CN110690315A - 一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法 - Google Patents
一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110690315A CN110690315A CN201910831084.6A CN201910831084A CN110690315A CN 110690315 A CN110690315 A CN 110690315A CN 201910831084 A CN201910831084 A CN 201910831084A CN 110690315 A CN110690315 A CN 110690315A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- mos
- graphene
- heterojunction
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 90
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 title claims abstract description 17
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- -1 graphite alkene Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 50
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 47
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 47
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 47
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 15
- 101100069231 Caenorhabditis elegans gkow-1 gene Proteins 0.000 claims description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000695274 Processa Species 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
- H01L31/0336—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种硫化钼‑石墨烯异质结光电导探测器及其异质结的制备方法，包括异质结，所述异质结包括设置在SiO2/Si衬底层上的MoS2层，所述MoS2层上设置有石墨烯层，所述石墨烯层上设置有若干个金属电极。本发明提供了一种具有低成本、高响应度的二维材料异质结负光电导探测器及其制备方法；通过采用二维材料转移技术，减少石墨烯/TMDC异质结界面层杂质问题，提高石墨烯/TMDC光导型探测器的光电特性。
Description
技术领域
本发明属于光电导探测器领域，尤其涉及一种具有低成本、高响应度的石墨烯和过渡金属硫化物为代表的硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器的结构及其异质结的制备方法。
背景技术
光电导探测器是将光纤或者波导中的光脉冲转换为电信号的器件。在集成电子技术领域有着十分重要的作用。
异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结(P-p结或N-n结)和异型异质(P-n或p-N)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质结的条件是:两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。
随着信息时代的高速发展，对高速传输光信号信息采集的光电探测器扮演着越来越重要的角色，在信息传递、视频成像、安全安防、大气传感器、生物医学等领域有重要应用。随着应用规模的不断扩大，要求探测更快、更高效、更宽的波段范围成为光电探测器中需要解决的问题。光导型器件相比光伏型器件，结构简单，响应度高，在制备方面更容易实现。
石墨烯具有超薄的单原子层结构，较高的电子迁移率和极宽的电磁波吸收谱，使得基于石墨烯的光探测器可以实现紫外甚至中远红外的超宽波段探测，如T. Mueller等[1]人用石墨烯薄膜制备红外光探测器，在远红外波段响应度达到6.1mA/W。然而石墨烯为零带隙结构，以及低光吸收率，使器件响应度较低。另一种类石墨烯二维材料过渡金属硫化物(TMDC)，具有带隙可调结构，以及较强的光吸收率，因此构造石墨烯与TMDC结合形成异质结，对于增强器件的光电效应具有一定意义。高质量转移是构造二维材料异质结及其柔性器件应用的关键之一。然而转移之后的二维材料（如石墨烯）常出现褶皱、破裂等问题，从而影响二维材料探测器的光电性能。因此减少转移过程中产生的杂质缺陷等问题，对器件性能的提升十分重要。
因此，为解决现有技术中存在的问题，需研发一种具有低成本、高响应度的硫化钼/石墨烯二维材料异质结负光电导探测器及其制备方法。通过采用二维材料转移技术，减少石墨烯/TMDC异质结界面层杂质问题，提高石墨烯/TMDC光导型探测器的光电特性。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足，提供一种具有低成本、高响应度的硫化钼和石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法。通过采用二维材料转移技术，减少石墨烯/TMDC异质结界面层杂质问题，提高石墨烯/TMDC光导型探测器的光电特性。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器，包括异质结，所述异质结包括设置在SiO2/Si衬底层上的MoS2层，所述MoS2层上设置有石墨烯层，所述石墨烯层上设置有若干个金属电极。
本发明一个较佳实施例中，所述石墨烯层上设置有2个金属电极，金属电极采用Ag制成。
