CN110706995B - 一种无死区的表面接地电子倍增器件 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示了一种无死区的表面接地电子倍增器件，其包括PCB基材层(1)、绝缘支撑柱层(3)以及贴覆于所述PCB基材层(1)和绝缘支撑柱层(3)之间的阻性电极层(2)，所述绝缘支撑柱层(3)上设置有微孔不锈钢网(4)，所述微孔不锈钢网(4)接地，所述阻性电极层(2)接正高电压。本发明的无死区的表面接地电子倍增器件，拼接时，边框之间不会产生死区，能有效消除边缘电场畸变引起的畸变效应问题。

Description

一种无死区的表面接地电子倍增器件
技术领域
本发明涉及核技术探测领域，特别涉及一种无死区的表面接地电子倍增器件。
背景技术
在核技术探测领域，电子倍增器件作为微小信号探测的器件，都需要表面加在高压(正高电压或者负高电压)，使得探测器件需要一定的安装区域，这些区域全部采用绝缘材料。受加工工艺限制，以及为了维修和使用方便，这些器件大多采用模块化设计，需要大面积使用时，采用拼接模式，由于安装探测器模块单元的外框边缘的存在，使得探测死区保持了周期的辐射状分布特点，探测器灵敏区域加载几千伏的工作高压，边框为绝缘层(为保持不变形，宽度大约20mm的绝缘电木框)，因而两个模块之间均在明显的电场畸变效应。相邻加载工作高压的工作区域间隔绝缘电木框，在20mm的边框区域内产生明显的电场畸变效应，带来了显著的径迹测量、重建畸变问题。对于边缘电场畸变引起的畸变效应问题，一直无法完全消除。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术中的上述缺陷，提供一种无死区的表面接地电子倍增器件，拼接时，边框之间不会产生死区，能有效消除边缘电场畸变引起的畸变效应问题。
为了实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：
一种无死区的表面接地电子倍增器件，其包括PCB基材层、绝缘支撑柱层以及贴覆于所述PCB基材层和绝缘支撑柱层之间的阻性电极层，所述电极层采用一体式设计，所述绝缘支撑柱层上设置有微孔不锈钢网，所述微孔不锈钢网接地，所述阻性电极层接正高电压，所述PCB基材层包括读出电极层和PCB读出板，所述读出电极层贴覆于所述阻性电极层和PCB读出板之间。
此外，本发明还包括如下附属技术方案：
所述PCB读出板背离所述读出电极层一侧上连接有前置放大器。
所述前置放大器前端连接有隔直电容。
所述阻性电极层上设置有高压连接点，所述正高电压加载在所述高压连接点上。
所述正高电压取值范围为+300V～+400V。
所述阻性电极层的面电阻率为几1～5MΩ/□。
相比于现有技术，本发明优点在于：在阻性电极层上加载正高电压，使电荷采用阻性电极扩散的方法收集到读出电极层上，并且微孔不锈钢网采用接地模式，使相邻模块边框可以良好的接触在一起，边框之间不会产生死区，从倍增器件内部消除边框效应带来的畸变问题。
附图说明
图1是本发明一种无死区的表面接地电子倍增器件的结构示意图。
图2是本发明一种无死区的表面接地电子倍增器件拼接时的放置示意图。
具体实施方式
以下结合较佳实施例及其附图对本发明技术方案作进一步非限制性的详细说明。
如图1所示，对应于本发明的一种较佳实施例的无死区的表面接地电子倍增器件，其包括PCB基材层1、绝缘支撑柱层3、贴覆于PCB基材层1和绝缘支撑柱层3之间的阻性电极层2，以及设置于绝缘支撑柱层3上的微孔不锈钢网4。其中，PCB基材层1包括读出电极层11和PCB读出板12，读出电极层11贴覆于阻性电极层2和PCB读出板12之间。PCB读出板12背离读出电极层11一侧上连接有前置放大器，前置放大器前端连接有隔直电容。
微孔不锈钢网4接地，由于金属网具有良好的电子透过率，因此接地能保证绝大部分电子通过。
阻性电极层2接正高电压，正高电压取值范围为+300V～+400V，阻性电极层2的面电阻率为1～5MΩ/□。一方面，保证了微孔不锈钢网4与读出电极层11之间存在一定高的电场，可以实现同样的电子倍增；另一方面，由于阻性电极层2为高电位，保证了微孔不锈钢网4与阻性电极层2之间存在上低下高的电势差，可以实现电荷输运到读出电极层11。
电荷扩散、感应、收集到读出电极层11上时，形成脉冲信号，前置放大器前端连接有隔直电容，从直流高压上读取该脉冲信号，可以实现电荷最终被前置放大器采集，输出信号。
如图2所述，通过工艺，可以尽可能的降低边缘的尺寸，并且由于微孔不锈钢网4采用接地模式，所以仅需在阻性电极层2留置一个用于加载正高电压的高压连接点21的位置，基本可以实现无边框的设计，而已有的边框全部接入地线。
本发明的无死区的表面接地电子倍增器件，采用微孔不锈钢网接地和阻性电极层加载高电压的方法，使相邻模块边框可以良好的接触在一起，边框之间不会产生死区，从倍增器件内部消除边框效应带来的畸变问题。
需要指出的是，上述较佳实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种无死区的表面接地电子倍增器件，其包括PCB基材层(1)、绝缘支撑柱层(3)以及贴覆于所述PCB基材层(1)和绝缘支撑柱层(3)之间的阻性电极层(2)，其特征在于：所述电极层(2)采用一体式设计，所述绝缘支撑柱层(3)上设置有微孔不锈钢网(4)，所述微孔不锈钢网(4)接地，所述阻性电极层(2)接正高电压，所述PCB基材层(1)包括读出电极层(11)和PCB读出板(12)，所述读出电极层(11)贴覆于所述阻性电极层(2)和PCB读出板(12)之间。
2.按照权利要求1所述无死区的表面接地电子倍增器件，其特征在于：所述PCB读出板(12)背离所述读出电极层(11)一侧上连接有前置放大器。
3.按照权利要求2所述无死区的表面接地电子倍增器件，其特征在于：所述前置放大器前端连接有隔直电容。
4.按照权利要求1所述无死区的表面接地电子倍增器件，其特征在于：所述阻性电极层(2)上设置有高压连接点(21)，所述正高电压加载在所述高压连接点(21)上。
5.按照权利要求1所述无死区的表面接地电子倍增器件，其特征在于：所述正高电压取值范围为+300V～+400V。
6.按照权利要求1所述无死区的表面接地电子倍增器件，其特征在于：所述阻性电极层(2)的面电阻率为1～5MΩ/口。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101390189A (zh) * 2006-02-28 2009-03-18 滨松光子学株式会社 光电倍增管和放射线检测装置
CN103930800A (zh) * 2011-08-26 2014-07-16 欧洲原子能研究组织 用于雪崩粒子检测器的检测器读取接口

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101390189A (zh) * 2006-02-28 2009-03-18 滨松光子学株式会社 光电倍增管和放射线检测装置
CN103930800A (zh) * 2011-08-26 2014-07-16 欧洲原子能研究组织 用于雪崩粒子检测器的检测器读取接口

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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"Performance studies of a micromegas chamber in the ATLAS environment";Y. Kataoka et al.;《journal of instrumentation》;20140312;第1-7页，图1-11 *

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