CN110750467A - 一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种Nand Flash中干扰页的检测方法，包括：对Nand Flash的任意逐页写入数据；每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据并判断是否发生数据损坏；若否，则继续写入数据；若是，确认当前页为干扰页，将干扰页编号记入缓冲区；擦除存储块，对存储块中除干扰页编号以外页按编号顺序写入数据并判断是否发生数据损坏；循环执行直至所有干扰页编号均记入缓冲区。本申请使得存储块上电时根据缓冲区中记录的干扰页编号避开干扰页进行数据存储，有利于增强Nand flash存储数据的安全性。本申请还提供一种Nand Flash中干扰页的检测系统、一种计算机可读存储介质和一种终端，具有上述有益效果。
Description
技术领域
本申请涉及存储设备领域，特别涉一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统、一种计算机可读存储介质和一种终端。
背景技术
Nand Flash在存储数据的过程中，块内的页在写入数据后，可能会引起该页所在的块已存储了正确数据的其他页数据变坏，在不操作这些导致其他页数据变坏的页时，Nand flash已存储的数据则正常。因此，如何避免在写入数据时将数据写入到干扰页是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统、一种计算机可读存储介质和一种终端，能够检测出Nand Flash中的干扰页。
为解决上述技术问题，本申请提供一种Nand Flash中干扰页的检测方法，具体技术方案如下：
S1：获取所述Nand Flash的任意存储块；
S2：对所述存储块逐页写入数据；
S3：每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据；
S4：判断当前页之前的所述所有页数据是否发生数据损坏；若是，进入S5；若否，则返回S2；
S5：确认当前页为干扰页，将所述当前页的编号作为干扰页编号记入缓冲区；
S6：判断所述存储块中是否所有页均写过数据；若是，结束检测；若否，进入S7；
S7：擦除所述存储块，对所述存储块中除所述干扰页编号以外页按编号顺序写入数据，并对所述干扰页编号后的页执行S3和S4。
其中，还包括：
在所述缓冲区的起始端和结束端设置标识符，并存于预设存储块。
其中，对所述存储块逐页写入数据之前，还包括：
对所述存储块的每页进行读写测试，若所有页的读写测试均通过，则确认所述存储块功能正常并执行S2。
其中，所述Nand Flash上电后时，还包括：
根据所述标识符识别所述缓冲区；
读取缓存区中的干扰页编号；
对除所述干扰页编号外的存储页写入数据。
本申请还提供一种Nand Flash中干扰页的检测系统，包括：
块获取模块，用于获取所述Nand Flash的任意存储块；
数据写入模块，用于对所述存储块逐页写入数据；
干扰检测模块，用于每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据；判断当前页之前的所述所有页数据是否发生数据损坏；若是，进入干扰页记录模块；若否，则返回所述数据写入模块；
所述干扰页记录模块，用于确认当前页为干扰页，将所述当前页的编号作为干扰页编号记入缓冲区；
判断模块，用于判断所述存储块中是否所有页均写过数据；若是，结束检测；若否，进入循环检测模块；
所述循环检测模块，用于擦除所述存储块，对所述存储块中除所述干扰页编号以外页按编号顺序写入数据，并对所述干扰页编号后的页执行所述干扰检测模块对应的步骤。
其中，还包括：
标识符设置模块，用于在所述缓冲区的起始端和结束端设置标识符，并存于预设存储块。
其中，还包括：
存储块测试模块，用于对所述存储块的每页进行读写测试，若所有页的读写测试均通过，则确认所述存储块功能正常并执行S2。
其中，还包括：
上电后存储模块，用于根据所述标识符识别所述缓冲区；读取缓存区中的干扰页编号；对除所述干扰页编号外的存储页写入数据。
本申请还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的检测方法的步骤。
本申请还提供一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器中存有计算机程序，所述处理器调用所述存储器中的计算机程序时实现如上所述的检测方法的步骤。
本申请提供一种Nand Flash中干扰页的检测方法，包括：S1：获取所述Nand Flash的任意存储块；S2：对所述存储块逐页写入数据；S3：每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据；S4：判断当前页之前的所述所有页数据是否发生数据损坏；若是，进入S5；若否，则返回S3；S5：确认当前页为干扰页，将所述当前页的编号作为干扰页编号记入缓冲区；S6：擦除所述存储块，对所述存储块中除所述干扰页编号以外页按编号顺序写入数据，并对所述干扰页编号后的页执行S3和S4；循环执行S2至S6，直至所述存储块中的所有干扰页编号均记入所述缓冲区。
本申请通过对存储块进行写入测试，以发现存储块中所有干扰页，将干扰页编号存入缓冲区，便于存储块上电时根据缓冲区中记录的干扰页编号避开干扰页进行数据存储，有利于增强Nand flash存储数据的安全性。本申请还提供一种Nand Flash中干扰页的检测系统、一种计算机可读存储介质和一种终端，具有上述有益效果，此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例所提供的一种Nand Flash中干扰页的检测方法的流程图；
图2为本申请实施例所提供的一种Nand Flash的数据写入方法流程图；
图3为本申请实施例所提供的一种Nand Flash中干扰页的检测系统结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参考图1，图1为本申请实施例所提供的一种Nand Flash中干扰页的检测方法的流程图，该检测方法包括：
S1：获取所述Nand Flash的任意存储块；
本步骤旨在获取任意的存储块，对于获取的存储块数量不作具体限定。由于NandFlash的物理特殊性，各存储块的物理性质基本相同，也即是说，一旦确定某个物理块中的干扰页，则同一Nand Flash中其他存储块的干扰页基本相同。因此，本申请只需要针对少数量的存储块进行检测，通常每100个存储块取1～2个存储块进行干扰页检测即可。
S2：对所述存储块逐页写入数据；
S3：每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据；
S2和S3需要对存储块逐页写入数据，由于干扰页在写入数据时会对其他页进行干扰，造成其他页数据损坏，因此在对存储块逐页写数据时，每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据。当然，第一页写完无需读取。从第二页开始，均需要读取当前页之前的所有页数据。
S4：判断当前页之前的所述所有页数据是否发生数据损坏；若是，进入S5；若否，则返回S3；
S5：确认当前页为干扰页，将所述当前页的编号作为干扰页编号记入缓冲区；
上一步骤需要判断读取的当前页之前的所有页数据是否发生数据损坏，如果数据损坏，则说明当前页为干扰页。如果数据未发生损坏，则自然当前页为非干扰页。
确认干扰页后，将干扰页编号记入缓冲区。缓冲区用于记录干扰页编号。
S6：判断所述存储块中是否所有页均写过数据；若是，结束检测；若否，进入S7；
S7：擦除所述存储块，对所述存储块中除所述干扰页编号以外页按编号顺序写入数据，并对所述干扰页编号后的页执行S3和S4。
一旦确定干扰页后，需要擦除存储块，由于干扰页的存在，干扰页前的页数据均已发生损坏，若继续写数据此后即使发现干扰页亦无法判断是否由于第二个干扰页使得数据损坏。因此只能先擦除存储块，此后依旧逐页写入数据，但需要注意的是，写入过程中需要避开已经在缓冲区中记录的干扰页编号，跳过干扰页。且只对干扰页编号后的页作为当前页时读取之前所有的页数据，因为干扰页之前的页确认无误。
若存储块中所有页均写过数据，意味着本存储块已经检测完毕，存储块中的所有干扰页编号均记入所述缓冲区。
需要注意的是，在此对于干扰页编号的记入形式并不作限定。可以直接为干扰页编号，也可以为干扰页编号对应的其他编号。
举例而言，假设一个存储块有200页，逐页写入数据；
先写第1页数据；
写第2页数据，读取第一页数据，判断是否发生损坏并确认未损坏；
写3页数据，读取前两页数据；
……
假设第7页为干扰页，则此时读取前6页数据发现出现数据损坏，则将第7页写入缓冲区；
