CN110635849A - 一种光模块 - Google Patents

Abstract

本申请实施例示出本申请实施例示出一种光模块，在上电时，将存储在于FLASH存储器内的第一用户数据写入RAM存储器。在供电电压高于临界电压时，处理器将接收到的第三用户数据替换存储在所述RAM存储器内的第二用户数据这样可以保证存储在RAM存储器内的用户数据为最新版本的用户数据，同时，当监控到的供电电压低于临界电压时，处理器将RAM存储器存储的第二用户数据写入FLASH存储器。该方案只有在供电电压低于临界电压时才将RAM存储器存储的第二用户数据写入FALSH存储器，有效的减少用户数据写入FALSH存储器的次数，达到延长了微控制芯片内部FALSH存储器使用寿命的目的。

Description

一种光模块

技术领域

本申请实施例涉及光通信技术。更具体地讲，涉及一种光模块。

背景技术

光模块通常指用于光电转换的集成模块，其通常由光器件(通常包括：光接收器件和光发射器件)和硬件电路板封装而成。在信号转换过程中，光接收器件在接收到光信号后，会将光信号转换成电信号，再通过印制电路板将电信号传输至光发射器件；光发射器件在接收到电信号后，会将电信号转换成光信号射出，从而实现光电信号的转换。

随着通信行业的快速发展，目前光模块的硬件电路中都会开辟一部分存储介质用于用户保存用户输入的用户数据，该存储空间可由用户任意读写，通常做法是用户每次写入用户数据，光模块就会保存一次用户数据到存储介质。

限于光模块结构特点，很难在硬件电路上增加无限次擦写的存储介质；同时，为减少模块成本，光模块一般使用微控制芯片(Microcontroller Unit，MCU)，内部FLASH存储器作为用户输入参数的存储介质；但是MCU内部FLASH存储器的写入次数有限，当用户写入操作次数超过FLAHS存储器的写入寿命后，MCU内部FLASH存储器会损坏，导致数据保存失败。

发明内容

基于上述技术问题，本申请的目的在于提供一种光模块。

本申请实施例第一方面示出一种光模块，包括微控制芯片，所述微控制芯片内设置有处理器，FLASH存储器和RAM存储器；

所述处理器，一端口与所述FLASH存储器连接，用于上电时将存储在所述FLASH存储器内的第一用户数据写入所述RAM存储器，以形成第二用户数据；另一端口与所述RAM存储器连接，用于供电电压高于临界电压时将接收到的第三用户数据替换存储在所述RAM存储器内的第二用户数据，供电电压低于临界电压时将存储在所述RAM存储器内的第二用户数据写入FLASH存储器，以形成第一用户数据；其中，所述第一用户数据为存储在所述FLASH存储器内的用户数据；所述第三用户数据为供电电压高于临界电压时用户输入的用户数据，所述第二用户数据为存储在所述RAM存储器内的用户数据；

所述FLASH存储器，用于数据的存储，其能够在断电后仍保持数据，具有有限次数的写入寿命；

所述RAM存储器，用于数据的存储，其在断电时丢失数据，写入寿命多于所述FLASH存储器的写入寿命。

由以上技术方案可以看出本申请实施例示出一种光模块，所述光模块包括微控制芯片，所述微控制芯片内设置有处理器，FLASH存储器和RAM存储器；所述处理器，一端口与所述FLASH存储器连接，用于上电时将存储在所述FLASH存储器内的第一用户数据写入所述RAM存储器，以形成第二用户数据；另一端口与所述RAM存储器连接，用于供电电压高于临界电压时将接收到的第三用户数据替换存储在所述RAM存储器内的第二用户数据，供电电压低于临界电压时将存储在所述RAM存储器内的第二用户数据写入FLASH存储器，以形成第一用户数据；其中，所述第一用户数据为存储在所述FLASH存储器内的用户数据；所述第三用户数据为供电电压高于临界电压时用户输入的用户数据，所述第二用户数据为存储在所述RAM存储器内的用户数据。本申请实施例示出的光模块，在上电时，将存储在于FLASH存储器内的第一用户数据写入RAM存储器。在供电电压高于临界电压时，处理器将接收到的第三用户数据替换存储在所述RAM存储器内的第二用户数据这样可以保证存储在RAM存储器内的用户数据为最新版本的用户数据；当监控到的供电电压低于临界电压时，处理器将RAM存储器存储的第二用户数据写入FLASH存储器。可见，该方案只有在供电电压低于临界电压时才将RAM存储器存储的第二用户数据写入FALSH存储器，有效的减少用户数据写入FALSH存储器的次数，达到延长微控制芯片内部FALSH存储器使用寿命的目的。

进一步的，当供电电压低于临界电压时，将RAM存储器存储的第二用户数据写入FLASH存储器，由于，FLASH存储器其能够在断电后仍保持数据，这样即使在光模块掉电后，光模块内部存储的用户数据也不会丢失。

进一步的，本申请实施例示出的技术方案处理器每次接收到用户输入的第三用户数据后，直接将第三用户数据写入RAM存储器，由于RAM存储器的数据写入速率远大于FLASH存储器数据写入速率，光模块在运行的过程中直从RAM存储器调取相应的第二用户数据，相应的，光模块的数据响应效率有所提升。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为光通信终端连接关系示意图；

图2为光网络单元结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种光模块结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种光模块结构爆炸示意图；

图5为本发明实施例提供的微控制芯片的示意图；

图6a为本发明实施例提供的微控制芯片的示意图；

图6b为本发明实施例提供的微控制芯片的示意图；

图7为本发明实施例提供的微控制芯片的示意图；

图8为本发明实施例提供的微控制芯片的示意图。

具体实施方式

为使本申请示例性实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请示例性实施例中的附图，对本申请示例性实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的示例性实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

光通信实现了将信号采用电和光两种不同的载体进行传输。光纤通信使用携带信息的光信号在光波导中传输，利用光在光纤等光波导中的无源传输特性可以实现低成本、低损耗的信息传输；而计算机等信息处理设备采用的是电信号，这就需要在光纤通信系统中实现电信号与光信号的相互转换。

图1为光通信终端连接关系示意图。如图1所示，光通信终端的连接主要包括光网络单元100、光模块200、光纤101及网线103；

光纤的一端连接远端服务器，网线的一端连接本地信息处理设备，本地信息处理设备与远端服务器的连接由光纤与网线的连接完成；而光纤与网线之间的连接由具有光模块的光网络单元完成。

光模块200的光口与光纤101连接，与光纤建立双向的光信号连接；光模块200的电口接入光网络单元100中，与光网络单元建立双向的电信号连接；光模块实现光信号与电信号的相互转换，从而实现在光纤与光网络单元之间建立连接；具体地，来自光纤的光信号由光模块转换为电信号后输入至光网络单元100中，来自光网络单元100的电信号由光模块转换为光信号输入至光纤中。光模块200是实现光电信号相互转换的工具，不具有处理数据的功能，在上述光电转换过程中，信息并未发生变化。

光网络单元具有光模块管脚102，用于接入光模块，与光模块建立双向的电信号连接；光网络单元具有网线管脚104，用于接入网线，与网线建立双向的电信号连接；光模块与网线之间通过光网络单元建立连接，具体地，光网络单元将来自光模块的信号传递给网线，将来自网线的信号传递给光模块，光网络单元作为光模块的上位机监控光模块的工作。

至此，远端服务器通过光纤、光模块、光网络单元及网线，与本地信息处理设备之间建立双向的信号传递通道。

常见的信息处理设备包括路由器、交换机、电子计算机等；光网络单元是光模块的上位机，向光模块提供数据信号，并接收来自光模块的数据信号，常见的光模块上位机还有光纤路终端等。

图2为光网络单元结构示意图。如图2所示，在光网络单元100中具有电路板105，在电路板105的表面设置笼子106；在笼子106中设置有电连接器管脚，用于接入金手指等光模块电口；在笼子106上设置有散热器107，散热器107具有增大散热面积的翅片等凸起结构。

光模块200插入光网络单元中，具体为光模块的电口插入笼子106中的电连接器，光模块的光口与光纤101连接。

笼子106位于电路板上，将电路板上的电连接器包裹在笼子中；光模块插入笼子中，由笼子固定光模块，光模块产生的热量通过光模块壳体传导给笼子，最终通过笼子上的散热器107进行扩散。

图3为本发明实施例提供的一种光模块结构示意图，图4为本发明实施例提供的一种光模块结构爆炸示意图，如图3、图4所示，本发明实施例提供的光模块200包括上壳体201、下壳体202、解锁手柄203、电路板300、光发射次模块500、光接收次模块400及光纤插座600。

上壳体201与下壳体202形成具有两个开口的包裹腔体，具体可以是在同一方向的两端开口(204、205)，也可以是在不同方向上的两处开口；其中一个开口为电口204，用于插入光网络单元等上位机中，另一个开口为光口205，用于外部光纤接入以连接内部光纤，电路板300、光光接收次模块400、发射次模块500及微控制芯片(微控制芯片，Microcontroller Unit；微控制芯片)等光电器件位于包裹腔体中。

上壳体及下壳体一般采用金属材料，利于实现电磁屏蔽以及散热；采用上壳体、下壳体结合的装配方式，便于将电路板等器件安装到壳体中，一般不会将光模块的壳体做成一体结构，这样在装配电路板等器件时，定位部件、散热以及电磁屏蔽结构无法安装，也不利于生产自动化。

解锁手柄203位于腔体/下壳体202的外壁，拉动解锁手柄的末端可以在使解锁手柄在外壁表面相对移动；光模块插入上位机时由解锁手柄将光模块固定在上位机的笼子里，通过拉动解锁手柄以解除光模块与上位机的卡合关系，从而可以将光模块从上位机的笼子里抽出。

电路板300位于由上、壳体形成包裹腔体中，电路板300分别与光发射次模块500及光接收次模块400电连接。

跨阻放大芯片与光接收芯片紧密关联，近距离短走线设计可以保证良好的接收信号质量，光模块的一种封装形态中，将跨阻放大芯片与光接收芯片一起封装在独立封装体中，如封装在同一同轴管壳TO中或同一方形腔体中；独立封装体独立于电路板，光接收芯片及跨足放大芯片通过独立封装体与电路板形成电连接；光模块的另一种封装形态中，可以不采用独立封装体，而是将光接收芯片与跨阻放大芯片设置在电路板表面。当然，也可以将光接收芯片独立封装，而将跨阻放大芯片设置在电路板上，接收信号质量也能满足某些相对较低的要求。

电路板300上的芯片可以是多合一芯片，比如将激光驱动芯片与微控制芯片芯片融合为一个芯片，也可以将激光驱动芯片、限幅放大芯片及微控制芯片融合为一个芯片，芯片是电路的集成，但各个电路的功能并没有因为集合而消失，只是电路形态发生整合。所以，当电路板上设置有微控制芯片、激光驱动芯片及限幅放大芯片三个独立芯片，这与电路上设置一个三功能合一的单个芯片，方案是等同的。

电路板300端部表面具有金手指，金手指由相互独立的一根根引脚组成的，电路板插入笼子中的电连接器中，由金手指与上位机建立电连接。

电路板300是光模块主要电器件的载体，没有设置在电路板上的电器件最终也与电路板电连接，电路板上的电连接器实现光模块与其上位机的电连接。光模块通常采用的电连接器为金手指。

光模块还包括光发射次模块及光接收次模块，光发射次模块及光接收次模块可以统称为光学次模块。图4为本发明实施例提供的光模块结构分解图，如图4所示，本发明实施例提供的光模块包括光发射次模块500及光接收次模块400，光发射次模块与光接收次模块在电路板表面错开设置，利于实现更佳的电磁屏蔽效果。

光接收次模块400设置在电路板300表面，在一种常见的封装方式(如同轴TO封装)中，光接收次模块独立封装，与电路板物理分离，通过柔性板实现电连接。

光发射次模块500设置在电路板300表面，在另一种常见的封装方式(如同轴TO封装)中，光发射次模块独立封装，与电路板物理分离，通过柔性板实现电连接。

光发射次模块500位于由上、下壳体形成包裹腔体中，如图4所示，电路板300设置有缺口(图中未示出)，用于放置光发射次模块；该缺口可以设置在电路板的中间，也可以设置在电路板的边缘；光发射次模块通过嵌入的方式设置在电路板的缺口中，便于电路板伸入光发射次模块内部，同样便于将光发射次模块与电路板固定在一起。

