CN110676163B - 一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法 - Google Patents
一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110676163B CN110676163B CN201810711064.0A CN201810711064A CN110676163B CN 110676163 B CN110676163 B CN 110676163B CN 201810711064 A CN201810711064 A CN 201810711064A CN 110676163 B CN110676163 B CN 110676163B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film layer
- type
- silicon wafer
- type silicon
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 42
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 40
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，包括如下步骤：在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。本发明采用印刷的方式在n型硅片的双面边缘及切割区域印刷蚀刻膏，将非晶硅层和导电膜层去除，提升异质结叠瓦太阳能电池的性能和可靠性，工艺过程简单，利于大规模自动化生产。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法。
背景技术
叠瓦太阳能组件是一种将传统太阳能电池片切割成2片以上的小片电池，相邻俩个电池片单元的正面主栅和背面背电极重叠，之后以类似导电胶的特殊材料将其串联在一起形成长条电池串，将多个电池组串经过串并联设计，构成高密度的太阳能组件技术。此种太阳能叠瓦组件提升了电流密度的均匀性，降低电流传输阻抗，从而减少了组件内部功耗，同时通过创新型的组串排布消减了常规的片间距，增加了受光面积，因此可提高组件的发电功率以及稳定性。
异质结太阳能电池所有制程的加工温度均低于过250℃，在过高温度下异质结太阳能电池的非晶硅层会被破坏，影响太阳能电池的性能。异质结电池片通过激光切割后，激光产生局部高温，在激光切割边缘的非晶硅层受到破坏，切割后的小片电池片的漏电流增大，填充因子降低，影响叠瓦组件的效率与稳定性。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，所述方法包括如下步骤：
在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；
在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；
在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；
在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；
在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。
进一步的，所述导电膜层通过磁控溅射沉积，所述导电膜层为透明导电氧化物膜层或透明导电氧化物膜层和金属膜层的复合膜层。
进一步的，所述透明导电氧化物膜层包括ITO、AZO、IGZO及掺杂的氧化铟，所述的金属膜层包括Ag、Cu、Ni、Sn及NiCr。
进一步的，所述在n型硅片导电膜层上印刷蚀刻膏采用丝网印刷或移印的方式形成。
进一步的，所述印刷蚀刻膏为酸性膏状，印刷的蚀刻膏宽度为0.3-1.5mm，蚀刻膏厚度为1-10um，所述的蚀刻膏粘度为1-100Pa·s，所述蚀刻膏烘烤温度60～150℃，时间为2-30min。
进一步的，所述的金属栅线电极采用电化学沉积、丝网印刷或喷墨打印的方式。
进一步的，所述激光切割的激光波长为500-1200nm，光斑为30-200um。
进一步的，所述小片n型硅片的数量为2-12片。
由上述对本发明结构的描述可知，和现有技术相比，本发明具有如下优点：
本发明采用印刷的方式在n型硅片的双面边缘及切割区域印刷蚀刻膏，将非晶硅层和导电膜层去除，避免了因激光切割损伤异质结引起的漏电流增大和填充因子降低，提升异质结叠瓦太阳能电池的性能和可靠性，工艺过程简单，利于大规模自动化生产。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法的工艺流程图；
图2为本发明n型硅衬底导电膜层上印刷蚀刻膏的结构示意图；
图3为本发明n型硅衬底导电膜层上形成金属栅线的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例
参考图1～图3所示，本发明一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，所述方法包括如下步骤：
步骤S101、在有绒面并清洁后的n型硅片衬底1一面沉积薄层本征非晶硅层2及n型非晶硅层3，另一面沉积薄本征非晶硅层2及p型非晶硅层4，并在n型非晶硅层3和p型非晶硅层4上沉积导电膜层5，所述导电膜层通过磁控溅射沉积，所述导电膜层为透明导电氧化物膜层或透明导电氧化物膜层和金属膜层的复合膜层，所述透明导电氧化物膜层包括ITO、AZO、IGZO及掺杂的氧化铟，所述的金属膜层包括Ag、Cu、Ni、Sn及NiCr；
步骤S102、在n型硅片衬底1n面和p面四周及切割区域的导电膜层5上印刷蚀刻膏6，所述在n型硅片导电膜层上印刷蚀刻膏采用丝网印刷或移印的方式形成，所述印刷蚀刻膏为酸性膏状，印刷的蚀刻膏宽度为0.3-1.5mm，蚀刻膏厚度为1-10um，所述的蚀刻膏粘度为1-100Pa·s，所述蚀刻膏烘烤温度60～150℃，时间为2-30min；
步骤S103、在印有蚀刻膏6的n型硅片衬底1进行烘烤，清洗去除印有蚀刻膏6区域内包括非晶硅层2、n型非晶硅层3、p型非晶硅层4和导电膜层5的所有膜层；
步骤S104、在n型硅片衬底1导电膜层5上形成金属栅线电极7，所述的金属栅线电极采用电化学沉积、丝网印刷或喷墨打印的方式；
步骤S105、在n型硅片衬底1切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片，所述激光切割的激光波长为500-1200nm，光斑为30-200um，所述小片n型硅片的数量为2-12片。
本发明采用印刷的方式在n型硅片的双面边缘及切割区域印刷蚀刻膏，将非晶硅层和导电膜层去除，避免了因激光切割损伤异质结引起的漏电流增大和填充因子降低，提升异质结叠瓦太阳能电池的性能和可靠性，工艺过程简单，利于大规模自动化生产。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；
在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；
在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；
在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；
在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。
2.根据权利要求1所述一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述导电膜层通过磁控溅射沉积，所述导电膜层为透明导电氧化物膜层或透明导电氧化物膜层和金属膜层的复合膜层。
3.根据权利要求2所述一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述透明导电氧化物膜层包括ITO、AZO、IGZO及掺杂的氧化铟，所述的金属膜层包括Ag、Cu、Ni、Sn及NiCr。
4.根据权利要求1所述一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述在n型硅片导电膜层上印刷蚀刻膏采用丝网印刷或移印的方式形成。
5.根据权利要求1所述一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述印刷蚀刻膏为酸性膏状，印刷的蚀刻膏宽度为0.3-1.5mm，蚀刻膏厚度为1-10um，所述的蚀刻膏粘度为1-100Pa·s，所述蚀刻膏烘烤温度60～150℃，时间为2-30min。
6.根据权利要求1所述一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述的金属栅线电极采用电化学沉积、丝网印刷或喷墨打印的方式。
7.根据权利要求1所述一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述激光切割的激光波长为500-1200nm，光斑为30-200um。
