CN110611492A - 一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器 - Google Patents
一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110611492A CN110611492A CN201910846015.2A CN201910846015A CN110611492A CN 110611492 A CN110611492 A CN 110611492A CN 201910846015 A CN201910846015 A CN 201910846015A CN 110611492 A CN110611492 A CN 110611492A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave resonator
- multilayer film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 229910015372 FeAl Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，属于电子信息材料与器件技术领域。在声表面波谐振器表面依次形成绝缘层、磁敏感层和保护层，其中所述磁敏感层为非晶软磁薄膜和隔离层交替形成的多层膜。本发明提供的一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，在声表面波谐振器表面设置磁敏感层、保护层，可显著提高谐振器的灵敏度与品质因数，实施例磁声表面波谐振器的谐振频率为289.37MHz，Q值为1205.71；同时可通过改变叉指电极的方向实现声表面模式和传播方向的调控，应用范围更广。
Description
技术领域
本发明属于电子信息材料与器件技术领域，具体涉及一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，可用于磁场传感与探测，或者磁场调谐的声表面波谐振器、延迟线。
背景技术
近年来国内外广泛研究的由压电材料和磁致伸缩材料复合结构与声表面波(SAW)检测技术相结合，来设计制备基于磁电复合多层膜结构的磁电声表面波谐振器，可以实现低成本、宽频、大范围、低功耗、高灵敏度的磁场传感和探测。该类传感器的工作原理为：外加磁场会诱导磁致伸缩材料的杨氏模量发生变化，衬底的杨氏模量变化会引起声表面波谐振器的相速度发生变化，由于声表面波谐振器的波速ν、中心频率f0、波长λ三者满足：ν＝f0·λ，进而引起中心频率的大幅改变，实现磁场探测。类似地，在传统的声表面波谐振器或延迟线应用中，也可以通过施加磁场调节器件的谐振频率或者相位。
上述磁电声表面波磁场传感器目前可以通过多种形式实现：(1)将传统的SAW谐振器与磁致伸缩块材水平固定放置并接触，当施加磁场时磁致伸缩材料发生形变，并将应力传递给SAW谐振器，改变其中心谐振频率，从而实现对磁场的测量。这种方法相当于应力传感器，器件体积较大，磁场分辨率仅为10-7T。(2)使用磁性敏感材料直接替代传统的SAW谐振器的Al或者Cu叉指电极，使得叉指换能器的几何尺寸因磁场的变化而变化，从而实现对磁场的测量。但由于衬底的束缚作用以及强烈的形状各向异性，这种传感器的灵敏度也较低。(3)在Si衬底上依次生长压电层和磁致伸缩层，然后将磁致伸缩层粘接在转移衬底上，接着腐蚀Si衬底暴露压电层，完成叉指换能器的制备。该类传感器的磁场灵敏度Δf/ΔH可以超过2MHz/Oe，但制作工艺复杂，重复性差。(4)在磁致伸缩衬底上(包括氧化物或者Metgals非晶磁致伸缩带材或者FeGa合金等)直接生长压电层，通过微细加工、真空蒸镀等技术完成叉指换能器的制备。理论计算表明：当选用具有巨杨氏模量效应的Metgals非晶磁致伸缩带材时，该类传感器具有最高的磁场灵敏度Δf/ΔH>200MHz/Oe，但由于非晶带材既薄且脆，难以抛光，影响了后续压电层的制备和器件的整体性能；另一方面，选用氧化物或者FeGa合金都会由于较低的杨氏模量效应导致最终器件的磁场灵敏度远低于理论计算结果。
发明内容
本发明的目的在于，针对背景技术存在的缺陷，提出一种集成化、易加工、高灵敏度、高稳定性的磁电声表面波谐振器。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，其特征在于，在声表面波谐振器表面依次形成绝缘层、磁敏感层和保护层，其中所述磁敏感层为非晶软磁薄膜和隔离层交替形成的多层膜。
进一步地，所述磁敏感层为非晶软磁薄膜/(隔离层/非晶软磁薄膜)n的多层膜结构，n为大于1的正整数；磁敏感层的厚度为0.6～0.8μm，优选为0.8μm。
进一步地，所述非晶软磁薄膜为FeSiB、FeSiBC、FeCoSiB、FeGaB等非晶薄膜，或者Ni、FeGa、FeAl等合金薄膜，单层厚度为100～250nm；所述隔离层为SiO2、Al2O3、HfO2、TiO2或ZnO等，单层厚度为5～20nm。
进一步地，所述声表面波谐振器为单端口声表面波谐振器，包括压电单晶和形成于压电单晶之上的叉指电极。其中，压电单晶为石英单晶，或者LiTaO3、LiNbO3等压电单晶，厚度为1～2mm；叉指电极为Cu或Al等，厚度为50～100nm。
进一步地，所述绝缘层为SiO2、Al2O3、HfO2、TiO2或ZnO等，厚度为60～70nm；所述保护层为SiO2、Al2O3、HfO2、TiO2或ZnO等，厚度为70～80nm。
进一步地，所述基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，通过改变叉指电极的方向，来调控声表面波模式和传播方向；通过改变磁敏感层的厚度，实现不同声波模式下波速和品质因数的调控。
优选地，所述叉指电极中，金属化率η＝a/p＝0.6～0.8，其中，a为线宽，p为指间距。
进一步地，所述磁敏感层和保护层通过磁控溅射法制得。
本发明的有益效果为：