光发射次模块500依次通过光纤适配器(图4中未示出)及光纤实现与光纤插座600的连接。光纤(图中为标出)一端连接光纤适配器，另一端连接光纤插座600。

电路板300上设置有芯片、电容、电阻等电器件。根据产品的需求选择相应的芯片，常见的芯片包括微控制芯片(Microcontroller Unit；微控制芯片)1和芯片，其中芯片可以为时钟数据恢复芯片CDR、激光驱动芯片、跨阻放大器TIA芯片、限幅放大器LA芯片、电源管理芯片等。

光模块的接收端包括光接收芯片、跨阻放大芯片TIA、限幅放大芯片LA、第一低通滤波电路、第二低通滤波电路、比较电路及微控制芯片。光模块的发射端包括驱动芯片等。

微控制芯片1，是把中央处理器(Central Process Unit；CPU)的频率与规格做适当缩减，并将内存(memory)、计数器(Timer)、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA等周边端口整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机。通过微控制单元的端口与控制芯片的连接，为不同芯片做不同组合控制。

图5为图4中微控制芯片的结构示意图，所述微控制芯片1内设置有处理器11和与所述处理器11相连接存储区，所述存储区包括FLASH存储器12和RAM存储器13。

本申请实施例示出的技术方案中，微控制芯片包括至少两个存储器分别为：第一非易失性存储器，在本申请实施例示出的技术方案也称之为FLASH存储器12、以及随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)在本申请实施例示出的技术方案也称之为RAM存储器13。其中，FLASH存储器12其能够在断电后仍保持数据，但是具有较慢的读写速度和有限的写入寿命。RAM存储器13是一种易失性存储器，其在断电时丢失数据，但是具有较高的读写速度和几乎无限制的写入寿命，其可由例如同步动态随机存取内存(synchronous dynamicrandom-access memory，SDRAM)、动态随机存取存储器，(Dynamic Random Access Memory，DRAM)、双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate，DDR)等实现。

通常情况下，FLASH存储器用于存储光模块的相关数据，其中一些数据在光模块运行期间保持不变的数据，例如与光模块的ID和厂商信息等相关的数据以及各种光模块配置参数，诸如阈值和校准系数等，这些数据一般在光模块的制造期间由制造商设置，并且在光模块的运行期间不会发生改变。而一些数据在光模块运行期间频繁更新或者改变的数据，这些数据需用户根据光模块的运行状态实时的进行变更，例如光模块的温度阈值、光模块的电源临界电压、光发射单元的偏置电流阈值、光发射单元的发射光功率阈值、光接收单元的接收光功率阈值、光接收单元的接收光功率校准系数、光发射单元的偏置电流校准系数、光发射单元的发射光功率校准系数、光模块的温度校准系数、以及光模块的电源电压校准系数，启动密码等。在本申请实施例示出的，这些频繁更新或者改变的数据在本申请实施例示出的技术方案中称之为用户数据。

为了方便区分，本申请实施例示出的技术方案中将用户数据划分为第三用户数据，第二用户数据和第一用户数据，其中所述第三用户数据为光模块运行过程中用户会根据实际的输入修改后的用户数据，所述第二用户数据为存储在所述RAM存储器内的用户数据；所述第一用户数据为上电时，存储在FLASH存储器内的用户数据。

所述处理器11，一端口与所述FLASH存储器12连接，用于上电时，将存储在所述FLASH存储器12内的第一用户数据写入所述RAM存储器13；另一端口与所述RAM存储器13连接，用于供电电压高于临界电压时，将接收到的第三用户数据替换存储在所述RAM存储器13内的第二用户数据；供电电压低于临界电压时，将存储在所述RAM存储器13内的第二用户数据写入FLASH存储器12；其中，所述第一用户数据为存储在所述FLASH存储器12内的用户数据；所述第三用户数据为供电电压高于临界电压时用户输入的用户数据，所述第二用户数据为存储在所述RAM存储器13内的用户数据。

在光模块的作业过程中，用户会根据实际的输入修改后的用户数据，所述修改后的用户数据也可称之为第三用户数据。通常第三用户数据中携带有写入地址，每次用户完成对第三用户数据的输入，处理器读取第三用户数据所携带的写入地址；按照写入地址与预设的RAM存储器的各存储区对应关系，将第三用户数据写入RAM存储器相应的存储区内。第三用户数据在写入RAM存储器后，将RAM存储器预先存储的第二用户数据覆盖。此时，RAM存储器内存储的第二用户数据为修改后的用户数据。

在光模块的作业过程中，处理器实时监控微控制芯片的供电电压，当监控到的微控制芯片的供电电压低于临界电压值时，处理器将此时RAM存储器内存储的第二用户数据写入FLASH存储器。具体的将写入RAM存储器内存储的第二用户数据写入FLASH存储器的过程为：处理器依次读取第二用户数据在RAM存储器的写入地址，将所述写入地址对应的FLASH存储器地址作为目标写入地址，将RAM存储器的存储的第二用户数据写入目标写入地址。其中，第二用户数据可以为存储在所述RAM存储器内全部的用户数据，也可以为RAM存储器内被修改过的用户数据。

本申请实施例示出的技术方案，在光模块运行的过程中，处理器直接将接收到的第三用户数据保存到微控制芯片内部RAM存储器，同时，实时监控微控制芯片供电端口的供电电压，当监控到的供电电压低于临界电压时，将RAM存储器存储的第二用户数据写入FLASH存储器。该方案只有在供电电压低于临界电压时，才将RAM存储器存储的第二用户数据写入FALSH存储器，有效的减少用户数据写入FALSH存储器的次数，达到延长了微控制芯片内部FALSH存储器使用寿命的目的。

同时，在微控制芯片供电端口的供电电压低于临界电压时，将RAM存储器存储的第二用户数据写入FLASH存储器，这样即使在光模块掉电后，光模块内部存储的用户数据也不会丢失。

进一步的，本申请实施例示出的技术方案处理器每次接收到用户输入的第三用户数据后，直接将第三用户数据写入RAM存储器，由于RAM存储器的数据写入速率远大于FLASH存储器数据写入速率，光模块在运行的过程中直从RAM存储器调取相应的用户数据，相应的，光模块的数据响应效率有所提升。

至此，完成对本实施例的描述。

由于，RAM存储器具有较好的数据读写速率，为了保证光模块对数据的响应速率，本申请实施例示出的技术方案在上电时，将存储在于FLASH存储器内的第一用户数据写入RAM存储器。在后续光模块运行的过程中，处理器直接从RAM存储器调取相应的第二用户数据，基于所述第二用户数据运行光模块。由于RAM存储器的数据写入速率远大于FLASH存储器数据写入速率，光模块在运行的过程中直从RAM存储器调取相应的第二用户数据，相应的，光模块的数据响应效率有所提升。

至此，完成对本实施例的描述。

通常，光模块涉及多种用户数据，在光模块运行的过程中，用户根据实际需求对RAM存储区内相应的第二用户数据进行修改，但是，RAM存储器内不乏一些未作修改的第二用户数据。当供电电压低于临界电压，如果RAM存储区内全部的用户数据写入FLASH存储器将会耗费大量的时间。

基于上述问题，本申请实施例示出一种微控制芯片，所述微控制芯片的结构可以参阅图6a和图6b。在图6a示出的微控制芯片中设置有处理器11。所述处理器11在图5中处理器11具有的功能基础上，还用于在RAM存储器13创建一预设表131，所述预设表131用于记录第二用户数据对应的标识值，所述标识值用于记录第二用户数据是否被修改。每次第二用户数据被重新写入，相应的第二用户数据对应的标识值也会被修改。在后续需要将RAM存储器13存储的第二用户数据写入FLASH存储器12时，可以基于所述标识值确定哪些用户数据被修改(在本申请实施例示出的技术方案中所述被修改的第二用户数据也可称之为待写入数据)。进而向FLASH存储器12写入被修改的第二用户数据，而那些未被修改的数据，可以被忽略，从而还可以提高FLASH存储器12中的存储效率。

具体的预设表的创建过程为：

在一优选实施例中，响应于光模块上电，处理器将存储在FLASH存储器内的第一用户数据写入RAM存储器。响应于用户数据全部写入RAM存储器，处理器在RAM存储器内构建一预设表，所述预设表用于记录第二用户数据的标识值。

为了保证第二用户数据与标识值的对应关系，通常需要将第二用户数据也写入预设表中。然而，在RAM存储器内上已经存储有第二用户数据，此时如果再次将第二用户数据写入预设表中，对RAM存储器来讲是浪费存储空间的。为了避免占用过多存储空间，本申请实施例示出的技术方案引入标识的概念，利用标识的建立标识值与第二用户数据之间的对应关系。因此在另一个实施例中，所述RAM中存储的第二用户数据还包括第二用户数据的标识。在预设表中存储有第二用户数据对应的标识和所述标识对应的标识值。可以通过标识建立第二用户数据与标识值的对应关系。由于第二用户数据通过标识与标识值建立联系，因此在用户通过处理器向RAM存储器写入用户数据的情况下，响应于完成对用户数据的写入，处理器可以根据标识确定所述标识在预设表中对应的标识值，并根据设置对标识值进行修改。

下面结合具体实例对用户数据的存储过程作以详细的说明：图6a为一光模块内微控制芯片的结构简图，所述微控制芯片1对用户数的处理过程为：响应于光模块上电，处理器11将存储在FLASH存储器12的第一用户数据写入RAM存储器13，其中，每个第一用户数据携带有该用户数据的标识和写入地址。响应于第一用户数据全部写入RAM存储器13，处理器11基于所述标识建立预设表131，所述预设表131表中记载着用户数据的标识值。在一可行性实施例中，初始状态下，所有的用户数据对应的标识值均被配置为0。相应的标识值为0证明用户并未通过处理器11对用户数据进行修改。此时光模块基于RAM存储器13存储的第二用户数据运行相应的功能。

光模块运行的过程中，用户根据需求输入修改后的用户数据1(在本实施中也称之为用户数据1-1)，所述用户数据1-1携带的写入地址为地址1，标识为标识1，值得注意的是，用户数据1携带的写入地址与用户数据1-1携带的写入地址相同，用户数据1携带的标识与用户数据1-1携带的标识相同；处理器在接收到用户数据1-1后，读取用户数据1-1对应写入地址(地址1)。处理器11按照地址1与预设的RAM存储器13内存储区之间的对应关系将用户数据1-1写入相应的存储区内。响应于完成对用户数据1-1的写入，处理器11基于所述用户数据1-1对应的标识(标识1)，在预设表131中将标识1对应的标识值加1，此时电路板的结构示意图可以参阅图6b。若此时处理器11检测到供电电压低于临界电压，处理器11遍历预设表131，筛选出不为0的标识值对应的标识(标识1)。处理器11基于所述标识1查找出所述标识1对应的用户数据(用户数据1-1)，确定用户数据1为待写入数据。处理器11读取用户数据1-1所携带的写入地址(地址1)，在FLASH存储器12查找出与所地址1对应的目标地址(目标地址1)。处理器11将所述用户数据1-1写入目标地址1中。由于，用户数据2-用户数据n对用的标识值均为0，处理器11忽略这些数据。处理器11在FALSH存储器12内写入用户数据1-1的过程中，预先将FALSH存储器12内写入用户数据1擦除，然后将用户数据1-1写入相应的存储区。

可见本申请实施例示出的技术方案，当FLASH存储器存储的数据全部写入RAM存储器时，在RAM存储器内创建一用于存储用户数据对应的标识值的预设表，所述标识值用于记录相应的第二用户数据被是否被修改。在后续需要将RAM存储器存储的第二用户数据写入FLASH存储器时，可以基于所述标识值确定哪些用户数据被修改，在向FLASH存储器写入用户数据时仅需重新写入修改后的用户数据。而那些未被修改的数据，可以被忽略，从而还可以提高FLASH存储器中的存储效率。

至此，完成对本实施例的描述。

进一步的，为了保证用户数据保存的安全性。本申请实施例示出的技术方中，所述标识值用于记载第二用户数据被修改的次数。初始时所述标识值被配置为0，每次响应于第二用户数据被修改，所述处理器，还用于将所述第二用户数据对应的标识值加1。每次完成对标识值的修改后，处理器，还用于读取所述标识值；响应于所述标识值大于预置值，将所述标识值对应的第二用户数据写入FLASH存储器。