擦除存储块，重新写入数据；
先写第1页数据；
写第2页数据，读取第一页数据，判断是否发生损坏并确认未损坏；
写3页数据，读取前两页数据；
……
跳过第7页，直接在第八页写入数据，读取前7页数据(第6页为空，实际只有前6页数据)；
直至发现下一干扰页或整个存储块检测完毕。
本申请实施例通过对存储块进行写入测试，以发现存储块中所有干扰页，将干扰页编号存入缓冲区，便于存储块上电时根据缓冲区中记录的干扰页编号避开干扰页进行数据存储，有利于增强Nand flash存储数据的安全性。
基于上述实施例，作为优选的实施例，还包括：
在所述缓冲区的起始端和结束端设置标识符，并存于预设存储块。
本实施例在上一实施例的基础上，对缓冲区作了详细的限定。具体的，可以在缓冲区的起始端和结束端设置标识符，当然对于具体的标识符类型不作限定，该标识符用于区分缓冲区。由于缓冲区并非如其他页一样用于存储数据，而仅仅用于存储干扰页编号，因此有必要单独划分一部分存储空间，同时标识符还可以避免写入数据时被覆盖。即检测到标识符时，对于起始端和结束端二者中间的区域不作数据写入。
缓冲区可以以物理形式存在，即为缓冲区划分物理空间，可以将缓冲区存于预设的存储块，在此不作具体限定。
基于上述实施例，作为优选的实施例，步骤S2对所述存储块逐页写入数据之前，还包括：
对所述存储块的每页进行读写测试，若所有页的读写测试均通过，则确认所述存储块功能正常并执行S2。
本申请实施例旨在进行存储块功能验证。容易理解的是，由于在判断干扰页的过程中，判断依据为干扰页会引起其他页数据变换，这要求每个页自身不能在没有干扰页时发生数据损坏，否则将会导致干扰页的误判。因此，在确定存储块之后进行干扰页判断之前，可以先对存储块中的每一页进行读写测试，具体的，对每一页写入数据进行再读取本页数据，判断写入数据和读取数据的内容是否完全一致，若是，则说明当前页的存储功能正常。据此对存储块中的每一页均进行读写测试，直至所有页均正常后，确定存储块的读写功能正常，排除由于页自身原因导致的干扰页误判。
基于上述实施例，作为优选的实施例，所述Nand Flash上电后时，参见图2，图2为本申请实施例所提供的一种Nand Flash的数据写入方法流程图，其数据写入过程具体可以如下：
S201：根据标识符识别缓冲区；
S202：读取缓存区中的干扰页编号；
S203：对除干扰页编号外的存储页写入数据。
基于上述各实施例，在确定干扰页并将干扰页编号记入缓冲区后，一旦NandFlash上电，可以先根据标识符确定缓冲区，即先读取干扰页编号，此后在进行数据写入时，避开干扰页，即可保证数据存储的安全性，避免干扰页造成数据损坏。
下面对本申请实施例提供的一种Nand Flash中干扰页的检测系统进行介绍，下文描述的检测系统与上文描述的一种Nand Flash中干扰页的检测方法可相互对应参照。
参见图3，图3为本申请实施例所提供的一种Nand Flash中干扰页的检测系统结构示意图：
块获取模块100，用于获取所述Nand Flash的任意存储块；
数据写入模块200，用于对所述存储块逐页写入数据；
干扰检测模块300，用于每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据；判断当前页之前的所述所有页数据是否发生数据损坏；若是，进入干扰页记录模块400；若否，则返回所述数据写入模块；
所述干扰页记录模块400，用于确认当前页为干扰页，将所述当前页的编号作为干扰页编号记入缓冲区；
判断模块500，用于判断所述存储块中是否所有页均写过数据；若是，结束检测；若否，进入循环检测模块600；
所述循环检测模块600，用于擦除所述存储块，对所述存储块中除所述干扰页编号以外页按编号顺序写入数据，并对所述干扰页编号后的页执行所述干扰检测模块300对应的步骤。
基于上述实施例，作为优选的实施例，该检测系统还可以包括：
标识符设置模块，用于在所述缓冲区的起始端和结束端设置标识符，并存于预设存储块。
基于上述实施例，作为优选的实施例，该检测系统还可以包括：
存储块测试模块，用于对所述存储块的每页进行读写测试，若所有页的读写测试均通过，则确认所述存储块功能正常并执行S2。
基于上述实施例，作为优选的实施例，该检测系统还可以包括：
上电后存储模块，用于根据所述标识符识别所述缓冲区；读取缓存区中的干扰页编号；对除所述干扰页编号外的存储页写入数据。
本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存有计算机程序，该计算机程序被执行时可以实现上述实施例所提供的一种Nand Flash中干扰页的检测方法的步骤。该存储介质可以包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本申请还提供了一种终端，可以包括存储器和处理器，所述存储器中存有计算机程序，所述处理器调用所述存储器中的计算机程序时，可以实现上述实施例所提供的一种Nand Flash中干扰页的检测方法的步骤。当然所述终端还可以包括各种网络接口，电源等组件。
说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例提供的系统而言，由于其与实施例提供的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
Claims (10)
1.一种Nand Flash中干扰页的检测方法，其特征在于，包括：
S1：获取所述Nand Flash的任意存储块；
S2：对所述存储块逐页写入数据；
S3：每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据；
S4：判断当前页之前的所述所有页数据是否发生数据损坏；若是，进入S5；若否，则返回S2；
S5：确认当前页为干扰页，将所述当前页的编号作为干扰页编号记入缓冲区；
S6：判断所述存储块中是否所有页均写过数据；若是，结束检测；若否，进入S7；
S7：擦除所述存储块，对所述存储块中除所述干扰页编号以外页按编号顺序写入数据，并对所述干扰页编号后的页执行S3和S4。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，还包括：
在所述缓冲区的起始端和结束端设置标识符，并存于预设存储块。
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，对所述存储块逐页写入数据之前，还包括：
对所述存储块的每页进行读写测试，若所有页的读写测试均通过，则确认所述存储块功能正常并执行S2。
4.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述Nand Flash上电后时，还包括：
根据所述标识符识别所述缓冲区；
读取缓存区中的干扰页编号；
对除所述干扰页编号外的存储页写入数据。
5.一种Nand Flash中干扰页的检测系统，其特征在于，包括：
块获取模块，用于获取所述Nand Flash的任意存储块；
数据写入模块，用于对所述存储块逐页写入数据；
干扰检测模块，用于每写完一页数据，读取当前页之前的所有页数据；判断当前页之前的所述所有页数据是否发生数据损坏；若是，进入干扰页记录模块；若否，则返回所述数据写入模块；
所述干扰页记录模块，用于确认当前页为干扰页，将所述当前页的编号作为干扰页编号记入缓冲区；
判断模块，用于判断所述存储块中是否所有页均写过数据；若是，结束检测；若否，进入循环检测模块；
所述循环检测模块，用于擦除所述存储块，对所述存储块中除所述干扰页编号以外页按编号顺序写入数据，并对所述干扰页编号后的页执行所述干扰检测模块对应的步骤。
6.根据权利要求5所述的检测系统，其特征在于，还包括：
标识符设置模块，用于在所述缓冲区的起始端和结束端设置标识符，并存于预设存储块。
7.根据权利要求5所述的检测系统，其特征在于，还包括：
存储块测试模块，用于对所述存储块的每页进行读写测试，若所有页的读写测试均通过，则确认所述存储块功能正常并执行S2。
8.根据权利要求6所述的检测系统，其特征在于，还包括：
上电后存储模块，用于根据所述标识符识别所述缓冲区；读取缓存区中的干扰页编号；对除所述干扰页编号外的存储页写入数据。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-4任一项所述的检测方法的步骤。
10.一种终端，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器中存有计算机程序，所述处理器调用所述存储器中的计算机程序时实现如权利要求1-4任一项所述的方法的步骤。
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