1、本发明提供的一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，在声表面波谐振器表面设置磁敏感层、保护层，可显著提高谐振器的灵敏度与品质因数，实施例磁声表面波谐振器的谐振频率为289.37MHz，Q值为1205.71；同时可通过改变叉指电极的方向实现声表面模式和传播方向的调控，应用范围更广。
2、本发明提供的一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，采用非均匀叉指换能器，通过增加线宽降低指间距，有利于上层薄膜的平坦化生长，有效降低了软磁薄膜的矫顽力和饱和磁化场，提高了器件磁灵敏度。
附图说明
图1为本发明提供的一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器的结构示意图；其中，1为压电单晶，2为绝缘层，3为磁敏感层，4为保护层，5为隔离层，6为叉指电极IDT；
图2为本发明提供的磁电声表面波谐振器中，不同叉指电极方向下Rayleigh波的波速随磁敏感层杨氏模量的变化曲线(a)和不同叉指电极方向下Love波的波速随磁敏感层杨氏模量的变化曲线(b)；
图3为本发明提供的磁电声表面波谐振器中，机电耦合系数随石英转角角度的变化曲线；
图4为本发明提供的磁电声表面波谐振器中，波速随磁敏感层厚度的变化曲线；
图5为本发明提供的磁电声表面波谐振器中，机电耦合系数随磁敏感层厚度的变化曲线；
图6为本发明提供的磁电声表面波谐振器中，FOM(FOM＝dv/dE×K2)随磁敏感层厚度的变化曲线；
图7为实施例2提供的磁电声表面波谐振器中，叉指电极的结构示意图；
图8为实施例2提供的磁电声表面波谐振器中，叉指电极的断面SEM；
图9为实施例2提供的磁电声表面波谐振器的S参数测试结果。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，详述本发明的技术方案。
如图1所示，为本发明提供的一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器的结构示意图；包括声表面波谐振器、绝缘层、磁敏感层和保护层。其中，声表面波谐振器为单端口声表面波谐振器，包括压电单晶与叉指电极IDT6，单端口器件稳定性好，噪声低，适合点频振荡；绝缘层为SiO2，用于隔离叉指电极与磁敏感层；磁敏感层为非晶软磁薄膜和隔离层交替形成的多层膜，采用具有巨杨氏模量效应的非晶软磁薄膜作为磁致伸缩材料，隔离层用于隔离相邻的软磁薄膜；保护层为SiO2等，用于隔离软磁薄膜与空气，以防止软磁薄膜氧化，保证磁敏感层的灵敏度。
本发明提供的一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器中，压电单晶为石英单晶或者LiTaO3、LiNbO3等压电单晶，其在各个方向上弹性性能和电学性能都不同，在ST切石英平面上可通过改变叉指电极IDT的方向实现声表面模式和传播方向的调控，如图2所示。选取不同的角度，计算在不同角度的方向上Rayleigh波和Love波波速随磁敏感层杨氏模量的变化，由图2可知，Rayleigh波波速随角度的增大逐渐升高，而Love波在0～45°范围内波速降低，45～90°范围内上升。虽然不同方向上波速不同，但各方向上波速随杨氏模量变化曲线近乎平行，即dv/dE无太大差异。为了探寻器件的最优谐振工作模式，图3给出了机电耦合系数随石英转角角度的变化曲线，其中Rayleigh波在0°时机电耦合系数仅为0.035％，在34°时达到峰值0.126％，在90°方向上接近于0，几乎无法起振；而Love波在0°、45°下机电耦合系数很低，在90°方向上有最大值0.186％。表明在器件性能一致的情况下，Rayleigh模式器件的最优声传播角度在34°方向，Love模式器件最优角度在90°方向上。
本发明提供的一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器中，磁敏感层厚度对器件的性能影响很大。这是由于磁场诱导磁敏感层杨氏模量变化，导致相速度改变，进而引起谐振频率的改变；IDT激发的声表面波传入磁敏感层中，一方面部分声能量被限制于磁敏感层内，另一方面石英衬底的位移也受到磁敏感层的束缚和调制。分别选取不同的磁敏感层厚度d＝0.1μm、0.2μm、…、1.3μm共13个值，分析两种模式在磁敏感层杨氏模量E＝70-120GPa时相速度随磁敏感层厚度的变化，结果如图4所示。由图4可知，随着磁敏感层厚度的增加，Rayleigh波和Love波在相同杨氏模量变化下的波速变化幅度不断增大，且Love波波速变化幅度一直大于Rayleigh波，表明该器件中Love波具有更好的传感性能。图5为两种模式下器件机电耦合系数随磁敏感层厚度的变化曲线；表明随着磁敏感层厚度的增加，由于质量负载，压电晶体中机械能和电能的相互作用减弱，两种模式机电耦合系数都降低。Love波质点位移主要在y方向，z方向上较小，而瑞利波在z方向上有较大位移，随着磁敏感层变厚，Love波声能量更多地集中在软磁薄膜层内，因此K2下降地更快，但也一直优于瑞利波，对比之下Love波模式谐振性能更好。
谐振器的灵敏度与品质因数是评价器件的两个重要指标，本发明提供的一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器中，可通过控制磁敏感层的厚度调控器件的性能。图4为本发明提供的磁电声表面波谐振器中，波速随磁敏感层厚度的变化曲线；表明随着磁敏感层厚度的增大，dv/dE增大，而dv/dE与器件的灵敏度成正比。图5为本发明提供的磁电声表面波谐振器中，机电耦合系数随磁敏感层厚度的变化曲线；表明随着磁敏感层厚度的增大，K2却在变小，K2直接与品质因数相关。图6为本发明提供的磁电声表面波谐振器中，FOM随磁敏感层厚度的变化曲线；其中，FOM＝dv/dE×K2，对于两种模式，FOM都在0.6～0.8μm之间有峰值，且在0.8以上区域有明显下降趋势。
实施例1
一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器的制作方法，具体包括以下步骤：
步骤1、选取ST切向的石英单晶，采用光刻工艺将掩模版上的叉指电极图形转移至石英单晶上，真空蒸镀Al电极层后剥离多余部分，在石英单晶上得到叉指电极；均匀叉指电极整齐平滑，线宽a为2μm，指间距p为4μm，叉指电极的金属化率η为0.5，厚度为50nm；
步骤2、在上述谐振器上采用磁控溅射法制作一层SiO2绝缘层；其中，靶材选用直径为的SiO2靶(纯度99.99％)，溅射气压0.3Pa，射频功率RF150W，厚度为60nm；
步骤3、CMP工艺抛光绝缘层表面：将粒径为50nm悬浮抛光液滴在磨砂革抛光垫上，对谐振器进行抛光处理，直至表面粗糙度低于5nm；
步骤4、在绝缘层上采用直流磁控溅射法制备软磁薄膜层；其中，靶材选用直径为的FeCoSiB靶，溅射气压0.3Pa，功率DC90W，溅射过程中原位施加250Oe的偏置磁场以诱导平面单轴各向异性；
步骤5、在软磁薄膜层上制备SiO2隔离层/软磁薄膜层，得到“软磁薄膜/隔离层/软磁薄膜/隔离层/软磁薄膜”的多层膜结构，其中，FeCoSiB软磁薄膜的厚度为200nm，SiO2隔离层的厚度为20nm；
步骤6、在上步得到的器件表面制作SiO2保护层；其中，靶材选用直径为的SiO2靶(纯度99.99％)，溅射气压0.3Pa，射频功率RF150W，厚度为80nm。
实施例2
本实施例与实施例1相比，区别在于：叉指电极为非均匀电极，叉指电极线宽a为2μm，指间距p为2.5μm，叉指电极的金属化率η为0.8，通过增加线宽降低指间距，有利于绝缘层的平坦化生长；省略步骤3的CMP抛光过程。
其中，叉指电极的结构如图7所示；两组叉指电极相互交错排列，宽度为W，线宽为a，指间距为p，金属化率η＝a/p，均匀叉指换能器中，p＝2a，η＝0.5。实施例2中采用非均匀叉指换能器，p＝1.25a，η＝0.6～0.8，通过增加线宽降低指间距，有利于绝缘层的平坦化生长。在该叉指电极上生长绝缘层和磁敏感层，得到的断面SEM如图8所示，得到的磁敏感层表面平坦，有利于其保持优良的软磁性能，提高器件的磁灵敏度。图9为实施例2提供的磁电声表面波谐振器的S参数测试结果，测试表明实施例2磁电声表面波谐振器的谐振频率为289.37MHz，Q值为1205.71。
Claims (8)
1.一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，其特征在于，在声表面波谐振器表面依次形成绝缘层、磁敏感层和保护层，其中所述磁敏感层为非晶软磁薄膜和隔离层交替形成的多层膜。
2.根据权利要求1所述的基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，其特征在于，所述磁敏感层为非晶软磁薄膜/(隔离层/非晶软磁薄膜)n的多层膜结构，n为大于1的正整数。
3.根据权利要求1所述的基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，其特征在于，所述磁敏感层的厚度为0.6～0.8μm。
4.根据权利要求1所述的基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，其特征在于，所述非晶软磁薄膜为FeSiB、FeSiBC、FeCoSiB、FeGaB非晶薄膜，或者Ni、FeGa、FeAl合金薄膜，厚度为100～250nm。
5.根据权利要求1所述的基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，其特征在于，所述隔离层为SiO2、Al2O3、HfO2、TiO2或ZnO，厚度为5～20nm。
6.根据权利要求1所述的基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器为单端口声表面波谐振器，包括压电单晶和形成于压电单晶之上的叉指电极。
7.根据权利要求1所述的基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，其特征在于，所述基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，通过改变叉指电极的方向，调控声表面波模式和传播方向；通过改变磁敏感层的厚度，实现不同声波模式下波速和品质因数的调控。
8.根据权利要求6所述的基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指电极中，金属化率η＝a/p＝0.5～0.8，其中，a为线宽，p为指间距。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910846015.2A CN110611492A (zh) | 2019-09-09 | 2019-09-09 | 一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910846015.2A CN110611492A (zh) | 2019-09-09 | 2019-09-09 | 一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110611492A true CN110611492A (zh) | 2019-12-24 |
Family
ID=68892338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910846015.2A Pending CN110611492A (zh) | 2019-09-09 | 2019-09-09 | 一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110611492A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113406541A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-17 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 谐振式双轴磁传感器及双轴磁传感器测试系统 |