具体的，在一可行性实施例中，预置值被配置为256。初始状态下，用户数据1对应的标识值为0，用户第一次对用户数据1修改后，处理器将用户数据1对应的标识值修改为1；第二次对用户数据1修改后，相应的，处理器将用户数据1对应的标识值修改为2……每次完成对标识值的修改后，处理器均会读取相应的标识值。当读取到的修改标识为256时，处理器确定标识值为256对应的标识为标识1，然后基于所述标识1查找出所述标识1对应的用户数据为用户数据1。处理器确定用户数据1为待写入数据(此时待写入数据也可以为修改次数超过预置值的用户数据)。处理器11在读取用户数据1所携带的地址(地址1)。在FLASH存储器查找出与所述地址1对应的目标地址(目标地址1)。处理器将此时的用户数据1写入目标地址1对应的存储区，响应于用户数据1被全部写入FLASH存储器，处理器11将用户数据1对应的标识值修改为0。

本申请实施例示出的技术方案，预先配置一预置值，处理器每次完成对标识值的修改后，均会读取相应的标识值，当读取的标识值为预置值时，将所述标识对应的用户数据写入FLASH存储器。以此来避免用户数据被多次修改，造成用户数据丢失的问题的出现，进而保证用户数据保存的安全性。

至此，完成对本实施例的描述。

当处理器监控到的微控制芯片的供电电压低于临界电压值时，此时光模块处于掉电的状态。在此情况下，本申请实施例示出的技术方案将RAM存储器存储的待写入数据写入FLASH存储器内，以保证在掉电过程中待写入数据不会发生丢失。虽然，FLASH存储器其能够在断电后仍保持数据，但是FLASH存储器具有较慢的读写速度。如果，T1-T2时间段较短，那么处理器将无法将全部的待写入数据写入FLASH存储器，其中，所述T1为处理器的供电电压小于临界电压的时刻，所述T2为处理器的供电电压为0时刻。为了保证待写入数据全部写入FLASH存储器内，需要在光模块掉电后，预留出一定的电能用于支撑处理器将全部的待写入数据写入FLASH存储器内。

为了实现上述功能，本申请实施例示出的微处理单元的结构如图7所示，可以看出光模块的供电管脚2与所述微控制芯片的供电端口14连接，用于在光模块运行的过程中为光模块内部的微控制芯片提供电能。同时所述供电管脚2还与一电容3的第一极板连接，用于在光模块运行的过程中向光模块内部的电容3充电。同时所述电容3的第一极板还与所述微控制芯片的供电端口14连接，在供电端口14的供电电压低于临界电压值的情况下，向所述供电端口14放电，以支撑处理器11将全部的待写入数据写入FLASH存储器12。

其中，电容3的充放电过程大致为：起始状态电容3的电量为零。上电的时候，供电管脚2逐渐向所述电容3充电，然后，电容3慢慢充电。当微控制芯片供电端口14的供电电压低于临界电压值时，所述电容3还可以向所述微控制芯片的供电端口14放电，以支撑处理器11将全部的待写入数据写入FLASH存储器12。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。

可见，本实施例示出的技术方案，将微控制芯片的供电端口连接一电容，当微控制芯片的供电电压低于临界电压值时，所述电容向所述供电端口放电，以支撑处理器将全部的待写入数据写入FLASH存储器。

至此，完成对本实施例的描述。

在一优选实施例中。光模块内的微控制芯片的结构可以参阅图8，其中，微控制芯片包括检测单元111，读写单元112和中断单元113。

其中，所述检测单元111，用于实时的检测供电电压，当所述供电电压低于电压预置时，发送一读写指令至读写单元112，发送一中断指令至中断单元113。

所述读写单元112，响应于所述读写指令，首先读取预置表中各标识值，筛选出标识值不为0的用户数据作为待写入数据，最后基于待写入数据所携带的地址，将待写入数据写入FLASH存储器12对应的存储区域内。

