CN110749773B - 直流微电阻测量方法及装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种直流微电阻测量方法及装置，包括：首先根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值。其次，根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线。最后，将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，从而可确定所述待测电阻的性能参数。本申请不仅能够校正温度对标准电阻的影响，还提高了测量的可靠性，测试过程更加便捷快速。

Description

直流微电阻测量方法及装置

技术领域

本申请涉及检测技术领域，特别是涉及直流微电阻测量方法及装置。

背景技术

在生产和实践中，常常需要对微小电阻进行精确测量。例如电机和变压器的线圈电阻，电闸接线端子和电缆插座的接触电阻，大功率电气开关的接触电阻等。这些电阻的阻值一般都在mΩ级甚至μΩ级。一般的指针或数字万用表可以实现对10Ω-100MΩ范围内电阻值的精确测量。但对于1Ω以下的电阻(即微电阻)，指针或数字万用表的测量值会出现严重偏差。

目前，针对微电阻的阻值测量大多采用微电阻测试仪进行测量。通过微电阻测试仪可以实现对微小电阻测量，但采用微电阻测试仪按照现有的测试方法在测量时忽略了不同电阻温度系数对其阻值的影响，即忽略了电阻在测量时产生温升，使其阻值发生变化，造成测量偏差。

发明内容

基于此，有必要针对现有微电阻测试仪按照现有的测试方法在测量时忽略了电阻在测量时产生的温升，使其阻值发生变化，从而造成测量偏差的问题，提供一种直流微电阻测量方法及装置。

一种直流微电阻测量方法，包括：

根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值；

根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线；

将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数。

在其中一个实施例中，所述将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数的步骤包括：

获取多个所述预设温度变化曲线；

将所述温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线分别进行比对，若温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线中的任意一个所述预设温度变化曲线重合，则确定所述待测电阻的性能参数与该所述预设温度变化曲线对应的电阻的性能参数相同。

在其中一个实施例中，所述将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数的步骤之前，所述方法还包括：

将不同材料的标准电阻分别通入所述预设电流，记录各个所述标准电阻在所述预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第二阻值和多个与各个所述第二阻值对应的第二温度值；

根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线。

在其中一个实施例中，根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线的步骤包括：

根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值按照预设算法确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线，所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法。

在其中一个实施例中，所述负温度系数预设算法的公式如下：

其中，R_n-T为所述标准电阻在待测温度的电阻值，R_n-25为所述标准电阻在25℃时的电阻值，B_N为负温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。

在其中一个实施例中，所述正温度系数预设算法的公式如下：

R_T＝R₂₅exp B_P(T-298)

其中，R_T为所述标准电阻在待测温度的电阻值，R₂₅为所述标准电阻在25℃时的电阻值，B_P为正温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。

在其中一个实施例中，所述根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线的步骤包括：

根据多个所述第一阻值和所述第一温度值按照预设算法确定所述待测电阻的温度变化曲线，所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法。

在其中一个实施例中，所述负温度系数预设算法的公式如下：

其中，r_n-T为所述待测电阻在待测温度的电阻值，r_n-25为所述待测电阻在25℃时的电阻值，B_N1为负温度系数所述待测电阻的材料常数，T为待测温度；

所述正温度系数预设算法的公式如下：

r_T＝r₂₅ expB_P1(T-298)

其中，r_T为所述待测电阻在待测温度的电阻值，r₂₅为所述待测电阻在25℃时的电阻值，B_P1为正温度系数所述待测电阻的材料常数。

一种直流微电阻测量装置，包括：真空烘箱以及设置于真空烘箱内的可控电流源、标准电阻、第一继电器开关、待测电阻、第二继电器开关、电压表、电流表和处理器，所述真空烘箱设置有温度表；

所述可控电流源依次与所述标准电阻、所述第一继电器开关和所述电流表串联，并形成闭环回路；

所述待测电阻的第一端与所述可控电流源的第一端电连接，所述待测电阻的第二端与所述第二继电器开关的第一端电连接，所述第二继电器开关的第二端与所述电流表的第一端电连接；

所述电压表的第一端与所述可控电流源的第一端电连接，所述电压表的第二端与所述电流表的第一端电连接，所述处理器分别与所述第一继电器开关、所述第二继电器开关、所述电压表、所述电流表、所述可控电流源和所述温度表电连接；

所述处理器用于执行上述任一项实施例所述的直流微电阻测量方法。

在其中一个实施例中，所述的直流微电阻测量装置还包括：

显示屏，设置于所述真空烘箱，与所述处理器电连接。

在其中一个实施例中，所述的直流微电阻测量装置还包括：

压力计，设置于所述真空烘箱，用于显示所述真空烘箱内的压力。

与现有技术相比，上述直流微电阻测量方法及装置，首先根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值。其次，根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线。最后，将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，从而可确定所述待测电阻的性能参数。不仅能够校正温度对标准电阻的影响，还提高了测量的可靠性，测试过程更加便捷快速。

附图说明

图1为本申请一实施例提供的直流微电阻测量方法的流程图；

图2为本申请一实施例提供的直流微电阻测量装置的结构示意图。

10 直流微电阻测量装置

100 真空烘箱

110 温度表

120 显示屏

130 压力计

140 放气阀

150 抽气阀

160 压力泵

200 可控电流源

300 标准电阻

400 第一继电器开关

500 待测电阻

600 第二继电器开关

700 电压表

800 电流表

900 处理器

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参见图1，本申请一实施例提供一种直流微电阻测量方法，可对1Ω以下的微电阻进行测量，提高了测量的准确度。具体的，所述方法包括：

S102：根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值。

在一个实施例中，所述待测电阻的性能参数是未知的，通过本实施例所述的直流微电阻测量方法对所述待测电阻进行测量，从而可确定所述待测电阻的性能参数。在一个实施例中，所述预设电流的大小可根据实际需求进行设定。例如，所述预设电流可设定为10mA。

在一个实施例中，可通过控制器或处理器根据所述待测电阻的功率给所述待测电阻通入所述预设电流。在给所述待测电阻通电后，需在所述预设时间内记录所述待测电阻的阻值变化和温度变化，并得到多个所述第一阻值和多个所述第一温度值。在一个实施例中，所述预设时间可根据实际需求进行设定。在一个实施例中，所述预设时间可以是1分钟。在一个实施例中，所述预设时间也可以是2分钟等。

在一个实施例中，在所述预设时间内，可在预设时间间隔记录一次所述待测电阻的阻值和温度。例如，可在5s的时间间隔记录一次所述待测电阻的阻值和温度，从而在所述预设时间内，可以得到多个所述第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的所述第一温度值。

S104：根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线。

在一个实施例中，可通过所述控制器或处理器根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线。具体的，所述控制器或处理器可基于多个所述第一阻值和多个所述第一温度值按照预设算法确定所述待测电阻的温度变化曲线。

在一个实施例中，所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法。在一个实施例中，所述负温度系数预设算法的公式如下：

其中，r_n-T为所述待测电阻在待测温度的电阻值，r_n-25为所述待测电阻在25℃时的电阻值，B_N1为负温度系数的所述待测电阻的材料常数，T为待测温度。通过上述所述负温度系数预设算法的公式可确定负温度系数的所述待测电阻的温度变化曲线。

在一个实施例中，所述正温度系数预设算法的公式如下：

r_T＝r₂₅ expB_P1(T-298)

其中，r_T为所述待测电阻在待测温度的电阻值，r₂₅为所述待测电阻在25℃时的电阻值，B_P1为正温度系数所述待测电阻的材料常数。通过上述所述正温度系数预设算法的公式可确定正温度系数的所述待测电阻的温度变化曲线。

S106：将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数。

在一个实施例中，在确定所述待测电阻的温度变化曲线后，可通过所述控制器或处理器将得到的所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线分别进行比对，从而确定所述待测电阻的性能参数。具体的，首先可通过所述控制器或处理器获取多个所述预设温度变化曲线。

然后将所述温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线分别进行比对，若温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线中的任意一个所述预设温度变化曲线重合或曲线重合度最高，则此时可确定所述待测电阻的性能参数与该所述预设温度变化曲线对应的电阻的性能参数相同。即所述待测电阻与该所述预设温度变化曲线对应的电阻是同类型、同材料电阻。采用上述方式不仅能够校正温度对标准电阻的影响，还提高了测量的可靠性。

在一个实施例中，所述电阻的性能参数可包括：材料常数(B)、正温度系数或负温度系数、电阻的材料等。具体的，所述材料常数(B)是一个描述热敏电阻材料物理特性的参数，也是热灵敏度指标。B值越大，表示电阻的热灵敏度越高。在实际工作时，B值并非一个常数，而是随温度的升高而改变。

在一个实施例中，所述正温度系数的电阻可包括：钛酸钡半导瓷电阻，材料是以BaTiO3或SrTiO3或PbTiO3为主要成分的烧结体，其中掺入微量的Nb、Ta、Bi、Sb、Y、La等氧化物进行原子价控制而使之半导化，常将这种半导体化的BaTiO3等材料简称为半导(体)瓷。同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，得到正特性的热敏电阻材料。

在一个实施例中，所述负温度系数的电阻可包括：尖晶石结构的氧化物陶瓷电阻，具体是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料。该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数(NTC)的热敏电阻。其电阻率和材料常数随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化。

在一个实施例中，不同材料的所述待测电阻，其性能参数是不一样的。通过上述测试方法，可对1Ω以下的微电阻进行测量，从而确定其性能参数。

本实施例中，首先根据所述待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值。其次，根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线。最后，将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，从而可确定所述待测电阻的性能参数。本实施例不仅能够校正温度对标准电阻的影响，还提高了测量的可靠性，同时测试过程更加便捷快速。

在一个实施例中，所述将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数的步骤之前，所述方法还包括：将不同材料的标准电阻分别通入所述预设电流，记录各个所述标准电阻在所述预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第二阻值和多个与各个所述第二阻值对应的第二温度值；根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线。

在一个实施例中，所述标准电阻是指：已知性能参数的电阻。在一个实施例中，可通过所述控制器或处理器控制将不同材料的标准电阻分别通入所述预设电流，记录各个所述标准电阻在所述预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第二阻值和多个与各个所述第二阻值对应的第二温度值。

在一个实施例中，将不同材料的标准电阻分别通入所述预设电流，记录各个所述标准电阻在所述预设时间内的阻值变化和温度变化是指：先将当前材料的所述标准电阻通入所述预设电流，并记录当前材料的所述标准电阻在所述预设时间内的阻值变化和温度变化。记录完成后，再将下一种材料的所述标准电阻通入所述预设电流，并对下一种材料的所述标准电阻在所述预设时间内的阻值变化和温度变化进行记录。也就是说，每次只能对一种材料的所述标准电阻进行通电并记录阻值和温度的变化。

从而可得到每种材料对应的所述标准电阻在所述预设时间内的多个所述第二阻值和多个所述第二温度值。然后所述控制器或处理器可根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线。从而可建立电阻温升曲线数据库。

再一个实施例中，所述控制器或处理器可根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值按照预设算法确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线。所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法。

在一个实施例中，若所述标准电阻为负温度系数电阻，则可采用所述负温度系数预设算法确定对应的温度变化曲线。具体公式如下：

其中，R_n-T为所述标准电阻在待测温度的电阻值，R_n-25为所述标准电阻在25℃时的电阻值，B_N为负温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。通过上述所述负温度系数预设算法的公式可确定负温度系数的所述标准电阻的温度变化曲线。

在一个实施例中，若所述标准电阻为正温度系数电阻，则可采用所述正温度系数预设算法确定对应的温度变化曲线。具体公式如下：

R_T＝R₂₅ expB_P(T-298)

其中，R_T为所述标准电阻在待测温度的电阻值，R₂₅为所述标准电阻在25℃时的电阻值，B_P为正温度系数所述标准电阻的材料常数。通过上述所述正温度系数预设算法的公式可确定正温度系数的所述标准电阻的温度变化曲线。

通过上述所述正温度系数预设算法和所述负温度系数预设算法可针对不同材料的所述标准电阻，利用温升过程中所述标准电阻阻值变化，确定不同材料的所述标准电阻的阻值与温度的变化曲线，从而建立不同材料的所述标准电阻温升曲线数据库。进而可将所述待测电阻的温度变化曲线与所述标准电阻温升曲线数据库内的多个所述预设温度变化曲线分别进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数。采用上述测试方法，不仅能够校正温度对标准电阻的影响，提高了测量的可靠性，还能够使得测试过程更加便捷快速。

请参见图2，本申请一实施例提供一种直流微电阻测量装置10，包括：真空烘箱100以及设置于真空烘箱100内的可控电流源200、标准电阻300、第一继电器开关400、待测电阻500、第二继电器开关600、电压表700、电流表800和处理器900。所述真空烘箱100设置有温度表110。所述可控电流源200依次与所述标准电阻300、所述第一继电器开关400和所述电流表800串联，并形成闭环回路。所述待测电阻500的第一端与所述可控电流源200的第一端电连接。所述待测电阻500的第二端与所述第二继电器开关600的第一端电连接。

所述第二继电器开关600的第二端与所述电流表800的第一端电连接。所述电压表700的第一端与所述可控电流源200的第一端电连接。所述电压表700的第二端与所述电流表800的第一端电连接。所述处理器900分别与所述第一继电器开关400、所述第二继电器开关600、所述电压表700、所述电流表800、所述可控电流源200和所述温度表110电连接。所述处理器900用于执行上述任一项实施例所述的直流微电阻测量方法。

在一个实施例中，由所述可控电流源200、所述标准电阻300、所述第一继电器开关400、所述待测电阻500、所述第二继电器开关600、所述电压表700、所述电流表800和所述处理器900组成的测量电路可设置于所述真空烘箱100内。在一个实施例中，所述处理器900也可替换为单片机或控制IC等。

在一个实施例中，首先可通过所述处理器900控制断开所述第二继电器开关600，闭合所述第一继电器开关400。即此时单独测量已知性能参数的所述标准电阻300(Rn)。根据Rn的功率通入合适的电流10mA(即所述预设电流)并在1分钟(即所述预设时间)记录下测量时的阻值及所述真空烘箱100上所述温度表110的示数(即得到多个所述第二阻值和第二温度值)。然后根据阻值变化与温度变化可确定Rn的温度变化曲线。

在一个实施例中，所述标准电阻(Rn)的数量为多个，即由多个不同材料的所述标准电阻(R1、R2……Rn，n为自然数)。针对不同材料的电阻，可采用上述实施例所述的测试方法利用温升过程中标准电阻阻值变化，确定不同材料的所述标准电阻的阻值与温度的变化曲线(即得到多个所述预设温度变化曲线)，从而建立不同材料的所述标准电阻的温升曲线数据库。

在所述标准电阻的温升曲线数据库建立后，可通过所述处理器900控制所述第二继电器开关600开启，所述第一继电器开关400断开。即此时单独测量未知性能参数的所述待测电阻500(Rx)。具体的测试方法可采用上述实施例所述的直流微电阻测量方法。通过上述实施例所述的直流微电阻测量方法得到Rx的温度变化曲线后，可通过所述处理器900将其与不同材料的所述标准电阻300的温升曲线数据库内的多个所述预设温度变化曲线分别进行比对。

若所述温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线中的任意一个所述预设温度变化曲线重合或曲线重合度最高，则此时可确定所述待测电阻500的性能参数与该所述预设温度变化曲线对应的所述标准电阻300的性能参数相同。即所述待测电阻500与该所述预设温度变化曲线对应的所述标准电阻300是同类型、同材料电阻。采用上述方式不仅能够校正温度对标准电阻的影响，还提高了测量的可靠性。

在一个实施例中，所述直流微电阻测量装置10还包括：显示屏120。所述显示屏120设置于所述真空烘箱100。所述显示屏120与所述处理器900电连接。在一个实施例中，所述处理器900将Rx的温度变化曲线与不同材料的所述标准电阻300的温升曲线数据库内的多个所述预设温度变化曲线分别进行比对后，可将比对结果通过所述显示屏120进行显示，以便于测试人员观察。

在一个实施例中，所述直流微电阻测量装置10还包括：压力计130。所述压力计130设置于所述真空烘箱100。所述压力计130用于显示所述真空烘箱100内的压力。通过在所述真空烘箱100上设置所述压力计130，从而便于测试人员在测试的过程中实时观察所述真空烘箱100内的压力。在测试完成后，可通过放气阀140、抽气阀150以及压力泵160的配合，对所述真空烘箱100进行泄压。

综上所述，本申请首先根据所述待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值。其次，根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线。最后，将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，从而可确定所述待测电阻的性能参数。本实施例不仅能够校正温度对标准电阻的影响，还提高了测量的可靠性，同时测试过程更加便捷快速。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种直流微电阻测量方法，其特征在于，包括：

根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值；

根据多个所述第一阻值和所述第一温度值按照预设算法确定所述待测电阻的温度变化曲线，所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法，所述正温度系数预设算法和所述负温度系数预设算法的参数中包含标准电阻的材料常数；

将不同材料的标准电阻分别通入所述预设电流，记录各个所述标准电阻在所述预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第二阻值和多个与各个所述第二阻值对应的第二温度值；

根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线；

获取多个所述预设温度变化曲线，将所述温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线分别进行比对，若温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线中的任意一个所述预设温度变化曲线重合，则确定所述待测电阻的性能参数与该所述预设温度变化曲线对应的电阻的性能参数相同。

2.如权利要求1所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线的步骤包括：

根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值按照预设算法确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线，所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法。

3.如权利要求2所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，所述负温度系数预设算法的公式如下：

其中，R_n-T为所述标准电阻在待测温度的电阻值，R_n-25为所述标准电阻在25℃时的电阻值，B_N为负温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。

4.如权利要求2所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，所述正温度系数预设算法的公式如下：

R_T＝R₂₅exp B_P(T-298)

其中，R_T为所述标准电阻在待测温度的电阻值，R₂₅为所述标准电阻在25℃时的电阻值，B_P为正温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。

5.如权利要求1所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，所述负温度系数预设算法的公式如下：

其中，r_n-T为所述待测电阻在待测温度的电阻值，r_n-25为所述待测电阻在25℃时的电阻值，B_N1为负温度系数所述待测电阻的材料常数，T为待测温度；

所述正温度系数预设算法的公式如下：

r_T＝r₂₅exp B_P1(T-298)

其中，r_T为所述待测电阻在待测温度的电阻值，r₂₅为所述待测电阻在25℃时的电阻值，B_P1为正温度系数所述待测电阻的材料常数。

6.一种直流微电阻测量装置，其特征在于，包括：真空烘箱(100)以及设置于真空烘箱(100)内的可控电流源(200)、标准电阻(300)、第一继电器开关(400)、待测电阻(500)、第二继电器开关(600)、电压表(700)、电流表(800)和处理器(900)，所述真空烘箱(100)设置有温度表(110)；

所述可控电流源(200)依次与所述标准电阻(300)、所述第一继电器开关(400)和所述电流表(800)串联，并形成闭环回路；

所述待测电阻(500)的第一端与所述可控电流源(200)的第一端电连接，所述待测电阻(500)的第二端与所述第二继电器开关(600)的第一端电连接，所述第二继电器开关(600)的第二端与所述电流表(800)的第一端电连接；

所述电压表(700)的第一端与所述可控电流源(200)的第一端电连接，所述电压表(700)的第二端与所述电流表(800)的第一端电连接，所述处理器(900)分别与所述第一继电器开关(400)、所述第二继电器开关(600)、所述电压表(700)、所述电流表(800)、所述可控电流源(200)和所述温度表(110)电连接；

所述处理器(900)用于执行如权利要求1-5任一项所述的直流微电阻测量方法。

7.如权利要求6所述的直流微电阻测量装置，其特征在于，还包括：

显示屏(120)，设置于所述真空烘箱(100)，与所述处理器(900)电连接。

8.如权利要求6所述的直流微电阻测量装置，其特征在于，还包括：

压力计(130)，设置于所述真空烘箱(100)，用于显示所述真空烘箱(100)内的压力。

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