CN110694063A - 一种二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种二维超薄SnSe2‑PEG纳米片及其制备方法和应用，该制备包括：将块状SnSe2研磨为粉末状后，在惰性气体下加入正丁基锂溶液后超声处理；洗涤并除去未完全反应的正丁基锂溶液，抽真空后缓慢加入除氧的超纯水，继续超声处理；将NH2‑PEG溶于除氧的超纯水中，转移至超声处理后的溶液，继续低温超声处理，搅拌后进行洗涤离心纯化，最终得到具有光热治疗功能的二维超薄SnSe2‑PEG纳米片。本发明制备的具有光热治疗功能的二维超薄SnSe2‑PEG纳米片具有高生物相容性、高光热性能以及良好的光热稳定性，且有制备工艺简单、成本低、光热效果好、应用范围广等技术优势，因此在肿瘤治疗方面有重要的应用前景。

Description

一种二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于纳米生物医学技术领域，具体涉及二维超薄SnSe2-PEG纳米片材 料及其制备方法和应用。
背景技术
每年，新发癌症病例约380万，死亡人数约229万，总体癌症发病率平均每 年上升3.9％左右，发病率及死亡率呈现逐年上升趋势。癌症已严重影响我国人 民健康，目前传统的癌症治疗方法(例如手术、化学疗法和放射疗法)存在很多 弊端，例如治疗不彻底、患者痛苦并且容易出现抗药倾向等等。光热治疗(PTT) 作为一种新的癌症治疗策略近年来备受关注。光热治疗是指在肿瘤局部注射光热 试剂，当特定波长的激光(多为近红外光)照射该区域后，具有光热性能的材料 通过吸收近红外光(NIR)将光能转化为热能使肿瘤部位局部温度升高，从而诱 导细胞凋亡或直接杀伤。光热疗法具有无创性、治疗时间短、操作简单、效率高 等优点。一个良好的光热试剂需要在近红外区具有较高的光热转换效率、生物毒性低。目前常用的光热试剂主要是近红外荧光染料，其存在稳定性差、生物相容 性低等缺点。目前急需具有高光热性能、高光热稳定性、高生物相容性的光热试 剂应用于癌症治疗。
发明内容
发明目的：针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种二维超薄SnSe2-PEG 纳米片及其制备方法和应用。本发明制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片具有高 生物相容性、高光热性能以及良好的光热稳定性，将会在癌症治疗方面作为一种 有前途的新型光热制剂。
技术方案：为了实现上述目的，本发明所述的一种二维超薄SnSe2-PEG纳 米片材料的制备方法，包括如下步骤：
(1)将块状SnSe2研磨为粉末状后，在惰性气体饱和氛围下加入正丁基锂 溶液后超声处理；即在惰性气体氛围下在Schlenk管中通过锂离子插层剥离方法 得到二维超薄SnSe2纳米片；
(2)用过量正己烷或环己烷洗涤上述溶液，静置后抽去上层溶液，以除去 未完全反应的正丁基锂。将下层固体抽真空后缓慢加入预先除氧的超纯水，继续 超声处理；
(3)将NH2-PEG溶于预先除氧的超纯水中，转移至上述步骤(2)超声处 理后的溶液，然后继续超声处理，搅拌后进行洗涤、离心纯化；即通过脱氧的条 件下用NH2-PEG进行表面修饰，最终得到二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料。
其中，步骤(1)所述块状SnSe2研磨为粉末状后和磁子一并加入Schlenk 管，在氩气或氮气饱和氛围下加入正丁基锂溶液进行超声处理。作为优选，在氩 气饱和氛围下加入正丁基锂溶液。
其中，步骤(1)所述粉末状SnSe2为5～200mg，正丁基锂溶液取2～20mL， 溶液浓度为2.4M。作为优选，SnSe2取50～200mg，正丁基锂溶液取2～10mL。
其中，步骤(2)和(3)中预先除氧的超纯水的体积为5～30mL。作为优选， 预先除氧的超纯水的体积为5～15mL。
其中，步骤(3)所述NH2-PEG取20～1000mg。作为优选，NH2-PEG取 200～1000mg。
其中，步骤(1)-(3)所述超声的温度控制在0～60℃，超声功率为280-300 W，时间控制在30～300min。作为优选，步骤(1)所述超声的温度控制在40～60℃， 超声时间控制在120～240min。步骤(2)(3)所述超声的温度控制在0～30℃， 超声时间控制在30～150min。
其中，步骤(3)所述超声后在转速为250-300rpm下搅拌6～48h，再用乙 醇和水依次进行洗涤、离心纯化。作为优选，搅拌时间为9～15h。
本发明所述的二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的制备方法所制备的二维超 薄SnSe2-PEG纳米片材料。
所述二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料作为具有光热治疗功能的纳米片，具 有高生物相容性、高光热性能以及良好的光热稳定性。
本发明所述的超薄SnSe2-PEG纳米片的制备方法所制备的二维超薄 SnSe2-PEG纳米片光热材料在制备肿瘤光热治疗试剂中的应用。
本发明中的原料均市售可得。
其中，SnSe2购买于巨纳集团旗下低维材料在线公司；NH2-PEG(分子量3000) 购买于南京悦蔚生物技术有限公司，磁子和Schlenk管均购买于南京康胜化学品 贸易有限公司。
本发明中相比较传统的癌症治疗手段，具有生物光热治疗功能的二维超薄SnSe2-PEG纳米片通过将近红外光能转化为热能使肿瘤部位局部温度升高，从而 诱导细胞凋亡或直接杀伤，可以实现无损伤面积、减少患者痛苦以及药物抗性。 二维超薄SnSe2-PEG纳米片并且具有较高的生物相容性以及在NIR激光下优异 的光热性能以及光热稳定性。因此，二维超薄SnSe2-PEG纳米片将会作为一种 有前途的新型光热剂用于癌症治疗。
本发明将块状SnSe2材料用玛瑙研钵研磨为极细的粉末状，在惰性气体氛围 下在Schlenk管中用锂离子插层剥离方法得到二维超薄SnSe2纳米片，在脱氧的 条件下用NH2-PEG进行表面修饰，最终得到具有光热治疗功能的二维超薄 SnSe2-PEG纳米片。本发明制备的超薄SnSe2-PEG纳米片作为二维(2D)石墨 烯类似物，当它们由块状变为2D层状结构时，其物理和化学性质都发生了很大 的变化，二维超薄SnSe2-PEG纳米片在NIR有较强的吸收且具有良好的光热性 能，因此二维超薄SnSe2-PEG纳米片是一种具有生物光热治疗性能的新型二维 纳米材料。
有益效果：与现有技术相比，本发明具有如下优点：
本发明通过锂离子插层剥离方法得到二维超薄SnSe2纳米片，在氩气或者氮 气饱和氛围条件下用NH2-PEG进行表面修饰，得到稳定的二维超薄SnSe2-PEG 纳米片，用于癌细胞光热治疗。本发明发现二维超薄SnSe2-PEG纳米片的制备 和对癌细胞具有优异的治疗效果，二维超薄SnSe2-PEG纳米片具有较高的生物 相容性以及在NIR激光下优异的光热性能和光热稳定性。
本发明制备二维超薄SnSe2-PEG纳米片在NIR 808nm处，其光热转换效率 为13.7％，消光系数为27.49L·g-1·cm-1。在NIR 808nm激光功率密度为1W/cm2时，当浓度超过50mg/L时，二维超薄SnSe2-PEG纳米片甚至可以升温至70℃ 以上，远超过癌症光热治疗所需的48℃。当浓度为69mg/L时，在NIR 808nm 激光功率密度为0.75W/cm2时，二维超薄SnSe2-PEG纳米片仍可升温至50℃以 上。同时，对于二维超薄SnSe2-PEG纳米片处理过的细胞，在无激光照射下它 们的细胞保持在高水平成活率，激光照射下细胞保持在高水平死亡率，表明二维 超薄SnSe2-PEG纳米片具有优异的生物相容性以及光热治疗能力。这种二维超 薄SnSe2-PEG纳米片可以作为一种新型的光热剂用于癌症治疗。
综上，本发明具有光热治疗功能的二维超薄SnSe2-PEG纳米片具有高生物 相容性、高光热性能以及良好的光热稳定性，且有制备工艺简单、成本低、光热 效果好、应用范围广等技术优势，因此在肿瘤治疗方面具有重要的应用前景。
附图说明
图1为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片的TEM图；
图2为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片的HRTEM图；
图3为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片的XRD图谱；
图4为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片的拉曼图谱；
图5为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片中Sn 3d的高分 辨率XPS图谱；
图6为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片中Se 3d的高分 辨率XPS图谱；
图7为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片的UV-vis-NIR 吸收图谱；
图8为本发明中实施例1制备的不同浓度的二维超薄SnSe2-PEG纳米片和 水的光热升温曲线图；
图9为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片的光热稳定性 曲线图；
图10为本发明中实施例1制备的不同浓度的二维超薄SnSe2-PEG纳米片的 UV-vis-NIR吸收图谱；
图11为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片在808nm处 吸光度-浓度拟合曲线图；
图12为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片在808nm激 光开/关下的光热升温降温曲线图；
图13为本发明中实施例1制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片降温时间对-lnθ 拟合直线图；
图14为本发明中实施例1制备的不同浓度的二维超薄SnSe2-PEG纳米片作 用于HeLa细胞的毒性测试图。
具体实施方式
以下结合实施例和附图对本发明作进一步说明。
实施例1
本实施例提供了一种二维超薄SnSe2-PEG纳米片的制备方法，具体包括如 下步骤：
将块状SnSe2研磨为粉末状，取100mg SnSe2和磁子一并加入Schlenk管(史 兰克管)，在氩气饱和氛围下加入5mL正丁基锂溶液(浓度为2.4M)，然后在超 声功率为280W，温度为50℃下超声180min，进行锂插层液相剥离。
用过量正己烷洗涤上述溶液，静置分层后抽去上层溶液，以除去未完全反应 的正丁基锂。将下层固体抽真空后缓慢加入10mL预先除氧的超纯水，并在功 率为280W，温度为20℃下超声60min。
将450mg NH2-PEG溶于10mL预先除氧的超纯水后加入上述溶液中，在功 率为280W，温度为20℃下超声60min，然后在转速为250rpm下搅拌12h。 得到SnSe2-PEG纳米片的悬浮液，即二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的粗产物。
量取5mL乙醇与上述得到的SnSe2-PEG纳米片的悬浮液混合，在12000rpm 的转速条件下离心20min弃去上层清液，收集离心管底部产物。量取20mL超 纯水，与上述离心管底部产物配成悬浮液，在1000rpm的转速条件下离心20min 弃去沉淀。将上层产物在12000rpm的转速条件下离心20min弃去上层清液， 保留底部的分离产物。将产物分散到超纯水中，得到具有光热治疗功能的二维超 薄SnSe2-PEG纳米片。
将本实施例中制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片进行表征，透射电子显微 镜照片如图1和高分辨透射电子显微镜照片如图2所示，二维超薄SnSe2-PEG 纳米片的晶格间距为0.330nm。X射线衍射照片如图3所示，其与XRD标准卡 片PDF#38-1055一致，证明生长的产物由SnSe2组成。通过拉曼光谱表征制备 的二维超薄SnSe2-PEG纳米片的结构和组成，如图4所示，在532nm激光下， SnSe 2在约位于185cm-1的峰值对应于平面外伸缩振动A1g模式，在约位于108 cm-1的峰值对应于平面内伸缩振动E1g模式，拉曼表征证实了二维超薄 SnSe2-PEG纳米片为2H相。通过XPS进一步表征二维超薄SnSe2-PEG纳米片， 如图5、6所示，高分辨率XPS光谱显示在487.2eV和495.6eV处的两个XPS 峰，分别归因于Sn4+的Sn 3d5/2和Sn 3d3/2。高分辨率XPS光谱显示在53.6eV和 54.4eV处的两个峰，分别归因于Se2-的Se 3d5/2和Se 3d3/2。XPS表征进一步表 明产物是二维超薄SnSe2-PEG。如图7所示，通过紫外可见分光光度计对二维超 薄SnSe2-PEG进行表征，其在700nm～900nm波段有较宽的吸收，表明二维超 薄SnSe2-PEG在NIR有较好的吸收。