中断单元113，响应于所述中断指令，关闭所有外部耗电模块包括TOSA、ROSA以及外部驱动芯片的供电，同时关闭IIC通信功能，尽量减少模块功耗。所述终端单元还可以用于将光模块切换至低功率模式。

监测到供电电压低于设定值而启动的用户数据保存功能，须在执行用户数据保存前，关闭所有外部耗电模块，所述外部耗电模块可以包括光发射次模块(TransmitterOptical Subassembly，TOSA)、光接收次组件(Receiver Optical Subassembly，ROSA)，以及，外部驱动芯片的供电，同时关闭集成电路总线(Inter-Integrated Circuit，IIC)通信功能，尽量减少模块功耗。如果光模块可以进入低功耗模式，需要快速切换进低功耗模式。

可见本申请实施例示出的技术方案，处理器内部设置有中断单元，当所述供电电压低于电压预置时，中断单元关闭所有外部耗电模块包括TOSA、ROSA以及外部驱动芯片的供电，同时关闭IIC通信功能，尽量减少模块功耗，以为处理器将待写入数据写入FLASH存储器节约出电能。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里发明的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

应当理解，本申请中说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的用户数据在适当情况下可以互换，例如能够根据本申请实施例图示或描述中给出那些以外的顺序实施。

此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖但不排他的包含，例如，包含了一系列组件的产品或设备不必限于清楚地列出的那些组件，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它组件。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (6)

1.一种光模块，其特征在于，包括微控制芯片，所述微控制芯片内设置有处理器，FLASH存储器和RAM存储器；

所述处理器，一端口与所述FLASH存储器连接，用于上电时将存储在所述FLASH存储器内的第一用户数据写入所述RAM存储器，以形成第二用户数据；另一端口与所述RAM存储器连接，用于供电电压高于临界电压时将接收到的第三用户数据替换存储在所述RAM存储器内的第二用户数据，供电电压低于临界电压时将存储在所述RAM存储器内的第二用户数据写入FLASH存储器，以形成第一用户数据；其中，所述第一用户数据为存储在所述FLASH存储器内的用户数据；所述第二用户数据为存储在所述RAM存储器内的用户数据；所述第三用户数据为供电电压高于临界电压时用户输入的用户数据；

所述FLASH存储器，用于数据的存储，其在断电后仍保持数据，具有有限次数的写入寿命；

所述RAM存储器，用于数据的存储，其在断电时丢失数据，写入寿命多于所述FLASH存储器的写入寿命。

2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，上电时，

所述处理器，还用于在RAM存储器内创建一预设表，所述预设表用于记录所述第二用户数据对应的标识值，所述标识值用于记录对应的第二用户数据是否被修改；

响应于供电电压低于临界电压，所述处理器，还用于读取所述预设表中的标识值，根据所述标识值确定待写入数据，将所述待写入数据写入FLASH存储器，其中，所述待写入数据为被修改的第二用户数据。

3.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述标识值还用于记录对应的第二用户数据被修改的次数，初始状态时，所述标识值被配置为0，每次响应于第二用户数据被修改，所述处理器，还用于将所述第二用户数据对应的标识值加1；

响应于供电电压低于临界电压，所述处理器，还用于读取所述预设表中的标识值，筛选出目标标识值，将所述目标标识值对应的第二用户数据写入FLASH存储器，所述目标标识值为大于0的标识值。

4.根据权利要求3所述的光模块，其特征在于，每次完成对标识值的修改后，所述处理器，还用于读取修改后的所述标识值；

响应于修改后的所述标识值大于预置值，所述处理器，还用于将修改后的所述标识值对应的第二用户数据写入FLASH存储器，以形成第一用户数据。

5.根据权利要求1-4任一项所述的光模块，其特征在于，还包括供电管脚和电容；

所述供电管脚与所述微控制芯片的供电端口连接，用于向所述微控制芯片提供电能，所述供电管脚还与所述电容连接，用于向所述电容充电；

所述电容与所述微控制芯片的供电端口连接，用于响应于供电电压低于临界电压，向所述微控制芯片的供电端口放电。

6.根据权利要求1-4任一项所述的光模块，其特征在于，还包括耗电模块；

所述处理器与所述耗电模块连接，用于响应于供电电压低于临界电压，控制所述耗电模块关闭。

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