本发明一个较佳实施例中，所述SiO2/Si衬底层包括设置在所述MoS2层下方的SiO2层，以及设置在所述SiO2层下方的Si层。
本发明一个较佳实施例中，硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器的制备方法：
步骤一，MoS2层转移通过聚二甲基硅氧烷PDMS干法转移方式；利用聚二甲基硅氧烷PDMS与MoS2之间的黏附力大于MoS2与蓝宝石之间的黏附力，从而将MoS2从MoS2/Sapphire中的原始基底的蓝宝石上剥离出来，转移至所需的SiO2/Si衬底层上形成MoS2/SiO2/Si层。具体的，聚二甲基硅氧烷PDMS是转移常用的一种粘弹性较好的聚合物。
步骤二，石墨烯层转移主要使用真空热压系统实现两种材料的组装；为了制备异质结，需将石墨烯薄膜转移至MoS2/SiO2/Si层上MoS2层的表面作为石墨烯层，形成石墨烯/MoS2/SiO2/Si层。具体的，真空热压提供了一种干净、褶皱少等优势的转移方法。为了制备异质结，需将薄膜式的石墨烯层转移至二硫化钼的表面。
步骤三；在石墨烯/MoS2/SiO2/Si层的石墨烯层上设置Ag材质的金属电极，通过热蒸发技术形成设置在SiO2/Si衬底层上的Ag/石墨烯/MoS2异质结器件，并使用光电探测器测试系统测试其光电性能。具体的，设置在SiO2/Si衬底层上的Ag/石墨烯/MoS2异质结器件具有明显的负光电导效应，与传统半导体的正光电导性质正好相反。
本发明一个较佳实施例中，所述步骤一中，干法转移具体步骤为，首先将制备好的聚二甲基硅氧烷PDMS剪切为矩形块，平整按压于MoS2/Sapphire表面；然后静置1~10min，利用聚二甲基硅氧烷PDMS与MoS2之间的黏附力大于MoS2与蓝宝石之间的黏附力，从聚二甲基硅氧烷PDMS一侧轻轻将其揭起，MoS2保留在聚二甲基硅氧烷PDMS上形成PDMS/MoS2层；再将PDMS/MoS2层贴合至SiO2/Si衬底层上，40 ℃~60℃烘烤3~8 min，释放聚二甲基硅氧烷PDMS与MoS2/SiO2/Si之间的黏附力，易于剥离聚二甲基硅氧烷PDMS，从而将MoS2层转移至SiO2/Si衬底层上，完成MoS2层的转移形成MoS2/SiO2/Si层。
本发明一个较佳实施例中，步骤二中，所述石墨烯层转移是在真空热压系统中完成；具体步骤如下，首先使用高温胶带将石墨烯/Cu 层的一面固定在载玻片Glass上，其中石墨烯层的另一面朝外，并将其安装在真空支撑台顶部下方，真空支撑台下方设置有腔室，腔室的腔底放置目标基底MoS2/ SiO2/Si层；然后将腔底加热至180~220℃，腔室真空抽至120~180 mTorr，缓慢降低支撑台，使Glass/Cu/石墨烯与MoS2/ SiO2/Si层接触；保持10~25min，将腔室底部温度降低至30~50℃，缓慢抬起真空支撑台，石墨烯层（3）被转移至MoS2/SiO2/Si层表面形成石墨烯/ MoS2/ SiO2/Si层。
本发明解决了背景技术中存在的缺陷，本发明的有益效果：
本发明提供一种具有低成本、高响应度的硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法；通过采用二维材料转移技术，减少石墨烯/TMDC异质结界面层杂质问题，提高石墨烯/TMDC光导型探测器的光电特性。本专利中的硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器具有显著的负光电导效应。二维材料转移技术是构建二维材料异质结器件的关键，本专利中重点强调并特别要求了制备探测器过程中的材料转移技术。
本发明的一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器的制备方法，异质结制备主要通过干法转移完成。干法转移主要借助物理吸附原理在一定条件下实现。与湿法转移相比，干法转移在转移过程中没有引入任何化学液体，避免了化学污染，较好的保证了转移后材料表面洁净、无残留物。
本专利利用二维材料干法转移技术实现了低成本，方法简单易实现的石墨烯/MoS2异质结光电探测器的制备技术部。
通过测试石墨烯/MoS2异质结光电特性，发现其具有明显的负光电导效应。在650nm波长下，响应度达10.5 A/W。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的硫化钼和石墨烯异质结光电导探测器分子结构示意图。
图2是本发明的硫化钼和石墨烯异质结光电导探测器光电测试I-V曲线。
图3是本发明的硫化钼和石墨烯异质结光电导探测器光电测试I-T曲线。
其中，1- SiO2/Si衬底层，11-Si层，12-SiO2层，2- MoS2层，3-石墨烯层，4-金属电极。
具体实施方式
为了本技术领域的人员更好的理解本发明专利，下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细描述。
以下所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例；基于本发明中的实施例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的其他所用实施例，都属于本发明的保护范围。
如图1所示，本实施例公开了一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器，包括异质结，异质结包括设置在SiO2/Si衬底层1上的MoS2层2，MoS2层2上设置有石墨烯层3，石墨烯层3上设置有2个Ag制成的金属电极4。SiO2/Si衬底层1包括设置在MoS2层2下方的SiO2层12，以及设置在SiO2层12下方的Si层11。
硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器的制备方法：
步骤一，MoS2层2转移通过聚二甲基硅氧烷PDMS干法转移方式；利用聚二甲基硅氧烷PDMS与MoS2之间的黏附力大于MoS2与蓝宝石之间的黏附力，从而将MoS2从MoS2/Sapphire中的原始基底的蓝宝石上剥离出来，转移至所需的SiO2/Si衬底层1上形成MoS2/SiO2/Si层。
具体的，干法转移具体步骤为，首先将制备好的聚二甲基硅氧烷PDMS剪切为矩形块，本发明一个实施例中，聚二甲基硅氧烷PDMS裁剪为2 cm×2 cm大小，平整按压于MoS2/Sapphire表面；然后静置1~10min，本发明名优选3min，利用聚二甲基硅氧烷PDMS与MoS2之间的黏附力大于MoS2与蓝宝石之间的黏附力，从聚二甲基硅氧烷PDMS一侧轻轻将其揭起，MoS2保留在聚二甲基硅氧烷PDMS上形成PDMS/MoS2层；再将PDMS/MoS2层贴合至SiO2/Si衬底层1上，40 ℃~60℃烘烤3~8 min，本发明优选50 ℃烘烤5min，释放聚二甲基硅氧烷PDMS与MoS2/SiO2/Si之间的黏附力，易于剥离聚二甲基硅氧烷PDMS，从而将MoS2层2转移至SiO2/Si衬底层1上，完成MoS2层2的转移形成MoS2/SiO2/Si层。
步骤二，石墨烯层3转移主要使用真空热压系统实现两种材料的组装；为了制备异质结，需将石墨烯薄膜转移至MoS2/SiO2/Si层上MoS2层2的表面作为石墨烯层3，形成石墨烯/MoS2/SiO2/Si层。
具体的，石墨烯层3转移是在真空热压系统中完成，具体步骤如下：首先使用高温胶带将石墨烯/Cu 层的一面固定在载玻片Glass上，其中石墨烯层3的另一面朝外，并将其安装在真空支撑台顶部下方，真空支撑台下方设置有腔室，腔室的腔底放置目标基底MoS2/SiO2/Si层；然后将腔底加热至180~220℃，本发明优选200℃，腔室真空抽至120~180mTorr，本发明优选150 mTorr，缓慢降低支撑台，使Glass/Cu/石墨烯与MoS2/ SiO2/Si层接触；保持10~25min，本发明优选15min，将腔室底部温度降低至30~50℃，本发明优选40℃，缓慢抬起真空支撑台，石墨烯层3被转移至MoS2/ SiO2/Si层表面形成石墨烯/ MoS2/ SiO2/Si层。
步骤三；在石墨烯/MoS2/SiO2/Si层的石墨烯层3上设置Ag材质的金属电极4，通过热蒸发技术形成设置在SiO2/Si衬底层1上的Ag/石墨烯/MoS2异质结器件，并使用光电探测器测试系统测试其光电性能。
图2为石墨烯/MoS2异质结光电探测器光电测试I-V曲线。可以看到金属电极4接触为典型的欧姆接触，并且在光照下电流减小，器件表现明显的负光电导效应。图3为异质结光导探测器的光电测试I-T曲线。光照时电流减小，无光时，电流逐渐恢复到稳定状态。并测试异质结光导探测器在光功率密度为0.9 mW/cm2时，响应度达10.2 A/W。本实验通过转移方式构造异质结，成本低，并发现构造的异质结光导探测器的Ag/石墨烯/MoS2结构具有明显的负光电导效应，这在器件应用方面具有一定的指导意义。
以上依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。
Claims (6)
1.一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器，包括异质结，其特征在于：所述异质结包括设置在SiO2/Si衬底层（1）上的MoS2层（2），所述MoS2层（2）上设置有石墨烯层（3），所述石墨烯层（3）上设置有若干个金属电极（4）。
2.根据权利要求1所述的硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器，其特征在于：所述石墨烯层（3）上设置有2个金属电极（4），金属电极（4）采用Ag制成。
3.根据权利要求3所述的硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器，其特征在于：所述SiO2/Si衬底层（1）包括设置在所述MoS2层（2）下方的SiO2层（12），以及设置在所述SiO2层（12）下方的Si层（11）。
4.根据权利要求1~3中任一权利要求所述的光电导探测器中硫化钼-石墨烯异质结的制备方法，其特征在于：
步骤一，MoS2层（2）转移通过聚二甲基硅氧烷PDMS干法转移方式；利用聚二甲基硅氧烷PDMS与MoS2之间的黏附力大于MoS2与蓝宝石之间的黏附力，从而将MoS2从MoS2/Sapphire中的原始基底的蓝宝石上剥离出来，转移至所需的SiO2/Si衬底层（1）上形成MoS2/SiO2/Si层；
步骤二，石墨烯层（3）转移主要使用真空热压系统实现两种材料的组装；为了制备异质结，需将石墨烯薄膜转移至MoS2/SiO2/Si层上MoS2层（2）的表面作为石墨烯层（3），形成石墨烯/MoS2/SiO2/Si层；
步骤三；在石墨烯/MoS2/SiO2/Si层的石墨烯层（3）上设置Ag材质的金属电极（4），通过热蒸发技术形成设置在SiO2/Si衬底层（1）上的Ag/石墨烯/MoS2异质结器件，并使用光电探测器测试系统测试其光电性能。
5.根据权利要求4所述的光电导探测器中硫化钼-石墨烯异质结的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，干法转移具体步骤为，首先将制备好的聚二甲基硅氧烷PDMS剪切为矩形块，平整按压于MoS2/Sapphire表面；然后静置1~10min，利用聚二甲基硅氧烷PDMS与MoS2之间的黏附力大于MoS2与蓝宝石之间的黏附力，从聚二甲基硅氧烷PDMS一侧轻轻将其揭起，MoS2保留在聚二甲基硅氧烷PDMS上形成PDMS/MoS2层；再将PDMS/MoS2层贴合至SiO2/Si衬底层（1）上，40 ℃~60℃烘烤3~8 min，释放聚二甲基硅氧烷PDMS与MoS2/SiO2/Si之间的黏附力，易于剥离聚二甲基硅氧烷PDMS，从而将MoS2层（2）转移至SiO2/Si衬底层（1）上，完成MoS2层（2）的转移形成MoS2/SiO2/Si层。
6.根据权利要求4所述的光电导探测器中硫化钼-石墨烯异质结器的制备方法，其特征在于：所述石墨烯层（3）转移是在真空热压系统中完成；具体步骤如下，首先使用高温胶带将石墨烯/Cu 层的一面固定在载玻片Glass上，其中石墨烯层（3）的另一面朝外，并将其安装在真空支撑台顶部下方，真空支撑台下方设置有腔室，腔室的腔底放置目标基底MoS2/SiO2/Si层；然后将腔底加热至180~220℃，腔室真空抽至120~180 mTorr，缓慢降低支撑台，使Glass/Cu/石墨烯与MoS2/ SiO2/Si层接触；保持10~25min，将腔室底部温度降低至30~50℃，缓慢抬起真空支撑台，石墨烯层（3）被转移至MoS2/ SiO2/Si层表面形成石墨烯/ MoS2/SiO2/Si层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910831084.6A CN110690315A (zh) | 2019-09-04 | 2019-09-04 | 一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910831084.6A CN110690315A (zh) | 2019-09-04 | 2019-09-04 | 一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110690315A true CN110690315A (zh) | 2020-01-14 |
Family
ID=69107747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910831084.6A Pending CN110690315A (zh) | 2019-09-04 | 2019-09-04 | 一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110690315A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111025690A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-17 | 国家纳米科学中心 | 一种用于全光调制的石墨烯等离激元器件及制备方法 |
| CN111341837A (zh) * | 2020-03-09 | 2020-06-26 | 山东大学 | 离子束直写二维半导体器件的方法 |
| CN111403473A (zh) * | 2020-03-09 | 2020-07-10 | 华中科技大学 | 一种基于二维材料的场效应整流器及其制备方法 |
| CN112259622A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-22 | 深圳第三代半导体研究院 | 可见光通信系统、基于二维材料的光电探测器及制备方法 |
| CN113205987A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-08-03 | 清华大学 | 基于多层二维材料的平面光致电子发射源 |
| CN114300575A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-08 | 江南大学 | 一种宽光谱硅基-硫化钼异质结光电探测器的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107068745A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-08-18 | 北京交通大学 | 一种场效应晶体管及其制备方法 |
| CN107833940A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-23 | 浙江大学 | 一种基于二维二硫化钼‑二硫化铼异质结的光电子器件、制备方法及应用 |
| CN109682863A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-26 | 华中科技大学 | 基于TMDCs－SFOI异质结的气体传感器及其制备方法 |
-
2019
- 2019-09-04 CN CN201910831084.6A patent/CN110690315A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107068745A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-08-18 | 北京交通大学 | 一种场效应晶体管及其制备方法 |
| CN107833940A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-23 | 浙江大学 | 一种基于二维二硫化钼‑二硫化铼异质结的光电子器件、制备方法及应用 |
| CN109682863A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-26 | 华中科技大学 | 基于TMDCs－SFOI异质结的气体传感器及其制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| WENJING ZHANG ET AL: "Ultrahigh-Gain Phototransistors Based on Atomically Thin Graphene-MoS2 Heterostructures", 《ARXIV》 * |
| WENJING ZHANG ET AL: "Ultrahigh-Gain Phototransistors Based on Atomically Thin Graphene-MoS2 Heterostructures", 《SCIENTIFIC REPORTS》 * |
| 李春 等: "二维原子晶体半导体转移技术研究进展", 《深圳大学学报理工版》 * |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111025690A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-17 | 国家纳米科学中心 | 一种用于全光调制的石墨烯等离激元器件及制备方法 |
| CN111025690B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-12-23 | 国家纳米科学中心 | 一种用于全光调制的石墨烯等离激元器件及制备方法 |
| CN111341837A (zh) * | 2020-03-09 | 2020-06-26 | 山东大学 | 离子束直写二维半导体器件的方法 |
| CN111403473A (zh) * | 2020-03-09 | 2020-07-10 | 华中科技大学 | 一种基于二维材料的场效应整流器及其制备方法 |
| CN111341837B (zh) * | 2020-03-09 | 2021-06-15 | 山东大学 | 离子束直写二维半导体器件的方法 |
| CN112259622A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-22 | 深圳第三代半导体研究院 | 可见光通信系统、基于二维材料的光电探测器及制备方法 |
| CN113205987A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-08-03 | 清华大学 | 基于多层二维材料的平面光致电子发射源 |
| CN114300575A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-08 | 江南大学 | 一种宽光谱硅基-硫化钼异质结光电探测器的制备方法 |
| CN114300575B (zh) * | 2021-12-24 | 2023-07-18 | 江南大学 | 一种宽光谱硅基-硫化钼异质结光电探测器的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110690315A (zh) | 一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法 | |
| Dong et al. | Two-micron-wavelength germanium-tin photodiodes with low dark current and gigahertz bandwidth | |
| Peng et al. | GeSn pin waveguide photodetectors on silicon substrates | |
| CN111682088A (zh) | 一种基于范德华异质结的隧穿型光电探测器及其制备方法 | |
| Foisal et al. | 3C-SiC/Si heterostructure: an excellent platform for position-sensitive detectors based on photovoltaic effect | |
| Zhao et al. | Design impact on the performance of Ge PIN photodetectors | |
| US20220238736A1 (en) | Mercury cadmium telluride-black phosphorous van der waals heterojunction infrared polarization detector and preparation method thereof | |
| CN109817757B (zh) | 一种二硒化钨薄片/氧化锌纳米带结型场效应晶体管光电探测器及其制备方法 | |
| CN107527968A (zh) | 一种石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器结构 | |
| CN110729375B (zh) | 单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法 | |
| CN109285891A (zh) | 一种石墨烯二维异质结柔性器件结构及其制备方法 | |
| Liu et al. | van der Waals integrated devices based on nanomembranes of 3D materials | |
| Xiong et al. | AlGaAs/Si dual‐junction tandem solar cells by epitaxial lift‐off and print‐transfer‐assisted direct bonding | |
| CN111430244B (zh) | 氮化镓二硫化钼混合尺度pn结的制备方法 | |
| Bandaru et al. | Fabrication and characterization of low temperature (< 450 C) grown p-Ge/n-Si photodetectors for silicon based photonics | |
| CN112242455A (zh) | 一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器及制备方法 | |
| Bagheri et al. | Efficient heterojunction thin film CdSe solar cells deposited using thermal evaporation | |
| KR101307569B1 (ko) | 쇼트키형 접합 소자와 이것을 사용한 광전 변환 소자 및 태양 전지 | |
| Al-Hardan et al. | Low power consumption UV sensor based on n-ZnO/p-Si junctions | |
| CN113707752B (zh) | 一种基于二维材料CrPS4异质结的可见-近红外光电探测器构筑方法 | |
| CN110148643A (zh) | 表面光伏性能良好的半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性器件的构筑方法 | |
| Chen et al. | Gate‐Tunable Photovoltaic Efficiency in Graphene‐Sandwiched PdSe2 Photodetectors with Restrained Carrier Recombination | |
| CN111933650B (zh) | 一种硫化钼薄膜成像阵列器件及其制备方法 | |
| Cohen et al. | x‐GaAs polymer‐semiconductor solar cells | |
| CN116130529B (zh) | 一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200114 |