将本实施例1中制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片进行光热性能表征，如 图8所示，分别配置69.6mg/L、34.8mg/L、17.4mg/L、8.7mg/L的二维超薄 SnSe2-PEG纳米片水溶液，以波长为808nm激光为光源，在激光功率密度为 1W/cm2下经过10min的持续照射后，浓度为69.6mg/L的SnSe2-PEG纳米片水 溶液甚至可以升温至75℃。如图9所示，在激光开/关5次循环中光热曲线都保 持不变，说明二维超薄SnSe2-PEG纳米片具有良好的光热性能以及光热稳定性。 图10为浓度分别为17.4mg/L、8.7mg/L、4.4mg/L、1.1mg/L的二维超薄 SnSe2-PEG纳米片水溶液在300nm～900nm的紫外吸收图谱，分别取如图10中 不同浓度的二维超薄SnSe2-PEG纳米片水溶液在808nm处的吸光度，与浓度拟 合后得到如图11所示的二维超薄SnSe2-PEG纳米片在808nm处的吸光度-浓度 拟合曲线，通过朗伯比尔定律计算得出其消光系数为27.49L·g-1·cm-1。如图12 所示，用热成像仪记录二维超薄SnSe2-PEG纳米片在激光功率密度为1W/cm2的808nm激光照射下的升温以及激光关闭后的降温曲线。根据图12所得结果作 出如图13所示的时间对-lnθ的拟合直线图。根据公式
Figure BDA0002217919670000061
其 中T由热成像仪直接测得，Ts为室温。I为激光能量，A808为实验浓度下二维超 薄SnSe2-PEG纳米片在图7的紫外可见吸收图谱中808nm处的吸光度，Qo为 200μL离心管自身吸收光能量。hs可根据下列公式求得
Figure BDA0002217919670000062
其中mi为 待测物(水)的质量，Cp，i为水的比热容。其中引入无刚量常数θ和系统时间常 数τs，即：根据上述公式，最终求得光热转换效率为 13.7％。说明本发明的二维超薄SnSe2-PEG纳米片具有高消光系数和优异的光热 性能以及良好的光热稳定性。
除了二维超薄SnSe2-PEG纳米片的优异光热性能外，其在生物应用方面具 有良好的生物相容性以及体外癌细胞治疗效果。将不同浓度的二维超薄 SnSe2-PEG纳米片对HeLa细胞的生长影响进行MTT实验以评估其生物相容性。 将HeLa细胞与培养基均匀铺在两个96孔板中(一个96孔板为非光照组，一个 96孔板为光照组)，待孵育12h细胞生长贴壁后，加入维超薄SnSe2-PEG纳米 片水分散液，浓度分别为0mg/L、3.75mg/L、7.5mg/L、15mg/L、30mg/L、 60mg/L、120mg/L，每个浓度平行设置5个孔，将其加入96孔板中与HeLa 细胞共同孵育24h。其中，光照组每个孔分别用1W/cm2的808nm激光照射5 min，非光照组不做光照处理。然后每个孔加入50μL浓度为5mg/mL的MTT, 孵育4h后吸走上清液，每孔加入150μLDMSO溶解产生的甲臜,通过酶标仪检 测96孔板中每个孔在570nm处的吸光度以间接反映细胞活性，根据结果作图如 图14所示，在0～120mg/L的浓度范围以内，当二维超薄SnSe2-PEG纳米片浓度高达120mg/L时，细胞活性仍维持80％左右，说明当二维超薄SnSe2-PEG 纳米片质量浓度低于120mg/L时，二维超薄SnSe2-PEG纳米片的毒性很低。同 时，当二维超薄SnSe2-PEG纳米片浓度在30mg/L以上时，在808激光照射下 细胞死亡率在70％以上，说明当二维超薄SnSe2-PEG纳米片的质量浓度高于30 mg/L时，二维超薄SnSe2-PEG纳米片具有很好的光热治疗效果。综上，图14 表现了二维超薄SnSe2-PEG纳米片优异的光热治疗效果和良好的生物相容性。
实施例2
本实施例提供了一种二维超薄SnSe2-PEG纳米片的制备方法，具体包括如 下步骤：
将块状SnSe2研磨为粉末状，取50mg SnSe2和磁子一并加入Schlenk管(史 兰克管)，在氩气饱和氛围下加入2mL正丁基锂溶液(浓度为2.4M)，然后在超 声功率为300W，温度为40℃下超声240min进行锂插层液相剥离。
用过量环己烷洗涤上述溶液，静置后抽去上层溶液，以除去未完全反应的正 丁基锂。将下层固体抽真空后缓慢加入5mL预先除氧的超纯水，并继续在超声 功率为300W，温度为0℃中超声150min；
将200mg NH2-PEG溶于5mL预先除氧的超纯水后加入上述溶液中在超声 功率为300W，温度为0℃超声150min，转速为250rpm下搅拌15h；得到 SnSe2-PEG纳米片的悬浮液；量取10mL乙醇与SnSe2-PEG纳米片的悬浮液混 合。在12000rpm的转速条件下离心20min弃去上层清液，收集离心管底部产 物。量取50mL超纯水，与上述离心管底部产物配成悬浮液，在1000rpm的转 速条件下离心20min弃去沉淀。将上层产物在12000rpm的转速条件下离心20 min弃去上层清液，保留底部的分离产物。将产物分散到超纯水中，得到具有光 热治疗功能的二维超薄SnSe2-PEG纳米片。
实施例3
本实施例提供了一种二维超薄SnSe2-PEG纳米片的制备方法，具体包括如 下步骤：
将块状SnSe2研磨为粉末状，取200mg SnSe2和磁子一并加入Schlenk管(史 兰克管)，在氩气饱和氛围下加入10mL正丁基锂溶液(浓度为2.4M)，然后在 超声功率为280W，温度为60℃下超声120min进行锂插层液相剥离。
用过量正己烷洗涤上述溶液，静置后抽去上层溶液，以除去未完全反应的正 丁基锂。将下层固体抽真空后缓慢加入15mL预先除氧的超纯水，并在超声功 率为280W，温度为30℃下超声30min；
将1000mg NH2-PEG溶于15mL除氧水后加入上述溶液中在超声功率为280 W，温度为30℃下超声30min，转速为250rpm下搅拌9h；得到SnSe2-PEG纳 米片的悬浮液；
量取15mL乙醇与SnSe2-PEG纳米片的悬浮液混合。在12000rpm的转速 条件下离心20min弃去上层清液，收集离心管底部产物。量取50mL超纯水， 与上述离心管底部产物配成悬浮液，在1000rpm的转速条件下离心20min弃去 沉淀。将上层产物在12000rpm的转速条件下离心20min弃去上层清液，保留 底部的分离产物。将产物分散到超纯水中，得到具有光热治疗功能的二维超薄 SnSe2-PEG纳米片。
实施例4
本实施例提供了一种二维超薄SnSe2-PEG纳米片的制备方法，具体包括如 下步骤：
将块状SnSe2研磨为粉末状，取5mg SnSe2和磁子一并加入Schlenk管(史 兰克管)，在氮气饱和氛围下加入2mL正丁基锂溶液(浓度为2.4M)，然后在超 声功率为280W，温度为0℃下超声300min进行锂插层液相剥离。
用过量正己烷或环己烷洗涤上述溶液，静置后抽去上层溶液，以除去未完全 反应的正丁基锂。将下层固体抽真空后抽真空后缓慢加入5mL预先除氧的超纯 水，并继续在在超声功率为280W，温度为0℃超声90min；
将300mg NH2-PEG溶于15mL预先除氧的超纯水后加入上述溶液中在超声 功率为280W，温度为0℃超声90min；300rpm搅拌搅拌6h；得到SnSe2-PEG 纳米片的悬浮液；
量取5mL乙醇与SnSe2-PEG纳米片的悬浮液混合。在12000rpm的转速条 件下离心20min弃去上层清液，收集离心管底部产物。量取30mL超纯水，与 上述离心管底部产物配成悬浮液，在1000rpm的转速条件下离心20min弃去沉 淀。将上层产物在12000rpm的转速条件下离心20min弃去上层清液，保留底 部的分离产物。将产物分散到超纯水中，得到具有光热治疗功能的二维超薄 SnSe2-PEG纳米片。
实施例5
本实施例提供了一种二维超薄SnSe2-PEG纳米片的制备方法，具体包括如 下步骤：
将块状SnSe2研磨为粉末状，取20mg SnSe2和磁子一并加入Schlenk管(史 兰克管)，在氮气饱和氛围下加入2mL正丁基锂溶液(浓度为2.4M)，然后在超 声功率为300W，温度为60℃下超声30min进行锂插层液相剥离。
用过量环己烷洗涤上述溶液，静置后抽去上层溶液，以除去未完全反应的正 丁基锂。将下层固体抽真空后抽真空后缓慢加入30mL预先除氧的超纯水，并 继续在在超声功率为300W，温度为60℃超声30min；
将1000mg NH2-PEG溶于30mL预先除氧的超纯水后加入上述溶液中在超 声功率为300W，温度为60℃超声30min，250rpm搅拌48h；得到SnSe2-PEG 纳米片的悬浮液；
量取5mL乙醇与SnSe2-PEG纳米片的悬浮液混合。在12000rpm的转速条 件下离心20min弃去上层清液，收集离心管底部产物。量取30mL超纯水，与 上述离心管底部产物配成悬浮液，在1000rpm的转速条件下离心20min弃去沉 淀。将上层产物在12000rpm的转速条件下离心20min弃去上层清液，保留底 部的分离产物。将产物分散到超纯水中，得到具有光热治疗功能的二维超薄 SnSe2-PEG纳米片。

Claims (10)

1.一种二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将块状SnSe2研磨为粉末状后，在惰性气体饱和氛围下加入正丁基锂溶液后超声处理；
(2)洗涤除去未完全反应的正丁基锂溶液，抽真空后缓慢加入预先除氧的超纯水，继续超声处理；
(3)将NH2-PEG溶于预先除氧的超纯水中，转移至上述步骤(2)超声处理后的溶液，然后继续超声处理，搅拌后进行洗涤、离心纯化，得到二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料。
2.根据权利要求1二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述块状SnSe2研磨为粉末状后，在氩气或氮气饱和氛围下加入正丁基锂溶液进行超声处理。
3.根据权利要求1或2二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述粉末状SnSe2优选为5～200mg，正丁基锂溶液取2～20mL。
4.根据权利要求1或2二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)和(3)中预先除氧的超纯水的体积为5～30mL。
5.根据权利要求1或2二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述NH2-PEG取20～1000mg。
6.根据权利要求1或2二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)-(3)所述超声的超声功率为280-300W，温度控制在0～60℃，超声时间控制在30～300min。
7.根据权利要求1或2二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述超声后搅拌的转速为250-300rpm，时间为6～48h，再用乙醇和水依次进行洗涤、离心纯化。
8.一种权利要求1所述的二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的制备方法所制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料。
9.根据权利要求8所述的二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料，其特征在于，所述二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料作为具有光热治疗功能的纳米片，具有高生物相容性、高光热性能以及良好的光热稳定性。
10.一种权利要求1所述的二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料的制备方法所制备的二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料在制备癌细胞生物光热治疗试剂或者工具中的应用。
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