CN110716253A - 一种高精度反射镜面型的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明专利涉及一种高精度反射镜面型的加工方法，包括一个抛光的基底，表面镀制高反膜，其特征在于所述的一种高精度反射镜面型的加工方法，高反膜系设计时，优化膜系结构及最外层的SiO2厚度，满足反射率达到要求，并且最外层的SiO2厚度变化对高反膜的反射率影响甚微，镀制时，最外层的SiO2厚度适当增加。当反射镜镀制完后，采用干涉仪测试表面面型，由于镀膜工艺及膜层应力的影响，此时的面型往往比λ/4@632.8nm更差，将测试完的表面面型数据导入离子束加工设备中，采用离子束精准去除最外层的SiO2厚度满足高精度面型要求，加工方便，反射镜的面型精度可以达到λ/40@632.8nm。
Description
技术领域
本发明专利属于光学元器件的加工领域，尤其是一种高精度反射镜面型的加工方法。
背景技术
随着光学技术以及激光器的飞速发展，无论是可见光、紫外光，深紫外光，还是红外光，应用中对反射镜的面型要求极高，反射镜一般是在抛光基底上镀反射膜，由于镀膜工艺及膜层应力的影响，镀膜后表面面型变化非常大，面型极差，在使用过程中，光束变形，能量不集中，造成使用效果不佳。因此，反射镜面型越好对光束越有利。
目前反射镜的面型常规只能做到λ/4@632.8nm，面型λ/10@632.8nm的只能通过反复测试和背面镀膜拉面型，加工成品率极低，成本高，不易于批量化生产。
发明内容
本发明的目的在于克服现在反射镜面型加工不良，摒弃传统的加工方案，采用镀高反膜后，通过修正最外层SiO2厚度满足高精度面型要求。
本发明高反膜系设计时，优化膜系结构及最外层的SiO2厚度，满足反射率达到要求，并且最外层的SiO2厚度变化对高反膜的反射率影响甚微，镀制时，最外层的SiO2厚度适当增加。当反射镜镀制完后，采用干涉仪测试表面面型，由于镀膜工艺及膜层应力的影响，此时的面型往往比λ/4@632.8nm更差，将测试完的表面面型数据导入离子束加工设备中，采用离子束精准去除最外层的SiO2厚度满足高精度面型要求，加工方便，反射镜的面型精度可以达到λ/40@632.8nm。
附图说明
图1为本发明专利的一种高精度反射镜镀后面型示意图；
图2为本发明专利的一种高精度反射镜面型的加工方法示意图。
具体实施例
为了更好的对本发明专利进行阐述，下面将结合附图做详细说明。
如图1所示，本发明专利的一种高精度反射镜镀后面型，101为抛光好的基底，面型达到λ/632.8nm,在101抛光表面镀高反膜堆102，最外层为SiO2 103。102膜堆根据波段优化设计，使得满足以下两个要求：一是反射率达到设计要求；二是最外层103的 SiO2厚度变化对反射率影响甚微，镀膜完后的面型示意图见图1，表面的面型很差，变形厉害。
如图2所示，将镀膜完的反射镜采用干涉仪测试，测试完将干涉数据导入离子束加工设备模拟分析去除量，采用离子束定量修复表面面型，去除的表面仅为最外层的SiO2厚度，使得面型精度达到λ/40@632.8nm，并且反射率达到要求。
上述具体实施方式不能认为是对本发明专利的进一步限定，本领域技术人员根据本发明专利内容作出的非实质性改变均应落入本发明专利保护范围内。
Claims (3)
1.本发明专利涉及一种高精度反射镜面型的加工方法，包括一个抛光的基底，表面镀制高反膜，其特征在于所述的一种高精度反射镜面型的加工方法，高反膜系设计时，优化膜系结构及最外层的SiO2厚度，满足反射率达到要求，并且最外层的SiO2厚度变化对高反膜的反射率影响甚微，镀制时，最外层的SiO2厚度适当增加，当反射镜镀制完后，采用干涉仪测试表面面型，由于镀膜工艺及膜层应力的影响，此时的面型往往比λ/4@632.8nm更差，将测试完的表面面型数据导入离子束加工设备中，采用离子束精准去除最外层的SiO2厚度满足高精度面型要求，加工方便，反射镜的面型精度可以达到λ/40@632.8nm。
2.根据权利要求1所述的一种高精度反射镜面型的加工方法，其特征在于：反射镜的类型可以是平面反射镜、球面反射镜、柱面反射镜以及非球面反射镜。
3.根据权利要求1所述的一种高精度反射镜面型的加工方法，其特征在于：反射镜的面型精度达到λ/40@632.8nm。
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| CN201911041512.1A CN110716253A (zh) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 一种高精度反射镜面型的加工方法 |
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| CN (1) | CN110716253A (zh) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN114859549A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-08-05 | 中国计量大学 | 一种对小尺寸节瘤缺陷不敏感的蓝光高反膜及设计方法 |
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2019
- 2019-10-30 CN CN201911041512.1A patent/CN110716253A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114859549A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-08-05 | 中国计量大学 | 一种对小尺寸节瘤缺陷不敏感的蓝光高反膜及设计方法 |
| CN114859549B (zh) * | 2022-05-10 | 2024-01-12 | 中国计量大学 | 一种对小尺寸节瘤缺陷不敏感的蓝光高反膜及设计方法 |
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