CN110634917A - 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 - Google Patents

显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110634917A
CN110634917A CN201910762400.9A CN201910762400A CN110634917A CN 110634917 A CN110634917 A CN 110634917A CN 201910762400 A CN201910762400 A CN 201910762400A CN 110634917 A CN110634917 A CN 110634917A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display
display region
display panel
display area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910762400.9A
Other languages
English (en)
Inventor
郭庆勋
朱小光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910762400.9A priority Critical patent/CN110634917A/zh
Priority to US16/624,801 priority patent/US11158692B1/en
Priority to PCT/CN2019/115901 priority patent/WO2021031370A1/zh
Publication of CN110634917A publication Critical patent/CN110634917A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本揭示提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,所述显示面板包括基板,所述基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的非显示区域;显示器件层,所述显示器件层设置于所述基板上,所述显示器件层包括依次层叠设置的阳极、像素定义层、公共层和阴极;其中,所述阳极覆盖所述显示区域并延伸至所述非显示区域,所述像素定义层和所述公共层均设置于所述显示区域上,且均为延伸至所述显示区域至少一侧的所述非显示区域,所述阴极覆盖所述公共层且延伸至所述非显示区域与所述阳极接触,从而有效缩减显示面板非显示区域的宽度,提高显示面板及显示装置的屏占比。

Description

显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode,AMOLED)显示装置,具有自发光的特性,采用柔性的基板、柔性低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon,LTPS)制程以及高效率有机发光二极管(organic lightemitting diode,OLED)显示技术。与液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)显示装置相比,AMOLED显示装置是自发光,不需要背光源,具有响应快、高色域、高对比度以及成本低等优势,被视为最具有前途的产品之一。
目前,窄边框、高屏占比是AMOLED显示装置的主要发展趋势,相应产品在市场竞争中占有明显优势。因而,如何进一步缩小屏幕边框进而提升屏占比,成为面板行业急需攻克的难题。
综上所述,现有AMOLED显示装置存在边框较宽、屏占比不高的问题。故,有必要提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,用于解决现有AMOLED显示装置存在的边框较宽、屏占比不高的问题。
本揭示实施例提供一种显示面板,包括:
基板,所述基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的非显示区域;
显示器件层,所述显示器件层设置于所述基板上,所述显示器件层包括依次层叠设置的阳极、像素定义层、公共层和阴极;
其中,所述阳极覆盖所述显示区域并延伸至所述非显示区域,所述像素定义层和所述公共层均设置于所述显示区域上,且均未延伸至所述显示区域至少一侧的所述非显示区域,所述阴极覆盖所述公共层且延伸至所述非显示区与所述阳极接触。
根据本揭示一实施例,所述显示面板还包括:
驱动信号线,设置于所述基板的所述显示区域至少一侧的所述非显示区域上;
所述像素定义层和所述公共层均未延伸至设置有所述驱动信号线的所述非显示区域。
根据本揭示一实施例,所述像素定义层和所述公共层的材料均为有机材料,所述像素定义层和所述公共层延伸至设置有所述驱动信号线的所述非显示区的部分,通过相应有机溶剂进行刻蚀处理。
根据本揭示一实施例,所述显示面板还包括电压信号线,所述电压信号线设置于所述基板的所述显示区域至少一侧的所述非显示区域上,并与所述阳极相连接,所述驱动信号线设置于所述显示区域与所述电压信号线之间。
根据本揭示一实施例,所述阳极远离所述基板的一侧上形成有至少一个第一挡墙,且所述挡墙位于所述非显示区域上,所述阳极未覆盖的所述非显示区域处设置有至少一个第二挡墙。
根据本揭示一实施例,所述显示面板还包括封装层,所述封装层包括第一无机层、第二无机层以及设置于所述第一无机层和所述第二无机层之间的有机层,所述第一无机层覆盖所述显示区域和所述非显示区域,所述有机层覆盖所述显示区域,并延伸至所述第一挡墙远离所述第二挡墙的一侧,所述第二无机层覆盖所述显示区域和所述非显示区域。
本揭示实施例提供一种显示装置,包括如上述的显示面板。
本揭示实施例还提供一种显示面板的制作方法,包括:
步骤S10:提供基板,所述基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的非显示区域;
步骤S20:依次在所述基板上沉积形成像素定义层和公共层,所述像素定义层和所述公共层均覆盖所述显示区域,且均延伸至所述非显示区域;
步骤S30:遮挡所述显示区域,去除延伸至所述显示区域至少一侧的所述非显示区域上的所述像素定义层和所述公共层。
根据本揭示一实施例,所述基板上还形成有驱动信号线,所述驱动信号线设置于所述基板的所述显示区域至少一侧的所述非显示区域上,在所述步骤S20中所述像素定义层和所述公共层均延伸至设置有所述驱动信号线的所述非显示区域。
根据本揭示一实施例,所述像素定义层和所述公共层的材料均为有机材料,所述像素定义层和所述公共层延伸至设置有所述驱动信号线的所述非显示区域的部分,通过相应有机溶剂进行刻蚀处理去除。
揭示实施例的有益效果:本揭示实施例通过去除位于基板非显示区域上的像素定义层和公共层,使得像素定义层和公共层仅存在显示区域内,从而有效缩减显示面板非显示区域的宽度,提高显示面板及显示装置的屏占比。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示实施例一提供的显示面板的截面结构示意图;
图2为本揭示实施例一提供的显示面板的平面结构示意图;
图3为本揭示实施例二提供的显示面板制作方法的流程示意图;
图4A为本揭示实施例二提供的显示面板的截面结构示意图;
图4B为本揭示实施例二提供的显示面板的截面结构示意图;
图4C为本揭示实施例二提供的显示面板的截面结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本揭示,而非用以限制本揭示。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明:
实施例一:
本揭示实施例提供一种显示面板,下面结合图1至图2进行详细说明。
如图1所示,图1为本揭示实施例提供的显示面板100的截面结构示意图,所述显示面板100包括基板110、显示器件层120、驱动信号线130和电压信号线140。
具体地,所述基板110包括显示区域111和位于所述显示区域111外围的非显示区域112;所述显示器件层120设置于所述基板110上,所述显示器件层120包括依次层叠设置的阳极121、像素定义层122、公共层123和阴极124。
在本实施例中,所述阳极121覆盖所述显示区域111并延伸至所述非显示区域112,所述像素定义层122和所述公共层123均设置于所述显示区域111上,且均为延伸至所述显示区域111至少一侧的所述非显示区域112,所述阴极124设置于所述公共层123远离所述基板110的一侧上,且覆盖所述公共层123并延伸至所述非显示区域112与所述阳极121接触,所述公共层123包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层(图中未示出)。
如图2所示,图2为本揭示实施例提供的显示面板100的平面结构示意图,其中,左侧为现有技术显示面板,右侧为本揭示实施例所提供的显示面板100。现有技术显示面板左右两侧的非显示区域宽度为a,本揭示实施例所提供的显示面板100左右两侧非显示区域112的宽度为b,通过将像素定义层122的边缘和所述公共层123的边缘与所述显示区域111的边缘齐平,使得b<a,从而有效缩减显示面板100左右两侧非显示区域112的宽度,提升显示面板100的屏占比。
在一些实施例中,上述结构不仅可用于显示面板100的左右两侧非显示区域112,同样可以用于显示面板100上下两侧非显示区域,并且可以实现相同的技术效果。
在本实施例中,所述驱动信号线130设置于所述基板110的所述显示区域111至少一侧的所述非显示区域112上,所述像素定义层122和所述公共层123均为延伸至设置有所述驱动信号线130的所述非显示区域112。
在本实施例中,所述像素定义层122和所述公共层123的材料均为有机材料,所述阳极121为金属材料,从而在制作形成所述像素定义层122和所述公共层123时,可以通过光阻或者掩膜板对显示区域111进行遮挡保护,对所述像素定义层122和公共层123延伸至设置有所述驱动信号线130的所述非显示区域112的部分通过相应的有机溶剂进行刻蚀处理去除,从而实现缩减非显示区域112宽度的技术效果。
在本实施例中,如图1所示,所述电压信号线140设置于所述基板110的所述显示区域111至少一侧的所述非显示区域112上,并与所述阳极121相连接,所述驱动信号线130设置于所述显示区域111与所述电压信号线140之间。
如图1所示,所述显示面板100还包括薄膜晶体管层150,所述薄膜晶体管层150设置于所述显示区域111上,且位于所述阳极121与所述基板110之间,所述薄膜晶体管150的栅极与所述驱动信号线130相连接。
如图1所示,所述阳极121远离所述基板110的一侧上形成有至少一个第一挡墙170,且所述第一挡墙170位于所述非显示区域112上,所述阳极121为覆盖的所述非显示区域112处还设置有至少一个第二挡墙180。
在本实施例中,所述显示面板100还包括封装层160,所述封装层160包括第一无机层161、第二无机层163以及设置于所述第一无机层161和所述第二无机层163之间的有机层162,所述第一无机层161覆盖所述显示区域111和所述非显示区域112,所述有机层162覆盖所述显示区域111,并延伸至所述第一挡墙170远离所述第二挡墙180的一侧,所述第二无机层163覆盖所述显示区域111和所述非显示区域112,所述第一挡墙170和所述第二挡墙180用于防止所述有机层162中的有机溶液外溢,从而避免有机溶液外溢导致的相关问题。
本揭示实施例提供一种显示面板100,通过将显示器件层120内的公共层123和像素定义层122限制于基板110的显示区域111内,缩减显示面板100周围非显示部分111的宽度,从而提高所述显示面板100的屏占比。
本揭示实施例还提供一种显示装置,包括如上述实施例所述的显示面板100,且能够实现与上述实施例所提供的显示面板100相同的技术效果,此处不再赘述。
实施例二:
一种显示面板的制作方法,下面结合图3至图4C进行详细说明。
如图3所示,图3为本揭示实施例所提供的显示面板的制作方法的流程示意图,图4A至图4C为本揭示实施例提供的显示面板200的截面结构示意图,所述方法包括:
步骤S10:提供基板210,所述基板210包括显示区域211和位于所述显示区域211外围的非显示区域212。
如图4A所示,所述基板210上还形成有薄膜晶体管层220、驱动信号线230、电压信号线240以及阳极250,所述驱动信号线230设置于所述基板210的所述显示区域211至少一侧的所述非显示区域212上,所述薄膜晶体管层220的栅极与所述驱动信号线230相连接,所述电压信号线240设置于所述基板210的所述显示区域211至少一侧的所述非显示区域212上,并与所述阳极221相连接,所述驱动信号线230设置于所述显示区域211与所述电压信号线240之间。
步骤S20:依次在所述基板210上沉积形成像素定义层260和公共层270,所述像素定义层260和所述公共层270均覆盖所述显示区域211,且均延伸至所述非显示区域212。
具体地,如图4A所示,所述像素定义层260设置于所述阳极250远离所述基板210的一侧上,所述公共层270设置于所述像素定义层260远离所述阳极250的一侧上,且所述像素定义层260和所述公共层270均延伸至设置有所述驱动信号线240的所述非显示区域212,所述公共层270还包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层(图中未示出)。
步骤S30:遮挡所述显示区域211,去除延伸至所述显示区域211至少一侧的所述非显示区域212上的所述像素定义层260和所述公共层270。
具体地,可以采用掩膜板对所述显示区域211以及位于所述显示区域211上的像素定义层260和所述公共层270进行遮挡,在一些实施例中,也可以采用涂布光阻的方式对所述显示区域211以及位于所述显示区域211上的像素定义层260和所述公共层270进行遮挡,从而避免在去除其他部分的像素定义层260和公共层270时,对显示区域211及上方的膜层造成破坏。
在本实施例中,所述阳极、驱动信号线和电压信号线均为金属材料,所述像素定义层260和所述公共层270的材料均为有机材料,所述步骤S30中,对所述像素定义层222和公共层223延伸至设置有所述驱动信号线230的所述非显示区域212的部分通过相应的有机溶剂进行刻蚀处理去除,从而实现缩减非显示区域212宽度的技术效果。
在本实施例中,所述制作方法还包括:
步骤S40:在所述公共层270远离所述基板210的一侧上形成阴极280,所述阴极280覆盖所述公共层270,且延伸至所述非显示区域与所述阳极250接触;
步骤S50:在所述阴极280远离所述基板210的一侧上形成封装层290。
在本实施例中,如图4B所示,所述阳极220远离所述基板210的一侧上形成有至少一个第一挡墙251,且所述第一挡墙251位于所述非显示区域212上,所述阴极121未覆盖的所述非显示区域212处还设置有至少一个第二挡墙241。
具体地,如图4C所示,所述封装层290包括第一无机层291、第二无机层293以及设置于所述第一无机层291和所述第二无机层293之间的有机层292,所述第一无机层291覆盖所述显示区域211和所述非显示区域212,所述有机层292覆盖所述显示区域211,并延伸至所述第一挡墙251远离所述第二挡墙241的一侧,所述第二无机层293覆盖所述显示区域211和所述非显示区域212,所述第一挡墙251和所述第二挡墙241用于防止所述有机层292中的有机溶液外溢,从而避免有机溶液外溢导致的相关问题。
本揭示实施例提供一种显示面板的制作方法,通过有机溶剂对所述像素定义层222和公共层223延伸至设置有所述驱动信号线230的所述非显示区域212的部分通过相应的有机溶剂进行刻蚀处理去除,从而缩减所述显示面板200的非显示区域212的宽度,提高显示面板200的屏占比。
综上所述,虽然本揭示以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本揭示,本领域的普通技术人员,在不脱离本揭示的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板,所述基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的非显示区域;
显示器件层,所述显示器件层设置于所述基板上,所述显示器件层包括依次层叠设置的阳极、像素定义层、公共层和阴极;
其中,所述阳极覆盖所述显示区域并延伸至所述非显示区域,所述像素定义层和所述公共层均设置于所述显示区域上,且均未延伸至所述显示区域至少一侧的所述非显示区域,所述阴极覆盖所述公共层且延伸至所述非显示区与所述阳极接触。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
驱动信号线,设置于所述基板的所述显示区域至少一侧的所述非显示区域上;
所述像素定义层和所述公共层均未延伸至设置有所述驱动信号线的所述非显示区域。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层和所述公共层的材料均为有机材料,所述像素定义层和所述公共层延伸至设置有所述驱动信号线的所述非显示区的部分,通过相应有机溶剂进行刻蚀处理。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括电压信号线,所述电压信号线设置于所述基板的所述显示区域至少一侧的所述非显示区域上,并与所述阳极相连接,所述驱动信号线设置于所述显示区域与所述电压信号线之间。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阳极远离所述基板的一侧上形成有至少一个第一挡墙,且所述挡墙位于所述非显示区域上,所述阳极未覆盖的所述非显示区域处设置有至少一个第二挡墙。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括封装层,所述封装层包括第一无机层、第二无机层以及设置于所述第一无机层和所述第二无机层之间的有机层,所述第一无机层覆盖所述显示区域和所述非显示区域,所述有机层覆盖所述显示区域,并延伸至所述第一挡墙远离所述第二挡墙的一侧,所述第二无机层覆盖所述显示区域和所述非显示区域。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至6任一项所述的显示面板。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
步骤S10:提供基板,所述基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的非显示区域;
步骤S20:依次在所述基板上沉积形成像素定义层和公共层,所述像素定义层和所述公共层均覆盖所述显示区域,且均延伸至所述非显示区域;
步骤S30:遮挡所述显示区域,去除延伸至所述显示区域至少一侧的所述非显示区域上的所述像素定义层和所述公共层。
9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述基板上还形成有驱动信号线,所述驱动信号线设置于所述基板的所述显示区域至少一侧的所述非显示区域上,在所述步骤S20中所述像素定义层和所述公共层均延伸至设置有所述驱动信号线的所述非显示区域。
10.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述像素定义层和所述公共层的材料均为有机材料,所述像素定义层和所述公共层延伸至设置有所述驱动信号线的所述非显示区域的部分,通过相应有机溶剂进行刻蚀处理去除。
CN201910762400.9A 2019-08-19 2019-08-19 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 Pending CN110634917A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910762400.9A CN110634917A (zh) 2019-08-19 2019-08-19 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US16/624,801 US11158692B1 (en) 2019-08-19 2019-11-06 Display panel, display device, and method for manufacturing a display panel
PCT/CN2019/115901 WO2021031370A1 (zh) 2019-08-19 2019-11-06 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910762400.9A CN110634917A (zh) 2019-08-19 2019-08-19 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110634917A true CN110634917A (zh) 2019-12-31

Family

ID=68970523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910762400.9A Pending CN110634917A (zh) 2019-08-19 2019-08-19 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11158692B1 (zh)
CN (1) CN110634917A (zh)
WO (1) WO2021031370A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023197356A1 (zh) * 2022-04-14 2023-10-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110084262A1 (en) * 2009-10-12 2011-04-14 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and organic light emitting display device have the thin film transistor
CN108550617A (zh) * 2018-06-22 2018-09-18 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109728195A (zh) * 2018-12-29 2019-05-07 厦门天马微电子有限公司 显示面板以及显示装置
CN109728040A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示装置
CN109742106A (zh) * 2019-01-03 2019-05-10 重庆京东方显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110120463A (zh) * 2019-05-24 2019-08-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140143629A (ko) * 2013-06-07 2014-12-17 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102579326B1 (ko) * 2015-12-23 2023-09-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6546525B2 (ja) * 2015-12-24 2019-07-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108922901A (zh) * 2018-06-28 2018-11-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN110137381B (zh) * 2019-06-11 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板
US11437599B2 (en) * 2019-08-19 2022-09-06 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110084262A1 (en) * 2009-10-12 2011-04-14 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and organic light emitting display device have the thin film transistor
CN109728040A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示装置
CN108550617A (zh) * 2018-06-22 2018-09-18 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109728195A (zh) * 2018-12-29 2019-05-07 厦门天马微电子有限公司 显示面板以及显示装置
CN109742106A (zh) * 2019-01-03 2019-05-10 重庆京东方显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110120463A (zh) * 2019-05-24 2019-08-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023197356A1 (zh) * 2022-04-14 2023-10-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11158692B1 (en) 2021-10-26
WO2021031370A1 (zh) 2021-02-25
US20210335936A1 (en) 2021-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9590212B2 (en) Organic EL display device and method for manufacturing the organic EL display device
US10367073B2 (en) Thin film transistor (TFT) with structured gate insulator
US11387261B2 (en) Array substrate and display device
US10665815B2 (en) Naturally discontinuous display mother-substrate and method of manufacturing the same, display substrate and display apparatus
CN106653768B (zh) Tft背板及其制作方法
WO2022111094A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US11610922B2 (en) Array substrate and display panel design improving aperture ratio
US8729538B2 (en) Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
US9099404B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, OLED display device
US10656478B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel
US20160043116A1 (en) Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof and display device
US10026608B2 (en) Array substrate, method for manufacturing the same, and display device
CN108831914B (zh) 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置
US10930717B2 (en) Display panel and method for manufacturing same
EP3723150B1 (en) Electronic apparatus substrate and manufacturing method, and display apparatus
US11494019B2 (en) Touch display device, touch display panel and manufacturing method thereof
US11393886B2 (en) Display panel and manufacturing method thereof, and display device
US20160343864A1 (en) Thin-Film Transistor and Manufacturing Method Thereof, Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, and Display Apparatus
KR101689886B1 (ko) 산화물 반도체를 이용한 박막트랜지스터 기판의 제조방법
US11894386B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel
CN110634917A (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
KR20240025042A (ko) 표시 패널, 표시 장치 및 표시 패널의 제조 방법
US11296174B2 (en) Method of manufacturing display panel and display panel
CN110993645A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111223875A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191231

RJ01 Rejection of invention patent application after publication