CN110741374B - 光罩优化算法及最优目标设计 - Google Patents
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- 238000013461 design Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 238000005457 optimization Methods 0.000 title description 5
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 title description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 105
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 13
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 55
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 101150013568 US16 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 210000003813 thumb Anatomy 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Abstract
本发明提供光罩上及晶片上的计量目标设计,以及目标设计及处理方法。目标设计包括:粗间距周期性结构,其具有在子元件CD及/或高度上变化的细间距子元件;正交周期性结构,其垂直于测量方向,具有周期性循环条当中的正交未解析间距,所述周期性循环条提供用于实现良好印刷目标的校准参数。正交周期性结构可设计在光罩上且是未解析的,或以切割图案施加在处理层上,具有对于切割层覆盖的相对低灵敏度。所设计的目标可用于覆盖计量以及用于测量工艺参数,例如扫描仪像差及间距偏差。
Description
技术领域
本发明涉及计量领域,且更具体来说,本发明涉及覆盖目标设计。
背景技术
周期性目标广泛用于覆盖测量,但是,覆盖目标面临着必须提供可检测测量结果及对所生产装置的合规性两者的持续挑战,所生产装置变得越来越小且关于其生产工艺进行特定设计。
发明内容
下文是提供本发明的初步理解的简化概要。概要不一定识别关键元素,也不限制本发明的范围,而仅充当以下描述的导论。
本发明的一个方面提供一种计量目标设计,其包括沿着测量方向的周期性结构,周期性结构具有周期性循环元件当中的粗间距,其中每一元件沿着测量方向是周期性的,具有在子元件临界尺寸(CD)上变化的周期性循环子元件当中的细间距,其中粗间距是细间距的整数倍,且其中目标设计进一步包括正交周期性结构,正交周期性结构垂直于测量方向,具有周期性循环条当中的正交未解析间距,其中正交未解析间距小于指定最小设计规则间距。
本发明的这些、额外及/或其它方面及/或优点在下文的具体实施方式中阐述;可能可从具体实施方式推断;及/或可通过实践本发明而学习。
附图说明
为了更好地理解本发明的实施例且展示可如何实行本发明的实施例,现在将纯粹通过实例参考附图,其中遍及图式中的相同数字指定对应元件或区段。
在附图中:
图1A是根据本发明的一些实施例的计量目标设计的高阶示意图。
图1B是根据本发明的一些实施例的光刻过程的设定的高阶示意图及高度简化图。
图2A到2C是现有技术目标设计的高阶示意图。
图3及4是根据本发明的一些实施例的计量目标设计的高阶示意图。
图5是根据本发明的一些实施例的使用具有不同宽度的正交条的目标设计的印刷计量目标的高阶示意图。
图6A到6C是根据本发明的一些实施例的印刷计量目标的高阶示意图。
图7A及7B是根据本发明的一些实施例的使用目标的额外测量的高阶示意图。
图8是说明根据本发明的一些实施例的方法的高阶流程图。
具体实施方式
在以下描述中,描述本发明的各种方面。为了阐释的目的,阐述特定配置及细节以提供本发明的透彻理解。但是,所属领域的技术人员也将了解,本发明可在没有本文中呈现的具体细节的情况下实践。此外,可能已省略或简化熟知的特征以不模糊本发明。具体参考图式,应强调,所展示细项是通过实例且仅是为了说明性论述本发明的目的,且为了提供据信是本发明的原理及概念方面的最有用且容易理解的描述的原因而呈现。在这方面,不试图比基本理解本发明所需般更详细展示本发明的结构细节,结合图式进行的描述使所属领域的技术人员了解实际上可如何体现本发明的若干形式。
在详细阐释本发明的至少一个实施例之前,应理解,本发明在其应用上不限于以下描述中阐述或图式中说明的组件的构造及布置的细节。本发明可应用在可以各种方式实践或实行的其它实施例以及所揭示实施例的组合。此外,应理解,本文中采用的词组及术语是为了描述的目的且不应被视为限制性的。
除非另外明确陈述,否则如自以下论述显而易见,应了解,贯穿本说明书,利用例如“处理”、“计算”、“运算”、“确定”、“增强”、“导出”或类似者的术语的论述是指计算机或计算系统或类似电子计算装置的动作及/或过程,所述动作及/或过程将表示为计算系统的寄存器及/或存储器内的物理(例如电子)量的数据操纵及/或变换为类似表示为计算系统的存储器、寄存器或其它此类信息存储、传输或显示装置内的物理量的其它数据。
覆盖控制是当前光刻的主要挑战中的一者。通常,通过在晶片上印刷特殊标记或目标(相对于其测量覆盖)而实现覆盖控制。在掩模或光罩的设计期间,必须考虑可印刷性(工艺窗)及像差稳定性问题。此使掩模的设计变成非常困难的任务,其包含模拟及实验部分两者。处置问题的方式中的一者是在掩模上使用辅助不可印刷特征(辅助子分辨率特征ASRAF)。这些特征并不由其自身印刷(这是因为其经次解析),但是,其改进设计结构的可印刷性且降低其对扫描仪的像差的灵敏度。但是,辅助特征的使用增加大量自由度,其连同缺乏通用方法推动目标设计领域使用试错法。
有利地,所揭示的目标设计及方法通过组合CD调制及场调制目标与垂直于测量方向且具有未解析间距的正交周期性结构而使覆盖目标的设计工艺变得更直观且可预测。
提供光罩上及晶片上的计量目标设计,以及目标设计及处理方法。目标设计包括:粗间距周期性结构,其具有在子元件CD及/或高度上变化的细间距子元件;正交周期性结构,其垂直于测量方向,具有周期性循环条当中的正交未解析间距,周期性循环条提供用于实现良好印刷目标的校准参数。正交周期性结构可设计在光罩上且是未解析的,或以切割图案施加在处理层上,具有对于切割层覆盖的相对低灵敏度。所设计的目标可用于覆盖计量以及用于测量工艺参数,例如扫描仪像差及间距偏差。
图1A是根据本发明的一些实施例的计量目标设计100的高阶示意图。说明光罩(reticle)(光罩(photoreticle),其在光刻中使用以在晶片上界定图案化层,也被称为掩模或光掩模)上的计量目标设计100,计量目标设计100用于在晶片上产生可能具有一些不同特征的对应目标,如下文所阐释。计量目标设计100包括沿着测量方向的周期性结构,周期性结构具有周期性循环元件110当中的粗间距P。每一元件110沿着测量方向是周期性的,具有周期性循环子元件120当中的细间距P1。子元件120在子元件临界尺寸(CD,表示为CD1、CD2、CD3等)上变化,其中粗间距P是细间距P1的整数倍(P=n·P1,其中n是整数,在所说明的非限制性实例中n=5)。计量目标设计100进一步包括具有正交周期性循环条130的正交周期性结构,正交周期性结构垂直于测量方向,具有CD为CD(B)的正交周期性循环条130当中的正交未解析间距P2。未解析正交间距P2小于指定最小设计规则间距且因此并不自身印刷在晶片上,而仅帮助提供可控制目标,如下文所阐释。应注意,元件110在某种程度上任意地表示为单位单元,且可能已在计量目标设计100的不同位置中进行选取。
图1B是根据本发明的一些实施例的光刻过程的设定的高阶示意图及高度简化图。使用来自照明源70的照明来产生晶片104上的计量目标150,通过其上具有计量目标设计100的光罩102(也被称为掩模)投射所述照明。显然,光罩102通常包含与晶片104上产生的一或可能多层(若干)集成电路有关的电路设计数据及可能多个计量目标设计100。计量目标设计100及计量目标150的所揭示描述仅分别与光罩102及晶片104上的这些组件有关,且通常是复杂得多的设计的部分。某些实施例包括(若干)光刻光罩102,(若干)光刻光罩102包括本文中揭示的计量目标设计100。某些实施例包括晶片104,晶片104包括使用本文中揭示的(若干)计量目标设计100产生的(若干)计量目标150,以及(若干)计量目标150本身。某些实施例包括(若干)计量目标150的目标设计文件。某些实施例包括计量目标150的计量覆盖测量目标设计文件。
明确来说,(若干)计量目标150(其部分在图1B中示意性地说明)可包括沿着测量方向的周期性的计量目标150,周期性的计量目标150具有周期性循环元件151当中的目标粗间距(P(T)),其中每一周期性循环元件151沿着测量方向是周期性的,具有在目标子元件CD上变化的周期性循环目标子元件155当中的目标细间距(P1(T))(见图5中),其中目标粗间距P(T)是目标细间距P1(T)的整数倍,对于整数n,P(T)=n·P1(T)。图5中呈现(若干)计量目标150的非限制性实例。
图2A到2C是现有技术目标设计80的高阶示意图。如图2A中示意性地所说明,用于覆盖测量的典型目标设计包括具有按间距P设定的元件82的周期性结构。在全部元件82被印刷时,光罩上的目标设计及实际目标几何形状是类似的。应注意,间距P是较大的(比最小设计规则大得多),通常大于1000nm,如运用视觉范围中的照明光谱实现光学分辨率所要求。但是,由于目标设计80留下较宽的空的空间及较宽的未分段元件82时,所以其通常是工艺不兼容的且归因于不对称扫描仪像差而导致相对于装置的显著偏差。
图2B及2C分别说明分别在光罩上及在晶片上的现有技术目标设计90、95。现有技术目标设计90包含将宽条元件82分段成细分段周期性结构,其具有以细间距P1重复的元件92,这在粗间距P内产生类似装置的结构。元件92具有在装置结构的数量级上或甚至与装置结构相同的间距P1(最小设计规则间距),且通过设定类似装置的印刷结构97的参数以在粗间距内变化而实现所要求的光学分辨率,如美国专利申请案第14/820917号及WIPO申请案第PCT/US16/60626号中更详细地所揭示,所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
但是,本发明者已发现,目标设计90具有影响所得性能的过多自由参数,且同时优化其全部可能是相当困难的任务。举例来说,在目标设计90中,自由参数包含元件92中的每一者的宽度值且确保全部元件92被印刷且具有足够大的工艺窗。这是重大挑战,要求归因于难以校准抗蚀剂的化学性质而极少可用的良好校准模拟,其因此通常通过试错法处置。但是,由于不同CD值的组合的数目巨大,因此此现有技术方法几乎不适用。本发明者已发现,分析受到不连续性及不可区分区域的阻碍,其也阻止形成直观经验法则用于猜测目标设计95被良好印刷的条件。
作为这些困难的解决方案,本发明者建议,在计量目标设计100中,显著减少计量目标设计100中的不同参数的数目且使用从物理观点以直观方式影响目标可印刷性的参数。由于主要可印刷性问题与了解空中图像阈值的正确值的运气有关,因此本发明者建议使用正交周期性循环条130来控制子元件120的可印刷性及其参数,同时保持正交周期性循环条130本身在垂直于子元件155的方向上不被印刷且未解析。
图3及4是根据本发明的一些实施例的计量目标设计100的高阶示意图。应注意,图3及4仅说明相应计量目标设计100的小部分,用于阐释其设计原理的目的,即,(i)所添加的正交周期性循环条130在垂直方向(垂直于测量方向)上是周期性的且具有间距P2(参见图1A),间距P2小于最小设计规则间距且因此未由印刷工具的光学系统解析;(ii)所添加的正交周期性循环条130不影响计量系统的光瞳平面中的衍射级(在测量方向上来自元件110及子元件120)的位置,且对应地,在由CD调制目标(具有针对子元件120的不同CD)提供的准双光束成像方案中,正交周期性循环条130不改变场平面中的印刷图案的位置(未导致相对于装置的偏差);及(iii)通过改变正交周期性循环条130的宽度(CD(B)),零及第一衍射级的强度可变化且可用来容易地找到针对提供良好可印刷性条件的给定参数的适当值。图4示意性地说明具有高度(H1、H2、H3等)不同且宽度(CD)相同的子元件120的计量目标设计100的变体,将正交周期性循环条130添加到计量目标设计100。
图5是根据本发明的一些实施例的使用具有不同宽度(CD(B))的正交周期性循环条130的计量目标设计100的印刷计量目标150的高阶示意图。使用图1A及3中说明的计量目标设计100来印刷图5中说明的印刷计量目标150,作为非限制性实例。图5表明,改变正交周期性循环条130的宽度(CD(B))会导致目标子元件155的宽度(CD)不同,从而允许最优CD(B)的简单选择。由于候选计量目标150及对应计量目标设计100的所得集合取决于单个参数(CD(B)),因此物理上更直观且允许其它工艺参数的简单配合,例如,配合暴露在空中图像阈值的任何值的光量,这是因为其涉及仅改变计量目标设计100中的一个参数。
应注意,引入垂直于测量方向且具有未解析间距的正交周期性循环条130的所揭示方法可用作广泛范围的计量覆盖目标且不仅具有如上文所展示的可变CD的细子元件的计量覆盖目标中的一般原理。
返回参考图4,应注意,子元件120可经设计以具有不同高度(H1、H2、H3等)而非(或可能外加)具有不同宽度(CD1、CD2、CD3等)以为优化工艺提供其它(或额外)参数。垂直方向上的调制可经设定为未解析且不影响光瞳平面中的衍射级的位置,从而未形成相对于装置的偏差,但仍影响掩模的透射率性质,如例如美国专利申请公开案第2015/0309402号中所阐释,所述公开案的全部内容以引用的方式并入本文中。可使用例如图4中揭示的计量目标设计100来增加用于实现良好可印刷性条件的额外灵活性(例如,正交周期性循环条130的宽度及子元件120的高度)。
有利地,所揭示实施例使得能够使用优化工艺的单个参数放松且可能运用统一参数集来建立子元件120及印刷计量目标150的CD调制。此外,所揭示实施例提供创新掩模设计能力,包含使用单个参数族优化的有效空中图像阈值控制,及使用子元件120的高度及/或宽度的统一目标设计优化放松。
图6A到6C是根据本发明的一些实施例的印刷计量目标150的高阶示意图。应注意,图6A到6C仅分别说明相应计量目标产生工艺阶段150A、150B及计量目标150的小部分(对应于一个周期),以用于阐释其设计原理的目的。图6A到6C分别示意性地说明用于在晶片上产生计量目标150的工艺阶段150A、150B。计量目标150可包括沿着测量方向的周期性循环元件151,其具有周期性循环元件151当中的粗间距(P),其中每一周期性循环元件151沿着测量方向是周期性的,具有周期性循环子元件155当中的细间距(P1),且全部子元件155具有相同CD。子元件155可由垂直于测量方向的具有周期性循环切口的正交周期性结构160切割(在图6A及6B中分别从工艺阶段150A移动到工艺阶段150B)。本发明者已发现,切口可经配置以模拟印刷计量目标150的CD调制,且简化生产工艺。子元件155可经配置以表示无任何CD变动的装置结构(借此避免可印刷性问题),同时切割工艺将这些结构转换成可由计量光学工具测量的经有效CD调制计量目标150。
子元件155可具有不同CD(如例如图1A及1B中所说明)或具有相同CD。具有CD相同的子元件155的所揭示计量目标150相比于改变CD的子元件155可具有更好的可印刷性,且实现相对于装置结构的几乎零偏差。相应覆盖计量目标150可用于计量覆盖测量。
在某些实施例中,包含印刷具有最小设计规则的周期性光栅及随后在垂直方向上进行线切割的标准装置印刷程序用于产生计量目标150。应注意,由于此程序仅适用于处理层中的计量目标150,这是因为其涉及切割,但是从工艺兼容性观点来看,仅这些目标构成主要挑战。
粗间距(P)可经配置以由例如在400nm以上操作的计量工具光学器件解析。细间距(P1)可经配置以满足印刷要求,且正交周期性结构160可经配置以同样例如通过不留下大于可印刷性阈值(例如,100nm)的间隙而维持工艺兼容性。计量目标150可经配置以特定来说在子元件155经设计为具有相同间距的装置线时具有零或极小非零偏差(NZO)。由于由(子元件155的)基线位置完全确定目标位置,因此其可能按照定义具有NZO=0,同时仍为测量光学工具提供足够的对比度。
有利地,虽然计量目标150未遭遇可印刷性问题,但其也未在测量方向上或在垂直方向上对正交周期性结构160的位置强加严格规格,从而导致正交周期性结构160的较大的可允许范围的覆盖误差,其为数nm,可能甚至高达10nm。
在某些实施例中,子元件155可以最小设计规则间距的恰好两倍(P1=2·DR)印刷以防止正交周期性结构160与子元件155的可能重叠(如例如在P1=DR且使用极偶极照明印刷正交周期性结构160的情况下可能发生)。用P1=2·DR配置计量目标150可维持小或零NZO甚至超过大范围的覆盖误差容限正交周期性结构160,如下文在方程式1中所展示,表达按照细间距P1的空中强度分布及对应于光瞳中的照明位置的不对称像差相移(由表示)的状态
本发明者注意到,目标位置的对应偏移是其与用等于最小设计规则间距的P1印刷的计量目标150相同,方程式2中描述空中强度分布(在方程式2中,P2=1·DR且P1=2·DR)。
图7A及7B是根据本发明的一些实施例的使用计量目标150的额外测量170的高阶示意图。某些实施例可利用计量目标150用于额外测量,例如扫描仪像差测量174、间距偏差测量176等。对于扫描仪像差测量174,具有在从最小设计规则(DR)直到最小设计规则的两倍(2·DR)的范围中的分段间距(细间距P1)的同时计量目标150可被印刷、如上文中所揭示般切割且由覆盖计量工具172测量。对应于不同分段间距(细间距P1)的不同计量目标150之间的覆盖测量的结果为扫描仪像差幅度计算提供基础,如美国专利申请案第14/820917号中所描述,所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。对于间距偏差测量176,同时计量目标150可包括两个工艺阶段150A,各自表示在双重图案化程序的不同步骤上印刷的周期性结构(多个工艺阶段150A可用于在多重图案化程序中测量间距偏差),而计量目标150中的其它周期性结构使用切割程序变换成CD调制目标。
图8是说明根据本发明的一些实施例的方法200的高阶流程图。可关于上文所描述的计量目标设计100及/或计量目标150执行方法阶段,其可任选地经配置以实施方法200。方法200可由例如计量模块中的至少一个计算机处理器至少部分地实施。某些实施例包括计算机程序产品,所述计算机程序产品包括计算机可读存储媒体,所述计算机可读存储媒体具有用其体现且经配置以执行方法200的相关阶段的计算机可读程序。某些实施例包括由方法200的实施例设计的相应目标的目标设计文件。方法200可包括以下阶段,而不考虑其顺序。
方法200可包括:将具有正交未解析间距、垂直于测量方向的正交周期性结构引入(阶段210)到包括沿着测量方向的周期性结构的计量目标设计;及在光刻光罩上使用(阶段220)计量目标设计来产生具有仅沿着测量方向的周期性结构的可配置计量目标。方法200可包括配置(阶段230)计量目标设计以使周期性结构包括处于粗间距的周期性循环元件,其中每一元件沿着测量方向是周期性的,具有在子元件CD上变化的周期性循环子元件当中的细间距,其中粗间距是细间距的整数倍。
方法200可进一步包括配置正交周期性结构元件的宽度以优化目标可印刷性(阶段240)。方法200可进一步包括从根据计量目标设计所产生的计量目标导出覆盖计量测量(阶段250)。
方法200可包括:在处理层上沿着测量方向产生(阶段260)周期性结构,所述周期性结构具有周期性循环元件当中的粗间距,其中每一元件沿着测量方向是周期性的,具有CD相同的周期性循环子元件当中的细间距;及由垂直于测量方向、具有周期性循环切口的正交周期性结构切割(阶段270)子元件。
在某些实施例中,方法200可包括产生细间距子元件以具有相同CD,且使用切割来有效地模拟可变CD(阶段272)。细间距可经配置为介于最小设计规则间距(DR)的一倍与两倍之间,可能为DR的两倍,以加宽工艺窗(阶段275)。
方法200可进一步包括使用具有由覆盖测量工具测量的介于最小设计规则的一倍与两倍之间的细间距的多个所产生计量目标来测量扫描仪像差(阶段280)。
方法200可进一步包括通过在所产生计量目标中包含与多重图案化程序的不同步骤有关的周期性单元而测量间距偏差(阶段290)。
上文参考根据本发明的实施例的方法、设备(系统)及计算机程序产品的流程图说明及/或部分图式描述了本发明的方面。应理解,流程图说明及/或部分图式的各部分及流程图说明及/或部分图式中的部分的组合可由计算机程序指令实施。可将这些计算机程序指令提供至通用计算机、专用计算机或其它可编程数据处理设备的处理器以产生机器,使得经由计算机或其它可编程数据处理设备的处理器执行的指令创建用于实施流程图及/或部分图式或其部分中指定的功能/动作的构件。
这些计算机程序指令也可存储在计算机可读媒体中,所述计算机程序指令可引导计算机、其它可编码数据处理设备或其它装置以特定方式起作用,使得存储在计算机可读媒体中的指令产生制品,包含实施流程图及/或部分图式或其部分中指定的功能/动作的指令。
计算机程序指令也可加载到计算机、其它可编程数据处理设备或其它装置上以使在计算机、其它可编程设备或其它装置上执行一系列操作步骤以产生计算机实施过程,使得在计算机或其它可编程设备上执行的指令提供用于实施在流程图及/或部分图式或其部分中指定的功能/动作的过程。
前述流程图及图式说明根据本发明的各个实施例的系统、方法及计算机程序产品的可能实施方案的架构、功能及操作。在这方面,流程图或部分图式中的各部分可表示模块、片段或代码的部分,其包括用于实施(若干)指定逻辑功能的一或多个可执行指令。也应注意,在一些替代实施方案中,部分中提及的功能可不以图中提及的顺序发生。举例来说,事实上,取决于所涉及的功能,依序展示的两个部分可大体上同时执行或所述部分有时可以相反顺序执行。也应注意,部分图式及/或流程图说明的各部分及部分图式及/或流程图说明中的部分的组合可由执行指定功能或动作的基于专用硬件的系统或专用硬件及计算机指令的组合实施。
在上文的描述中,实施例是本发明的实例或实施方案。“一个实施例”、“实施例”、“某些实施例”或“一些实施例”的不同出现不一定全部是指相同实施例。虽然可在单个实施例的背景内容中描述本发明的各种特征,但所述特征也可单独或以任何适合组合提供。相反地,虽然本文中为了清楚起见而在单独实施例的背景内容中描述本发明,但本发明也可在单个实施例中实施。本发明的某些实施例可包含来自上文所揭示的不同实施例的特征,且某些实施例可并入有来自上文所揭示的其它实施例的元件。不应将在特定实施例的背景内容中对本发明的元件的揭示视为将其用途单独限于特定实施例中。此外,应理解,本发明可以多种方式实行或实践且本发明可实施于除了上文的描述中概述的实施例之外的某些实施例中。
本发明不限于所述图式或对应描述。举例来说,流程不需要进行各所说明的方框或状态或按如所说明及描述的完全相同的顺序进行。本文中使用的技术及科学术语的意义是如由所属领域的技术人员普遍理解,除非另外定义。虽然已针对有限数目个实施例描述本发明,但不应将这些理解为对本发明的范围的限制,而为一些优选实施例的例证。其它可能变动、修改及应用也在本发明的范围内。因此,本发明的范围不应由目前为止已描述的内容限制,而应由所附权利要求书及其合法等效物限制。
Claims (9)
1.一种计量目标设计装置,其包括沿着测量方向的周期性结构,所述周期性结构具有周期性循环元件当中的粗间距,
其中每一元件沿着所述测量方向是周期性的,具有在所述测量方向上的周期性循环子元件当中的细间距,其中所述粗间距是所述细间距的整数倍且在所述测量方向上,且其中所述周期性循环子元件中的一者在所述测量方向上具有第一子元件临界尺寸,并且所述周期性循环子元件中的另一者在所述测量方向上具有与所述第一子元件临界尺寸不同的第二子元件临界尺寸,且
其中所述目标设计装置进一步包括正交周期性结构,其包含周期性循环条,所述周期性循环条具有与所述测量方向正交的正交未解析间距,其中所述正交未解析间距小于指定最小设计规则间距以使得所述周期性循环条经配置以不被印刷。
2.一种光刻光罩,其包括根据权利要求1所述的计量目标设计装置。
3.一种计量目标装置,其是使用根据权利要求2所述的光罩产生。
4.根据权利要求3所述的计量目标装置,其包括沿着所述测量方向的目标周期性结构,所述目标周期性结构具有周期性循环目标元件当中的目标粗间距,
其中每一目标元件沿着所述测量方向是周期性的,具有在目标子元件临界尺寸上变化的周期性循环目标子元件当中的目标细间距,其中所述目标粗间距是所述目标细间距的整数倍。
5.一种晶片,其包括根据权利要求3的至少一个计量目标装置。
6.一种根据权利要求3的至少一个计量目标装置的目标设计文件产品。
7.一种计量方法,其包括:
将具有正交未解析间距、正交于测量方向的正交周期性结构引入到包括沿着所述测量方向的周期性结构的计量目标设计,所述正交周期性结构包含周期性循环条,其中所述正交未解析间距小于指定最小设计规则间距以使得所述周期性循环条经配置以不被印刷,及
在光刻光罩上使用所述计量目标设计来产生具有仅沿着所述测量方向的周期性结构的可配置计量目标,
配置所述计量目标设计以使所述周期性结构包括处于粗间距的周期性循环元件,其中每一元件沿着所述测量方向是周期性的,具有周期性循环子元件当中的细间距,其中所述粗间距是所述细间距的整数倍,且其中所述周期性循环子元件中的一者在所述测量方向上具有第一子元件临界尺寸,并且所述周期性循环子元件中的另一者在所述测量方向上具有与所述第一子元件临界尺寸不同的第二子元件临界尺寸。
8.根据权利要求7所述的计量方法,其进一步包括配置正交周期性结构元件的宽度以优化目标可印刷性。
9.根据权利要求8所述的计量方法,其进一步包括从根据所述计量目标设计所产生的计量目标导出覆盖计量测量。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2017/036219 WO2018226215A1 (en) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | Reticle optimization algorithms and optimal target design |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110741374A CN110741374A (zh) | 2020-01-31 |
CN110741374B true CN110741374B (zh) | 2024-06-11 |
Family
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104520982A (zh) * | 2012-06-26 | 2015-04-15 | 科磊股份有限公司 | 类装置散射测量叠盖目标 |
CN104835754A (zh) * | 2014-02-12 | 2015-08-12 | 科磊股份有限公司 | 具有减小不准确性且维持对比度的填充元件的计量目标 |
CN105408721A (zh) * | 2013-06-27 | 2016-03-16 | 科磊股份有限公司 | 计量学目标的极化测量及对应的目标设计 |
WO2016123552A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Kla-Tencor Corporation | Device metrology targets and methods |
CN106164733A (zh) * | 2014-03-31 | 2016-11-23 | 科磊股份有限公司 | 使用散射术计量的焦点测量 |
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