CN110719010A - 磁场中的推进器、磁场中的制动和/或发电装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，外部磁场通路包括增强通路，导体设于增强通路；该推进器具有更大的推进力。

Description

磁场中的推进器、磁场中的制动和/或发电装置

技术领域

本发明涉及推进器技术领域或航空器或飞行器的领域，特别是利用地球磁场或者宇宙空间磁场或星际空间磁场等空间的磁场中产生推进力的推进器，以及磁场中的制动和/或发电装置。

背景技术

由于地磁场或星际空间的磁场强度很小，现有技术中的利用地磁场或星际空间磁场来产生推进力的推进器都难以产生较大的推进力，导致无法充分的利用地磁场或宇宙空间磁场或星际空间磁场来实现推进，在应用上受到了很大的限制，有待于做出全新的设计。

因此，如何克服现有推进器存在的不足，是本领域技术人员需要解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种磁场中的推进器。该推进器通过聚集放大地磁场或者宇宙空间磁场等外部磁场，在外部磁场被放大或增强处放置导体，导体通电后与地磁场或宇宙空间磁场或星际空间磁场等磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力来产生推进作用力，能够充分利用地磁场或者宇宙空间磁场进行推进，可以获得更大的推进力，从而满足实际使用要求。

为实现上述第一目的，本发明提供一种磁场中的推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，外部磁场通路包括增强通路，导体设于增强通路。

可选地，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路，外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，收口通路在空间上从上方和/或下方向中间直接变窄或，收口通路自其一端向另一端逐渐变窄，增强通路为收口通路变窄之后的通路或收口通路变窄之后的后延通路。

可选地，收口通路位于外部磁场通路的一端或两端。

可选地，形成外部磁场通路的磁场聚集部件的本体能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由收口通路改变方向，并于增强通路得以增强。

可选地，磁场聚集部件的本体材料能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线。

可选地，磁场聚集部件的材料为完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种。

可选地，磁场聚集部件的材料为第一类超导体或第二类超导体或其它超导体。

可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路；

或者，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者的间距向中间直接变小，形成收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路；

或者，磁场聚集部件包括上引导件或下引导件，上引导件或下引导件向一侧凸出，凸出的一侧形成收口通路和增强通路。

可选地，磁场聚集部件还包括后延通路上引导件和/或后延通路下引导件，以延长被汇聚增强后的外部磁场的磁力线；后延通路上引导件或后延通路下引导件的一侧形成后延通路，或后延通路上引导件和后延通路下引导件两者之间形成后延通路。

可选地，后延通路上引导件和/或后延通路下引导件本体的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线的材料。

可选地，形成外部磁场通路的磁场聚集部件的本体能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由收口通路改变方向，并于增强通路得以增强。

可选地，外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路。

可选地，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路。

可选地，磁场聚集部件包括单侧引导件，单侧引导件凸出的一侧形成收口通路和增强通路，外部磁场的磁力线经由收口通路改变方向，并于增强通路得以增强。

可选地，磁场聚集部件包括上引导件和/或下引导件；上引导件和/或下引导件的本体材料为完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡或屏蔽或排斥外部磁场的磁力线的材料。

可选地，上引导件和下引导件的另一端或中部相互平行；上引导件和下引导件上下对称或非对称分布，上引导件和下引导件其一端或两端上下方向的距离呈弧形的逐渐变小或者其一端或两端上下方向的距离呈直角平面形状的直接变小。

可选地，增强通路弯曲设置并形成至少两个延伸方向不同的直线段。

可选地，导体为线圈，线圈的第一部分位于增强通路，线圈的第二部分位于增强通路的外部，线圈的第一部分和第二部分的电流方向相反。

可选地，导体为线圈，线圈的第二部分位于收口通路的上端的下方或位于上引导件的上端的下方。

可选地，收口通路位于外部磁场通路的两端，两端的收口通路之间断开并间隔一定距离，增强通路位于两端断开的收口通路之间。

可选地，将两端的收口通路以及导体用上引导件可选用材料以外的材料进行连接。

可选地，上引导件包括上汇聚引导件和上延长引导件，和/或下引导件包括下汇聚引导件和下延长引导件；上引导件的上延长引导件位于上汇聚引导件的下端的上方，和/或下引导件的下延长引导件位于下汇聚引导件的上端的下方，上引导件和/或下引导件的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡外部磁场的磁力线的材料。

可选地，上引导件的左侧的中部向右侧凹陷和/或上引导件的右侧的中部向左侧凹陷；和/或，下引导件的左侧的中部向右侧凹陷和/或下引导件的右侧的中部向左侧凹陷。

可选地，上引导件的左下边缘向左倾斜和/或上引导件的右下边缘向右倾斜；和/或，下引导件的左下边缘向左倾斜和/或下引导件的右下边缘向右倾斜。

可选地，上引导件还设置有上隔板，上隔板位于上引导件两侧的上端边缘的下方，上隔板的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡外部磁场的磁力线的材料，导体为线圈，线圈的第二部分位于上隔板的下方。

可选地，上隔板的两端与上引导件的两侧连接形成周向封闭结构，导体为线圈，线圈的第二部分位于此封闭结构中。

可选地，上引导件和/或下引导件为长椭圆式形状的周向封闭结构，导体为线圈，线圈的第二部分位于长椭圆式形状的周向封闭结构中。

可选地，上引导件和/或下引导件还包括引导齿；上引导件和/或下引导件的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线的材料。

可选地，导体为线圈，线圈的第二部分位于远离收口通路的上端的上方或位于远离上引导件的上端的上方。

可选地，导体具有相平行的第一导线段和第二导线段以及连接第一导线段和第二导线段的过渡导线段，第一导线段位于增强通路，第二导线段由过渡导线段引至收口通路的端口外侧。

可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件上下对称分布，并且呈弧形，两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成收口通路；收口通路变狭窄的区域形成增强通路。

可选地，导体为设于增强通路的直线形导体。

可选地，导体包括螺旋形线圈和磁场屏蔽套，螺旋形线圈具有若干下平行段和上平行段，导体的螺旋形线圈通电后，下平行段与上平行段的电流方向相反，其中，下平行段或上平行段设有磁场屏蔽套。

可选地，导体的螺旋形线圈为扁平状。

可选地，磁场屏蔽套的材料能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线。可选地，磁场屏蔽套的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线的材料。可选地，磁场屏蔽套的材料为高磁导率材料或软磁材料。可选地，磁场屏蔽套的材料为坡莫合金、铸铁、硅钢片、镍锌铁氧体、镍铁合金或锰锌铁氧体。优选地，磁场屏蔽套的材料为相对磁导率大于100的材料。

可选地，导体包括连续弯曲呈“S”形的导线和磁场屏蔽管，“S”形导线具有若干平行的直线段，相邻两个直线段的电流方向相反，直线段以间隔的方式设有磁场屏蔽管。

可选地，磁场屏蔽管的材料能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线。

可选地，磁场屏蔽管的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线的材料。

可选地，磁场屏蔽管的材料为高磁导率材料或软磁材料。可选地，磁场屏蔽管的材料为坡莫合金、铸铁、硅钢片、镍锌铁氧体、镍铁合金或锰锌铁氧体。优选地，磁场屏蔽管的材料为相对磁导率大于100的材料。

可选地，上引导件、下引导件均设有内层，上引导件、下引导件的两端分别伸出于内层，形成外部磁场通路的端口区域；

内层的材料是完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体中的至少一种。

可选地，磁场聚集部件为实心构件，其本身形成用于增强外部磁场的左右延伸的外部磁场通路；

外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，收口通路在空间上的上、下边缘从上方和/或下方向中间直接变窄或，收口通路自其一端向另一端直接变窄或逐渐变窄，增强通路为收口通路变窄之后的通路或收口通路变窄之后的后延通路；

导体设于增强通路，形成外部磁场通路的磁场聚集部件的本体能够吸引外部磁场的磁力线，以使外部磁场的磁力线经由收口通路改变方向，并于增强通路得以增强，导体设于增强通路。

可选地，导体包括的导线为超导性材料制作。

可选地，上引导件的引导磁力线和下引导件的引导磁力线之间的外部磁场的磁力线通过的区域为外部磁场通路，外部磁场的磁力线在外部磁场通路中增强的区域为增强通路。

可选地，导体能够形成闭合回路。

可选地，磁场聚集部件包括单侧引导件，单侧引导件的一端为弧形，或两端均呈向一侧凸出的弧形，单侧引导件凸出的一侧形成收口通路和增强通路。

可选地，上引导件和/或下引导件通有电流。

可选地，上引导件和/或下引导件通电后的电流方向与导体通电后的产生正向推动力的导线部分的电流方向相同。

可选地，导体通电后的电流使得上引导件和下引导件上产生的电流的大小之和，等于上引导件通入的电流大小与下引导件通入的电流大小之和。

可选地，导体为若干条直导线。可选地，还包括能够通电的抵消导体。

可选地，所述磁场聚集部件设置有能够通电的抵消导体。

可选地，所述抵消导体为若干条能够通电的直导线。

可选地，抵消导体设置在上引导件和/或下引导件的与导体的产生正向推动力的导线部分对应的另一侧。

可选地，抵消导体的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流1，导体的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消。

可选地，抵消导体与导体的产生正向推动力的导线部分位于上引导件和/或下引导件的两侧对称设置，或者抵消导体和导体由上引导件和/或下引导件间隔，互相位于镜像位置。

可选地，抵消导体的电流方向与导体的电流方向相同。

可选地，抵消导体的电流使得上引导件和/或下引导件在靠近导体的一侧的面上产生的电流方向与导体的产生正向推动力的导线部分的电流方向相同。

可选地，上引导件的上方和/或下引导件的下方设置有抵消导体。

可选地，导体的产生正向推动力的导线部分的电流引起上引导件和下引导件上电流的大小，等于上引导件的上方的抵消导体在上引导件上引起的电流大小和下引导件的下方的抵消导体在下引导件上引起的电流大小之和。

可选地，导体的电流大小等于上引导件的上方的抵消导体的电流大小和下引导件的下方的抵消导体的电流大小之和。

可选地，上引导件的上方的抵消导体的电流大小为导体电流大小的二分之一，下引导件下方的抵消导体的电流大小为导体电流大小的二分之一。

可选地，上引导件和/或下引导件通电后的电流或者所述抵消导体的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流1，导体的线圈的第一部分和第二部分的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消。

可选地，上引导件包括上汇聚引件和上延长引导件，上汇聚引导件与上延长引导件相互断开，和/或，下引导件包括下汇聚引件和下延长引导件，下汇聚引导件与下延长引导件相互断开。

可选地，还包括上抵消线圈和/或下抵消线圈，上抵消线圈设置在上引导件的上方和/或下抵消线圈设置在下引导件的下方。

可选地，上抵消线圈和/或下抵消线圈通电后的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流1，导线2的线圈通电后的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消。

可选地，上抵消线圈通电后的上抵消线圈第一部分的电流方向与导体或导线2的线圈的第一部分的电流方向相同。

可选地，下抵消线圈通电后的下抵消线圈第一部分的电流方向与导体或导线2的线圈的第一部分的电流方向相同。

可选地，上抵消线圈的上抵消线圈第二部分位于远离收口通路的上端的上方或位于远离上引导件的上端的上方。

可选地，下抵消线圈的下抵消线圈第二部分位于远离收口通路的下端的下方或位于远离下引导件的下端的下方。

可选地，导体或导线2具体为线圈，导体或导线2的线圈还包括磁场限制套或磁场限制管，磁场限制套或磁场限制管包裹导线2的线圈的第一部分。

可选地，磁场限制套或磁场限制管的材料为高磁导率材料或软磁材料。

可选地，磁场限制套或磁场限制管的材料为坡莫合金或铸铁或硅钢片或镍锌铁氧体或镍铁合金或锰锌铁氧体。

可选地，磁场限制套或磁场限制管的材料为相对磁导率大于100的材料。

本发明的第二目的是提供一种磁场中的制动和/或发电装置，包括上述任一项所述的推进器，所述导体能够形成闭合回路，所述磁场中的制动装置在外部磁场中运动时，所述导体能够切割所述增强通路中的外部磁场的磁力线而产生电流和/或制动力。

本发明所提供的推进器，由于外部磁场经过收口通路汇聚之后进入增强通路，因此，增强通路的外部磁场强度大于其他区域的外部磁场强度，通过在增强通路中设置导体，在增强的外部磁场的作用下，可以获得更大的推进力，可克服现有推进器存在的不足。

附图说明

图1是本发明第一实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图2是是图1所示推进器在另一视角下的结构示意图；

图3是本发明第一实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图4是本发明第一实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图5是本发明第一实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图6是本发明第一实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图7是本发明第一实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图8是本发明第二实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图9是图8中所示导体的结构示意图；

图10是本发明第三实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图11是图10所示推进器的剖视图；

图12是本发明第四实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图13是图12所示推进器的剖视图；

图14是本发明第五实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图15是图14所示推进器在另一视角下的结构示意图；

图16是本发明第六实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图17是另一种导体的结构示意图；

图18是本发明第七实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图19是本发明第八实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图20是本发明第九实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图21是本发明第十实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图22是本发明第十一实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图23是本发明第十二实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图24是本发明第十二实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图25是本发明第十二实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图26是本发明第十二实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图27是本发明第十二实施例公开的一种推进器的结构示意图；

图28是本发明第一实施例公开的一种推进器的结构示意图。

图29是本发明第十三实施例公开的一种推进器的结构示意图。

图30是本发明第十三实施例公开的一种推进器的结构示意图。

图31是本发明第十四实施例公开的一种推进器的结构示意图。

图32是本发明第十四实施例公开的一种推进器的结构示意图。

图中：

1.磁场聚集部件，2.导线，3.收口通路，4.增强通路，5.上引导件，6.下引导件，7.磁场屏蔽管，8.侧向引导件，9.第一导线段，10.第二导线段，11.上隔板，12.下隔板，13.上螺旋线圈，14.下螺旋线圈，15.上平行段，16.下平行段，17.磁场屏蔽套，40.外部磁场的磁力线，50.引导磁力线，51.后延通路上引导件，61.后延通路下引导件，201.抵消导体201，接线柱70。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。

在本文中，“上、下、左、右”等用语是基于附图所示的位置关系而确立的，根据附图的不同，相应的位置关系也有可能随之发生变化，因此，并不能将其理解为对保护范围的绝对限定；而且，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个与另一个具有相同名称的部件区分开来，而不一定要求或者暗示这些部件之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

实施例一

请参考图1和图2，图1和图2是本发明第一实施例公开的一种推进器的结构示意图，图2是图1另一个角度的视图。

如图所示，在本实施例中，本发明提供的推进器具有磁场聚集部件1和能够通电的导体，在该实施例中，导体为导线2(下述各实施例中的导线2均能够通电)，其中，用于增强外部磁场的磁场聚集部件1具有左右(图1和图2中左右方向)贯通的外部磁场通路，外部磁场通路包括收口通路3和增强通路4，收口通路3在空间上从上方和下方向中间(上、下方向的中间)的间距自一端向另一端逐渐变窄(图1和图2中，右端收口通路3自右向左逐渐变窄，左端收口通路3自左向右逐渐变窄)，增强通路4为收口通路3变窄之后的后延通路，导线2设于增强通路4；形成外部磁场通路的磁场聚集部件1的本体能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40，当外部磁场的磁力线40由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线40经由收口通路3改变方向，并于增强通路4得以增强。

优选地，磁场聚集部件1本体的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40的材料；如此设置，形成外部磁场通路的磁场聚集部件1的本体能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40，以使外部磁场的磁力线40经由收口通路3改变方向，并于增强通路4得以增强。

优选地，导线2可以采用超导性材料制作。

优选地，收口通路3位于外部磁场通路的两端，增强通路4位于外部磁场通路的中部，磁场聚集部件1包括呈板状的上引导件5和下引导件6，上引导件5和下引导件6上下对称分布，优选是其两端均呈弧形，两者上下方向的间距自左右方向的两端向中部逐渐变小，形成收口通路3；上引导件5和下引导件6的中部相互平行，两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路4。

优选地，导线2为线圈，线圈的第一部分21位于增强通路4中，如图1和图2所示，第一部分21处于上引导件5、下引导件6中部之间，优选是将第一部分21设置为与增强通路4的通路方向垂直；线圈的第二部分22位于增强通路4的外部，导线2线圈在通电后，线圈的第一部分21和第二部分22的电流方向相反。

优选地，导线2的线圈的第二部分22位于收口通路3的上端的下方的外部磁场减弱的位置或位于上引导件5的上端的下方的外部磁场减弱的位置；这样设置的有益效果是，外部磁场的磁力线40能够或容易在收口通路3或上引导件5上端的平行方向以及上方通过，使得线圈的第二部分22不能或不容易与外部磁场的磁力线40接触，从而避免或降低了线圈的第二部分22与外部磁场产生与推进相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力。

优选地，磁场聚集部件还包括后延通路上引导件51和/或后延通路下引导件61，以延长被汇聚增强后的外部磁场的磁力线40；后延通路上引导件51或后延通路下引导件61的一侧形成后延通路，或后延通路上引导件51和后延通路下引导件61两者之间形成后延通路。

可选地，后延通路上引导件51和/或后延通路下引导件61本体的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40的材料。

优选地，如图3所示，图3是在图1或图2对应实施例的基础上的进一步改进和/或简化，和图1、图2对比，去掉了上引导件5和/或下引导件6中部平行延伸的部分，收口通路3位于外部磁场通路的两端，两端的收口通路3之间为断开并间隔一定距离，增强通路4位于两端断开的收口通路3之间，导线2为线圈，线圈的第一部分21位于增强通路4中，线圈的第二部分22位于增强通路4的外部；优选地，可将两端的收口通路3以及导线2用上引导件5可选用材料以外的材料进行连接。

优选地，如图4所示，图4是在图1或图2对应实施例的基础上的进一步改进和/或简化，上引导件5包括上汇聚引导件501和上延长引导件502，和/或下引导件6包括下汇聚引导件601和下延长引导件602；上引导件5的上延长引导件502位于呈弧形的上汇聚引导件501的下端的上方，和/或下引导件6的下延长引导件602位于呈弧形的下汇聚引导件601的上端的下方，上引导件5和/或下引导件6的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40的材料；这样设置的有益效果是，使得汇聚增强后的外部磁场不能或不容易接触上引导件5的上延长引导件502和/或下引导件6的下延长引导件602，从而当导线2的线圈的电流使得上引导件5的上延长引导件502和/或下引导件6的下延长引导件602上产生电流时，能够避免或降低上引导件5的上延长引导件502和/或下引导件6的下延长引导件602上的电流与外部磁场产生不利于推进或与推进相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力。

优选地，如图4所示，图4是在图1或图2对应实施例的基础上的进一步改进和/或简化，导线2的线圈的第二部分22位于远离收口通路3的上端的上方或位于远离上引导件5的上端的上方；这样设置的有益效果是，外部磁场的磁力线40能够或容易在收口通路3或上引导件5上端的平行面处及其上端附近通过并可能有所增强，线圈的第二部分22如果位于收口通路3或上引导件5上端的平行面处及其上端附近的位置，线圈的第二部分22与外部磁场可能产生更大的与推进相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力；所以使得导线2的线圈的第二部分22位于远离收口通路3的上端的上方或位于远离上引导件5的上端的上方就可以避免或降低线圈的第二部分22与外部磁场产生更大的与推进相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力。

优选地，如图5所示，图5是在图1或图2或图3或图4对应实施例的基础上的进一步改进和/或简化，上引导件5的左侧的中部向右侧凹陷和/或上引导件5的右侧的中部向左侧凹陷；和/或，下引导件6的左侧的中部向右侧凹陷和/或下引导件6的右侧的中部向左侧凹陷；这样设置的有益效果是，减少外部磁场的磁力线40与上引导件5和/或下引导件6的接触面积，从而当导线2的线圈的电流使得上引导件5和/或下引导件6上产生电流时，能够降低上引导件5和/或下引导件6上的电流与外部磁场产生不利于推进或与推进相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力。

优选地，如图5所示，图5是在图1或图2或图3或图4对应实施例的基础上的进一步改进和/或简化，上引导件5的左下边缘向左倾斜和/或上引导件5的右下边缘向右倾斜；和/或，下引导件6的左下边缘向左倾斜和/或下引导件6的右下边缘向右倾斜；这样设置的有益效果是，减少外部磁场的磁力线40与上引导件5和/或下引导件6的接触面积，从而当导线2的线圈的电流使得上引导件5和/或下引导件6上产生电流时，能够降低上引导件5和/或下引导件6上的电流与外部磁场产生不利于推进或与推进相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力。

优选地，如图6所示，图6是在图5对应实施例的基础上的进一步改进和/或简化，上引导件5还设置有上隔板504，上隔板504位于上引导件5两侧的上端边缘的下方，上隔板504的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40的材料，导线2的线圈的第二部分22位于上隔板504的下方；这样设置的有益效果是，避免或降低了线圈的第二部分22与与外部磁场产生与推进相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力。

优选地，如图6所示，上隔板504的两端与上引导件5的两侧连接形成周向封闭结构，导线2的线圈的第二部分22位于此封闭结构中。

优选地，如图7所示，图7是在图1或图2对应实施例的基础上的进一步改进和/或简化，上引导件5和/或下引导件6为长椭圆式形状的周向封闭结构，导线2的线圈的第二部分22位于长椭圆式形状的周向封闭结构中。

优选地，导线2为若干条能够通电的直导线。

优选地，如图28所示，图28是在图4或图5或图6对应实施例的基础上的进一步改进和/或简化，上引导件5和/或下引导件6还包括引导齿503，上引导件5和/或下引导件6的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40的材料；这样设置的有益效果是，上引导件5的引导齿503有利于防止汇聚增强后的外部磁场向上弯曲和/或下引导件6的引导齿503有利于防止汇聚增强后的外部磁场向下弯曲；和/或，可减少外部磁场与上引导件5和/或下引导件6的接触面积，从而当导线2的线圈的电流使得上引导件5和/或下引导件6上产生电流时，能够降低上引导件5和/或下引导件6上的电流与外部磁场产生不利于推进或与推进相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力。

由于外部磁场经过收口通路3汇聚之后进入变窄的增强通路4，因此，增强通路4的外部磁场强度大于增强通路4的外侧区域，图中箭头(一种使用状态)所示为外部磁场的磁力线40方向，通过在增强通路4中设置导线2，导线2通电后在外部磁场中受到作用力或安培力或洛伦兹力，在增强的外部磁场的作用下，即使线圈的第二部分22会产生相反方向的推进力，也小于线圈第一部分21产生的方向的推进力，从整体上来讲，依然可以获得一个方向的推进力，从图中来看，推进器能够相对于外部磁场产生向上或向下方向的推进力。

实施例二

请参考图8、图9，图8是本发明第二实施例公开的一种推进器的结构示意图；图9是图8中所示导体的结构示意图。

如图所示，在本实施例中，本发明提供的推进器具有磁场聚集部件1和导体，其中，用于增强磁场的磁场聚集部件1具有左右(图8中左右方向)贯通的外部磁场通路，外部磁场通路包括收口通路3和增强通路4，收口通路3在空间上从上方和下方向中间的间距自一端向另一端逐渐变窄(图8中，右端收口通路3自右向左逐渐变窄，左端收口通路3自左向右逐渐变窄)，增强通路4为收口通路3变窄之后的后延通路，导体设于增强通路4；形成外部磁场通路的磁场聚集部件1的本体能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40，当外部磁场的磁力线40由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线40经由收口通路3改变方向，并于增强通路4得以增强。该磁场聚集部件1和实施例1中的磁场聚集部件1结构类似，也可以与实施例1结构相同。

具体地，收口通路3位于外部磁场通路的两端，增强通路4位于外部磁场通路的中部，磁场聚集部件1包括呈板状的上引导件5和下引导件6，上引导件5和下引导件6上下对称分布，其一端或两端呈弧形，两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成收口通路3；上引导件5和下引导件6在左右方向上的另一端或中部相互平行，两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路4。

导体在该实施例中包括导线2，导线2具体为连续弯曲呈“S”形的导线，具有若干平行的直线段，通电后，相邻两个直线段的电流方向相反，此时导体还包括磁场屏蔽管7，导线2的直线段以间隔的方式套设有磁场屏蔽管7。这里，磁场屏蔽管7的材料可以为完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导材料、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种材料，或者为其他能够阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40的材料。这样，虽然相邻两个直线段的电流方向相反，但外部磁场被屏蔽管7屏蔽，难以进入屏蔽管7内的直线段，因此并不能产生推力，或者仅产生比较小的推力，因此，从整体上来讲，导体获得的依然是正向的推力，即整体上可获得的一个方向的推进力，从而带动整个推进器移动。从图中来看，推进器能够相对于外部磁场产生向上或向下方向的推进力。

优选地，磁场屏蔽管7的材料为高磁导率材料或软磁材料。

优选地，磁场屏蔽管7的材料为坡莫合金或铸铁或硅钢片或镍锌铁氧体或镍铁合金或锰锌铁氧体。

优选地，磁场屏蔽管7的材料为相对磁导率大于1的材料。

优选地，磁场屏蔽管7的材料为相对磁导率大于10的材料。

优选地，磁场屏蔽管7的材料为相对磁导率大于100的材料。

由于外部磁场经过收口通路3汇聚之后进入变窄的增强通路4，因此，增强通路4的外部磁场强度大于增强通路4的外侧区域，通过在增强通路4中设置导体，在增强的外部磁场的作用下，可以获得更大的推进力。

实施例三

请参考图10、图11，图10是本发明第三实施例公开的一种推进器的结构示意图；图11是图10所示推进器的剖视图。

如图所示，本实施例在实施例一或实施例二的基础上进一步改进和/或简化而得到，一方面，上引导件5和下引导件6可以仅一端具有一个收口通路3，省去了另一端的收口通路3，这样的结构同样能够实现本发明目的，其余结构请参考上文，这里不再重复描述。

优选地，外部磁场通路可以为两侧封闭的通路，即上引导件5和下引导件6的两侧分别设有用于封闭侧向空间的侧向引导件8，侧向引导件8的材料选用上引导件5可用的材料。

实施例四

请参考图12、图13，图12是本发明第四实施例公开的一种推进器的结构示意图；图13是图12所示推进器的剖视图；

如图所示，本实施例同样在实施例一或实施例二的基础上进一步改进和/或简化而得到，一方面，其外部磁场通路可以为两侧封闭的通路，即上引导件5和下引导件6的两侧分别设有用于封闭侧向空间的侧向引导件8，侧向引导件8的材料选用上引导件5可用的材料。另一方面，导体可以是线圈结构，具有相平行的第一导线段9和第二导线段10以及连接第一导线段9和第二导线段10的过渡导线段，第一导线段9位于增强通路4中，即处于增强的外部磁场中，并与增强通路4的通路方向垂直，第二导线段10由过渡导线段引至收口通路3的端口外侧，处于外部未被增强的外部磁场中，即使导体的第二导线段10会产生相反方向的推进力，也小于导体的第一导线段9产生的正向推进力，从整体上来讲，依然可以获得一个方向的推进力。这样的结构同样能够实现本发明目的，其余结构请参考上文，这里不再重复描述。

实施例五

请参考图14、图15，图14是本发明第五实施例公开的一种推进器的结构示意图；图15是图14所示推进器在另一视角下的结构示意图。

如图所示，在本实施例中，磁场聚集部件1包括上引导件5和下引导件6，上引导件5和下引导件6上下对称分布，并且呈弧形，两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成收口通路3，且收口通路3的两侧封闭，即上引导件5和下引导件6的两侧分别设有用于封闭侧向空间的侧向引导件8，侧向引导件8的材料选用上引导件5可用的材料，收口通路3变小的端口区域直接形成增强通路4，导体为设于增强通路4内的直线形导线2。磁场聚集部件1的具体材料或性质与上述实施例一致，不再赘述。

实施例六

请参考图16，图16是本发明第六实施例公开的一种推进器的结构示意图。

如图所示，本实施例同样在实施例一或实施例二的基础上进一步改进而得到，与上述实施例类似，磁场聚集部件1的左右两端的收口通路3之间的部分形成增强通路4，但进一步地，形成增强通路4的上引导件5与下引导件6整体呈弯曲状，以使汇聚后的外部磁场的磁力线40进一步延长，和/或，弯曲时形成至少两个延伸方向不同的直线段，相应使汇聚后的外部磁场的磁力线40形成不同方向的磁力线段，在改变方向后的外部磁场的磁力线40段放置导体，可以产生不同方向的推进力，以适应不同的作业需要。

优选地，其外部磁场通路可以为两侧封闭的通路，即上引导件5和下引导件6的两侧分别设有用于封闭侧向空间的侧向引导件8，侧向引导件8的材料选用上引导件5可用的材料。

请参考图17，图17是另一种导体的结构示意图。

如图所示，导体包括导线2，且导线2可以是整体呈扁平状的螺旋形线圈，此线圈具有若干上平行段15和下平行段16(这里的平行段是大致平行，并不要求完全平行，可以有一定的倾斜和弯曲也可以)，下平行段16与上平行段15的电流方向相反，此时，导体还包括磁场屏蔽套17，其中，导线2的上平行段15设有磁场屏蔽套17，磁场屏蔽套17包裹上平行段15，磁场屏蔽套17的作用是屏蔽外部磁场，使外部磁场的磁力线40不容易或不能进入磁场屏蔽套17的内侧，从而阻止外部磁场与磁场屏蔽套17内的上平行段15产生作用力或安培力。显然，磁场屏蔽套17包裹下平行段16，同样可获得上述技术效果。

另外，上平行段15和下平行段16未必一定是平行，有一定的弯曲或者倾斜也是可以的。

磁场屏蔽套17可以是完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种或者其他能够产生磁场屏蔽效果的材料。

磁场屏蔽套17也可以是高磁导率材料或软磁材料，例如坡莫合金或铸铁或硅钢片或镍锌铁氧体或镍铁合金或锰锌铁氧体等。

优选地，磁场屏蔽套17的材料为相对磁导率大于100的材料。

同理，上述实施例二中提到的磁场屏蔽管7也可以采用以上材料。实际上，该实施例中也可以为每个上平行段15或每个下平行段16单独配设磁场屏蔽管。当然，该实施例中的导体也可以用于其他所有实施例，其他所有实施例中的导体也可以用于该实施例。

实施例七

请参考图18，图18是本发明第七实施例公开的一种推进器的结构示意图。

如图所示，在本实施例中，磁场聚集部件1包括上引导件5和下引导件6；上引导件5和下引导件6上下对称分布，作为优选其一端呈直角平面形状，两者的间距向中间直接变小或自一端向另一端直接变小，形成收口通路3，即收口通路3直接变窄，不需要如前述实施例向另一端逐渐变窄；上引导件5和下引导件6的在左右方向上的另一端相互平行，两者之间保持变小之后的间距，形成所述增强通路4。从图18可见，上引导件5和下引导件6呈L形，上下方向延伸的板状结构形成具有直角平面的一端，左右方向延伸的板状结构形成相互平行的另一端。

磁场聚集部件1一端的直角平面形状能迫使外部磁场的磁力线40改变方向从中间的外部磁场通路通过，从而使中间的外部磁场得到加强，增强通路4中设置以上实施例中所述的导体，产生推进力的原理可参照上述实施例理解，不赘述。这里的上引导件5、下引导件6的材料或性质与实施例一一致，可参照理解。

优选地，磁场聚集部件1的两端都具有直角平面形状的收口通路3。

另外，磁场聚集部件1的一端或两端未必一定是直角平面形状，其形状只要能阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40改变方向，从外部磁场通路通过，使外部磁场在增强通路4中得以加强即可。

优选地，磁场聚集部件1的两侧可以设置侧向引导件8，具体是封闭上引导件5、下引导件6相互平行的另一端的两侧，侧向引导件8的材料选用上引导件5可用的材料。

实施例八

请参考图19，图19是本发明第八实施例公开的一种推进器的结构示意图。

如图所示，在本实施例中，形成外部磁场通路的磁场聚集部件1的本体能够吸引外部磁场的磁力线40，磁场聚集部件1是实心构件，其外部磁场通路即为实体结构的磁场聚集部件1，即磁场聚集部件1本身形成用于增强外部磁场的左右延伸的外部磁场通路，以使外部磁场的磁力线40经由收口通路3改变方向，并于增强通路4得以增强，导体设于增强通路4。

磁场聚集部件1为高磁导率材料或软磁材料，导体具有若干相互平行的导线2，分别置于磁场聚集部件1中。作为优选，这些导线2也是高磁导率材料，导线2的一端通过电连接板相连接，导线2的另一端通过另一电连接板相连接，两块电连接板的端部连接引出导体。

优选地，磁场聚集部件1的材料为相对磁导率大于100的材料。

优选地，磁场聚集部件1的材料为相对磁导率大于1000的材料。

实施例九

请参考图20，图20是本发明第九实施例公开的一种推进器的结构示意图。

如图所示，与实施例十二相比，该实施例的导体的导线2把高磁导率材料隔断，如图20所示，导线2包裹在磁场聚集部件1中部增强通路4的外部，其余结构与实施例十二基本相同。

实施例十

请参考图21，图21是本发明第十实施例公开的一种推进器的结构示意图。

如图所示，与实施例二相比，该实施例仅具有下引导件6，也即设置单侧引导件。这里，导体置于该下引导件6上，下引导件6的端部呈弧状，形成单侧引导，形成单侧的收口通路3，同理，外部磁场经过收口通路3阻挡或屏蔽或排斥之后，方向改变，进入下引导件6中部位置的增强通路4，因此外部磁场在该位置得以增强。增强通路4中设置的导体通电后，在增强的外部磁场的作用下可以获得更大的推进力。这里，下引导件6的两端均呈弧形，且向一侧凸出，图21中均向上侧凸出，此时在弧形凸出的一侧形成收口通路3和增强通路4，可以理解，一端为弧形也是可行的。

当然也可以是这样的设计，与实施例二相比仅具有上引导件(图中未示出)，即单侧引导件，一端或两端为向下凸出的弧形，在下方侧形成收口通路和增强通路。同样可以达成汇聚增强外部磁场的效果。本实施例的上引导件5、下引导件6的材质与实施例一一致，可参照理解。

实施例十一

请参考图22，图22是本发明第十一实施例公开的一种推进器的结构示意图。

如前所述，形成外部磁场通路的磁场聚集部件1也可以采用非对称设置。本实施例相对于实施例二作了进一步的改进，该磁场聚集部件1的上引导件5采用平板结构，但外部磁场的磁力线40同样可在变窄的增强通路4获得增强。或者，下引导件6采用平板结构，原理相同。

需要说明的是，其他所有实施例的磁场聚集部件1也可以采用非对称设置，其上引导件5或下引导件6中的一者可采用平板结构，也即收口通路在空间上可由一端向另一端逐渐变窄，或从上方和/或下方向中间直接变窄；实施例八的磁场聚集部件1的螺旋形线圈的上方或下方也可以是直板型的；实施例九的磁场聚集部件1的上螺旋线圈13或下螺旋线圈14其中一者的一端或两端可以不是弧形，而是在左右方向上成直板型。

实施例十二

本实施例是在实施例一至实施例六的基础上进一步改进和/或简化而得到；

图23、图24、图25、图26和图27是本发明第十二实施例公开的一种推进器的结构示意图；图24是图23另一个角度的视图。

请参考图23、图24、图25、图26和图27，本实施例的推进器也具有磁场聚集部件1和导体，其中，用于增强外部磁场的磁场聚集部件1包括上引导件5和/或下引导件6，外部磁场通路包括收口通路3和增强通路4，导体设于增强通路4；磁场聚集部件1本体的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、抗磁性材料、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种；本实施例中，导体为导线2，具体为若干条直导线；当由于导线2的电流使得上引导件5和/或下引导件6上靠近导线2的一侧的面上产生与导线2相反方向的电流，从而使得上引导件5和/或下引导件6和外部磁场产生不利于推进的相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力时，也就是产生和导线2与外部磁场产生的安培力或洛伦兹力相反方向的作用力时；为了降低或抵消这个相反方向的安培力或洛伦兹力，将上引导件5和/或下引导件6通入电流或者设置有能够通电的抵消导体201，抵消导体201具体为若干条直导线，抵消导体201设置在上引导件5和/或下引导件6的与导线2对应的另一侧，上引导件5和/或下引导件6通电后的电流或者抵消导体201通电后的电流使得上引导件5和/或下引导件6产生电流1，导线2通电后的电流使得上引导件5和/或下引导件6产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消；优选或具体的方案中，如图26和图27所示，在上引导件5和/或下引导件6的两侧设置有若干个能够通电的接线柱70，以便于通入电流；优选的，对于将本实施例应用或结合到实施例一来说，上引导件5和/或下引导件6通电后的电流方向或抵消导体201通电后的电流方向与导线2的线圈的第一部分21的电流方向相同；另外在实施例一中的导线2的线圈的第二部分22的电流也可能在上引导件5和/或下引导件6的靠近导线2的第一部分21的一侧的面上产生不利于推进的电流，上引导件5和/或下引导件6通电后的电流或抵消导体201通电后的电流可以增加电流以抵消这部分不利于推进的电流；优选的，对于将本实施例应用或结合到实施例四来说，上引导件5和/或下引导件6通电后的电流方向或抵消导体201通电后的电流方向与线圈结构的第一导线段9的电流方向相同；优选的，上引导件5和/或下引导件6通电后的电流或者抵消导体201的电流使得上引导件5和/或下引导件6产生电流1，导体的线圈的第一部分21和第二部分22的电流使得上引导件5和/或下引导件6产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消；优选的，上引导件5和/或下引导件6上产生的不利于推进方向的电流可能影响对外部磁场的汇聚效果，上引导件5和/或下引导件6通电后的电流或者抵消导体201通电后的电流使得上引导件5和/或下引导件6产生电流1，有助于减轻这个影响；优选的，上引导件5和/或下引导件6通电后的电流方向或抵消导体201通电后的电流方向与导体或导线2通电后产生正向推动力的导线部分的电流方向相同。

优选的，抵消导体201与导线2位于上引导件5和/或下引导件6的上下两侧对称设置，或者抵消导体201和导线2由上引导件5和/或下引导件6间隔，互相位于镜像位置。

优选的，抵消导体201通电后的电流方向与导线2通电后的电流方向相同(例如电流的方向都是垂直于纸面向里)，这样，抵消导体201的电流会使上引导件5和/或下引导件6的靠近导线2一侧的面上产生与导线2相同方向的电流。

优选的，上引导件5和/或下引导件6通电后的电流方向与导线2通电后的电流方向相同。

优选的，抵消导体201通电后的电流使得上引导件5和/或下引导件6在靠近导线2的一侧的面上产生的电流的方向与导线2的电流方向相同。

优选的，上引导件5的上方和/或下引导件6的下方设置有抵消导体201。

优选的，导线2通电后的电流使得上引导件5和下引导件6上产生的电流的大小之和，等于上引导件5的上方的抵消导体201在上引导件5上引起的电流大小和下引导件6的下方的抵消导体201在下引导件6上引起的电流大小之和。

优选的，导线2通电后的电流使得上引导件5和下引导件6上产生的电流的大小之和，等于上引导件5通入的电流大小与下引导件6通入的电流大小之和。

优选的，导线2的电流大小等于上引导件5的上方的抵消导体201的电流大小和下引导件6的下方的抵消导体201的电流大小之和。

优选的，上引导件5的上方的抵消导体201的电流大小为导线2电流大小的二分之一，和/或，下引导件6下方的抵消导体201的电流大小为导线2电流大小的二分之一。

优选的，抵消导体201的总电流与导线2的电流大小相同。

优选的，抵消导体201也可以相应的形成闭合电路，以作为产生制动力装置或作为发电装置。

优选的，请参考图25和图27，上引导件5包括上汇聚引导件501和上延长引导件502，上汇聚引导件501的下端位于上延长引导件502的下方；和/或，下引导件6包括下汇聚引导件601和下延长引导件602，下汇聚引导件601的上端位于下延长引导件602的上方；上引导件5和/或下引导件6的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线40的材料，这样设置的有益效果是，使得汇聚增强后的外部磁场不能或不容易接触上引导件5的上延长引导件502和/或下引导件6的下延长引导件602，从而当导线2的线圈的电流使得上引导件5的上延长引导件502和/或下引导件6的下延长引导件602上产生电流时，能够避免或降低上引导件5的上延长引导件502和/或下引导件6的下延长引导件602上的电流与外部磁场产生不利于推进或与推进相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力；本优选方案可作为实施例一至实施例六的进一步改进方案。

优选的，请参考图25和图27，上引导件5包括上汇聚引导件501和上延长引导件502，上汇聚引导件501与上延长引导件502相互断开；和/或下引导件6包括下汇聚引导件601和下延长引导件602，下汇聚引导件601与下延长引导件602相互断开，本优选方案可作为实施例一至实施例六的进一步改进方案。

优选的，本实施例也可作为第十一实施例、第十四实施例、第十五实施例的进一步改进和/或简化。

优选的，本实施例也可作为其他上述实施例的进一步改进和/或简化。

优选的，上延长引导件502和/或下延长引导件602也可采用上述实施例中的具有引导磁力线50的磁铁或通电线圈的方案。

实施例十三

请参考图29、图30，图29是本发明第十三实施例公开的一种推进器的结构示意图；图30是图29另一个角度的视图；

本实施例是在实施例一或实施例十二或图1或图2或图3或图4或图5或图6或图7或图28对应实施例的基础上的进一步改进和/或简化，导体为导线2，导体或导线2为线圈，线圈的第一部分21位于增强通路4中；当由于导线2的线圈的电流可能使得上引导件5和/或下引导件6上产生与导线2的线圈的第一部分21相反方向的电流，从而使得上引导件5和/或下引导件6和外部磁场产生不利于推进的相反方向的作用力或安培力或洛伦兹力时，也就是产生和导线2的线圈的第一部分21与外部磁场产生的安培力或洛伦兹力相反方向的作用力时；为了降低或抵消这个相反方向的安培力或洛伦兹力，设置有能够通电的抵消导体201，抵消导体201具体为上抵消线圈301和/或下抵消线圈302，上抵消线圈301设置在上引导件5的上方和/或下抵消线圈302设置在下引导件6的下方，上抵消线圈301和/或下抵消线圈302通电后的电流使得上引导件5和/或下引导件6产生电流1，导线2的线圈通电后的电流使得上引导件5和/或下引导件6产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消；

优选的，上抵消线圈301通电后的上抵消线圈第一部分3011的电流方向与导线2的线圈的第一部分21的电流方向相同和/或下抵消线圈302通电后的下抵消线圈第一部分3021的电流方向与导线2的线圈的第一部分21的电流方向相同。另外，导线2的线圈的第二部分22的电流也可能在上引导件5和/或下引导件6的靠近导线2的第一部分21的一侧的面上产生不利于推进的电流，上抵消线圈301和/或下抵消线圈302通电后的电流可以增加电流以抵消这部分不利于推进的电流；优选的，上抵消线圈301和/或下抵消线圈302的电流使得上引导件5和/或下引导件6产生电流1，导体的线圈的第一部分21和第二部分22的电流使得上引导件5和/或下引导件6产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消；优选的，上抵消线圈301通电后的上抵消线圈第一部分3011和/或下抵消线圈302通电后的下抵消线圈第一部分3021的电流方向与导体或导线2通电后的线圈的第一部分21产生正向推动力的导线部分的电流方向相同。

优选的，上抵消线圈301的上抵消线圈第二部分3012位于远离收口通路3的上端的上方或位于远离上引导件5的上端的上方。

优选的，下抵消线圈302的下抵消线圈第二部分3022位于远离收口通路3的下端的下方或位于远离下引导件6的下端的下方。

实施例十四

请参考图31和图32，图31和图32是本发明第十四实施例公开的一种推进器的结构示意图；

如图31和图32所示，图31和图32是上述任一实施例的基础上的进一步改进和/或简化，导体或导线2具体为线圈，导体或导线2的线圈还包括磁场限制套91或磁场限制管92，其中，导线2的线圈的第一部分21设有磁场限制套91或磁场限制管92，磁场限制套91或磁场限制管92包裹导线2的线圈的第一部分21；磁场限制套91或磁场限制管92的作用是降低导线2的线圈的第一部分21使得上引导件5和/或下引导件6产生的电流大小和/或降低导线2的线圈的第一部分21产生的磁场对上引导件5和/或下引导件6的排斥力，磁场限制套91或磁场限制管92的材料是高磁导率材料或软磁材料，例如坡莫合金或铸铁或硅钢片或镍锌铁氧体或镍铁合金或锰锌铁氧体。

优选地，磁场限制套91或磁场限制管92的材料为相对磁导率大于100的材料。

优选的，本实施例结合应用到导体具体为直线型导线的情况时，是将磁场限制套91或磁场限制管92包裹导线2。

优选的或需要说明的是，上述各实施例在使用的时候，磁场聚集部件1的外部磁场通路的方向未必一定和磁场聚集部件1以外的外部磁场的磁力线40方向相同或平行，有一定角度也是可以的，只要能产生相应的推进力即可，并不能将其理解为对保护范围的绝对限定。

优选的或需要说明的是，上述各实施例涉及的超导体或超导体材料，使用的时候处于超导态。

优选的或需要说明的是，上述所有实施例涉及的超导体或超导体材料，使用的时候需要是超导态，具有完全抗磁性。

优选的或需要说明的是，上述所有实施例也可与实施例三类似，外部磁场通路可以仅一端具有一个收口通路3，省去了另一端的收口通路3，这样的结构同样能够实现本发明目的。

优选的或需要说明的是，上述所有实施例也可与实施例十一类似，磁场聚集部件1在空间上的上下方向的间距向左右方向延伸的过程中直接变小，形成收口通路3。

优选的或需要说明的是，上述所有实施例中的在增强通路中的导体(有屏蔽套或屏蔽管的实施例则不包括被屏蔽部分)的电流方向与此处的外部磁场的磁力线40方向呈一定角度不是平行的可产生相互作用力或安培力或洛伦兹力也可以，并非一定是垂直的。

优选的或需要说明的是，上述实施例中的磁场屏蔽套17是一整圈的，实际上有一定缺口也是可以的，只要能起到屏蔽外部磁场的效果就可以。

优选的或需要说明的是，本发明所述的“抗磁性材料”指的是材料的抗磁性足够对外部磁场的磁力线40具有阻挡或排斥效果的材料。

优选的或需要说明的是，上述实施例对应附图中的外部磁场的磁力线40以及引导磁力线50上的箭头所示方向为磁场的磁力线南北极方向。

优选的或需要说明的是，上述各实施例中的外部磁场通路也都可以为两侧封闭的通路，即上引导件5和下引导件6的两侧分别设有用于封闭侧向空间的侧向引导件8，侧向引导件8的材料可选用实施例一中的上引导件5可用的材料。

优选的或需要说明的是，上述各实施例中的磁场聚集部件1和导体之间以及上引导件5和下引导件6之间等部件之间，相互之间在不影响相应功能效果的情况下，可以选择固定连接或活动连接等多种连接方式，这是本领域技术人员可以理解的。

优选的或需要说明的是，上述各实施例中相同功能构件在相应附图中以同一标记进行示明，以清楚示出本申请的核心发明构思及各方案间的区别和联络。此外，上述内容仅是本发明所提供推进器的优选方案，具体并不局限于此，在此基础上可根据实际需要作出具有针对性的调整，从而得到不同的实施方式。例如，将磁场聚集部件1设计成其他形状；或者，增强通路4进一步延长；又或者，导体也可以是简单的直导线或多条并联直导线，等等。由于可能实现的方式较多，这里就不再一一举例说明。

优选的或需要说明的是，上述所有实施例中，提到的外部磁场，可以是地磁场或宇宙空间磁场或行星际空间磁场这种磁场。

优选的或需要说明的是，上面所有实施例中推进器的外部磁场的磁场聚集部件1，都可以是两端或者一端有收口通路3；也都可以把增强通路4延长或者弯曲；导体还可以是电解液、带电粒子、等离子体、电浆、等可以通过电流与汇聚增强后的外部磁场产生相互作用力或安培力或洛伦兹力的物体或材料。

优选的或需要说明的是，上面所有实施例中的导体也都可以相互交叉应用在其他实施例中。

优选的或需要说明的是，上述实施例中，当上引导件或下引导件为磁铁或螺旋线圈或永磁铁或电磁铁的时候，其具有的磁场也即引导磁力线50，其磁场强度应根据外部磁场的磁场强度大小而调整其大小，以使得外部磁场的磁力线40能够顺利被汇聚增强，从外部磁场通路通过。

优选的或需要说明的是，上述各实施例中，可以将导体设置成闭合回路；例如将导线2的两端闭合，或者将导线2的两端连接电池，等方式；这样，当推进器相对于外部磁场运动时，导体切割增强通路4中的外部磁场的磁感线可以产生电流和/或可以产生阻力，从而作为推进器的产生制动力的装置和/或发电装置。

优选的，本发明也可以作为电动系绳推进器的改进，在现有的系绳推进系统上，结合本发明。具体的，电动系绳推进器的与地磁场产生安培力或洛伦兹力的系绳可以作为本发明中的导体，放置在增强通路4中，来增加通电系绳与地磁场之间的安培力或洛伦兹力。

优选的，本发明中的电流为直流电。

优选的，本发明可借鉴或使用电动系绳推进器中的导电系绳这样的开放的电流回路。

以上对本发明所提供的推进器进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想；应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种磁场中的推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，其特征在于，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，所述外部磁场通路包括增强通路，所述导体设于所述增强通路 。

2.根据权利要求1所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路，所述外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，所述收口通路在空间上从上方和/或下方向中间直接变窄或，所述收口通路自其一端向另一端逐渐变窄，所述增强通路为所述收口通路变窄之后的通路或收口通路变窄之后的后延通路。

3.根据权利要求1或2所述的推进器，其特征在于，所述收口通路位于所述外部磁场通路的一端或两端。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的推进器，其特征在于，形成所述外部磁场通路的所述磁场聚集部件的本体能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由所述收口通路改变方向，并于所述增强通路得以增强。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件的本体材料能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件的材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、抗磁性材料、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的推进器，其特征在于，所述收口通路位于外部磁场通路的两端，两端的收口通路之间断开并间隔一定距离，增强通路位于两端断开的收口通路之间。

8.根据权利要求1-7中任一项中任一项所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成所述收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成所述增强通路；

或者，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者的间距向中间直接变小，形成所述收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成所述增强通路；

或者，所述磁场聚集部件包括上引导件或下引导件，所述上引导件或下引导件向一侧凸出，凸出的一侧形成收口通路和增强通路。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的推进器，其特征在于，所述上引导件和/或下引导件通有电流；和/或，所述上引导件和/或下引导件通电后的电流方向与导体通电后的的产生正向推动力的导线部分的电流方向相同；和/或，所述导体通电后的电流使得上引导件和下引导件上产生的电流的大小之和，等于上引导件通入的电流大小与下引导件通入的电流大小之和；和/或，所述磁场聚集部件本体的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种；和/或，所述导体为若干条直导线；和/或，还包括能够通电的抵消导体；和/或，所述磁场聚集部件设置有能够通电的抵消导体；和/或，所述抵消导体为若干条能够通电的直导线；和/或，所述抵消导体设置在上引导件和/或下引导件的与导体对应的另一侧；和/或，所述上引导件和/或下引导件通电后的电流或者所述抵消导体的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流1，所述导体的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消；和/或，所述抵消导体与导体的产生正向推动力的导线部分位于上引导件和/或下引导件的上下两侧对称设置，或者抵消导体和导体的产生正向推动力的导线部分由上引导件和/或下引导件间隔，互相位于镜像位置；和/或，所述抵消导体的电流方向与导体的产生正向推动力的导线部分的的电流方向相同；和/或，所述抵消导体的电流使得上引导件和/或下引导件在靠近导体的一侧的面上产生的电流方向与导体的产生正向推动力的导线部分的的电流方向相同；和/或，所述上引导件的上方和/或下引导件的下方设置有抵消导体；和/或，所述导体的电流引起上引导件和下引导件上电流的大小，等于上引导件的上方的抵消导体在上引导件上引起的电流大小和下引导件的下方的抵消导体在下引导件上引起的电流大小之和；和/或，所述导体的电流大小等于上引导件的上方的抵消导体的电流大小和下引导件的下方的抵消导体的电流大小之和；和/或，所述上引导件的上方的抵消导体的电流大小为导体电流大小的二分之一，下引导件下方的抵消导体的电流大小为导体电流大小的二分之一；和/或，所述上引导件包括上汇聚引导件和上延长引导件，上汇聚引导件与上延长引导件相互断开，和/或，所述下引导件包括下汇聚引导件和下延长引导件，下汇聚引导件与下延长引导件相互断开；和/或，所述上引导件和/或下引导件为磁铁或永磁铁或能够通电的线圈；和/或，磁场聚集部件包括上引导件和/或下引导件，所述上引导件和/或下引导件具有的引导磁力线够使外部磁场的磁力线改变方向后增强，形成增强通路；和/或，所述磁场聚集部件还包括后延通路上引导件和/或后延通路下引导件，以延长被汇聚增强后的外部磁场的磁力线；后延通路上引导件或后延通路下引导件的一侧形成后延通路，或后延通路上引导件和后延通路下引导件两者之间形成后延通路；和/或，所述后延通路上引导件和/或后延通路下引导件本体的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线的材料；和/或，所述磁场聚集部件在左右方向的一端或两端设置有上引导件和/或下引导件；和/或，所述上引导件和/或下引导件设置在后延通路上引导件和/或后延通路下引导件的左右方向的两端或一端；和/或，所述上引导件和/或下引导件与后延通路上引导件和/或后延通路下引导件的位置关系设置成：使得所述引导磁力线难以进入通过所述后延通路或使得仅有少量所述引导磁力线进入通过所述后延通路；和/或，延长所述后延通路上引导件和/或后延通路下引导件的长度，以使所述引导磁力线难以进入通过所述后延通路或使得仅有少量所述引导磁力线进入通过所述后延通路；和/或，形成所述外部磁场通路的所述磁场聚集部件的本体或者本体具有的磁场能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由所述收口通路改变方向，并于所述增强通路得以增强；和/或，所述外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路；和/或，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路；和/或，所述磁场聚集部件包括单侧引导件，所述单侧引导件凸出的一侧形成收口通路和增强通路，外部磁场的磁力线经由所述收口通路改变方向，并于所述增强通路得以增强；和/或，所述上引导件和下引导件的另一端或中部相互平行；所述上引导件和下引导件上下对称或非对称分布，上引导件和下引导件其一端或两端上下方向的距离呈弧形的逐渐变小或者其一端或两端上下方向的距离呈直角平面形状的直接变小；和/或，所述磁场聚集部件包括上引导件和/或下引导件；所述上引导件和/或所述下引导件的本体材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、抗磁性材料、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡或排斥或屏蔽外部磁场的磁力线的材料；和/或，所述增强通路弯曲设置并形成至少两个延伸方向不同的直线段；和/或，所述导体为线圈，所述线圈的第一部分位于所述增强通路，所述线圈的第二部分位于所述增强通路的外部，所述线圈的第一部分和第二部分的电流方向相反；和/或，所述导体为线圈，所述线圈的第二部分位于收口通路的上端的下方或位于上引导件的上端的下方；和/或，所述导体具有相平行的第一导线段和第二导线段以及连接所述第一导线段和第二导线段的过渡导线段，所述第一导线段位于所述增强通路，所述第二导线段由所述过渡导线段引至所述收口通路的端口外侧；和/或，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；所述上引导件和下引导件上下对称分布，并且呈弧形，两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成所述收口通路；所述收口通路变狭窄的区域形成所述增强通路；和/或，所述导体为设于所述增强通路的直线形导体；和/或，所述磁场聚集部件为螺旋形线圈，所述螺旋形线圈每一端均向所述螺旋形线圈的中部逐渐或直接收拢，形成所述收口通路，或者，所述螺旋形线圈自一端向所述螺旋形线圈的另一端逐渐或直接收拢，形成所述收口通路；所述螺旋形线圈通电后形成引导磁力线，以改变所述外部磁场的磁力线方向而被汇聚到所述增强通路；和/或，所述磁场聚集部件的螺旋形线圈的单圈呈四边形或椭圆形；和/或，所述磁场聚集部件包括上螺旋线圈和下螺旋线圈，所述上螺旋线圈和下螺旋线圈上下方向的间距仅自一端向另一端逐渐变小或直接变小，形成所述收口通路，所述上螺旋线圈和所述下螺旋线圈的另一端之间，形成所述增强通路；或者，

所述上螺旋线圈和所述下螺旋线圈上下方向的间距自两端向中部逐渐变小或直接变小，形成所述收口通路，所述上螺旋形线圈和所述下螺旋形线圈的中部之间保持变小后的间距，形成所述增强通路；

所述上螺旋线圈和所述下螺旋线圈通电后形成引导磁力线，以改变所述外部磁场的磁力线方向而被汇聚到所述增强通路；和/或，所述上螺旋线圈和下螺旋线圈上下对称或非对称分布，两者的单圈分别呈四边形或椭圆形；和/或，所述导体包括螺旋形线圈和磁场屏蔽套，所述螺旋形线圈具有若干下平行段和上平行段，所述导体的螺旋形线圈通电后，所述下平行段与上平行段的电流方向相反，其中，所述下平行段或上平行段设有所述磁场屏蔽套；和/或，所述导体的螺旋形线圈为扁平状；和/或，所述磁场屏蔽套的材料能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线；和/或，所述磁场屏蔽套的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线的材料；和/或，所述磁场屏蔽套的材料为抗磁性材料、热解石墨、铋、银、金刚石、铅、石墨、铜或者置于密封容腔中水银中的至少一种；和/或，所述磁场屏蔽套的材料为高磁导率材料或软磁材料；和/或，所述磁场屏蔽套的材料为坡莫合金、铸铁、硅钢片、镍锌铁氧体、镍铁合金或锰锌铁氧体；和/或，所述导体包括连续弯曲呈“S”形的导线和磁场屏蔽管，所述“S”形导线具有若干平行的直线段，相邻两个所述直线段的电流方向相反，所述直线段以间隔的方式设有所述磁场屏蔽管；和/或，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；所述上引导件和下引导件为永磁铁制成，所述上引导件、下引导件上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小或直接变小，形成所述收口通路；或者，所述上引导件和下引导件上下方向的间距自两端向中部逐渐变小或直接变小，形成所述收口通路；所述上引导件、下引导件具有的磁场的磁力线为引导磁力线，以改变所述外部磁场的磁力线方向而被汇聚到所述增强通路；和/或，所述上引导件、所述下引导件均设有内层，所述上引导件、所述下引导件的两端分别伸出于所述内层，形成所述外部磁场通路的端口区域；

所述内层的材料是抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种；和/或，所述磁场聚集部件为实心构件，其本身形成用于增强外部磁场的左右延伸的外部磁场通路；

所述外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，所述收口通路在空间上的上、下边缘从上方和/或下方向中间直接变窄或，所述收口通路自其一端向另一端直接变窄或逐渐变窄，所述增强通路为所述收口通路变窄之后的通路或收口通路变窄之后的后延通路；

所述导体设于所述增强通路，形成所述外部磁场通路的所述磁场聚集部件的本体能够吸引外部磁场的磁力线，以使外部磁场的磁力线经由所述收口通路改变方向，并于所述增强通路得以增强，所述导体设于所述增强通路；和/或，所述导体包括的导线为超导性材料制作；和/或，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；所述上引导件和所述下引导件，一者为永磁铁制成，另一者为螺旋线圈，所述上引导件、下引导件之间的外部磁场的磁力线通过的区域形成所述外部磁场通路，所述永磁铁具有的磁场的磁力线以及螺旋线圈通电后具有的磁场的磁力线为引导磁力线，引导磁力线能够改变所述外部磁场的磁力线方向而被汇聚到所述增强通路；和/或，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；所述上引导件和所述下引导件，一者为永磁铁制成，另一者的本体材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、抗磁性材料、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线的材料；

所述上引导件、下引导件之间的外部磁场的磁力线通过的区域形成所述外部磁场通路，由永磁材料制成的所述上引导件或所述下引导件具有的磁场的磁力线为引导磁力线，引导磁力线能够改变所述外部磁场的磁力线方向而被汇聚到所述增强通路；和/或，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；所述上引导件和所述下引导件，一者为螺旋线圈，另一者的本体材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、抗磁性材料、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡或排斥或屏蔽外部磁场的磁力线的材料；

所述上引导件、下引导件之间的外部磁场的磁力线通过的区域形成所述外部磁场通路，作为上引导件或下引导件的所述螺旋线圈通电后具有的磁场的磁力线为引导磁力线，引导磁力线能够改变所述外部磁场的磁力线方向而被汇聚到所述增强通路；和/或，所述上引导件的引导磁力线和下引导件的引导磁力线之间的外部磁场的磁力线通过的区域为外部磁场通路，外部磁场的磁力线在外部磁场通路中增强的区域为增强通路；和/或，所述导体能够形成闭合回路；和/或，所述磁场聚集部件包括单侧引导件，单侧引导件的一端为弧形，或两端均向一侧凸出的弧形，所述单侧引导件凸出的一侧形成所述收口通路和所述增强通路；和/或，所述磁场屏蔽管的材料能够排斥或者阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线；和/或，所述磁场屏蔽管的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导材料、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡或排斥或屏蔽外部磁场的磁力线的材料；和/或，所述磁场屏蔽管的材料为抗磁性材料、热解石墨、铋、银、金刚石、铅、石墨、铜或者置于密封容腔中水银中的至少一种；和/或，所述磁场屏蔽管的材料为高磁导率材料或软磁材料；和/或，所述磁场屏蔽管的材料为坡莫合金、铸铁、硅钢片、镍锌铁氧体、镍铁合金或锰锌铁氧体；和/或，磁场屏蔽套的材料为相对磁导率大于1的材料；和/或，磁场屏蔽套的材料为相对磁导率大于10的材料；和/或，磁场屏蔽套的材料为相对磁导率大于100的材料；和/或，磁场屏蔽管的材料为相对磁导率大于1的材料；和/或，磁场屏蔽管的材料为相对磁导率大于10的材料；和/或，磁场屏蔽管的材料为相对磁导率大于100的材料；和/或，形成所述增强通路的所述上引导件与下引导件弯曲设置并形成至少两个延伸方向不同的直线段；和/或，上引导件和/或下引导件具有的引导磁力线的磁场强度设置成使外部磁场的磁力线能够通过外部磁场通路；和/或，所述上引导件和/或下引导件通有电流，所述上引导件和/或下引导件通电后的电流方向与导体通电后的产生正向推动力的导线部分的电流方向相同；和/或，所述上引导件和/或下引导件通电后的电流方向或所述抵消导体的电流方向与直导线或直线形导体的电流方向相同；和/或，所述上引导件和/或下引导件通电后的电流或者所述抵消导体的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流1，所述导体的线圈的第一部分和第二部分的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消；和/或，将两端的收口通路以及所述导体用上引导件可选用材料以外的材料进行连接；和/或，上引导件包括上汇聚引导件和上延长引导件，和/或下引导件包括下汇聚引导件和下延长引导件；上引导件的上延长引导件位于上汇聚引导件的下端的上方，和/或下引导件的下延长引导件位于下汇聚引导件的上端的下方，上引导件和/或下引导件的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡外部磁场的磁力线的材料；和/或，上引导件的左侧的中部向右侧凹陷和/或上引导件的右侧的中部向左侧凹陷；和/或，下引导件的左侧的中部向右侧凹陷和/或下引导件的右侧的中部向左侧凹陷；和/或，上引导件的左下边缘向左倾斜和/或上引导件的右下边缘向右倾斜；和/或，下引导件的左下边缘向左倾斜和/或下引导件的右下边缘向右倾斜；和/或，上引导件还设置有上隔板，上隔板位于上引导件两侧的上端边缘的下方，上隔板的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡外部磁场的磁力线的材料，导体为线圈，线圈的第二部分位于上隔板的下方；和/或，上隔板的两端与上引导件的两侧连接形成周向封闭结构，导体为线圈，线圈的第二部分位于此封闭结构中；和/或，上引导件和/或下引导件为长椭圆式形状的周向封闭结构，所述导体为线圈，线圈的第二部分位于长椭圆式形状的周向封闭结构中；和/或，上引导件和/或下引导件还包括引导齿；上引导件和/或下引导件的材料为完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、第一类超导体、第二类超导体、负磁导率材料、左手材料、负磁阻材料、抗磁性材料中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡或屏蔽外部磁场的磁力线的材料；和/或，所述导体为线圈，线圈的第二部分位于远离收口通路的上端的上方或位于远离上引导件的上端的上方；和/或，还包括上抵消线圈和/或下抵消线圈，上抵消线圈设置在上引导件的上方和/或下抵消线圈设置在下引导件的下方；和/或，上抵消线圈和/或下抵消线圈通电后的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流1，导体或导线2的线圈通电后的电流使得上引导件和/或下引导件产生电流2，电流2与电流1相互抵消或部分抵消，或者电流1与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力与电流2与外部磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力相互抵消或部分抵消；和/或，上抵消线圈通电后的上抵消线圈第一部分的电流方向与导体或导线2的线圈的第一部分的电流方向相同；和/或，下抵消线圈通电后的下抵消线圈第一部分的电流方向与导体或导线2的线圈的第一部分的电流方向相同；和/或，上抵消线圈的上抵消线圈第二部分位于远离收口通路的上端的上方或位于远离上引导件的上端的上方；和/或，下抵消线圈的下抵消线圈第二部分位于远离收口通路的下端的下方或位于远离下引导件的下端的下方；和/或，导体或导线2具体为线圈，导体或导线2的线圈还包括磁场限制套或磁场限制管，磁场限制套或磁场限制管包裹导线2的线圈的第一部分；和/或，磁场限制套或磁场限制管的材料为高磁导率材料或软磁材料；和/或，磁场限制套或磁场限制管的材料为坡莫合金或铸铁或硅钢片或镍锌铁氧体或镍铁合金或锰锌铁氧体；和/或，磁场限制套或磁场限制管的材料为相对磁导率大于100的材料。

10.一种磁场中的制动和/或发电装置，包括权利要求1-9中任一项所述的推进器，所述导体能够形成闭合回路，所述磁场中的制动装置在外部磁场中运动时，所述导体能够切割所述增强通路中的外部磁场的磁力线而产生电流和/或制动力。

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