CN110764377A - 一种提高曝光机精准焦距的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提高曝光机精准焦距的方法,该方法为:在玻璃底片上将此图形设置成曝光机的标记图形,曝光时,曝光机的光会将标记图形投影至产品上的对位形状上,通过标记图形投影中心和产品上对位形状中心的重合,来完成对位。图形中采用了多个角的设计和多条平行线段的设计,可快速精准的抓取到图形的中心,多条平行线段可以根据产品上的对位形状的尺寸进行设计平行线段数量,使精准焦距图形的平行线段数量中间那根线段的中心对应产品上对位形状的中心,使其可快速准确的重叠焦距图形中心和产品对位形状的中心。采用此种焦距图形,可以避免玻璃底片图形因蚀刻原因造成的图形不完整而降低对位精度。
Description
技术领域
本发明涉及曝光机领域,具体涉及一种提高曝光机精准焦距的方法。
背景技术
随着社会经济的发展,电子行业也进入了高速发展的阶段,人们对电子产品的要求更加倾向于体积小、轻薄、功能性强。因此,产品设计阶段需要排布更细更密的线路。产品线路变细变密后为生产制造了一个大难题。原本的线路粗,并且稀疏,对曝光机的对焦能力要求不高,即使有曝光线路的偏差,也在公差范围之内。但是新产品的线路细、密,所需高精度的曝光机,但是高精度曝光机的焦点深度变窄,只有±30μm,因此对曝光机的对焦能力要求很高,原本的曝光机对焦能力会造成的曝光线路偏差,此偏差对于现在精细线路已远远超出公差范围。
目前广泛应用的曝光对焦方法是,在玻璃底片上加入曝光机对位mark,曝光时,曝光机通过抓取对位mark进行自动对焦,在预想区域实现曝光,完成图形转移。
现有技术的缺点如下:
①随着线路的变细变密,现有曝光机的mark图形无法使曝光机精准高效的对焦,焦距无法满足生产所需,严重影响了曝光机的精度问题。
②线路变细变密现有技术曝光后会产生曝光偏差,增大产品的公差。
③如产生严重曝光偏差时,会使产品超出生产规格,成为不良品,从而降低良率。
发明内容
根据现有技术的不足,本发明设计精准焦距图形,大大提升了曝光机的自动对焦能力,减少曝光造成的偏差,实现优质的图形转移。
本发明按以下技术方案实现:
一种提高曝光机精准焦距的方法,该方法为:在玻璃底片上将此图形设置成曝光机的标记图形,曝光时,曝光机的光会将标记图形投影至产品上的对位形状上,通过标记图形投影中心和产品上对位形状中心的重合,来完成对位;其中,标记图形中采用了多个角的设计,可快速精准的抓取到图形的中心。
进一步,所述标记图形采用四个等腰三角形组成的方形图案,且相邻两个等腰三角形的侧边留有间隙A,该间隙A的距离范围为0.1mm-10mm;等腰三角形的底边B长度为0.1mm-10mm。
进一步,所述标记图形采用四角星图案,该四角星图案中的夹角α的角度范围为1度-90度;相对称的两个角尖之间的间距C范围为0.1mm-10mm。
进一步,所述标记图形采用八角星图案,该八角星图案中的夹角β的角度范围为1度-90度;相对称的两个角尖之间的间距D范围为0.1mm-10mm。
进一步,所述标记图形采用发散图案,该发散图案的每一个三角形夹角Y的角度范围为1度-89度;相对称的三角形之间的间距φE范围为0.1mm-10mm。
一种提高曝光机精准焦距的方法,该方法为:在玻璃底片上将此图形设置成曝光机的标记图形,曝光时,曝光机的光会将标记图形投影至产品上的对位形状上,通过标记图形投影中心和产品上对位形状中心的重合,来完成对位;其中,标记图形中采用了多条平行线段的设计,多条平行线段可以根据产品上的对位形状的尺寸进行设计平行线段数量,使精准焦距图形的平行线段数量中间那根线段的中心对应产品上对位形状的中心,使其可快速准确的重叠焦距图形中心和产品对位形状的中心。
进一步,所述标记图形采用多个均匀相间且水平布置的线段图案,相邻两个线段的间距F的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度G的范围为0.01mm-10mm。
进一步,所述标记图形采用多个均匀相间且垂直布置的线段图案,相邻两个线段的间距M的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度L的范围为0.01mm-10mm。
进一步,所述标记图形采用多个均匀相间且与水平夹角为135度布置的线段图案,相邻两个线段的间距N的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度H的范围为0.01mm-10mm。
进一步,所述标记图形采用多个均匀相间且与水平夹角为45度布置的线段图案,相邻两个线段的间距K的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度J的范围为0.01mm-10mm。
本发明有益效果:
①曝光机通过对精准焦距图形的抓取,提高自动对焦的能力,进而提高曝光机的精度。
②缩小产品的公差,提高产品的竞争力。
③提高产品的良率,降低成本。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
图1a为四个等腰三角形组成的方形图案;
图1b为四角星图案;
图2a为八角星图案;
图2b为发散图案;
图3a为多个均匀相间且水平布置的线段图案;
图3b为多个均匀相间且垂直布置的线段图案;
图4a为多个均匀相间且与水平夹角为135度布置的线段图案;
图4b为多个均匀相间且与水平夹角为45度布置的线段图案。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
一种提高曝光机精准焦距的方法,该方法为:在玻璃底片上将此图形设置成曝光机的标记图形,曝光时,曝光机的光会将标记图形投影至产品上的对位形状上,通过标记图形投影中心和产品上对位形状中心的重合,来完成对位;其中,标记图形中采用了多个角的设计,可快速精准的抓取到图形的中心。
如图1a所示,所述标记图形采用四个等腰三角形组成的方形图案,且相邻两个等腰三角形的侧边留有间隙A,该间隙A的距离范围为0.1mm-10mm;等腰三角形的底边B长度为0.1mm-10mm。
如图1b所示,所述标记图形采用四角星图案,该四角星图案中的夹角α的角度范围为1度-90度;相对称的两个角尖之间的间距C范围为0.1mm-10mm。
如图2a所示,所述标记图形采用八角星图案,该八角星图案中的夹角β的角度范围为1度-90度;相对称的两个角尖之间的间距D范围为0.1mm-10mm。
如图2b所示,所述标记图形采用发散图案,该发散图案的每一个三角形夹角Y的角度范围为1度-89度;相对称的三角形之间的间距φE范围为0.1mm-10mm。
一种提高曝光机精准焦距的方法,该方法为:在玻璃底片上将此图形设置成曝光机的标记图形,曝光时,曝光机的光会将标记图形投影至产品上的对位形状上,通过标记图形投影中心和产品上对位形状中心的重合,来完成对位;其中,标记图形中采用了多条平行线段的设计,多条平行线段可以根据产品上的对位形状的尺寸进行设计平行线段数量,使精准焦距图形的平行线段数量中间那根线段的中心对应产品上对位形状的中心,使其可快速准确的重叠焦距图形中心和产品对位形状的中心。
如图3a所示,所述标记图形采用多个均匀相间且水平布置的线段图案,相邻两个线段的间距F的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度G的范围为0.01mm-10mm。
如图3b所示,所述标记图形采用多个均匀相间且垂直布置的线段图案,相邻两个线段的间距M的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度L的范围为0.01mm-10mm。
如图4a所示,所述标记图形采用多个均匀相间且与水平夹角为135度布置的线段图案,相邻两个线段的间距N的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度H的范围为0.01mm-10mm。
如图4b所示,所述标记图形采用多个均匀相间且与水平夹角为45度布置的线段图案,相邻两个线段的间距K的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度J的范围为0.01mm-10mm。
综上,采用此种焦距图形,可以避免玻璃底片图形因蚀刻原因造成的图形不完整而降低对位精度。此种图形,即使在玻璃底片图形不完整的情况下,也可以快速准确地抓取到中心。因采用精准焦距图形,自动对焦的能力得到了大大的提升,实现优质的图形转移。
需要说明的是,以下给出相关术语解释:
mark:标记图形,用于对位、识别。
图形转移:紫外光透过图形转移媒介与感光材料发生化学反应,使高分子内部或高分子之间的化学结构发生变化,从而导致感光性的高分子的物性发生变化,活性也发生变化,照射区域和未照射区域的活性不同,利用这一特性,采用溶解或剥离的方法获得导电线路。
最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制;尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换;而不脱离本发明技术方案的精神,其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。
Claims (10)
1.一种提高曝光机精准焦距的方法,其特征在于,该方法为:在玻璃底片上将此图形设置成曝光机的标记图形,曝光时,曝光机的光会将标记图形投影至产品上的对位形状上,通过标记图形投影中心和产品上对位形状中心的重合,来完成对位;其中,标记图形中采用了多个角的设计,可快速精准的抓取到图形的中心。
2.根据权利要求1所述的一种提高曝光机精准焦距的方法,其特征在于:所述标记图形采用四个等腰三角形组成的方形图案,且相邻两个等腰三角形的侧边留有间隙A,该间隙A的距离范围为0.1mm-10mm;等腰三角形的底边B长度为0.1mm-10mm。
3.根据权利要求1所述的一种提高曝光机精准焦距的方法,其特征在于:所述标记图形采用四角星图案,该四角星图案中的夹角α的角度范围为1度-90度;相对称的两个角尖之间的间距C范围为0.1mm-10mm。
4.根据权利要求1所述的一种提高曝光机精准焦距的方法,其特征在于:所述标记图形采用八角星图案,该八角星图案中的夹角β的角度范围为1度-90度;相对称的两个角尖之间的间距D范围为0.1mm-10mm。
5.根据权利要求1所述的一种提高曝光机精准焦距的方法,其特征在于:所述标记图形采用发散图案,该发散图案的每一个三角形夹角Y的角度范围为1度-89度;相对称的三角形之间的间距φE范围为0.1mm-10mm。
6.一种提高曝光机精准焦距的方法,其特征在于,该方法为:在玻璃底片上将此图形设置成曝光机的标记图形,曝光时,曝光机的光会将标记图形投影至产品上的对位形状上,通过标记图形投影中心和产品上对位形状中心的重合,来完成对位;其中,标记图形中采用了多条平行线段的设计,多条平行线段可以根据产品上的对位形状的尺寸进行设计平行线段数量,使精准焦距图形的平行线段数量中间那根线段的中心对应产品上对位形状的中心,使其可快速准确的重叠焦距图形中心和产品对位形状的中心。
7.根据权利要求6所述的一种提高曝光机精准焦距的方法,其特征在于:所述标记图形采用多个均匀相间且水平布置的线段图案,相邻两个线段的间距F的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度G的范围为0.01mm-10mm。
8.根据权利要求6所述的一种提高曝光机精准焦距的方法,其特征在于:所述标记图形采用多个均匀相间且垂直布置的线段图案,相邻两个线段的间距M的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度L的范围为0.01mm-10mm。
9.根据权利要求6所述的一种提高曝光机精准焦距的方法,其特征在于:所述标记图形采用多个均匀相间且与水平夹角为135度布置的线段图案,相邻两个线段的间距N的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度H的范围为0.01mm-10mm。
10.根据权利要求6所述的一种提高曝光机精准焦距的方法,其特征在于:所述标记图形采用多个均匀相间且与水平夹角为45度布置的线段图案,相邻两个线段的间距K的范围为0.01mm-10mm,每一个线段的宽度J的范围为0.01mm-10mm。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201911088927.4A CN110764377A (zh) | 2019-11-08 | 2019-11-08 | 一种提高曝光机精准焦距的方法 |
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