8.根据权利要求1所述一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述小片n型硅片的数量为2-12片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810711064.0A CN110676163B (zh) | 2018-07-03 | 2018-07-03 | 一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810711064.0A CN110676163B (zh) | 2018-07-03 | 2018-07-03 | 一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110676163A CN110676163A (zh) | 2020-01-10 |
| CN110676163B true CN110676163B (zh) | 2022-02-08 |
Family
ID=69065439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810711064.0A Active CN110676163B (zh) | 2018-07-03 | 2018-07-03 | 一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110676163B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111293195A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-06-16 | 苏州联诺太阳能科技有限公司 | 一种异质结电池制备方法 |
| CN112397616A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-02-23 | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) | 一种晶体硅电池片的切割方法及结构 |
| CN116174942A (zh) * | 2023-04-26 | 2023-05-30 | 华能新能源股份有限公司 | 一种hjt太阳能电池切片及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102544250A (zh) * | 2010-12-27 | 2012-07-04 | 同方光电科技有限公司 | 一种GaN基发光二极管的制作方法 |
| CN105895745A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-08-24 | 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 | 异质结太阳能电池片的切割方法 |
| CN106531829A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-03-22 | 泰州乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能叠片电池片间互连结构与太阳能叠片电池 |
| CN106816493A (zh) * | 2015-12-02 | 2017-06-09 | 钧石(中国)能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池边缘绝缘方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5129711B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-01-30 | 株式会社カネカ | 透明導電膜の製造方法 |
-
2018
- 2018-07-03 CN CN201810711064.0A patent/CN110676163B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102544250A (zh) * | 2010-12-27 | 2012-07-04 | 同方光电科技有限公司 | 一种GaN基发光二极管的制作方法 |
| CN106816493A (zh) * | 2015-12-02 | 2017-06-09 | 钧石(中国)能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池边缘绝缘方法 |
| CN105895745A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-08-24 | 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 | 异质结太阳能电池片的切割方法 |
| CN106531829A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-03-22 | 泰州乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能叠片电池片间互连结构与太阳能叠片电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110676163A (zh) | 2020-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5535709B2 (ja) | 太陽電池、その太陽電池を用いた太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法 | |
| US20110277825A1 (en) | Solar cell with metal grid fabricated by electroplating | |
| CN110676163B (zh) | 一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法 | |
| US8779282B2 (en) | Solar cell apparatus and method for manufacturing the same | |
| CN111244278A (zh) | 非掺杂晶硅异质结钙钛矿叠层太阳电池结构及制备方法 | |
| CN213340395U (zh) | 一种金属网栅互联结构 | |
| US20220310865A1 (en) | Laminated cell structure and preparation method thereof | |
| CN111477694A (zh) | 一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法 | |
| CN110729377A (zh) | 一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法及其叠瓦模组 | |
| CN103474488A (zh) | 一种薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103426973B (zh) | 隔离衬底层两面薄膜的方法及异质结太阳能电池制备工艺 | |
| US8729383B2 (en) | Stacked-layered thin film solar cell and manufacturing method thereof | |
| CN103985778A (zh) | 具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN113782623A (zh) | 叉指背接触薄膜太阳能电池、电池组件和光伏系统 | |
| CN110690308A (zh) | 一种背接触异质结太阳能电池及其模组 | |
| KR101166456B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| US9748424B2 (en) | Solar cell and preparing method of the same | |
| US20230335654A1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| US20130133720A1 (en) | Solar battery module and manufacturing method thereof | |
| CN110212060B (zh) | 一种电池制备方法、电池、电池组件及太阳能供电站 | |
| US20140230891A1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| CN203850312U (zh) | 具有选择性发射极的异质结太阳能电池 | |
| CN104067398B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| CN114171632A (zh) | 异质结太阳能电池及光伏组件 | |
| CN104465803A (zh) | 一种背发射极异质结太阳电池及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |