间的信号传递。作为输入、输出的介质块上分别设有输入端口和输出端口。
在上述各实施例基础上,作为一种优选的实施方式,介质块之间通过粘接、焊接或烧结的方式固定连接,以使对应的耦合窗口(第一耦合窗口和第二耦合窗口)相互拼接/对接。
在上述各实施例的基础上,作为一种优选的实施方式,相邻且连接的两个介质块间的所述第一耦合窗口大小、第二耦合窗口相等或不相等,在耦合窗口(第一耦合窗口和第二耦合窗口)拼接/对接时,优选的,以第一耦合窗口和第二耦合窗口的重合面积最大为最优拼接/对接条件。
在本实施例中,在相邻且连接的两个介质块中,用于连接介质块的第一耦合窗口大小可以相等,也可以不相等。
在上述各实施例的基础上,本发明实施例还提供了一种滤波器,包括如上述各实施例提供的双模谐振结构。
综上所示,本发明实施例提供的一种双模谐振结构及滤波器,通过介质块长宽高的关系,实现基模双模;通过棱边开切角,实现介质块双模耦合。在介质块表面镀金属层,介质块一面开设有平行于该开槽的耦合窗口,实现两个介质块之间的耦合;解决现有双模滤波器技术中因较薄导致单腔Q值较低,从而滤波器的插损较大,同时因采用的是高次双模,而更低频率的基模会在通带左边产生谐振峰,从而使带外抑制变差甚至不满足滤波器的使用要求的问题。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下,即可以理解并实施。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (8)
1.一种双模谐振结构,其特征在于,包括至少一个介质块,所述介质块为长方体,所述介质块的长、宽和高分别对应第一棱边、第二棱边和第三棱边;所述第一棱边的长度大于第二棱边的长度,所述第一棱边的长度大于第三棱边的长度,第二棱边的长度和第三棱边的长度相等或近似;
所述介质块中至少一个第一棱边被切除;所述介质块表面镀有金属层,所述介质块与所述第一棱边平行或重合的面上开设有至少一个第一耦合窗口,以漏出所述介质块。
2.根据权利要求1所述的双模谐振结构,其特征在于,所述介质块被切除第一棱边后形成的区域表面平行于所述第一棱边。
3.根据权利要求1所述的双模谐振结构,其特征在于,所述介质块还包括至少一个第二耦合窗口,所述第二耦合窗口与所述第一耦合窗口平行或相交。
4.根据权利要求1所述的双模谐振结构,其特征在于,所述第一耦合窗口的长度小于所述第一棱边的长度;所述第一耦合窗口的宽度小于第二棱边的长度,和/或所述第一耦合窗口的宽度小于第三棱边的长度。
5.根据权利要求3所述的双模谐振结构,其特征在于,所述双模谐振结构包括至少两个介质块,且相邻的两介质块间的第一耦合窗口对应对接;或
所述双模谐振结构包括至少两个介质块,相邻的两介质块间的第一耦合窗口和第二耦合窗口分别对应对接。
6.根据权利要求3所述的双模谐振结构,其特征在于,所述双模谐振结构包括至少三个介质块,且相邻的两介质块间的第一耦合窗口对应对接;或
所述双模谐振结构包括至少三个介质块,且相邻的两介质块间的第一耦合窗口和第二耦合窗口分别对应对接。
7.根据权利要求1或3所述的双模谐振结构,其特征在于,相邻且连接的两个介质块间的所述第一耦合窗口和/或第二耦合窗口大小相等或不相等。
8.一种滤波器,其特征在于,包括如权利要求1至7中任一所述的双模谐振结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911058591.7A CN110767966B (zh) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 一种双模谐振结构及滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911058591.7A CN110767966B (zh) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 一种双模谐振结构及滤波器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110767966A true CN110767966A (zh) | 2020-02-07 |
CN110767966B CN110767966B (zh) | 2021-08-17 |
Family
ID=69335591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911058591.7A Active CN110767966B (zh) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 一种双模谐振结构及滤波器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110767966B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113258246A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-08-13 | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 | 介质滤波器的制作方法 |
CN114400448A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-04-26 | 青岛科技大学 | 新型宽带圆极化阶梯介质谐振器天线及其设计方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07183710A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器およびその入出力結合回路 |
EP0743696A1 (en) * | 1995-05-19 | 1996-11-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter and method of manufacturing same |
CN206148590U (zh) * | 2016-08-24 | 2017-05-03 | 张家港保税区灿勤科技有限公司 | 一种二阶单腔双模滤波器 |
CN106711557A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-05-24 | 华南理工大学 | 一种四模介质带通滤波器 |
CN108376816A (zh) * | 2017-02-01 | 2018-08-07 | 诺基亚通信公司 | 从外部面调谐三模滤波器 |
CN207800855U (zh) * | 2017-12-26 | 2018-08-31 | 京信通信系统(中国)有限公司 | 多模介质滤波器 |
CN108963398A (zh) * | 2018-02-12 | 2018-12-07 | 香港凡谷發展有限公司 | 一种应用于滤波器中的三模介质谐振腔结构 |
-
2019
- 2019-11-01 CN CN201911058591.7A patent/CN110767966B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07183710A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器およびその入出力結合回路 |
EP0743696A1 (en) * | 1995-05-19 | 1996-11-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter and method of manufacturing same |
CN206148590U (zh) * | 2016-08-24 | 2017-05-03 | 张家港保税区灿勤科技有限公司 | 一种二阶单腔双模滤波器 |
CN108376816A (zh) * | 2017-02-01 | 2018-08-07 | 诺基亚通信公司 | 从外部面调谐三模滤波器 |
CN106711557A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-05-24 | 华南理工大学 | 一种四模介质带通滤波器 |
CN207800855U (zh) * | 2017-12-26 | 2018-08-31 | 京信通信系统(中国)有限公司 | 多模介质滤波器 |
CN108963398A (zh) * | 2018-02-12 | 2018-12-07 | 香港凡谷發展有限公司 | 一种应用于滤波器中的三模介质谐振腔结构 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
雷泽林等: "介质谐振器与金属谐振器混合带通滤波器设计", 《湖北大学学报》 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113258246A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-08-13 | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 | 介质滤波器的制作方法 |
CN113258246B (zh) * | 2021-03-26 | 2022-09-23 | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 | 介质滤波器的制作方法 |
CN114400448A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-04-26 | 青岛科技大学 | 新型宽带圆极化阶梯介质谐振器天线及其设计方法 |
CN114400448B (zh) * | 2022-01-25 | 2024-04-02 | 青岛科技大学 | 宽带圆极化阶梯介质谐振器天线及其设计方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110767966B (zh) | 2021-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1414103B1 (en) | Dielectric mono-block triple-mode microwave delay filter | |
US6853271B2 (en) | Triple-mode mono-block filter assembly | |
US6954122B2 (en) | Hybrid triple-mode ceramic/metallic coaxial filter assembly | |
KR100296847B1 (ko) | 유전체공진기장치 | |
Politi et al. | Direct coupled waveguide filters with generalized Chebyshev response by resonating coupling structures | |
US7068127B2 (en) | Tunable triple-mode mono-block filter assembly | |
Lu et al. | Wideband bandpass filters with SAW-filter-like selectivity using chip SAW resonators | |
CN109301407A (zh) | 叠层片式带通滤波器 | |
CN110112518B (zh) | 双模介质波导滤波器 | |
CN111816972B (zh) | 一种高q多模介质谐振结构和介质滤波器 | |
Williams et al. | Predistortion techniques for multicoupled resonator filters (short papers) | |
CN110767966B (zh) | 一种双模谐振结构及滤波器 | |
CN110474138B (zh) | 一种可重构功分滤波器 | |
EP4109671A1 (en) | Resonance structure for controlling harmonic distance and dielectric filter | |
EP3997754B1 (en) | Waveguide filters | |
CN209217164U (zh) | 叠层片式带通滤波器 | |
JP2007184868A (ja) | 誘電体導波管フィルタ | |
US12021291B2 (en) | High-Q multi-mode dielectric resonant structure and dielectric filter | |
JP2001085908A (ja) | 多重モード共振器装置、フィルタ、複合フィルタ装置、デュプレクサおよび通信装置 | |
CN218385689U (zh) | 一种可调的平面基片集成波导滤波器 | |
Zhong et al. | A Waveguide Bandpass Filter With Wide Stopband | |
CN116885416A (zh) | 一种基片集成波导双通带滤波功分器 | |
JPH03181205A (ja) | 誘電体フィルタ | |
Hwang et al. | Novel TE/sub 10/spl delta//rectangular-waveguide-type resonators and their bandpass filter applications | |
JPH0430601A (ja) | 誘電体フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |