CN110767693A - 阵列基板、显示屏及显示终端 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示屏以及显示终端,其中,该阵列基板,包括:基板,以及设置于基板上的像素电路结构层;像素电路结构层包括多个功能层的叠层,所述阵列基板还包括阻挡单元,阻挡单元在第一状态时透光,在第二状态时不透光。上述阵列基板中的阻挡单元在第一状态时允许光线透过,以满足设置在阵列基板下方的感光器件对光线入射量的要求;在第二状态时不允许光线透过,减少了从基板背面损失的光,降低了光损耗,提高了阵列基板的亮度,实现了全面屏,使得全面屏的显示效果更优。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、显示屏及显示终端。
背景技术
随着显示终端的快速发展,用户对屏幕占比的要求越来越高,全面屏显示受到业界越来越多的关注。由于屏幕上方需要安装摄像头、传感器、听筒等元件,因此现有技术中屏幕上方通常会预留一部分区域用于安装上述元件,例如苹果手机iphoneX的前刘海区域,影响了屏幕的整体一致性。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种阵列基板、显示屏以及显示终端。
本发明第一方面,提供一种阵列基板,包括:基板,以及设置于所述基板上的像素电路结构层;所述像素电路结构层包括多个功能层的叠层,所述阵列基板还包括阻挡单元,所述阻挡单元在第一状态时透光,在第二状态时不透光。
在其中一个实施例中,所述阻挡单元设置于所述像素电路结构层与所述基板之间;或者,所述阵列基板还包括第三电极,所述阻挡单元设置于所述像素电路结构层与所述第三电极之间;或者,所述阻挡单元设置于所述像素电路结构层中的任意相邻膜层之间。阻挡单元的设置位置较灵活,提高了应用的广泛性。
在其中一个实施例中,所述阻挡单元包括电致透光膜层,用于通过调节输入至所述电致透光膜层中的电信号的极性和/或大小,控制所述电致透光膜层的光透过率。电致透光膜层在电信号的调节作用下,实现了阵列基板的第一状态的透光性和第二状态的不透光性,控制方式简单。
在其中一个实施例中,所述电致透光膜层的材料在第一状态时光透过率大于80%;在第二状态时光反射率大于50%;实现了阵列基板在第一状态时具有较高的透明度,在第二状态时具有较高的显示亮度,同时降低生产成本。
在其中一个实施例中,所述电致透光膜层的材料包括二氧化钛或者三氧化钨;材料较常见且制备工艺成熟,成本低。
在其中一个实施例中,所述阻挡单元还包括:与所述电致透光膜层连接的第一电极和第二电极;所述电致透光膜层、第一电极以及第二电极同层设置。电致透光膜层、第一电极以及第二电极同层设置,减少了阻挡单元在垂直方向的尺寸,进而降低了显示面板的整体尺寸,使得整个显示面板更薄;并且,同层设置还简化了电致透光膜层、第一电极以及第二电极之间的连接。
在其中一个实施例中,所述第一电极和/或第二电极采用透明导电材料制成,以使显示面板达到较高的透明度。
在其中一个实施例中,所述透明导电材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌;材料较常见,易获取,且材料的制备工艺成熟,性能较佳。
在其中一个实施例中,所述第一电极和/或所述第二电极为圆形、椭圆形或者哑铃形。圆形、椭圆形或者哑铃形电极的各个边均为曲线,能够有效降低衍射,提高显示质量。
在其中一个实施例中,所述阻挡单元还包括绝缘层,设置于所述电致透光膜层的第一表面和/或第二表面。绝缘层增加了阻挡单元的可靠性,即使阻挡单元与导电层接触也能够保证良好的绝缘性,不会对其它膜层造成影响,增加了绝缘层的电致透光膜层在使用过程中更加灵活、方便。
在其中一个实施例中,所述基板包括第一区域和第二区域,所述第二区域的基板的至少一表面上设置有反光层。在显示面板的第二区域上设置反光层,使得第二区域的显示面板在第一状态时也不透光,保证第二区域的发光显示亮度不受影响,提高了第二区域的显示亮度,使得屏幕的整体一致性更优。
在其中一个实施例中,所述反光层的材料的反射率大于70%;使得第二区域的显示亮度较优,同时,降低生产成本。
在其中一个实施例中,所述反光层的材料包括金属材料。金属材料具有较高的反射率,且金属材料较常见,成本低。
本发明第二方面,提供一种显示屏,至少包括第一显示区和第二显示区,各显示区均用于显示动态或静态画面,所述第一显示区下方可设置感光器件;其中,在所述第一显示区设置有如本发明第一方面中任一所述的阵列基板。
本发明第三方面,提供一种显示终端,包括:设备本体,具有器件区;如本发明第二方面中任一所述的显示屏,覆盖在所述设备本体上;其中,所述器件区位于所述第一显示区下方,且所述器件区中设置有透过所述第一显示区进行光线采集的感光器件。
本发明技术方案,具有如下优点:
本发明提供的阵列基板,包括:基板,以及设置于所述基板上的像素电路结构层;所述像素电路结构层包括多个功能层的叠层,所述阵列基板还包括阻挡单元,所述阻挡单元在第一状态时透光,在第二状态时不透光。上述阵列基板中的阻挡单元在第一状态时允许光线透过,以满足设置在阵列基板下方的感光器件对光线入射量的要求;在第二状态时不允许光线透过,减少了从基板背面损失的光,降低了光损耗,提高了阵列基板的亮度,实现了全面屏,使得全面屏的显示效果更优。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中阵列基板的一个具体示例的示意图;
图2为本发明实施例中阵列基板的另一个具体示例的示意图;
图3为本发明实施例中阵列基板的另一个具体示例的示意图;
图4为本发明实施例中阵列基板中的第一电极和第二电极的形状的一个具体示例的示意图;
图5为本发明实施例中阵列基板中的第一电极和第二电极的形状的另一个具体示例的示意图;
图6为本发明实施例中阵列基板中的第一电极和第二电极的形状的另一个具体示例的示意图;
图7为本发明实施例中阵列基板的另一个具体示例的示意图;
图8为本发明实施例中阵列基板的另一个具体示例的示意图;
图9为本发明实施例中阵列基板的另一个具体示例的示意图;
图10为本发明实施例中阵列基板的另一个具体示例的示意图;
图11为本发明实施例中阵列基板的扫描线的一个具体示例的示意图;
图12为本发明实施例中阵列基板的扫描线的另一个具体示例的示意图;
图13为本发明实施例中阵列基板的扫描线的另一个具体示例的示意图;
图14为本发明实施例中显示屏的一个具体示例的示意图;
图15为本发明实施例中显示屏的另一个具体示例的示意图;
图16为本发明实施例中显示终端的一个具体示例的示意图;
图17为本发明实施例中设备本体的结构示意图。
附图标记:
1、基板;11、第一区域;12、第二区域;2、像素电路结构层;3、阻挡单元;4、反光层;5、发光结构层;7、扫描线;8、数据线;9、挡板;10、;161、第一显示区;162、第二显示区;810、设备本体;812、开槽区;814、非开槽区;820、显示屏;930、摄像头。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“上”、“下”“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”以及“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,需要说明的是,当元件被称为“形成在另一元件上”时,它可以直接连接到另一元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以直接连接到另一元件或者同时存在居中元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。
为了实现全面屏显示,需要显示屏达到一定的透明度,以满足摄像头等对透明度的需求。但是,发明人发现,为了使手机摄像头拍摄效果更好,透明OLED屏需要更高的透过率,透明屏在OLED发光时往往亮度较低,使得透明显示区和不透明显示区亮度差异较大,影响全面屏的显示效果。发明人发现出现这种问题的原因在于OLED等发光器件发出的光是朝向各个方向的,故发出的光会有一部分朝向基板背面,又由于透明显示屏的透明度较高,这部分光便会透过基板从背面损失掉,造成亮度损失,光损失最多可达50%,进而导致显示屏的亮度较低,使得透明显示区和不透明显示区亮度差异较大,屏幕整体的一致性较差,影响全面屏的显示效果。
图1为一实施例中阵列基板的剖视图,如图1所示,阵列基板包括:基板1,以及设置于基板1上的像素电路结构层2;像素电路结构层2包括多个功能层的叠层,阵列基板还包括阻挡单元3,阻挡单元3在第一状态时透光,在第二状态时不透光。
在一实施例中,第一状态可为在使用感光器件的相应功能(例如手机摄像头拍照)时的状态,第二状态可为在不使用感光器件的相应功能(例如不使用手机摄像头拍照)时的状态。具体地,例如在手机的使用过程中,当手机使用摄像头等功能时,设置于基板正面的发光结构不发光,阻挡单元允许光线透过,满足感光器件对光线量的要求;当手机不使用摄像头等功能时,发光结构发光以正常显示画面,此时,阻挡单元不允许光线透过,将这些发射到发光结构背面的光反射到基板的正面,从而减少了从基板背面损失的光,提高了阵列基板的亮度。
需要说明的是本实施例中的像素电路结构层指的是阵列基板中发光器件阳极下方的各个膜层结构,例如,在低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon,缩写为LTPS)中,像素电路结构层包括平坦化层(PLN,Planarizationlayer)及平坦化层以下的各个膜层。
上述阵列基板包括阻挡单元,该阻挡单元在第一状态时允许光线透过,以满足设置在阵列基板下方的感光器件对光线入射量的要求;在第二状态时不允许光线透过,减少了从基板背面损失的光,提高了阵列基板的亮度,降低了透明显示区和不透明显示区亮度的差异,实现了全面屏,使得全面屏的显示效果更优。
在一实施例中,阻挡单元3设置于像素电路结构层2与基板1之间。具体地,像素电路结构层设置于基板上方,阻挡单元设置于像素电路结构层的底层,即阻挡单元紧邻基板,如图2所示,具体地可在制备像素电路结构层之前先制备阻挡单元,这样设置仅需在制备像素电路结构层之前增加一个工艺步骤制备该阻挡单元,无需改变现有的制备像素电路结构层的工艺,制备过程更加简单、便捷,可操作性更高;并且透明屏发射向基板背面的光不需要穿过基板,从而避免了基板对光的二次吸收,进一步提高了显示亮度。
在一可替换实施例中,阵列基板还包括第三电极,阻挡单元3设置于像素电路结构层与第三电极之间,如图3所示,具体地,第三电极可为阳极,可在制备完像素电路结构层后再制备阻挡单元,这样设置仅需在制备像素电路结构层之后增加一个工艺步骤制备该阻挡单元,无需改变现有的制备像素电路结构层的工艺,制备过程更加简单、便捷,可操作性更高;透明屏发射向基板背面的光所需穿过的膜层更少,减少了膜层对光的吸收,进一步提高了阵列基板的亮度。
在另一可替换实施例中,阻挡单元3设置于像素电路结构层中的任意相邻膜层之间,如图1所示,具体地,在制备像素电路结构层的步骤中制备阻挡单元。例如,在顶栅结构的薄膜晶体管(TFT)制备过程中,在栅极绝缘层和栅极之间制备该阻挡单元;当然,还可将阻挡单元设置于其它任意两个膜层之间,如栅极层和层间绝缘层之间,可根据实际情况合理设置,本实施对此不作任何限制。
需要说明的是,像素电路结构层中可仅包括一个开关器件;也可包括两个开关器件甚至更多个开关器件,还可以包括电容元件,根据需要将多个开关器件进行串联或者并联的连接,如2T1C、7T1C等像素电路,本实施例对此不作限定。
需要说明的是开关器件可为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,缩写为TFT),也可为现有技术中的其它开关,如金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,缩写为MOSFET)等,根据需要合理设置即可。
在一实施例中,阻挡单元包括电致透光膜层,用于通过调节输入至电致透光膜层中的电信号的极性和/或大小,控制电致透光膜层的光透过率。电致透光膜层在电信号的调节作用下,实现了阵列基板的第一状态的透光性和第二状态的不透光性,控制方式简单。
在一实施例中,电致透光膜层的材料在第一状态时光透过率大于80%,使得阵列基板的整体透明度较高,同时降低生产成本;当然,在其它可替换实施例中,电致透光膜层的光透过率还可设置为其它数值,例如,光透过率大于90%或者大于70%,光透过率越大阵列基板在第一状态时的透明度越高,当阵列基板下方设置感光器件时,感光器件采集到的光越多,如摄像头等感光器件所拍得的图像效果更优,具体可根据实际需要合理设置,本实施例对此不作任何限制。
在一实施例中,电致透光膜层的材料在第二状态时光反射率大于50%,保证较低的光损失,使整个阵列基板在显示时的亮度较高。当然,在其它可替换实施例中,电致透光膜层的反射率还可设置为其它数值,例如,光反射率大于60%或者大于40%,光反射率越大阵列基板在第二状态时的显示亮度越高,具体可根据实际需要合理设置,本实施例对此不作任何限制。
在一实施例中,电致透光膜层的材料包括二氧化钛或者三氧化钨,材料较常见且制备工艺成熟,成本低。具体地,电致透光膜为三氧化钨(WO3)时,所需的电压工作范围可为-5V至+5V,使得三氧化钨在施加负电压时的光透过率大于80%。
在一实施例中,阻挡单元还包括:与电致透光膜层连接的第一电极和第二电极。具体地,第一状态时,第一电极连接电源负极,第二电极连接电源正极;第二状态时,第一电极连接电源正极,第二电极连接电源负极。电致透光膜在施加负向电压时透光,在施加正向电压时不透光,故第一电极为正电极,第二电极为负电极;电致透光膜层在外加电源的作用下,实现了阵列基板的第一状态的透光性和第二状态的不透光性,控制方式简单。例如,电致透光膜所需的电压工作范围可为-10V至+10V;当然,在其它实施例中,不同材质的电致透光膜具有不同的工作电压范围,电致透光膜所需的工作电压范围具体可根据选取的材质合理设置。
在一实施例中,电致透光膜层、第一电极以及第二电极同层设置,减少了阻挡单元在垂直方向的尺寸,进而降低了阵列基板的整体尺寸,使得整个阵列基板更薄;并且,同层设置还简化了电致透光膜层、第一电极以及第二电极之间的连接。当然,在其它实施例中,电致透光膜层、第一电极以及第二电极还可设置为不同层,这样需要在不同层之间通过通孔实现电连接;具体可根据实际需要合理设置。
在一实施例中,第一电极可采用透明导电材料制成,以使阵列基板达到较高的透明度。透明导电材料可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、掺杂银的氧化铟锡(Ag+ITO)或者掺杂银的氧化铟锌(Ag+IZO)。优选地,透明导电材料为ITO,由于ITO工艺成熟、成本低。
在一实施例中,第二电极采用透明导电材料制成,以使阵列基板达到较高的透明度。透明导电材料可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、掺杂银的氧化铟锡(Ag+ITO)或者掺杂银的氧化铟锌(Ag+IZO)。优选地,透明导电材料为ITO,由于ITO工艺成熟、成本低。
在一可替换实施例中,第一电极和第二电极采用透明导电材料制成,使得阵列基板达到更高的透明度。
在一可替换实施例中,第一电极和第二电极可为如图4所示的圆形,或者如图5所示的椭圆形,或者如图6所示的哑铃形,可以理解,第一电极和第二电极还可以由其它各处具有不同曲率半径的曲线构成。由于光在穿过狭缝、小孔或者圆盘之类的障碍物时,会发生不同程度的弯散传播,从而偏离原来的直线传播,这种现象称之为衍射。衍射过程中,衍射条纹的分布会受到障碍物尺寸的影像,例如狭缝的宽度、小孔的尺寸等,具有相同宽度的位置处产生的衍射条纹的位置一致,从而会出现较为明显的衍射效应。通过将第一电极和第二电极的形状改为圆形、椭圆形或者哑铃形,可以确保光线经过第一电极和第二电极时,在电极的不同宽度位置处能够产生具有不同位置以及扩散方向的衍射条纹,从而弱化衍射效应,进而确保摄像头设置在该阵列基板下方时,拍照得到的图形具有较高的清晰度。当然,在其它实施例中,可仅将第一电极或者第二电极设置为上述形状,具体可根据实际需要合理确定。
在一实施例中,阻挡单元还包括绝缘层,设置于电致透光膜层的第一表面和第二表面,设置于电致透光膜层的第一表面和第二表面的绝缘层增加了阻挡单元的可靠性,即使阻挡单元与导电层接触也能够保证良好的绝缘性,不会对其它膜层造成影响,增加了绝缘层的电致透光膜层在使用过程中更加灵活、方便。当然,在其它实施例中,当电致透光膜层的第一表面与像素电路结构层中的绝缘层接触时,此时无需在电致透光膜层的第一表面上设置绝缘层,可以像素电路中的绝缘层共用,减少工艺步骤、降低生产成本、减小阵列基板尺寸;相应地,当电致透光膜层的第二表面与像素电路结构层中的绝缘层接触时,此时无需在电致透光膜层的第二表面上设置绝缘层,减少工艺步骤、降低生产成本、减小阵列基板尺寸;电致透光膜层的第一表面、第二表面上是否需要设置绝缘层,可根据电致透光膜层的设置位置合理设置。
在一实施例中,上述阻挡单元的工作过程具体为:当手机使用摄像头等功能时,电致透光膜层通电变为透光状态,较好的透光特性,环境光可以更好的穿过透明屏区域,不影响摄像头识别效果;手机不使用摄像头等功能时,电致透光膜层为不透光状态,并且具有较强的反射特性,透明屏发射到驱动背板方向的光可以被很好的反射到屏体正面,从而提高透明屏的亮;同时满足了透明屏亮度提高和手机正常拍照所需的透明的功能。
在一实施例中,基板包括第一区域和第二区域,第二区域的基板的至少一表面设置有反光层。在显示面板的第二区域上设置反光层,使得第二区域的显示面板在第一状态时也不透光,保证第二区域的发光显示亮度不受影响,提高了第二区域的显示亮度,使得屏幕的整体一致性更优。第二区域与第一区域具有相同的像素电路及OLED膜层,这样第一区域和第二区域仅需一种驱动方式即可实现第一区域和第二区域的控制,驱动简单化,设计简单化,并且还能够保证第二区域在第一状态和第二状态均不透光,保证该区域发光亮度不受影响。
在一实施例中,如图7所示,基板1包括第一区域11和第二区域12,反光层4设置于第二区域12的基板1的第二表面,制备过程简单、便捷;在另一实施例中,如图8所示,反光层4还设置于第二区域12的基板1的第一表面;反光层的具体设置位置可根据实际需要合理设置。
在一实施例中,反光层的材料的光反射率大于70%;使得第二区域的显示亮度较优,同时,降低生产成本。当然,在其它可替换实施例中,反光层的光反射率还可设置为其它数值,例如,光反射率大于80%或者大于60%,光反射率越大阵列基板的第二区域的显示亮度越高,具体可根据实际需要合理设置,本实施例对此不作任何限制。
在一实施例中,反光层的材料包括金属材料,金属材料具有较高的反射率,且金属材料较常见,成本低。优选地,金属材料为ITO-Ag-ITO,具体地,银位于两层铟锡氧化物之间,由于银的特性比较活泼,会发生游离现象,进而导致反光效果降低,将银包裹在两层氧化铟锡之间形成三明治结构,能够有效防止金属银的游离,提高了反光效果。
在一实施例中,如图9所示,像素电路结构层2的上方还设置有发光结构层5,发光结构层包括:第四电极,设置于像素电路结构层上;绝缘层,设置于第四电极上;疏水亲油层,设置于绝缘层上;围堰,设置于疏水亲油层上;有色油液和水,设置于疏水亲油层和围堰形成的区域内;第五电极,设置围堰上。由于OLED自身结构的局限定使得透明度无法做得很高,采用电润湿技术制作透明显示区域,上述发光结构相对于OLED结构简单,具有更高的透明度,进而提高了显示面板的透明度,提高了显示效果。
在一实施例中,疏水亲油层采用特氟龙(Teflon,聚四氟乙烯树脂)材料制成。
优选地,围堰采用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,缩写为PDMS)材料制成。
在一实施例中,上述发光结构层的制备方法可为:制备ITO第四电极;ITO完成后蒸镀SiO2绝缘层;采用亲水性的光刻胶作为亲水材料,通过曝光后形成显示区域,以Teflon薄膜作为疏水介质层;使用PDMS作为器件的围堰;加入适量的有色油滴,其上加入适量的去离子水;在围堰周围涂胶,最后将另外一片ITO玻璃(第五电极)封装在其上。
图10为发光结构层的原理示意图,图10(a)为发光结构层不施加电压时的剖视图,图10(b)为发光结构层施加电压时的剖视图,图10(c)为发光结构层不施加电压时的俯视图,图10(d)为发光结构层施加电压时的俯视图。由图10可知,在发光结构层不施加电压时,有色油液在下层,水在上层,且有色油液散开,覆盖在整个发光结构层的疏水亲油层上;在发光结构层施加电压时,有色油液会向发光结构层的某一位置聚集,有色油液聚集的位置不透光,其它位置均为透明状态。
在一实施例中,阵列基板还包括与像素电路结构层均连接的扫描线7和数据线8。
多个扫描线沿第一方向并行延伸,多个数据线沿第二方向并行延伸,第一方向和第二方向相交,且扫描线和/或数据线在其延伸方向上的至少一条边为波浪形。在一可选实施例中,扫描线在X方向上延伸,数据线在Y方向上延伸,数据线和扫描线在基板上的投影相互垂直,扫描线在其延伸方向上的两条边为波浪形并且和数据线在其延伸方向上的两条边也为波浪形,波浪形的数据线和扫描线能够产生具有不同位置以及扩散方向的衍射条纹,从而弱化衍射效应,进而确保摄像头设置在该阵列基板下方时,拍照得到的图形具有较高的清晰度。
在一可选实施例中,由于扫描线为波浪形,相邻的扫描线间具有第一间距,第一间距连续变化或间断变化;扫描线的宽度连续变化或间断变化。宽度连续变化是指扫描线上任意两个相邻位置处的宽度不相同。图11中,扫描线的延伸方向为其长度方向。扫描线在延伸方向上宽度连续变化。而宽度间断变化是指:在扫描线上存在部分区域内相邻两个位置的宽度相同,而在部分区域内相邻两个位置的宽度不相同。在本实施例中,多个扫描线在基板上规则排布,因此,相邻两个扫描线之间的间隙在平行于扫描线的延伸方向上也呈现为连续变化或者间断变化。扫描线在延伸方向上,无论其宽度是连续变化还是间断变化都可以为周期性变化。
扫描线在延伸方向上的两条边均为波浪形,两条边的波峰相对设置,且波谷相对设置。如图11所示,延伸方向上的两条边的波峰T相对设置且波谷B相对设置,同一个扫描线波峰之间的宽度为W1,同一个扫描线波谷之间的宽度为W2,相邻两个扫描线波峰之间的间距为D1,相邻两个扫描线波峰之间的间距为D2。本实施例中,两条边均由同一圆弧形边相连而成。在其他的实施例中,两条边也可以均由同一椭圆形边相连而成,如图12所示。通过将扫描线的两边设置成由圆弧形或者椭圆形形成的波浪形,可以确保扫描线上产生的衍射条纹能够向不同方向扩散,进而不会产生较为明显的衍射效应。
在一可选实施例中,在波浪形的扫描线的波谷相对处形成有第二连接部,第二连接部可为直线或者曲线。如图13所示,第二连接部为条状,第二连接部为扫描线与开关器件电连接区域,即开关器件的控制端连接至第二连接部的位置。在其它的实施例中,第二连接部也可以采用其他不规则结构,如中间小两端大的形状,或者采用中间大两端小的形状。
在一可选实施例中,由于数据线为波浪形,相邻的数据线间具有第二间距,第二间距连续变化或间断变化;数据线的宽度连续变化或间断变化。数据线与扫描线类似,详见扫描线的具体描述,在此不再赘述。数据线可采用图11-13中的任意一种波浪形。数据线在延伸方向上的两条边均为波浪形,两条边的波峰相对设置,且波谷相对设置;数据线的波谷相对处形成有第三连接部,第三连接部为数据线与开关器件电连接区域,数据线与扫描线的设置类似,详见扫描线的设置。
阵列基板上的扫描线、数据线采用图11-13中的任意一种波浪形,可以确保在数据线和扫描线走线的延伸方向上,光线经过在不同宽度位置处以及相邻走线的不同间隙处时能够形成具有不同位置的衍射条纹,进而减弱衍射效应,以使得放置于阵列基板下方的感光器件能够正常工作。
本实施例还提供一种显示屏,至少包括第一显示区和第二显示区,各显示区均用于显示动态或静态画面,第一显示区下方可设置感光器件;其中,在第一显示区设置有上述任一实施例中所提及的阵列基板,第二显示区设置的显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板。由于第一显示区采用了前述实施例中的阵列基板,因此具有较高的透明度、显示屏的整体一致性较好;并且当光线经过该显示区域时,不会产生较为明显的衍射效应,从而能够确保位于该第一显示区下方的感光器件能够正常工作。可以理解,第一显示区在感光器件不工作时,可以正常进行动态或者静态画面显示,而在感光器件工作时则需要处于不显示状态,从而确保感光器件能够透过该显示面板正常进行光线采集。第一显示区的透明度得到明显提高,很好地解决了透明OLED屏的走线和阴极电阻与透明度矛盾的问题,并且可以与正常显示屏的制作工艺兼容,生产成本较低。
在一实施例中,如图14所示,显示屏包括第一显示区161和第二显示区162,第一显示区161和第二显示区162均用于显示静态或者动态画面,其中,第一显示区161采用上述任一实施例中所提及的阵列基板,第一显示区161位于显示屏的上部。
在一可替换实施例中,显示屏还可包括三个甚至更多个显示区域,如包括三个显示区域(第一显示区域、第二显示区域和第三显示区域),第一显示区域采用上述任一实施例中所提及的阵列基板,第二显示区域和第三显示区域采用何种显示面板,本实施例对此不作限定,可以为PMOLED显示面板,也可为AMOLED显示面板,当然,也可以采用本实施例中的阵列基板。
在上述显示屏的基础上,如图15所示,该显示屏还包括:设置于第一显示区161的基板下方的挡板9、以及与挡板9连接的驱动结构10,用于在第一状态时通过驱动结构10驱动挡板9具有不遮挡第一显示区161基板的第一位置,并且在第二状态时通过驱动结构10驱动挡板9具有遮挡第一显示区161基板的第二位置。驱动挡板9在第一状态时不遮挡,允许光透过以满足感光器件对入射光的要求;驱动挡板9在第二状态时遮挡,不允许光透过,进一步将发射到显示面板背面的光反射到显示面板的正面,减少了从基板背面损失的光,提高了第一显示区的亮度,使得显示屏的一致性更优。
在一实施例中,挡板的材料的光反射率大于70%,减少第一显示区161从背面损失的光,提高了该区域的显示亮度,使得显示屏的整体亮度较高,同时降低生产成本;当然,在其它可替换实施例中,挡板的材料光反射率还可设置为其它数值,例如,光反射率大于80%或者大于60%,光反射率越大显示屏在第二状态时的光损失越少,光反射率越大第一显示区161的显示亮度越高,具体可根据实际需要合理设置,本实施例对此不作任何限制。
在一实施例中,挡板的材料包括金属材料,金属材料具有较高的反射率,且金属材料较常见,成本低。优选地,金属材料包括钼、钼铝钼或者钛铝钛。
在一实施例中,阻挡单元与基板的距离不大于2mm,该距离越近,对光的反射越高,光损耗越小,第一区域与第二区域的亮度一致性越好,屏幕的整体一致性更优;并且,距离越小则显示屏的尺寸越小,实现了显示屏的轻薄化,应用范围更广阔。当然,在其它实施例中,阻挡单元与基板的距离还可根据实际需要合理设置,本实施例对此不作限制。
在一实施例中,挡板的移动方式可为平移或者卷动;移动方式更加简单、挡板易制造。当然,在其它实施例中,挡板的移动方式还可采用现有技术中的其它移动方式,如转动等,根据实际需要合理设置即可,本实施例对此不作任何限制。
在一实施例中,驱动结构可为微动电机或者音圈马达,生产成本较低。当然,在其它实施例中,驱动结构还可为现有技术中的其它结构,根据需要合理设置即可。
在一实施例中,挡板的工作过程可为:当摄像头需要拍照时,金属挡板隐藏到屏体后侧,不影响透明屏的透过率;当摄像头不需要拍照时,金属挡板位于显示屏第一显示区的后侧,这样可以将损失掉的光再反射回去,提高了透明屏的亮度。
本实施例还提供一种显示终端,包括覆盖在设备本体上的上述显示屏。上述显示终端可以为手机、平板、电视机、显示器、掌上电脑、ipod、数码相机、导航仪等具有显示功能的产品或者部件。
图16为一实施例中的显示终端的结构示意图,该显示终端包括设备本体810和显示屏820。显示屏820设置在设备本体810上,且与该设备本体810相互连接。其中,显示屏820可以采用前述任一实施例中的显示屏,用以显示静态或者动态画面。
图17为一实施例中的设备本体810的结构示意图。在本实施例中,设备本体810上可设有开槽区812和非开槽区814。在开槽区812中可设置有诸如摄像头930以及光传感器、光线感应器等感光器件。此时,显示屏820的第一显示区的显示面板对应于开槽区812贴合在一起,以使得上述的诸如摄像头930及光传感器等感光器件能够透过该第一显示区对外部光线进行采集等操作。由于第一显示区中的显示面板能够有效减少从基板背面损失的光,降低了光损耗,提高了显示面板的亮度,实现了全面屏,使得全面屏的显示效果更优。同时,还能够改善外部光线透射该第一显示区所产生的衍射现象,从而可有效提升显示终端上摄像头930所拍摄图像的质量,避免因衍射而导致所拍摄的图像失真,同时也能提升光传感器感测外部光线的精准度和敏感度。
虽然结合附图描述了本发明的实施例,但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型,这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板,以及设置于所述基板上的像素电路结构层;所述像素电路结构层包括多个功能层的叠层,所述阵列基板还包括阻挡单元,所述阻挡单元在第一状态时透光,在第二状态时不透光。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阻挡单元设置于所述像素电路结构层与所述基板之间;或者,
所述阵列基板还包括第三电极,所述阻挡单元设置于所述像素电路结构层与所述第三电极之间;或者,
所述阻挡单元设置于所述像素电路结构层中的任意相邻膜层之间。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阻挡单元包括电致透光膜层,用于通过调节输入至所述电致透光膜层中的电信号的极性和/或大小,控制所述电致透光膜层的光透过率。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述电致透光膜层的材料在第一状态时光透过率大于80%;在第二状态时光反射率大于50%。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述电致透光膜层的材料包括二氧化钛或者三氧化钨。
6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阻挡单元还包括:与所述电致透光膜层连接的第一电极和第二电极,所述电致透光膜层、第一电极以及第二电极同层设置;
优选地,所述第一电极和/或第二电极采用透明导电材料制成;
优选地,所述透明导电材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌;
优选地,所述第一电极和/或所述第二电极为圆形、椭圆形或者哑铃形。
7.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阻挡单元还包括绝缘层,设置于所述电致透光膜层的第一表面和/或第二表面。
8.根据权利要求1-7任一所述的阵列基板,其特征在于,所述基板包括第一区域和第二区域,所述第二区域的基板的至少一表面设置有反光层;
优选地,所述反光层的材料的反射率大于70%;
优选地,所述反光层的材料包括金属材料。
9.一种显示屏,其特征在于,至少包括第一显示区和第二显示区,各显示区均用于显示动态或静态画面,所述第一显示区下方可设置感光器件;
其中,在所述第一显示区设置有如权利要求1-8任意一项所述的阵列基板。
10.一种显示终端,其特征在于,包括:
设备本体,具有器件区;
如权利要求9所述的显示屏,覆盖在所述设备本体上;
其中,所述器件区位于所述第一显示区下方,且所述器件区中设置有透过所述第一显示区进行光线采集的感光器件。
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