CN110687759B - 一种掩模板及键合对准方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掩模板及键合对准方法,图形区包括至少四个掩模图形,每个掩模图形包括一个对位标记图形,任一对位标记图形为第一对位标记图形或第二对位标记图形,当掩模板沿水平镜像或垂直镜像翻转180度后,翻转后的第一对位标记图形与翻转前相对应的第二对位标记图形相对准,翻转后的第二对位标记图形与翻转前相对应的第一对位标记图形相对准;当掩模板沿掩模图形的一排布方向平移设定长度后,平移后的第一对位标记图形与平移前相对应的第二对位标记图形相对准,平移后的第二对位标记图形与平移前相对应的第一对位标记图形相对准。本发明实施例能够兼容面对面型和背对面型键合的掩模板图形要求,无需采用两种掩模板,节省了成本和支出。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术,尤其涉及一种掩模板及键合对准方法。
背景技术
在半导体集成电路板(integrated circuit,IC)、先进封装、微机电系统(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)等应用领域,硅片对硅片的键合工艺已广泛应用,键合片按键合面朝向不同,可分为两种,分别为背对面型键合和面对面型键合,图1是现有技术中背对面型键合和面对面型键合的示意图,参考图1,背对面型往往应用于上基底是透明材质类型的键合,面对面型往往应用于双面基底都是不透明材质类型的键合,其中101和201单元是上基底的对位标记图形,102和202单元是下基底的对位标记图形。背对面型键合片,使用普通电荷耦合元件(Charge-coupled Device,CCD)镜头即可观测到对位标记图形,从而进行键合对准作业及键合后的键合精度测试。面对面型键合片,使用带穿透功能的镜头(如红外波段的CCD镜头)透过不透明基底层可观测到对位标记图形,从而进行键合对准作业及键合后的键合精度测试。
并且,对于键合设备供应商和应用方而言,都需要使用相关测试片定期对键合性能进行测试,而现有测试片针对以上两种应用,往往需要不同图形的掩模板对测试片进行加工测试,加大了成本和支出。
发明内容
本发明提供一种掩模板及键合对准方法,以实现一种适用于背对面型和面对面型键合的掩模板,减少成本和支出。
第一方面,本发明实施例提供了一种掩模板,包括图形区,所述图形区包括至少四个掩模图形,每个所述掩模图形包括一个对位标记图形,任一所述对位标记图形为第一对位标记图形或第二对位标记图形,所述第一对位标记图形的数量与所述第二对位标记图形的数量相同,所述第一对位标记图形和所述第二对位标记图形构成至少一类对位标记图形对;
当所述掩模板沿水平镜像轴线或垂直镜像轴线翻转180度后,翻转后的各掩模图形与翻转前的各掩模图形一一重叠,翻转后的各第一对位标记图形与翻转前相对应的第二对位标记图形相对准,翻转后的各第二对位标记图形与翻转前相对应的第一对位标记图形相对准;
当所述掩模板沿所述掩模图形的一排布方向平移一个设定长度后,平移后的部分掩模图形与平移前的部分掩模图形一一重叠,且相重叠的掩模图形中,平移后的各第一对位标记图形与平移前相对应的第二对位标记图形相对准,平移后的各第二对位标记图形与平移前相对应的第一对位标记图形相对准,其中,所述设定长度为一个所述掩模图形在所述排布方向上的长度与所述掩模图形之间的间距之和。
第二方面,本发明实施例还提供了一种键合对准方法,采用如第一方面任一所述的掩模板进行键合对准,包括:
利用所述掩模板对待键合的第一基底和第二基底分别进行图案化,形成具有多个掩模图形的掩模图案;
将所述第二基底上掩模图形的对位标记图形与所述第一基底上相对应的对位标记图形进行对准,以使所述第二基底上所需的掩模图形与所述第一基底上相对应的掩模图形相键合。
本发明实施例提供的一种掩模板及键合对准方法,通过在掩模板包含的至少四个掩模图形中设置第一对位标记图形或第二对位标记图形,并且保证第一对位标记图形和第二对位标记图形在翻转后相对准,第一对位标记图形或第二对位标记图形在平移设定长度后分别与第二对位标记图形和第一对位标记图形相对准,由此利用本发明实施例提供的掩模板,在基底上进行图案化,在面对面型键合时可以通过将其中一个基底进行翻转,背对面型键合时可以通过将其中一个基底进行平移,然后利用两基底上的掩模图形的相对应的对位标记图形进行对准,从而实现掩模图形的键合。本发明实施例提供的掩模板及键合对准方法,能够兼容面对面型和背对面型两种键合类型的掩模板图形需求,只需一个掩模板对测试基底进行图案化即可,无需采用两种掩模板,节省了成本和支出。
附图说明
图1是现有技术中背对面型键合和面对面型键合的示意图;
图2为本发明实施例提供的一种掩模板的结构示意图;
图3是图2所示掩模板沿水平镜像轴线翻转180度的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的多种对位标记图形的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的另一种掩模板的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的对位标记图形的排布示意图;
图7是本发明实施例提供的又一种对位标记图形的排布示意图;
图8是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图;
图9是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图;
图10是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图;
图11是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图;
图12是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图;
图13是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图,
图14是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图;
图15是本发明实施例提供的一种键合对准方法的流程图;
图16是本发明实施例提供的一种图案化的待键合基底的结构示意图;
图17是本发明实施例提供的另一种键合对准方法的流程图;
图18是本发明实施例提供的又一种键合对准方法的流程图;
图19是本发明实施例提供的一种图案化的待键合基底的结构示意图;
图20是本发明实施例提供的又一种键合对准方法的流程图;
图21是本发明实施例提供的另一种图案化的待键合基底的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图2为本发明实施例提供的一种掩模板的结构示意图,图3是图2所示掩模板沿水平镜像轴线翻转180度的结构示意图,参考图1,该掩模板包括图形区10,图形区10包括至少四个掩模图形11,每个掩模图形11包括一个对位标记图形,任一对位标记图形为第一对位标记图形111或第二对位标记图形112,第一对位标记图形111的数量与第二对位标记图形112的数量相同,第一对位标记图形111和第二对位标记图形112构成至少一类对位标记图形对;参考图2和图3,当掩模板沿水平镜像轴线20翻转180度后,翻转后的各掩模图形11与翻转前的各掩模图形11一一重叠,翻转后的各第一对位标记图形111与翻转前相对应的第二对位标记图形112相对准,翻转后的各第二对位标记图形112与翻转前相对应的第一对位标记图形111相对准;另外,当掩模板沿掩模图形11的一排布方向平移一个设定长度L后,平移后的部分掩模图形11与平移前的部分掩模图形11一一重叠,且相重叠的掩模图形中,平移后的各第一对位标记图形111与平移前相对应的第二对位标记图形112相对准,平移后的各第二对位标记图形112与平移前相对应的第一对位标记图形111相对准,其中,设定长度L为一个掩模图形在排布方向上的长度M与掩模图形之间的间距K之和。
图2所示的水平镜像轴线为水平方向,沿该水平镜像轴线翻转180度为垂直翻转;可选地,该水平镜像轴线还可以是竖直方向,则沿垂直镜像轴线翻转180度为水平翻转。翻转后的各第一对位标记图形与翻转前相对应的第二对位标记图形相对准的含义是指该第一对位标记图形和第二对位标记图形属于同一类对位标记图形对,即第一对位标记图形和第二对位标记图形是匹配对准的关系,图4是本发明实施例提供的多种对位标记图形的结构示意图,参考图4,每一行的两个对位标记图形构成一类对位标记图形对。其中,第一对位标记图形和第二对位标记图形为相互匹配对准的两个标记图形,该两个匹配对准的对位标记图形为一类对位标记图形对,具体的,标记图形可以为中心对称图形,且如图4所示的图形对准后的示意图,两个匹配对准的标记图形至少在匹配对准时,中心重叠、图形形状互补,图4仅示例性地给出了几个对位标记图形的形状,而一般常用的对准标记均适用于本发明。图4中的第一对位标记图形和第二对位标记图形可以互换,对于对位标记图形,本领域技术人员可根据实际情况进行选择,此处不做限制。需要说明的是,图4所示的第一对位标记和第二对位标记为虚线框内的图形结构,图2和图3中所示的第一对位标记111和第二对位标记112位于实线框内,仅用于说明对位标记图形的位置,实线框并非具体的图案,不存在于实际的掩膜板上。
本发明实施例提供的掩模板,通过在掩模板包含的至少四个掩模图形中设置第一对位标记图形或第二对位标记图形,并且保证第一对位标记图形和第二对位标记图形在翻转后相对准,第一对位标记图形或第二对位标记图形在平移设定长度后分别与第二对位标记图形和第一对位标记图形相对准,由此利用本发明实施例提供的掩模板,在基底上进行图案化,在面对面型键合时可以通过将其中一个基底进行翻转,背对面型键合时可以通过将其中一个基底进行平移,然后利用两基底上的掩模图形的相对应的对位标记图形进行对准,从而实现掩模图形的键合。本发明实施例提供的掩模板,能够兼容面对面型和背对面型两种键合类型的掩模板图形需求,只需一个掩模板对测试基底进行图案化即可,无需采用两种掩模板,节省了成本和支出。
需要强调的是,图2所示的掩模板的结构仅示例性地示出了包含四个掩模图形的掩模板,本发明所提供的掩模板的掩模图形在满足其它条件的同时,其个数可不限于四个,图5是本发明实施例提供的另一种掩模板的结构示意图,参考图5,该掩模板中可包含十六个掩模图形。
继续参考图5,可选地,至少四个掩模图形沿第一方向100和第二方向200呈阵列排布;在第一方向100上第一对位标记图形111和第二对位标记图形112交替分布,图6是本发明实施例提供的对位标记图形的排布示意图,同时参考图6,在第二方向200上,第一对位标记图形组1110和第二对位标记图形组1120交替分布,第一对位标记图形组1110包括至少一个第一对位标记图形111,第二对位标记图形组1120包括至少一个第二对位标记图形112;在第二方向200上,各第一对位标记图形111与对应的第二对位标记图形112关于一水平镜像轴线20对称分布,各第二对位标记图形112与对应的第一对位标记图形111关于水平镜像轴线20对称分布,水平镜像轴线20为图形区10中平行于第一方向的中心线;在第一方向100上,任意相邻两个第一对位标记图形111和第二对位标记图形112属于同一类对位标记图形对,且在各自掩模图形中的分布位置相同。
继续参考图5和图6,其所示的掩模板中,每一第一对位标记图形组1110或每一第二对位标记图形组1120中包含有两个第一对位标记图形111或两个第二对位标记图形112,即不同第一对位标记图形组1110中对位标记图形的数量相同,不同第二对位标记图形组1120中对位标记图形的数量相同。
可选地,不同第一对位标记图形组中对位标记图形的数量也可不同,不同第二对位标记图形组中对位标记图形的数量也可不同。图7是本发明实施例提供的又一种对位标记图形的排布示意图,参考图7,该掩模板图形区10中,第二方向200上包含两个第一对位标记图形组1111和1112,其中一个第一对位标记图形组1111中包含一个第一对位标记图形,另一第一对位标记图形组1112中则包含两个第一对位标记图形,对应地,第二方向200上还包含有两个第二对位标记图形组1121和1122,且其中一个第二对位标记图形组1121中包含一个第二对位标记图形,在该掩膜板的掩膜图形沿水平镜像轴线10翻转180度后,该一个第二对位标记图形与翻转前的第一对位标记图形组1111中的第一对位标记图形相对准;另一第二对位标记图形组1122中则包含两个第二对位标记图形,在该掩膜板的掩膜图形沿水平镜像轴线10翻转180度后,该两个第二对位标记图形与翻转前的第一对位标记图形组1112中的两个第一对位标记图形相对准。
可选地,当第一对位标记图形组包括至少两个第一对位标记图形时,同一第一对位标记图形组中,不同第一对位标记图形属于同一类或不同类对位标记图形对。参考图5,第一对位标记图形组1110中包括两个第一对位标记图形111,且同一第一对位标记图形组1110中,两个对位标记图形111相同,即属于相同的对位标记图形对。图8是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图,参考图8,第一对位标记图形组1110中包括两个第一对位标记图形111,但在同一第一对位标记图形组1110中,两个对位标记图形111属于不同类的对位标记图形对。
可选地,同一第一对位标记图形组中,不同第一对位标记图形在各自掩模图形中的分布位置相同或不同。如图5所示,第一对位标记和第二对位标记均位于各自掩模图形中分布于矩形掩模图形对角线上,不同第一对位标记图形在各自掩模图形中的分布位置相同;然而,不同第一对位标记图形在各自掩模图形中的分布位置也可不同,图9是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图,参考图9,该掩模板的图形区11上的第一对位标记图形组1110或第二对位标记图形组1120中,分别包括两个相同的第一对位标记图形111或第二对位标记图形112,但该相同的两个对位标记图形的位置并不相同,其中,相同的两个对位标记图形中一个对位标记图形位于掩模图形的对角线上,另一对位标记图形位于掩模图形的中心。
另外需要说明的是,每个对位标记图形包括至少一个对位标记。第一对位标记图形不限于一个对位标记,图10是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图,参考图4和图10,掩模板的图形区10中的各个掩模图形11中,每个对位标记图形可以是多个对位标记的组合,如图10中每一对位标记图形包含图4所示的两种对位标记。
可选地,当每个对位标记图形包括至少两个对位标记时,同一对位标记图形中,不同对位标记属于同一类或不同类对位标记对。继续参考图10,该掩模板图形区10中的掩模图形11中的对位标记图形中分别包含两个对位标记,并且,如第一对位标记图形111和第二对位标记图形112所示,存在于同一对位标记图形中的两个对位标记属于不同类对位标记对。图11是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图,参考图11,该掩模板图形区10中的掩模图形11中的对位标记图形中分别包含两个对位标记,第一对位标记图形111中包含两个对位标记,且该两个对位标记属于同一类对位标记对;同样地,第二对位标记图形112中的两个对位标记也属于同一类对位标记对。
进一步地,图11所示的掩模板中,同一对位标记图形中的两个对位标记,属于同一类对位标记对,例如第一对位标记图形111中的两个对位标记属于同一类对位标记对,但是其属于同一类对位标记对的两个不同的对位标记。可选地,当同一对位标记图形中,不同对位标记属于同一类对位标记对时,不同对位标记的形状相同或不同。图12是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图,参考图12,该掩模板的图形区10中,第一对位标记图形111和第二对位标记图形112中均包含两个对位标记,且该两个对位标记形状相同,属于同一类对位标记对的相同形状的对位标记。
还需要说明的是,同一对位标记图形中,不同对位标记的大小可以不同。如图12所示,尽管第一对位标记图形111和第二对位标记图形112中均包含两个属于同一类对位标记对的相同形状的对位标记,但为了区分同一对位标记图形中的该两个相同形状的对位标记,可以设置该两个形状相同的对位标记的大小不同。
可选地,第一方向为至少四个掩模图形排布的行方向,第二方向为至少四个掩模图形排布的列方向;或第一方向为至少四个掩模图形排布的列方向,第二方向为至少四个掩模图形排布的行方向。参考图5,其中,水平镜像轴线20沿第一方向100延伸,第一方向100为掩膜图形11构成的阵列的行方向,第二方向200则为列方向。图13是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图,参考图13,其中,第一方向100可以是该掩模板中四个掩膜图形排布的列方向,第二方向200则为四个掩膜图形排布的行方向,垂直镜像轴线20沿第一方向100延伸。
图14是本发明实施例提供的又一种掩模板的结构示意图,参考图14,可选地,掩模图形11还包括功能图形110,对位标记图形与功能图形110无交叠,即第一对位标记图形111和第二对位标记图形112与功能区110没有交叠。
本发明实施例还提供了一种键合对准方法,该键合对准方法采用了如上的任意的掩模板进行键合对准,图15为本发明实施例提供的一种键合对准方法的流程图,参考图15,该方法包括:
S110、利用掩模板对待键合的第一基底和第二基底分别进行图案化,形成具有多个掩模图形的掩模图案;
图16是本发明实施例提供的一种图案化的待键合基底的结构示意图,参考图16,其中包含图案化的第一基底21和第二基底22,第一基底21和第二基底22上设置有粗对位标记23,第二基底22为沿水平镜像轴线20翻转180度后的结构,由第一基底21和第二基底22上的掩膜图形可以看出,采用掩模板进行图案化后,第二基底22沿水平镜像轴线20翻转180度之后可以与第一基底21中的对位标记图形相对准。其中,第一基底21和第二基底22可以是晶圆。
S120、将第二基底上掩模图形的对位标记图形与第一基底上相对应的对位标记图形进行对准,以使第二基底上所需的掩模图形与第一基底上相对应的掩模图形相键合。
继续参考图16,第一基底21和第二基底22在形成掩模图案后,其中的多个掩模图形中的对位标记图形包含第一对位标记图形和第二对位标记图形,为方便理解,可认为点填充的掩模图形中包含第一对位标记图形111,无填充的掩模图形中包含第二对位标记图形112,通过掩模图形中的第一对位标记图形111和第二对位标记图形112进行对准键合。
本发明实施例提供的一种键合对准方法,通过在掩模板包含的至少四个掩模图形中设置第一对位标记图形或第二对位标记图形,并且保证第一对位标记图形和第二对位标记图形在翻转后相对准,第一对位标记图形或第二对位标记图形在平移设定长度后分别与第二对位标记图形和第一对位标记图形相对准,由此利用本发明实施例提供的掩模板,在基底上进行图案化,在面对面型键合时可以通过将其中一个基底进行翻转,背对面型键合时可以通过将其中一个基底进行平移,然后利用两基底上的掩模图形的相对应的对位标记图形进行对准,从而实现掩模图形的键合。本发明实施例提供的键合对准方法,能够兼容面对面型和背对面型两种键合类型的掩模板图形需求,只需一个掩模板对测试基底进行图案化即可,无需采用两种掩模板,节省了成本和支出。
具体的,S120、将第二基底上掩模图形的对位标记图形与第一基底上相对应的对位标记图形进行对准的步骤中可包括多种情况,例如可以包括针对面对面型键合和背对面型键合的键合对准,下面对两种键合类型的键合对准方法进行介绍。
针对背对面型键合,图17是本发明实施例提供的另一种键合对准方法的流程图,参考图1和图17,将第二基底22上掩模图形的对位标记图形与第一基底21上相对应的对位标记图形进行对准的步骤中包括:
S1211、将第二基底22具有掩模图案的一面与第一基底21具有掩模图案的一面相对放置;
S1212、将第二基底上每个掩模图形的对位标记图形与第一基底21上相对应的对位标记图形进行对准。
面对面型键合类型主要因为基底为不透明材质,只能通过将两基底的具有掩模图案的两面相对放置,继而使用带穿透功能的镜头透过不透明基底,可以观测到基底上形成的对位标记图形,将两基底上相对应的对位标记图形对准后,从而进行键合对准作业以及键合后的键合精度测试。
针对面对面型键合,图18是本发明实施例提供的又一种键合对准方法的流程图,参考图1和图18,将第二基底22上掩模图形的对位标记图形与第一基底21上相对应的对位标记图形进行对准的步骤中包括:
S1221、在对位标记图形对准方向上,将第二基底22具有掩模图案的一面与第一基底21具有掩模图案的一面位于相同侧放置;
S1222、将第二基底22上掩模图形的对位标记图形与第一基底21上的对位标记图形错开一列或一行进行对准。
对于背对面型键合类型,其上基底通常为透明材质,下基底上的掩模图案中的对位标记图形可透过上基底观察到,具体的,由于两基底的掩模图形中的对位标记图形完全一致,如果掩模图形中的对位标记图形的形成位置也相同,则直接贴合放置时,两基底上的对位标记图形重合,但不能进行匹配对准。将两基底上的相对应的对位标记图形对准,需要在其中一个基底上形成掩模图案时,进行位置错位,以保证两个基底上完全相同的掩模图形相对准,图19是本发明实施例提供的一种图案化的待键合基底的结构示意图,参考图19,第一基底21和第二基底22具有相同的对位标记图形,在将两基底上的相对应的对位标记图形对准时,可将第二基底22的对位标记图形的形成位置沿行方向错位一列,从而与第一基底21上的对位标记图形对应对准,即将第二基底22上掩模图形的对位标记图形与第一基底21上的对位标记图形错开一列进行对准。需要说明的是,图19所示的掩模图形中的对位标记图形为沿行方向的水平镜像轴线翻转后对应对准的对位标记图形,因此,在键合对准时,需要将第二基底22上的对位标记图形沿行方向错位一列;参考图13所示的掩模板结构,垂直镜像轴线20沿列方向延伸,掩模图形中的对位标记图形为沿列方向垂直镜像轴线翻转后对应对准的对位标记图形,因此,在键合对准的过程中,需要将第二基底上的对位标记图形沿列方向错位一行。
图20是本发明实施例提供的又一种键合对准方法的流程图,图21是本发明实施例提供的另一种图案化的待键合基底的结构示意图,参考图20和图21,其中S110、利用掩模板对待键合的第一基底21和第二基底22分别进行图案化的步骤包括:
S111、利用掩模板分别对涂布有光刻胶的第一基底21和第二基底22进行多次曝光,在第一基底21和第二基底22上对应形成多个曝光场,其中,曝光场之间的间距与掩模图形之间的间距相等;
在光刻工艺中,通过掩模板在基底上进行图案化的步骤中,基底的图案化可采用多个曝光场依次刻蚀,从而组成最终的图案,如图21所示,第一基底21和第二基底22由四个曝光场刻蚀而成,并且,为了满足背对面型键合类型的对位标记图形在错位一列或一行时对应对准,应保证曝光场之间的间距与掩模图形之间的间距相等。
S112、对曝光场进行光刻,形成图案化的光刻胶层;
S113、以图案化的光刻胶层为掩模,分别对第一基底和第二基底进行刻蚀。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (15)
1.一种掩模板,包括图形区,其特征在于,所述图形区包括至少四个掩模图形,每个所述掩模图形包括一个对位标记图形,任一所述对位标记图形为第一对位标记图形或第二对位标记图形,所述第一对位标记图形的数量与所述第二对位标记图形的数量相同,所述第一对位标记图形和所述第二对位标记图形构成至少一类对位标记图形对;
当所述掩模板沿水平镜像轴线或垂直镜像轴线翻转180度后,翻转后的各掩模图形与翻转前的各掩模图形一一重叠,翻转后的各第一对位标记图形与翻转前相对应的第二对位标记图形相对准,翻转后的各第二对位标记图形与翻转前相对应的第一对位标记图形相对准;
当所述掩模板沿所述掩模图形的一排布方向平移一个设定长度后,平移后的部分掩模图形与平移前的部分掩模图形一一重叠,且相重叠的掩模图形中,平移后的各第一对位标记图形与平移前相对应的第二对位标记图形相对准,平移后的各第二对位标记图形与平移前相对应的第一对位标记图形相对准,其中,所述设定长度为一个所述掩模图形在所述排布方向上的长度与所述掩模图形之间的间距之和。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述至少四个掩模图形沿第一方向和第二方向呈阵列排布;
在所述第一方向上所述第一对位标记图形和所述第二对位标记图形交替分布,在所述第二方向上第一对位标记图形组和第二对位标记图形组交替分布,所述第一对位标记图形组包括至少一个第一对位标记图形,所述第二对位标记图形组包括至少一个第二对位标记图形;
在所述第二方向上,各所述第一对位标记图形与对应的第二对位标记图形关于一水平镜像轴线或垂直镜像轴线对称分布,各所述第二对位标记图形与对应的第一对位标记图形关于所述水平镜像轴线或垂直镜像轴线对称分布,所述水平镜像轴线或垂直镜像轴线为所述图形区中平行于所述第一方向的中心线;
在所述第一方向上,任意相邻两个所述第一对位标记图形和所述第二对位标记图形属于同一类对位标记图形对,且在各自掩模图形中的分布位置相同。
3.根据权利要求2所述的掩模板,其特征在于,不同所述第一对位标记图形组中对位标记图形的数量相同或不同,不同所述第二对位标记图形组中对位标记图形的数量相同或不同。
4.根据权利要求2所述的掩模板,其特征在于,当所述第一对位标记图形组包括至少两个所述第一对位标记图形时,同一所述第一对位标记图形组中,不同所述第一对位标记图形属于同一类或不同类对位标记图形对。
5.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,同一所述第一对位标记图形组中,不同所述第一对位标记图形在各自掩模图形中的分布位置相同或不同。
6.根据权利要求1-5任一所述的掩模板,其特征在于,每个所述对位标记图形包括至少一个对位标记。
7.根据权利要求6所述的掩模板,其特征在于,当每个所述对位标记图形包括至少两个对位标记时,同一所述对位标记图形中,不同所述对位标记属于同一类或不同类对位标记对。
8.根据权利要求7所述的掩模板,其特征在于,当同一所述对位标记图形中,不同所述对位标记属于同一类对位标记对时,不同所述对位标记的形状相同或不同。
9.根据权利要求8所述的掩模板,其特征在于,同一所述对位标记图形中,不同所述对位标记的大小不同。
10.根据权利要求2所述的掩模板,其特征在于,所述第一方向为所述至少四个掩模图形排布的行方向,所述第二方向为所述至少四个掩模图形排布的列方向;或所述第一方向为所述至少四个掩模图形排布的列方向,所述第二方向为所述至少四个掩模图形排布的行方向。
11.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述掩模图形还包括功能图形,所述对位标记图形与所述功能图形无交叠。
12.一种键合对准方法,其特征在于,采用如权利要求1-11任一所述的掩模板进行键合对准,包括:
利用所述掩模板对待键合的第一基底和第二基底分别进行图案化,形成具有多个掩模图形的掩模图案;
将所述第二基底上掩模图形的对位标记图形与所述第一基底上相对应的对位标记图形进行对准,以使所述第二基底上所需的掩模图形与所述第一基底上相对应的掩模图形相键合。
13.根据权利要求12所述的键合对准方法,其特征在于,利用所述掩模板对待键合的第一基底和第二基底分别进行图案化,包括:
利用所述掩模板分别对涂布有光刻胶的所述第一基底和所述第二基底进行多次曝光,在所述第一基底和所述第二基底上对应形成多个曝光场,其中,所述曝光场之间的间距与所述掩模图形之间的间距相等;
对所述曝光场进行光刻,形成图案化的光刻胶层;
以所述图案化的光刻胶层为掩模,分别对所述第一基底和所述第二基底进行刻蚀。
14.根据权利要求12所述的键合对准方法,其特征在于,将所述第二基底上掩模图形的对位标记图形与所述第一基底上相对应的对位标记图形进行对准,包括:
将所述第二基底具有所述掩模图案的一面与所述第一基底具有所述掩模图案的一面相对放置;
将所述第二基底上每个掩模图形的对位标记图形与所述第一基底上相对应的对位标记图形进行对准。
15.根据权利要求12所述的键合对准方法,其特征在于,将所述第二基底上掩模图形的对位标记图形与所述第一基底上的对位标记图形错开一列或一行进行对准;
将所述第二基底上掩模图形的对位标记图形与所述第一基底上相对应的对位标记图形进行对准,包括:
在对位标记图形对准方向上,将所述第二基底具有所述掩模图案的一面与所述第一基底具有所述掩模图案的一面位于相同侧放置;
将所述第二基底上掩模图形的对位标记图形与所述第一基底上的对位标记图形错开一列或一行进行对准。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810739170.XA CN110687759B (zh) | 2018-07-06 | 2018-07-06 | 一种掩模板及键合对准方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810739170.XA CN110687759B (zh) | 2018-07-06 | 2018-07-06 | 一种掩模板及键合对准方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110687759A CN110687759A (zh) | 2020-01-14 |
CN110687759B true CN110687759B (zh) | 2021-04-02 |
Family
ID=69107031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810739170.XA Active CN110687759B (zh) | 2018-07-06 | 2018-07-06 | 一种掩模板及键合对准方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110687759B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111383537A (zh) * | 2020-04-02 | 2020-07-07 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
US11393698B2 (en) | 2020-12-18 | 2022-07-19 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Mask design for improved attach position |
CN113655695B (zh) * | 2021-09-02 | 2023-11-07 | 西华大学 | 一种基于介质微球超分辨成像的复合光刻对准系统及方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104022060A (zh) * | 2013-03-01 | 2014-09-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆背面对准的方法 |
CN104216234A (zh) * | 2013-06-05 | 2014-12-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻系统光源对称性的检测方法 |
CN105954985A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-09-21 | 上海华力微电子有限公司 | 测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版 |
CN107329365A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-11-07 | 邹彦双 | 一种掩模板图案的测量方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090003153A (ko) * | 2006-04-03 | 2009-01-09 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 다수의 필드와 정렬 마크를 갖는 기판을 동시에 패턴화하는방법 |
-
2018
- 2018-07-06 CN CN201810739170.XA patent/CN110687759B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107329365A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-11-07 | 邹彦双 | 一种掩模板图案的测量方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN110687759A (zh) | 2020-01-14 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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