| CN114034406A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-11 | 株洲国创轨道科技有限公司 | 一种磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器 |
| CN114566792A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-31 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 声驱动磁电天线及其制备方法 |
| CN114722755A (zh) * | 2022-03-11 | 2022-07-08 | 电子科技大学 | 一种低损耗薄膜体声波磁电谐振器的设计方法 |
| CN114824775A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-07-29 | 电子科技大学 | 一种多周期声激励磁电天线 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959388A (en) * | 1997-10-27 | 1999-09-28 | Lucent Technologies Inc. | Magnetically tunable surface acoustic wave devices |
| CN1522449A (zh) * | 2001-08-31 | 2004-08-18 | Tdk株式会社 | 叠层软磁性部件、软磁性薄片及叠层软磁性部件的制造方法 |
| CN1688036A (zh) * | 2005-06-09 | 2005-10-26 | 上海交通大学 | 基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法 |
| CN102435959A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-05-02 | 电子科技大学 | 一种磁声表面波磁场传感器及其制备方法 |
| CN104215917A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-17 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 边界波谐振式磁传感器 |
-
2019
- 2019-09-09 CN CN201910846015.2A patent/CN110611492A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959388A (en) * | 1997-10-27 | 1999-09-28 | Lucent Technologies Inc. | Magnetically tunable surface acoustic wave devices |
| CN1522449A (zh) * | 2001-08-31 | 2004-08-18 | Tdk株式会社 | 叠层软磁性部件、软磁性薄片及叠层软磁性部件的制造方法 |
| CN1688036A (zh) * | 2005-06-09 | 2005-10-26 | 上海交通大学 | 基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法 |
| CN102435959A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-05-02 | 电子科技大学 | 一种磁声表面波磁场传感器及其制备方法 |
| CN104215917A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-17 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 边界波谐振式磁传感器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 刘力等: ""基于磁致伸缩多层膜的磁声表面波传感器"", 《压电与声光》 * |
| 胡文彬等: ""基于磁致伸缩多层膜的磁声表面波传感器"", 《中国力学大学论文集（CCTAM2019）》 * |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113406541A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-17 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 谐振式双轴磁传感器及双轴磁传感器测试系统 |
| CN113406541B (zh) * | 2021-06-18 | 2023-03-14 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 谐振式双轴磁传感器及双轴磁传感器测试系统 |
| CN114034406A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-11 | 株洲国创轨道科技有限公司 | 一种磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器 |
| CN114034406B (zh) * | 2021-11-08 | 2024-05-28 | 株洲国创轨道科技有限公司 | 一种磁致伸缩高能激励的低频声表面波传感器 |
| CN114566792A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-31 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 声驱动磁电天线及其制备方法 |
| CN114566792B (zh) * | 2022-03-02 | 2024-04-19 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 声驱动磁电天线及其制备方法 |
| CN114722755A (zh) * | 2022-03-11 | 2022-07-08 | 电子科技大学 | 一种低损耗薄膜体声波磁电谐振器的设计方法 |
| CN114824775A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-07-29 | 电子科技大学 | 一种多周期声激励磁电天线 |
| CN114824775B (zh) * | 2022-05-11 | 2023-03-03 | 电子科技大学 | 一种多周期声激励磁电天线 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110611492A (zh) | 一种基于磁致伸缩多层膜的磁电声表面波谐振器 | |
| CN104198963B (zh) | 一种磁电声表面波磁场传感器及其制备方法 | |
| CN106154186B (zh) | 声表面波磁传感器及其制备方法 | |
| WO2011077942A1 (ja) | 磁気センサ素子及びその製造方法並びに磁気センサ装置 | |
| CN109188407A (zh) | 基于磁致伸缩金属衬底的磁声纳传感器及其制备方法 | |
| US20020008443A1 (en) | Thin film, method for manufacturing thin film, and electronic component | |
| Yang et al. | Enhanced performance love wave magnetic field sensors with temperature compensation | |
| CN110572135A (zh) | 高频声波谐振器及其制备方法 | |
| Osugi et al. | Single crystal FBAR with LiNbO3 and LiTaO3 piezoelectric substance layers | |
| Elhosni et al. | Experimental study of multilayer piezo-magnetic SAW delay line for magnetic sensor | |
| Smole et al. | Magnetically tunable SAW-resonator | |
| Wang et al. | Characteristics of surface acoustic waves excited by (1120) zno films deposited on R-sapphire substrates | |
| Wang et al. | Characteristics of surface acoustic waves in (11 ̄ 2 2¯ 0) ZnO film/R-sapphire substrate structures | |
| Li et al. | Surface acoustic wave based magnetic sensors | |
| Huang et al. | MEMS surface acoustic wave resonator based on AlN/Si/Fe–Co–Si–B structure for magnetic field sensing | |
| CN114659540B (zh) | 基于磁偏置结构的高灵敏度声表面波矢量磁场传感系统 | |
| Tanaka et al. | Propagation characteristics of shear horizontal surface acoustic waves in (11 2 0) ZnO film/silica glass substrate structures | |
| JP3825141B2 (ja) | インダクタンス素子 | |
| JP2000165188A (ja) | 圧電共振子 | |
| Wang et al. | Multiferroic Magnetic Sensor Based on AlN and Al 0.7 Sc 0.3 N thin film $ S$ | |
| Xue et al. | High Q Lateral-Field-Excited Bulk Resonator Based on Single-Crystal LiTaO₃ for 5G Wireless Communication | |
| CN203025154U (zh) | 一种基于zctc压电晶体的声表面波气体传感器 | |
| Hu et al. | Design of Surface Acoustic Wave Magnetic Field Sensor Based on Multilayer Composite Thin Film Ta/TbDyFe/Cr | |
| Ellis et al. | Magnetically transduced surface acoustic wave devices | |
| JPH04341005A (ja) | ダイヤモンド状膜を用いた表面弾性波素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20191224 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |