CN110730829A - 延长在pecvd工艺腔室中接地带使用寿命 - Google Patents

延长在pecvd工艺腔室中接地带使用寿命 Download PDF

Info

Publication number
CN110730829A
CN110730829A CN201780091524.8A CN201780091524A CN110730829A CN 110730829 A CN110730829 A CN 110730829A CN 201780091524 A CN201780091524 A CN 201780091524A CN 110730829 A CN110730829 A CN 110730829A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
coupled
substrate support
connector
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780091524.8A
Other languages
English (en)
Inventor
苏小明
尚泽伦
桂仪
R·L·迪纳
孙世尧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN110730829A publication Critical patent/CN110730829A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种基板处理腔室(102)包括多个接地带(130)，所述多个接地带耦接到基板支撑件(118)和腔室底。所述接地带(130)的第一端(234)从所述接地带(130)的第二端(236)竖直地偏移。一种基板处理腔室(102)包括一个或多个陶瓷板(590)，所述一个或多个陶瓷板耦接到基板支撑件(118)的外周边以减少在腔室壁(106)、基板支撑件(118)和接地带(130)上的膜沉积。一种基板处理腔室(102)包括一个或多个接地带(130)，所述一个或多个接地带耦接到基板支撑件(118)和腔室底。每个接地带(130)在其一端或两端包括L型挡块(462、472)以减小所述接地带(130)的暴露长度。所述设备延长接地带使用寿命、提高整体腔室性能并减小所述腔室内的RF频率变化。

Description

延长在PECVD工艺腔室中接地带使用寿命
技术领域
本公开内容的示例一般涉及用于延长在基板处理腔室(诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室)中接地带的使用寿命的设备和方法。
背景技术
PECVD用于处理基板，诸如太阳能基板、显示器基板和半导体基板。PECVD一般包括将前驱物气体引入真空腔室中，在该真空腔室中，基板放置在基板支撑件上。前驱物气体通过典型地安置在腔室的顶部附近的气体分配板被引入真空腔室中，并且由施加到气体分配板的射频(RF)功率激励以在气体分配板与基板支撑件上的基板之间产生等离子体。激发的气体发生反应以在定位在基板支撑件上的基板上形成薄膜层。
在处理期间，基板支撑件需要RF接地以消除跨该基板支撑件的任何电压降，不然就会影响沉积均匀性。如果基板支撑件没有正确地RF接地并存在高阻抗，那么寄生等离子体一般就会沉积在基板支撑件和腔室壁上。基板支撑件典型地由接地带接地到腔室主体以形成RF电流返回路径。
接地带的使用寿命由所处理的基板数量来衡量。常规接地带一般是薄而柔性的铝带，易于断裂，特别是随时间的流逝和当基板支撑件在原始位置与处理位置之间移动时，或当被暴露于等离子体泄漏时。每次接地带断裂都会造成为进行维护的腔室停机和为更换接地带的成本。
因此，需要的是具有延长的使用寿命的接地带的改进的基板处理腔室。
发明内容
本公开内容涉及用于延长接地带使用寿命的方法和设备。在一个示例中，一种基板处理腔室包括多个接地带，所述多个接地带耦接到基板支撑件和腔室底。所述接地带的第一端从所述接地带的第二端竖直地偏移。在另一个示例中，一种基板处理腔室包括一个或多个陶瓷板，所述一个或多个陶瓷板耦接到所述基板支撑件的外周边以减少在腔室壁、基板支撑件和接地带上的膜沉积。在又一个示例中，一种基板处理腔室包括一个或多个接地带，所述一个或多个接地带耦接到基板支撑件和腔室底。每个接地带在其一端或两端包括L型挡块以减小所述接地带的暴露长度。所述设备和所述方法延长接地带使用寿命、提高整体腔室性能并减小所述腔室内的RF频率变化。
在一个示例中，公开了一种基板处理腔室。所述腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有：一个或多个腔室壁；和腔室底部，所述腔室底部具有第一底部连接器和第二底部连接器；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中，所述基板支撑件具有至少第一支撑件连接器、第二支撑件连接器和第三支撑件连接器；第一接地带，所述第一接地带具有第一端和第二端，所述第一端在所述第一支撑件连接器处耦接到所述基板支撑件，所述第二端在所述第二底部连接器处耦接到所述腔室底部；和第二接地带，所述第二接地带具有第一端和第二端，所述第一端在所述第二支撑件连接器处耦接到所述基板支撑件，所述第二端在所述第三底部连接器处耦接到所述腔室底部。
在另一个示例中，公开了一种基板处理腔室。所述基板处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有：一个或多个腔室壁；和腔室底部；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中，所述基板支撑件具有面向所述一个或多个腔室壁的外周边；一个或多个接地带，所述一个或多个接地带具有第一端和第二端，所述第一端耦接到所述基板支撑件，所述第二端耦接到所述腔室底部；和一个或多个陶瓷板，所述一个或多个陶瓷板耦接到所述基板支撑件的所述外周边。
在又一个示例中，公开了一种基板处理腔室。所述基板处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有：一个或多个腔室壁；和腔室底部；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中；一个或多个接地带，所述一个或多个接地带具有第一端和第二端，所述第一端耦接到所述基板支撑件，所述第二端耦接到所述腔室底部；第一L形挡块和夹具，所述第一L形挡块和夹具在所述第一端处；和第二L形挡块和夹具，所述第二L形挡块和夹具在所述第二端处，所述第一L形挡块和所述第二L形挡块中的每个具有以大于约90度的角度相交的第一部分和第二部分。
附图说明
为了能够详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可以参考示例得到以上简要地概述的本公开内容的更特定的描述，其中一些示例在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了示例性示例，并且因此不应视为对本公开内容的范围的限制，而可以允许其他等效示例。
图1是基板处理系统的截面图，该基板处理系统中具有一个或多个接地带。
图2是示例性接地带的顶视图。
图3是图1的基板处理腔室的一部分的截面图。
图4A是图1的基板处理腔室的一部分的截面图。
图4B是图1的基板处理腔室的一部分的截面图。
图4C是图1的基板处理腔室的一部分的截面图。
图5A是基板处理系统的截面图，该基板处理系统中具有一个或多个陶瓷板。
图5B是图5A的一个或多个陶瓷板的示意图。
为了便于理解，已经尽可能地使用相同的附图标记标示各图共有的相同元件。设想的是，一个示例的要素和/或特征可以有利地并入其他示例，而不进一步叙述。
具体实施方式
本公开内容涉及用于延长接地带使用寿命的方法和设备。在一个示例中，一种基板处理腔室包括多个接地带，所述多个接地带耦接到基板支撑件和腔室底。所述接地带的第一端从所述接地带的第二端竖直地偏移。在另一个示例中，一种基板处理腔室包括一个或多个陶瓷板，所述一个或多个陶瓷板耦接到所述基板支撑件的外周边以减少在腔室壁、基板支撑件和接地带上的膜沉积。在又一个示例中，一种基板处理腔室包括一个或多个接地带，所述一个或多个接地带耦接到基板支撑件和腔室底。每个接地带在其一端或两端包括L型挡块以减小所述接地带的暴露长度。所述设备和所述方法延长接地带使用寿命、提高整体腔室性能并减小所述腔室内的RF频率变化。
图1是诸如PECVD腔室的基板处理系统100的截面图。基板处理系统100包括基板处理腔室102，该基板处理腔室耦接到气源104。基板处理腔室102包括腔室壁106和腔室底部108(被统称为腔室主体101)，该腔室壁和腔室底部部分地限定处理空间110。一般通过腔室壁106中的狭缝阀112进出处理空间110，该狭缝阀便于基板114移入和移出基板处理腔室102。腔室壁106和腔室底部108一般由整块的铝或其他合适的材料制成以用于基板处理。腔室壁106支撑盖组件116。
气体分配板126从耦接到盖组件116的背板128悬挂在基板处理腔室102中。在其他示例中，气体分配板126和背板128由整块材料制成。气体分配板126一般是穿孔的，使得前驱物气体均匀地分配到基板处理腔室102中。
基板支撑件118一般设置在基板处理腔室102内的中心处。基板支撑件118在处理期间支撑基板114。一般，基板支撑件118由诸如铝的导电材料制成，该导电材料包封至少一个温度控制装置，该温度控制装置可控制地加热或冷却基板支撑件118以在处理期间将基板114维持为处于预定温度。
基板支撑件118具有第一表面120和第二表面122。第一表面120与第二表面122相对，并且将第一表面120耦接到第二表面122的第三表面121垂直于第一表面120和第二表面122。第一表面120支撑基板114。第二表面122具有与之耦接的杆124。杆124将基板支撑件118耦接到升降系统(未示出)，该升降系统使基板支撑件118在升高处理位置(如图所示)与降低位置之间移动，该降低位置便于基板传送进出处理腔室102。杆124还提供了用于在基板支撑件118与基板处理腔室100的其他部件之间的电和热电耦引线的导管。
任何合适的数量的接地带130将基板支撑件118接地到腔室底部108，以在基板支撑件118与腔室主体101的腔室底部108之间形成低阻抗RF电流返回路径。
在操作中，当前驱物气体被引入到基板处理腔室102并激发成等离子体时，产生的等离子体在基板114上形成薄膜。除了在基板上沉积薄膜之外，产生的等离子体一般还泄漏到腔室的其他部分，从而成为寄生等离子体，该寄生等离子体在诸如腔室壁106、腔室底部108、基板支撑件118和接地带130的各个腔室部件上形成不期望的膜。
图2是示例性接地带130的顶视图。接地带130的主体232一般是薄而柔性的铝材料的矩形片材，具有第一端234和第二端236，其中狭缝238在第一端234与第二端236之间沿着主体232居于中心。在一个示例中，接地带130还制造有一个或多个折叠部240，该一个或多个折叠部在第一端234与第二端236之间并沿着狭缝238居于中心。在另一个示例中，在处理期间，当基板支撑件118从较低、原始位置升高到较高、处理位置时，就会出现一个或多个折叠部240，从而弯曲接地带130并形成一个或多个折叠部240。图2仅示出了接地带130的一个示例。接地带130一般具有适于基板处理的任何尺寸、形状和材料。
图3是根据一个示例的图1的基板处理腔室102的一部分300的截面图。如图3所示，基板支撑件118包括与之耦接的一个或多个支撑件连接器350。图3中分别示出了第一支撑件连接器350a、第二支撑件连接器350b、第三支撑件连接器350c、第四支撑件连接器350d和第五支撑件连接器350e。腔室底部108包括一个或多个底部连接器352。分别示出了第一底部连接器352a、第二底部连接器352b、第三底部连接器352c、第四底部连接器352d和第五底部连接器352e。在一个示例中，第一支撑件连接器350a和第一底部连接器352a在基本上竖直的平面(y)中对准。在另一个示例中，第一底部连接器352a从第一顶部连接器350a竖直地偏移。
接地带130(三个表示为130a、130b和130c)中的每个在第一端234处耦接到基板支撑件118并在第二端236处耦接到腔室底部108。
根据本公开内容的一个示例，如图3所示，第一接地带130a的第一端234a耦接到第一支撑件连接器350a；然而，第二端236a耦接到第二底部连接器352b，使得第二端236a从第一端234a竖直地偏移。第二接地带130b的第一端234b耦接到第二支撑件连接器350b，而第二端236b耦接到第三底部连接器352c，使得第二端236b从第一端234b竖直地偏移。第三接地带130c的第一端234c耦接到第三支撑件连接器350c，而第二端236c耦接到第四底部连接器352d，使得第二端236c从第一端234c竖直地偏移。尽管图3中示出了三个接地带130，但是第一端234和第二端236的竖直地偏移的位置适用于任何数量的接地带130。在底部连接器352中的每个之间的沿着水平轴线(x)的距离一般是任何合适的距离，例如，在约5英寸与约10英寸之间，诸如在约6英寸与约9英寸之间。
根据本公开内容的另一个示例，第一接地带130a的第一端234a耦接到第一支撑件连接器350a；然而，第二端236a耦接到第三底部连接器352c，使得第二端236a从第一端234a更为竖直地偏移。第二接地带130b的第一端234b耦接到第二支撑件连接器350b，而第二端236b耦接到第四底部连接器352d，使得第二端236b从第一端234b更为竖直地偏移。第三接地带130c的第一端234c耦接到第三支撑件连接器350c，而第二端236c耦接到第五底部连接器352e，使得第二端236c从第一端234c更为竖直地偏移。
尽管上述示例设想的是第一端234从第二端236偏移了一个或两个底部连接器位置，但是还设想了，第二端236沿着x轴竖直地偏移了任何合适的距离，例如，三个或更多个底部连接器位置，或小于一个底部连接器位置。
常规地，第一接地带130a的第一端234a耦接到第一支撑件连接器350a，而第二端236a耦接到第一底部连接器352a。在常规定位下，一个或多个折叠部240在基板支撑件118与腔室底部108之间居于中心。因此，在处理期间，接地带130的具有一个或多个折叠部240的中心部分被暴露于寄生等离子体354，这减少了接地带130的使用寿命。
一般，根据本公开内容，一个或多个接地带130的第二端236从在对应支撑件连接器的正下方或基本上竖直地在下方的位置在逆时针方向上(当从上方观察时)安装在一个或多个底部连接器352位置。在本公开内容的竖直地偏移的定位下，一个或多个折叠部240位于腔室底部108附近，例如在y方向上远离基板支撑件大于50％。在另一个示例中，一个或多个折叠部在与腔室底部108相邻的y方向上在40％内。在另一个示例中，一个或多个折叠部240被定位成远离第一端234大于百分之五十。在操作中，第一端234从相应接地带130的第二端236竖直地偏移的位置减少一个或多个折叠部240被暴露于在处理期间产生的寄生等离子体354。如图3所示，寄生等离子体354位于基板支撑件118近侧。减少的对寄生等离子体354的暴露延长接地带130的使用寿命。作为一个附加益处，本公开内容的偏移定位提高膜沉积均匀性。
图4A是图1的基板处理腔室102的一部分400的截面图。如图4A所示，基板处理腔室102进一步包括第一L形挡块和夹具组件460和第二L形挡块和夹具组件470。一个或多个接地带130(示出了一个)通过第一L形挡块和夹具组件460耦接到基板支撑件118，并且通过第二L形挡块和夹具组件470耦接到腔室底部108。图4B是第一L形挡块和夹具组件460的放大截面图。图4C是第二L形挡块和夹具组件470的放大截面图。
如图4B所示，第一L形挡块和夹具组件460一般包括第一L形挡块462和第一夹具464。第一L形挡块462经由第一耦接机构466耦接到基板支撑件118。在一个示例中，第一耦接机构466是螺杆；然而，第一耦接机构466一般是任何合适的耦接机构。第一夹具464经由第二耦接机构468耦接到第一L形挡块462。在一个示例中，第二耦接机构468是螺杆；然而，第二耦接机构468一般是任何合适的耦接机构。第一L形挡块462进一步包括第一部分462a和第二部分462b。第一部分462a和第二部分462b以大于约90°的角度(∠A)相交。在一个示例中，∠A在约100°与约120°之间，例如，约116.5°。第一夹具464以小于约90°的角度(∠B)与基板支撑件118相交。在一个示例中，∠B在约60°与约80°之间，例如，约63.5°。在第一L形挡块462与第一夹具464之间形成空间469。空间469一般被配置为保持接地带130的第一端234，使得接地带130的第一端234在第一L形挡块462与第一夹具464之间滑动。在一个示例中，接地带130的第一端234例如通过第二耦接构件468耦接到第一L形挡块462和第一夹具464。在另一个示例中，在第一L形挡块462与第一夹具464之间的空间469的大小设定为将接地带130的第一端234紧密地保持在两者之间。
如图4C所示，第二L形挡块和夹具组件470基本上类似于第一L形挡块和夹具组件470。第二L形挡块和夹具组件470一般包括第二L形挡块472和第二夹具474。第二L形挡块472经由第一耦接机构476耦接到腔室底部108。在一个示例中，第一耦接机构476是螺杆；然而，第一耦接机构476一般是任何合适的耦接机构。第二夹具474经由第二耦接机构478耦接到第二L形挡块472。在一个示例中，第二耦接机构478是螺杆；然而，第二耦接机构478一般是任何合适的耦接机构。第二L形挡块472进一步包括第一部分472a和第二部分472b。第一部分472a和第二部分472b以大于约90°的角度(∠A)相交。在一个示例中，∠A在约100°与约120°之间，例如，约116.5°。第二夹具474以小于约90°的角度(∠B)与腔室底部108相交。在一个示例中，∠B在约60°与约80°之间，例如，约63.5°。在第二L形挡块472与第二夹具474之间形成空间479。空间479一般被配置为保持接地带130的第二端236，使得接地带130的第二端236在第二L形挡块472与第二夹具474之间滑动。在一个示例中，接地带130的第二端236例如通过第二耦接构件478耦接到第二L形挡块472和第二夹具474。在另一个示例中，在第二L形挡块472与第二夹具474之间的空间479的大小设定为将接地带130的第二端236紧密地保持在两者之间。
在一个示例中，第一L形挡块和夹具组件460和第二L形挡块和夹具组件470减小接地带130的暴露部分480。在另一个示例中，接地带130被制造为较短长度，因为第一L形挡块和夹具组件460和第二L形挡块和夹具组件470减小将基板支撑件118接地到腔室底部108所需的接地带130的长度。在一个示例中，第一L形挡块和夹具组件460和第二L形挡块和夹具组件470将接地带130的总长度或暴露长度减小了约25％。例如，跨一个或多个接地带130的长度在约30厘米(cm)与约50cm之间，诸如在约40cm与约45cm之间。接地带130的暴露部分480的减小的长度、或总长度通过提高RF接地效率并减小在基板支撑件118与腔室底部108之间的阻抗来延长接地带130的使用寿命。另外地，由于在基板支撑件118上的减少的电位积累，因此减小寄生等离子体的强度。
图5A是基板处理系统500的截面图。基板处理系统500类似于基板处理系统100。类似于基板处理系统100，基板处理系统500包括基板支撑件118，该基板支撑件具有用于支撑基板114的第一表面120、与第一表面120相对的第二表面122、以及垂直第一表面120和第二表面122的第三表面121；然而，基板处理系统500进一步包括一个或多个陶瓷板590，该一个或多个陶瓷板耦接到基板支撑件118。另外地，基板支撑件118可以包括一个或多个L形挡块594，该一个或多个L形挡块在第三表面121附近耦接到基板支撑件118。一个或多个L形挡块594一般包括第一部分和垂直于第一部分的第二部分。在一个示例中，一个或多个L形挡块594的第一部分耦接到基板支撑件118的第二表面122。图5B是耦接到基板支撑件118的一个或多个陶瓷板590的示意图。在一个示例中，一个或多个陶瓷板590耦接到对应于基板支撑件118的外周边的第三表面121。在另一个示例中，一个或多个陶瓷板590耦接到一个或多个L形挡块594，该L形挡块耦接到基板支撑件118。如图5B所示，一个或多个陶瓷板590经由一个或多个紧固机构596(针对一个或多个陶瓷板590中的每个示出两个)耦接到基板支撑件118。在图5B中所示的示例中，一个或多个紧固机构596是螺杆；然而，可以使用任何合适的紧固机构，诸如铆钉或螺栓。
在一个示例中，一个或多个陶瓷板590是具有长度(I)和宽度(w)的矩形。一个或多个陶瓷板590的宽度一般在基板支撑件118的第二表面122下方延伸。例如，一个或多个陶瓷板590中的每个的长度在约4英寸至约6英寸之间，诸如约5英寸，并且一个或多个陶瓷板590中的每个的宽度在约3英寸与约5英寸之间，诸如约4英寸。在另一个示例中，一个或多个陶瓷板590是方形的。在另一个示例中，一个或多个陶瓷板590的宽度和长度一般是适合于基板处理腔室的任何长度和宽度。例如，一个或多个陶瓷板590的宽度可以大于6英寸，以覆盖一个或多个接地带130的较大部分。
在操作中，一个或多个陶瓷板590在基板支撑件118与基板处理腔室102的各个部件(包括腔室壁106和腔室底部108)之间分离寄生等离子体并减少在基板处理系统500中的寄生等离子体泄漏。通过减少寄生等离子体泄漏，减少或消除在基板处理系统500的部件(包括腔室主体101、基板支撑件118和接地带130)上的寄生等离子体诱发的膜沉积的量。另外地，一个或多个陶瓷板590在处理期间屏蔽一个或多个接地带130的至少一部分。一个或多个陶瓷板590延长一个或多个接地带130的使用寿命。
尽管以上描述依次讨论用于延长一个或多个接地带的使用寿命的各种设备和方法，但是所公开的设备和方法也可以单独地使用或以任何组合使用。
本公开内容的益处包括将接地带的使用寿命延长多达或超过200％，例如，延长到大于12,000个处理的基板，并且由此减少腔室部件的消耗和维护成本。另外地，所公开的设备和方法例如通过在腔室主体上较少副产物膜形成和在基板处理腔室中的减少的RF频率变化来提供更好基板处理腔室性能。
尽管前述内容涉及是本公开内容的示例，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可以设想本公开内容的其他和进一步示例，并且本公开内容的范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种基板处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体包括：
一个或多个腔室壁；和
腔室底部，所述腔室底部具有第一底部连接器和第二底部连接器；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中，所述基板支撑件具有至少第一支撑件连接器、第二支撑件连接器和第三支撑件连接器；第一接地带，所述第一接地带具有第一端和第二端，所述第一端在所述第一支撑件连接器处耦接到所述基板支撑件，所述第二端在所述第二底部连接器处耦接到所述腔室底部；和
第二接地带，所述第二接地带具有第一端和第二端，所述第一端在所述第二支撑件连接器处耦接到所述基板支撑件，所述第二端在所述第三底部连接器处耦接到所述腔室底部。
2.如权利要求1所述的腔室，其中在所述第一底部连接器与所述第二底部连接器之间的沿着水平轴线的距离在约6英寸与约9英寸之间。
3.如权利要求1所述的腔室，其中所述第一接地带的所述第二端从所述第一接地带的所述第一端竖直地偏移，并且其中所述第二接地带的所述第二端从所述第二接地带的所述第一端竖直地偏移。
4.如权利要求1所述的腔室，其中所述第一接地带和所述第二接地带进一步包括一个或多个折叠部，并且其中所述一个或多个折叠部被定位成远离所述第一端大于百分之五十。
5.如权利要求4所述的腔室，其中所述一个或多个折叠部被定位成邻近所述第二端在百分之四十内。
6.一种基板处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体包括：
一个或多个腔室壁；和
腔室底部；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中，所述基板支撑件具有第一表面、第二表面和第三表面，所述第三表面垂直于所述第一表面和所述第二表面并面向所述一个或多个腔室壁；
一个或多个接地带，所述一个或多个接地带具有第一端和第二端，所述第一端耦接到所述基板支撑件，所述第二端耦接到所述腔室底部；和
一个或多个陶瓷板，所述一个或多个陶瓷板耦接到所述基板支撑件，每个陶瓷板具有长度和宽度，所述宽度平行于所述第三表面，并且所述陶瓷板在所述第二表面下方延伸。
7.如权利要求6所述的腔室，进一步包括L形挡块，所述L形挡块耦接到所述基板支撑件，并且其中所述一个或多个陶瓷板耦接到所述L形挡块。
8.如权利要求6所述的腔室，其中所述一个或多个陶瓷板中的每个是矩形的，其中所述一个或多个陶瓷板中的每个的长度在约4英寸与约6英寸之间，并且其中所述一个或多个陶瓷板的所述宽度在约3英寸与约5英寸之间。
9.如权利要求6所述的腔室，其中所述一个或多个陶瓷板中的每个是方形的。
10.如权利要求6所述的腔室，其中所述一个或多个陶瓷板将所述一个或多个腔室壁与所述一个或多个接地带的至少一部分分开。
11.一种基板处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体包括：
一个或多个腔室壁；和
腔室底部；
基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中；
一个或多个接地带，所述一个或多个接地带具有第一端和第二端，所述第一端耦接到所述基板支撑件，所述第二端耦接到所述腔室底部；
第一L形挡块和夹具，所述第一L形挡块和夹具在所述第一端处；和
第二L形挡块和夹具，所述第二L形挡块和夹具在所述第二端处，所述第一L形挡块和所述第二L形挡块中的每个具有以大于约90度的角度相交的第一部分和第二部分。
12.如权利要求11所述的腔室，其中所述角度在约100度与约140度之间。
13.如权利要求11所述的腔室，其中所述一个或多个接地带中的每个的暴露长度在约40厘米与约45厘米之间。
14.如权利要求11所述的腔室，其中所述腔室底部进一步包括第一底部连接器和第二底部连接器，并且其中所述基板支撑件进一步包括第一支撑件连接器和第二支撑件连接器。
15.如权利要求14所述的腔室，其中所述第一L形挡块耦接到所述第一支撑件连接器，其中所述第二L形挡块耦接到所述第二底部连接器，并且其中所述第二L形挡块从所述第一L形挡块竖直地偏移。
CN201780091524.8A 2017-06-01 2017-06-01 延长在pecvd工艺腔室中接地带使用寿命 Pending CN110730829A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2017/086853 WO2018218612A1 (en) 2017-06-01 2017-06-01 Extend ground straps lifetime in pecvd process chamber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110730829A true CN110730829A (zh) 2020-01-24

Family

ID=64454279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780091524.8A Pending CN110730829A (zh) 2017-06-01 2017-06-01 延长在pecvd工艺腔室中接地带使用寿命

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110730829A (zh)
WO (1) WO2018218612A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114008755A (zh) * 2019-04-29 2022-02-01 应用材料公司 接地带组件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1826679A (zh) * 2003-06-12 2006-08-30 应用材料公司 用于大面积衬底等离子体反应器的rf电流回路
US20080187682A1 (en) * 2006-12-20 2008-08-07 Beom Soo Park Prevention of film deposition on pecvd process chamber wall
CN104204285A (zh) * 2012-03-30 2014-12-10 应用材料公司 具有等离子体限制间隙的处理配件

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030154922A1 (en) * 2002-02-19 2003-08-21 Nathan House C-chuck insulator strip
US8004293B2 (en) * 2006-11-20 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Plasma processing chamber with ground member integrity indicator and method for using the same
JP4887202B2 (ja) * 2007-04-17 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び高周波電流の短絡回路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1826679A (zh) * 2003-06-12 2006-08-30 应用材料公司 用于大面积衬底等离子体反应器的rf电流回路
US20080187682A1 (en) * 2006-12-20 2008-08-07 Beom Soo Park Prevention of film deposition on pecvd process chamber wall
CN104204285A (zh) * 2012-03-30 2014-12-10 应用材料公司 具有等离子体限制间隙的处理配件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018218612A1 (en) 2018-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11130142B2 (en) Showerhead having a detachable gas distribution plate
US10790120B2 (en) Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate
US8651049B2 (en) Plasma processing apparatus
CN107845558B (zh) 等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造
US20070095287A1 (en) Plasma producing method and apparatus as well as plasma processing apparatus
US20070144672A1 (en) Plasma producing method and apparatus as well as plasma processing apparatus
CN109075007B (zh) Rf返回条带屏蔽盖罩
JP2021502688A (ja) 線形化されたエネルギーの無線周波数プラズマイオン供給源
CN104217914B (zh) 等离子体处理装置
CN110610841B (zh) 一种等离子体约束组件及其所在的处理装置
KR20070083212A (ko) 플라즈마 발생 방법, 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 처리장치
JP2022179495A (ja) プラズマ処理方法
US20190244825A1 (en) Controlling Azimuthal Uniformity of Etch Process in Plasma Processing Chamber
CN104299875A (zh) 一种电感耦合等离子体处理装置
KR20190112188A (ko) 공정에서의 워크피스 상의 재료 증착 방지
CN110730829A (zh) 延长在pecvd工艺腔室中接地带使用寿命
TWI770144B (zh) 電漿處理裝置
US10037883B2 (en) Enhanced productivity for an etch system through polymer management
JP7121446B2 (ja) 高密度プラズマ化学気相堆積チャンバ
CN109119321B (zh) 等离子体处理装置
WO2024201904A1 (ja) プラズマ処理装置
WO2014149962A1 (en) Apparatus for coupling a hot wire source to a process chamber
KR100590257B1 (ko) 유도결합형 플라즈마 처리장치
KR100980288B1 (ko) 자기 조절 메커니즘을 구비한 플라즈마 처리 장치
US20200347499A1 (en) Large-area high-density plasma processing chamber for flat panel displays

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination