CN110601135A - 过温保护装置、过温保护方法、计算机设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种过温保护装置，包括：温度检测电路、隔离跟随电路、比较电路和控制电路；温度检测电路用于检测当前温度并根据所述当前温度输出检测电压；隔离跟随电路与所述温度检测电路电性连接，用于接收所述检测电压并生成跟随电压；比较电路与所述隔离跟随电路电性连接，用于比较所述跟随电压和第一基准电压并生成比较电压；控制电路与所述比较电路电性连接，用于比较所述比较电压和第二基准电压并生成控制电压进而根据所述控制电压控制电流通断。本发明的过温保护装置能够根据当前温度自动控制充电设备电流通断，保证了充电安全，实现了充电控制智能化。本发明进一步提供一种过温保护方法、计算机设备及存储介质。

Description

过温保护装置、过温保护方法、计算机设备及存储介质

技术领域

本发明涉及充电领域，具体而言，主要涉及一种过温保护装置、过温保护方法、计算机设备及存储介质。

背景技术

国家对新能源汽车的支持, 促进了新能源汽车的快速发展,相应配套的充电桩也越来越多的建立起来, 其中交流充电桩是比较常见的一种, 多建在居民小区停车位上,或者其他公共停车场。交流充电桩通过充电导引电路的脉冲宽度调制信号与汽车通信，实现了连接确认、充电电流确认以及启动停止充电等通信功能。但是由于充电桩由于需要输出电流至车辆进行充电，当充电功率较高时将会在充电过程中产生较多热量，从而导致充电桩的充电接口处温度较高，从而引发安全隐患。因此如何设计一种实现安全充电的过温保护装置将成为新能源汽车充电领域发展的一个重要课题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种实现安全充电的过温保护装置、过温保护方法、计算机设备及存储介质。

为了实现上述目的，本发明采用如下的技术方案：

第一方面，本发明提供一种过温保护装置，包括：

温度检测电路、隔离跟随电路、比较电路和控制电路；

所述温度检测电路用于检测当前温度并根据所述当前温度输出检测电压；

所述隔离跟随电路与所述温度检测电路电性连接，用于接收所述检测电压并生成跟随电压；

所述比较电路与所述隔离跟随电路电性连接，用于比较所述跟随电压和第一基准电压并生成比较电压；

所述控制电路与所述比较电路电性连接，用于比较所述比较电压和第二基准电压并生成控制电压进而根据所述控制电压控制电流通断。

第二方面，本发明提供一种过温保护方法，包括：

检测当前温度并根据所述当前温度输出检测电压；

根据所述检测电压生成跟随电压；

比较所述跟随电压和第一基准电压并生成比较电压；

比较分压后的所述比较电压和第二基准电压并生成控制电压；

根据所述控制电压控制电流通断。

第三方面，本发明提供一种计算机设备，所述计算机设备包括存储器以及处理器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序以使所述计算机设备执行本发明第二方面所述的过温保护方法。

第四方面，本发明提供一种存储介质，用于存储计算机程序，所述计算机程序被执行时实现本发明第二方面所述的过温保护方法。

本发明的有益效果：

本发明的提供的过温保护装置及过温保护方法，能够检测充电设备当前温度并将温度转换为检测电压，通过比较检测电压和第一基准电压判断当前温度是否超过预设的温度预警值，并在超过温度预警值时，自动控制充电设备的电流中断，从而防止温度过高导致充电设备损坏或引发安全事故，保证了充电设备的安全，实现了充电控制的智能化。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对本发明范围的限定。

图1为本发明一较佳实施方式的过温保护装置的结构框图；

图2为本发明一较佳实施方式的过温保护装置的电路结构图；

图3为本发明另一较佳实施方式的过温保护方法的流程示意图；

图4为本发明另一较佳实施方式的计算机设备的结构框图；

图5为本发明另一较佳实施方式的存储介质的结构框图。

具体实施方式

在下文中，将更全面地描述本发明的各种实施例。本发明可具有各种实施例，并且可在其中做出调整和改变。然而，应理解：不存在将本发明的各种实施例限于在此公开的特定实施例的意图，而是应将本发明理解为涵盖落入本发明的各种实施例的精神和范围内的所有调整、等同物和/或可选方案。

在下文中，可在本发明的各种实施例中使用的术语“包括”或“可包括”指示所公开的功能、操作或元件的存在，并且不限制一个或更多个功能、操作或元件的增加。此外，如在本发明的各种实施例中所使用，术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。

在本发明的各种实施例中，表述“A或/和B”包括同时列出的文字的任何组合或所有组合，例如，可包括A、可包括B或可包括A和B二者。

在本发明的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件，不过可不限制相应组成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如，第一用户装置和第二用户装置指示不同用户装置，尽管二者都是用户装置。例如，在不脱离本发明的各种实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，同样地，第二元件也可被称为第一元件。

应注意到：在本发明中，除非另有明确的规定和定义，“安装”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接、也可以是可拆卸连接、或者一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也是可以通过中间媒介间接相连；可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，本领域的普通技术人员需要理解的是，文中指示方位或者位置关系的术语为基于附图所示的方位或者位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本发明的各种实施例。除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本发明的各种实施例中被清楚地限定。

请参考图1，图1示出了本发明一较佳实施方式的过温保护装置100的结构框图。进一步地，所述过温保护装置100用于检测充电设备的充电接口处的火线接口和/或零线接口的温度，以防止温度过高造成充电设备的损坏。进一步地，在本实施方式中，所述过温保护装置100包括温度检测电路10、隔离跟随电路20、提醒单元30、比较电路40及控制电路50，所述温度检测电路10用于检测火线接口和/或零线接口的当前温度并根据所述火线接口和/或零线接口的当前温度输出检测电压，所述隔离跟随电路20与所述温度检测电路10电性连接，用于接收所述检测电压并生成跟随电压且用于隔离所述温度检测电路10和所述比较电路40及所述控制电路50；所述提醒单元30与所述隔离跟随电路20电性连接，以将所述隔离跟随电路20输出的跟随电压转换为温度信息并显示所述温度信息，从而便于使用者了解充电设备火线接口和/或零线接口的当前温度情况；所述比较电路40与所述隔离跟随电路20电性连接，用于比较所述跟随电压和第一基准电压并生成比较电压，所述控制电路50与所述比较电路40电性连接，用于根据所述比较电压控制充电设备的电流通断，从而在火线接口和/或零线接口出现温度较高的情况时断开充电设备的电流，以防止损坏所述充电设备。

请结合参考图2，进一步地，在本实施方式中，所述温度检测电路10包括第一温度检测子电路11和第二温度检测子电路13，所述第一温度检测子电路11和所述第二温度检测子电路13电性连接，所述第一温度检测子电路11设置于火线接口或零线接口上用于检测火线接口或零线接口的第一当前温度并生成第一检测电压，所述第二温度检测子电路13设置于零线接口或火线接口上用于检测零线接口或火线接口上的第二当前温度并生成第二检测电压。

进一步地，所述第一温度检测子电路11包括第一数字电源VDD1、第一热敏电阻NTC1、第一电阻R1、第一电容C1和第一二极管D1，所述第一热敏电阻NTC1一端与所述第一数字电源VDD1电性连接，另一端与所述第一电阻R1、所述第一电容C1及所述第一二极管D1的正极电性连接，所述第一电阻R1和所述第一电容C1的另一端接地，所述第一二极管D1的负极与所述隔离跟随电路20电性连接。进一步地，所述第一热敏电阻NTC1和所述第一电阻R1组成分压电路，以对所述第一数字电源VDD1输出的电压进行分压；所述第一热敏电阻NTC1和所述第一电容C1组成RC滤波电路，以对所述第一数字电源VDD1进行滤波。

进一步地，所述第二温度检测子电路13包括第二数字电源VDD2、第二热敏电阻NTC2、第二电阻R2、第二电容C2和第二二极管D2，所述第二热敏电阻NTC2一端与所述第二数字电源VDD2电性连接，另一端与所述第二电阻R2、所述第二电容C2及所述第二二极管D2的正极电性连接，所述第二电阻R2和所述第二电容C2的另一端接地，所述第二二极管D2的负极与所述第一二极管D1的负极电性连接。进一步地，所述第二热敏电阻NTC2和所述第二电阻R2组成分压电路，以对所述第二数字电源VDD2输出的电压进行分压；所述第二热敏电阻NTC2和所述第二电容C2组成RC滤波电路，以对所述第二数字电源VDD2进行滤波。

进一步地，在本实施方式中，所述第一数字电源VDD1和所述第二数字电源VDD2输出的电压相同，所述第一热敏电阻NTC1和所述第二热敏电阻NTC2的型号规格相同，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的阻值相同，所述第一二极管D1和所述第二二极管D2的型号规格相同。

进一步地，在本实施方式中，所述第一热敏电阻NTC1和所述第二热敏电阻NTC2为负温度系数的热敏电阻，当温度升高时，阻值减小；反之，当温度降低时，阻值增大。可以理解，当所述第一温度检测子电路11和所述第二温度检测子电路13检测到的温度升高时，所述第一热敏电阻NTC1和所述第二热敏电阻NTC2的阻值均减小，对所述第一数字电源VDD1及所述第二数字电源VDD2输出的电压分压作用减小，从而输出的第一检测电压和第二检测电压增大；反之，所述第一温度检测子电路11和所述第二温度检测子电路13检测到的温度降低时，所述第一热敏电阻NTC1和所述第二热敏电阻NTC2的阻值均增大，对所述第一数字电源VDD1及所述第二数字电源VDD2输出的电压分压作用增大，从而输出的第一检测电压和第二检测电压减小。

进一步地，所述第一二极管D1对所述第一温度检测子电路11进行电路隔离，所述第二二极管D2对所述二温度检测子电路13进行电路隔离，以防止所述第一温度检测子电路11输出的第一检测电压进入所述第二温度检测子电路13从而损坏所述第二数字电源VDD2或第二温度检测子电路13输出的第二检测电压进入所述第一温度检测子电路11从而损坏所述第一数字电源VDD1。进一步地，由于所述第一二极管D1和所述第二二极管D2电性连接且所述第一温度检测子电路11和所述第二温度检测子电路13与所述隔离跟随电路20连接，因此传送至所述隔离跟随电路20的检测电压为所述第一温度检测子电路11输出的第一检测电压和所述第二温度检测子电路13输出的第二检测电压中的较大值。

进一步地，所述隔离跟随电路20包括第一运算放大器U1和第一电源单元21，所述第一运算放大器U1与所述第一温度检测子电路11、所述第二温度检测子电路13及所述第一电源单元21电性连接。

进一步地，所述第一运算放大器U1的同相输入端与所述第一二极管D1的负极及所述第二二极管D2的负极电性连接，所述第一运算放大器U1的输出端与所述第一运算放大器U1的反向输入端及所述比较电路40电性连接，所述运算放大器U1的正极供电端与所述第一电源单元21电性连接，所述运算放大器U1的负极供电端接地。

进一步地，在本实施方式中，由于所述第一运算放大器U1的输出端与所述第一运算放大器U1的反向输入端电性连接，从而使得所述第一运算放大器U1形成电压负反馈的放大器，因此输出的跟随电压的幅度和极性均与输入至所述第一运算放大器U1的检测电压相同。进一步地，所述第一运算放大器U1由于电压负反馈的作用，频响宽、输入阻抗大、输出阻抗小，能够对所述第一运算放大器U1前端的温度检测电路10和后端的比较电路40及控制电路50进行隔离和缓冲，避免所述温度检测电路10对后续的比较电路40和所述控制电路50造成干扰。

进一步地，所述第一电源单元21包括第一电压源211和第三电容C3，所述第三电容C3一端连接所述第一电压源211，另一端接地，以对所述第一电压源211输出的电压进行滤波。

进一步地，所述提醒单元30连接在所述第一运算放大器U1的输出端，用于接收所述第一运算放大器U1输出的跟随电压并将所述跟随电压转换为温度信息从而显示所述温度信息，进而便于使用者了解充电设备火线接口和/或零线接口的当前温度情况。可以理解，由于所述第一热敏电阻NTC1和所述第二热敏电阻NTC2的阻值与温度存在对应关系，因此可以通过所述第一热敏电阻NTC1和所述第二热敏电阻NTC2的分压情况推算出所述第一热敏电阻NTC1和所述第二热敏电阻NTC2当前的阻值，并通过所述热敏电阻当前的阻值推算出当前火线接口和零线接口的温度情况。进一步地，在本实施方式中，由于所述跟随电压与所述检测电压相等，所述检测电压为所述第一检测电压和所述第二检测电压中的较大者，因此所述提醒单元30获取到的电压为所述第一检测电压和所述第二检测电压中的较大者。例如：若当前所述跟随电压为2.8V，则说明所述第一检测电压和所述第二检测电压中较大的电压为2.8V，由于所述第一数字电源VDD1和所述第二数字电源VDD2输出的电压相同，所述第一热敏电阻NTC1和所述第二热敏电阻NTC2的型号规格相同，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的阻值相同，所述第一二极管D1和所述第二二极管D2的型号规格相同，下面以第一温度检测子电路11为例来说明如何根据跟随电压得出当前温度。若第一二极管D1的压降为0.2V，第一电阻R1的阻值为2Ω，第一数字电源VDD1为3.3V，则所述第一电阻R1的电压为3V，可以推算出所述第一热敏电阻NTC1的电压为0.3V，当前阻值为30Ω，再根据所述第一热敏电阻NTC1当前的阻值推算出所述第一温度检测子电路11检测到的当前温度，例如所述第一电阻R1阻值30Ω时的对应的温度为70°，则当前的较高温度为70°。

进一步地，所述比较电路40包括第二电源单元41、第二运算放大器U2及第三电源单元43，所述第二运算放大器U2与所述第一运算放大器U1、所述第二电源单元41及所述第三电源单元43电性连接。

进一步地，所述第二运算放大器U2的同向输入端与所述第一运算放大器U1的输出端电性连接，所述第二运算放大器U2的反向输入端与所述第二电源单元41电性连接，所述第二运算放大器U2的正极供电端与所述第三电源单元43电性连接，所述第二运算放大器U2的负极供电端接地。

所述第二电源单元41用于为所述第二运算放大器U2的反向输入端提供第一基准电压，所述第二电源单元41包括第三数字电源VDD3、第五电阻R5、第六电阻R6及第三三极管D3，所述第五电阻R5一端与所述第三数字电源VDD3电性连接，另一端与所述第六电阻R6及所述第三三极管D3的正极电性连接，所述第六电阻R6的另一端接地，所述第三三极管D3的负极与所述第二运算放大器U2的反向输入端电性连接。进一步地，所述第五电阻R5和所述第六电阻R6组成分压电路以为所述第三数字电源VDD3输出的电压进行分压并输出第一基准电压至所述第二运算放大器U2的反向输入端。在本实施方式中，所述第六电阻R6的阻值与所述第一电阻R1和所述第二电阻R2相同，所述第三三极管D3的型号规格与所述第一二极管D1和所述第二二极管D2的型号规格相同，所述第三数字电源VDD3与所述第一数字电源VDD1及所述第二数字电源VDD2输出的电压均相同。

所述第三电源单元43用于为所述第二运算放大器U2的正极供电端供电，所述第三电源单元43包括第二电压源431、第七电阻R7及第四电容C4，所述第七电阻R7和所述第四电容C4与所述第二电压源431电性连接，所述第七电阻R7的另一端与所述第二放大器U2的输出端电性连接，以形成上拉电阻从而将所述第二电压源431输出的电压固定在高电平，使得所述第二电压源431输出的电压保持稳定，所述第四电容C4的另一端接地，以对所述第二电压源431滤波。

进一步地，当所述跟随电压大于所述第一基准电压时，所述比较电压等于所述第三电源单元43输出的电压；当所述跟随电压小于所述第一基准电压时，由于所述第二运算放大器U2的负极供电端接地，则所述比较电压等于0。

进一步地，在本实施方式中，所述第五电阻R5的阻值可以根据温度预警值进行设定，从而使得所述第一基准电压与所述温度预警值对应设置。进一步地，可以所述第二运算放大器U2比较所述跟随电压和所述第一基准电压的大小后能够判断所述温度检测电路10检测到的当前温度是否超过温度预警值。例如：若温度预警值为85度，且85度时所述第一热敏电阻NTC1和所述第二热敏电阻NTC2的阻值为40Ω，则可将所述第五电阻R5的阻值设置为40Ω，第一基准电压设置为3V，由于所述第六电阻R6的阻值和所述第一电阻R1及所述第二电阻R2相同，所述第三三极管D3的型号规格与所述第一二极管D1和所述第二二极管D2的型号规格相同，所述第三数字电源VDD3与所述第一数字电源VDD1及所述第二数字电源VDD2输出的电压均相同，因此若所述跟随电压大于所述第一基准电压，则说明所述检测电压大于所述第一基准电压，此时所述第一热敏电阻NTC1或所述第二热敏电阻NTC2的当前阻值大于40Ω，因此所述充电设备的火线接口或零线接口的当前温度大于所述温度预警值。进一步地，通过比较所述检测电压与所述第一基准电压的关系，即可判断所述当前温度是否大于所述温度预警值。具体地，所述跟随电压大于所述第一基准电压时，所述当前温度大于所述温度预警值；所述跟随电压小于所述第一基准电压时，所述当前温度小于所述温度预警值。

进一步地，所述控制电路50包括第四电源单元51、分压子电路53、金属氧化物半导体管Q1、第五电容C5、第六电容C6及继电器55，所述分压子电路53与所述第二运算放大器U2的输出端电性及所述金属氧化物半导体管Q1的栅极电性连接，所述第四电源单元51与所述金属氧化物半导体管Q1的源极电性连接，所述金属氧化物Q1的漏极与所述第五电容C5、第六电容C6及所述继电器55电性连接。

进一步地，所述第四电源单元51用于输出第二基准电压至所述金属氧化物半导体管Q1，所述第四电源单元51包括第三电压源511和第七电容C7，所述第七电容C7一端连接所述第三电压源511，另一端接地，以为所述第三电压源511滤波。

进一步地，所述分压子电路53用于接收所述比较电路40输出的比较电压并分压后传送至所述金属氧化物Q1的栅极，所述分压电路53包括第七电阻R8和第八电阻R9，所述第八电阻R8的一端与所述第二运算放大器U2的输出端电性连接，另一端与所述第八电阻R9及所述金属氧化物Q1的栅极电性连接，所述第八电阻R9的另一端与所述第四电源单元51电性连接。

所述金属氧化物半导体管Q1用于根据所述分压子电路53分压后的所述比较电压和所述第四电源单元51输出的第二基准电压确定是否导通。可以理解，当所述分压子电路53分压后的所述比较电压与所述第二基准电压的差值大于所述金属氧化物半导体管Q1的开启电压时，所述金属氧化物半导体管Q1导通，并由所述金属氧化物半导体管Q1的漏极输出所述第二基准电压至所述继电器55从而控制所述继电器55闭合以使得电流导通，进而使得所述充电设备能够继续供电；当所述分压子电路53分压后的所述比较电压与所述第二基准电压的差值小于所述金属氧化物半导体管Q1的开启电压时，所述金属氧化物半导体管Q1不导通，从而控制所述继电器55断开以使得电流不导通，进而中断所述充电设备的供电。

进一步地，所述第五电容C5和所述第六电容C6的另一端接地，用于为所述金属氧化物半导体管Q1漏极输出的电压进行滤波。

下面进一步所述过温保护装置100的工作原理：

所述充电设备充电时，所述第一温度检测子电路11检测充电设备的火线接口或零线接口的温度，所述第二温度检测子电路13检测充电设备的零线接口或火线接口的温度，由于所述第一温度检测子电路11和所述第二温度检测子电路13检测的温度不同，输出的第一检测电压和第二检测电压也不同并由所述温度检测电路10将所述第一检测电压和所述第二检测电压中较大的电压作为检测电压输送至所述隔离跟随电路20，并由所述隔离跟随电路20的第一运算放大器U1的输出端输出所述跟随电压至所述提醒单元30及所述比较电路40，所述提醒单元30接收到所述跟随电压后能够将所述跟随电压换算为温度值并发送给用户以提醒充电设备火线接口和零线接口当前的最高温度，以便于用户知悉充电设备的过温情况；所述比较电路40接收到所述跟随电压后输出第一基准电压，并比较所述跟随电压与所述第一基准电压后生成比较电压。当所述跟随电压大于所述第一基准电压时，说明所述火线接口和零线接口当前的较高温度已经大于温度预警值，此时所述比较电压为所述第二运算放大器U2正极供电端输出的电压，为12V；当所述跟随电压小于所述第一基准电压时，说明火线接口和零线接口当前的较高温度小于温度预警值，此时所述比较电压为所述第二运算放大器U2负极供电端的电压，为0V。随后，所述比较电路40将所述比较电压进一步输入至所述控制电路50，所述控制电路50接收到所述比较电压后将所述比较电压分压，并输出第二基准电压与分压后的所述比较电压进行比较后生成控制电压，当所述比较电压为12V时，由于所述第二基准电压为12V，分压后的所述比较电压传送至所述金属氧化物半导体管Q1的栅极，所述第二基准电压传送至所述金属氧化物半导体管Q1的源极，此时所述金属氧化物半导体管Q1的源极和栅极的电压差值小于所述金属氧化物半导体管Q1的开启电压，此时所述金属氧化物半导体管Q1处于截止状态，此时所述控制电压为0，从而控制所述继电器53断开，进而断开所述充电设备的电流，为所述充电设备的火线接口或零线接口进行降温，以保护所述充电设备。当所述比较电压为0V时，由于所述第二基准电压为12V，分压后的所述比较电压传送至所述金属氧化物半导体管Q1的栅极，所述第二基准电压传送至所述金属氧化物半导体管Q1的源极，此时所述金属氧化物半导体管Q1的源极和栅极的电压差值大于所述金属氧化物半导体管Q1的开启电压，此时所述金属氧化物半导体管处于导通状态，所述控制电压等于所述第二基准电压，从而控制电流由所述金属氧化物半导体管Q1的源极流向漏极并输送至所述继电器53，进而控制所述继电器53闭合， 进而保持所述充电设备的电流继续导通，使得充电设备能够继续工作。

综上所述，本实施方式的过温保护装置不仅能够在所述检测电路检测到的火线接口或零线接口上的任意一个温度高于温度预警值时，控制所述继电器断开充电设备的供电，进而防止温度过高烧坏充电设备；而且能够在所述检测电路检测到的火线接口或零线接口上的任意一个温度均不高于温度预警值时，控制所述继电器恢复充电设备的供电，从而维持所述充电设备的正常供电，从而实现了自动检测充电设备的温度，无需用户通过软件读取当前温度值并根据温度值的高低手动进行断开充电设备的供电，保证了充电设备的安全，实现了充电设备控制的自动化。

请参考图3，本发明另一实施方式提供一种过温保护方法，所述过温保护方法，应用于前述过温保护装置的任意实施方式或实施方式的排列、组合，包括以下步骤：

步骤S210：检测当前温度并根据所述当前温度输出检测电压。

进一步地，在本实施方式中，充电设备的火线接口和零线接口上接入温度检测电路，并在所述温度检测电路中设置热敏电阻，用于检测火线接口和零线接口上的当前温度并根据当前温度情况输出对应的阻值，由于阻值随着温度变化，因此检测到不同的温度时，由于热敏电阻的阻值导致分压不同从而输出不同的检测电压。具体地，当检测到的温度高时，所述热敏电阻的电压降低，分压减小，从而输出的检测电压较高；当检测到的温度低时，所述热敏电阻的电压升高，分压增大，从而输出的检测电压较低。进一步地，在本实施方式中，由于在所述火线接口和零线接口上均接入温度检测电路，因此所述当前温度包括第一当前温度和第二当前温度，检测出所述第一当前温度后能够根据所述第一当前温度输出第一检测电压，检测出所述第二当前温度后能够根据所述第二当前温度输出第二检测电压，再根据所述第一检测电压和所述第二检测电压得出所述检测电压。进一步地，在本实施方式中，所述检测电压的电压值等于所述第一检测电压和所述第二检测电压中的较大值，即检测到的当前温度为火线接口和零线接口上较高的当前温度。

步骤S220：根据所述检测电压生成跟随电压。

进一步地，当生成所述检测电压后，所述检测电压输入至后续隔离跟随电路，通过所述隔离跟随电路隔离前端的温度检测电路和后端的控制电路，同时所述隔离跟随电路中设置第一运算放大器，通过所述第一运算放大器输出与所述检测电压的电压值相等的跟随电压至所述隔离跟随电路后端的控制电路中。

步骤S230：比较所述跟随电压和第一基准电压并生成比较电压。

进一步地，接收到所述跟随电压后，能够输出第一基准电压并与所述跟随电压进行比较从而确定所述当前温度是否大于预设的温度预警值。进一步地，在本实施方式中，所述第一基准电压与所述温度预警值对应，例如：若温度预警值为85°，第一基准电压为3V，因此通过比较所述跟随电压与所述第一基准电压即可得知所述当前温度是否大于预设的所述温度预警值。具体地，所述跟随电压大于所述第一基准电压时，则说明所述当前温度大于所述温度预警值；所述跟随电压小于所述第一基准电压时，则说明所述当前温度小于所述温度预警值。进一步地，设置第二运算放大器，所述第二运算放大器的同向输入端接收所述跟随电压，所述第二运算放大器的反向输入端接收所述第一基准电压，所述第二运算放大器的正极供电端连接12V电压源，所述第二运算放大器的负极供电端接地，因此当所述跟随电压大于所述第一基准电压时，所述比较电压为12V；当所述跟随电压小于所述第一基准电压时，所述比较电压为0V。

步骤S240：比较分压后的所述比较电压和第二基准电压并生成控制电压。

进一步地，接收到所述比较电压后，将所述比较电压通过分压子电路进行分压，并同时输出第二基准电压以与所述分压后的比较电压进行比较从而生成控制电压。进一步地，设置金属氧化物半导体管，所述金属氧化物半导体管的栅极接收分压后的所述比较电压，所述金属氧化物半导体管的源极接收所述第二基准电压，所述金属氧化物半导体管的漏极输出所述控制电压。当所述第二基准电压与分压后的所述比较电压的电压差值大于预设值时，所述金属氧化物半导体管处于导通状态，因此所述控制电压的电压值等于所述第二基准电压的电压值；当所述第二基准电压与分压后的所述比较电压的电压差值小于预设值时，所述金属氧化物半导体管处于截止状态，此时所述金属氧化物半导体管不导通，因此所述控制电压的电压值等于0。进一步地，在本实施方式中，所述预设值为金属氧化物半导体管的开启电压，即大于所述开启电压时，所述金属氧化物半导体管处于导通状态；小于所述开启电压时，所述金属氧化物半导体管处于截止状态。

步骤S250：根据所述控制电压控制电流通断。

进一步地，所述控制电压能够通过控制继电器的闭合和断开从而控制充电设备的电流通断。在本实施方式中，所述继电器在电压等于所述第二基准电压的电压值时，处于闭合状态；所述继电器在电压小于所述第二基准电压的电压值时，处于断开状态。因此，当所述控制电压的电压值等于所述第二基准电压的电压值时，能够通过所述继电器控制电流导通，从而使得充电设备能够继续工作；当所述控制电压的电压值等于0时，能够通过所述继电器控制电流中断，从而使得充电设备停止工作。

综上所述，本实施方式的过温保护方法能够检测充电设备的零线接口和火线接口当前温度，并在当前温度大于充电设备预设的温度预警值时，通过控制电压控制继电器断开充电设备的供电，从而保护充电设备；并在当前温度不大于充电设备预设的温度预警值时，通过控制电压控制继电器恢复充电设备的供电，从而在安全状态下恢复充电设备的供电，实现了自动检测充电设备的温度，无需用户通过软件读取当前温度值并根据温度值的高低手动进行断开供电的操作，保证了充电设备的安全，实现了充电设备控制的智能化。

请参考图4，本发明还提出一种计算机设备300，所述用户设备包括：存储器310、处理器330及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行过温保护方法的计算机程序320，所述处理器330运行所述计算机程序320以使所述计算机设备执行上述充电方法。

请参考图5，本发明还提出一种存储介质400，所述存储介质上存储有所述过温保护方法的计算机程序410，所述过温保护方法的计算机程序410被处理器执行时实现如上所述的过温保护方法的步骤。所述过温保护方法可参照上述实施方式，此处不再赘述。

上述过温保护装置中的各个模块的划分仅用于举例说明，在其他实施方式中，可将过温保护装置按照需要划分为不同的模块，以完成上述过温保护装置的全部或部分功能。上述过温保护装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以软件形式存储于计算机设备的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。

应注意：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流 程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可 存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、 动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM (SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (29)

1.一种过温保护装置，包括：温度检测电路、隔离跟随电路、比较电路和控制电路；

所述温度检测电路用于检测当前温度并根据所述当前温度输出检测电压；

所述隔离跟随电路与所述温度检测电路电性连接，用于接收所述检测电压并生成跟随电压；

所述比较电路与所述隔离跟随电路电性连接，用于比较所述跟随电压和第一基准电压并生成比较电压；

所述控制电路与所述比较电路电性连接，用于比较所述比较电压和第二基准电压并生成控制电压进而根据所述控制电压控制电流通断。

2.根据权利要求1所述的过温保护装置，其特征在于，

所述温度检测电路包括第一温度检测子电路和第二温度检测子电路，所述第一温度检测子电路和所述第二温度检测子电路电性连接，所述第一温度检测子电路用于检测第一当前温度并生成第一检测电压，所述第二温度检测子电路用于检测第二当前温度并生成第二检测电压。

3.根据权利要求2所述的过温保护装置，其特征在于，所述检测电压的电压值等于所述第一检测电压和所述第二检测电压中的较大值。

4.根据权利要求2所述的过温保护装置，其特征在于，所述第一温度检测子电路包括第一数字电源VDD1、第一热敏电阻NTC1、第一电阻R1、第一电容C1和第一二极管D1，所述第一热敏电阻NTC1一端与所述第一数字电源VDD1电性连接，另一端与所述第一电阻R1、所述第一电容C1及所述第一二极管D1的正极电性连接，所述第一电阻R1和所述第一电容C1的另一端接地，所述第一二极管D1的负极与所述隔离跟随电路电性连接。

5.根据权利要求4所述的过温保护装置，其特征在于，所述第二温度检测子电路包括第二数字电源VDD2、第二热敏电阻NTC2、第二电阻R2、第二电容C2和第二二极管D2，所述第二热敏电阻NTC2一端与所述第二数字电源VDD2电性连接，另一端与所述第二电阻R2、所述第二电容C2及所述第二二极管D2的正极电性连接，所述第二电阻R2和所述第二电容C2的另一端接地，所述第二二极管D2的负极与所述第一二极管D1的负极电性连接。

6.根据权利要求5所述的过温保护装置，其特征在于，所述隔离跟随电路包括第一运算放大器U1和第一电源单元，所述第一运算放大器U1与所述第一温度检测子电路、所述第二温度检测子电路及所述第一电源单元电性连接。

7.根据权利要求6所述的过温保护装置，其特征在于，所述第一运算放大器U1的同相输入端与所述第一二极管D1的负极及所述第二二极管D2的负极电性连接，所述第一运算放大器U1的输出端与所述第一运算放大器U1的反向输入端及所述比较电路电性连接，所述运算放大器U1的正极供电端与所述第一电源单元电性连接，所述运算放大器U1的负极供电端接地。

8.根据权利要求7所述的过温保护装置，其特征在于，所述跟随电压的电压值等于所述检测电压的电压值。

9.根据权利要求8所述的过温保护装置，其特征在于，所述第一基准电压与温度预警值对应设置。

10.根据权利要求9所述的过温保护装置，其特征在于，所述跟随电压大于所述第一基准电压时，所述当前温度大于所述温度预警值；所述跟随电压小于所述第一基准电压时，所述当前温度小于所述温度预警值。

11.根据权利要求7所述的过温保护装置，其特征在于，所述比较电路包括第二电源单元、第二运算放大器U2及第三电源单元，所述第二运算放大器U2与所述第一运算放大器U1、所述第二电源单元及所述第三电源单元电性连接。

12.根据权利要求11所述的过温保护装置，其特征在于，所述第二运算放大器U2的同向输入端与所述第一运算放大器U1的输出端电性连接，所述第二运算放大器U2的反向输入端与所述第二电源单元电性连接，所述第二运算放大器U2的正极供电端与所述第三电源单元电性连接，所述第二运算放大器U2的负极供电端接地。

13.根据权利要求12所述的过温保护装置，其特征在于，所述比较电路在所述跟随电压小于所述第一基准电压时，生成的所述比较电压为0；所述比较电路在所述跟随电压大于所述第一基准电压时，生成的所述比较电压为所述第二运算放大器U2的正极供电端输出的电压。

14.根据权利要求12所述的过温保护装置，其特征在于，所述第二电源单元包括第三数字电源VDD3、第五电阻R5、第六电阻R6及第三三极管D3，所述第五电阻R5一端与所述第三数字电源VDD3电性连接，另一端与所述第六电阻R6及所述第三三极管D3的正极电性连接，所述第六电阻R6的另一端接地，所述第三三极管D3的负极与所述第二运算放大器U2的反向输入端电性连接。

15.根据权利要求12所述的过温保护装置，其特征在于，所述控制电路包括第四电源单元、分压子电路、金属氧化物半导体管Q1、第五电容C6、第六电容C7及继电器，所述分压子电路与所述第二运算放大器U2的输出端电性连接及所述金属氧化物半导体管Q1的栅极电性连接，所述第四电源单元与所述金属氧化物半导体管Q1的源极电性连接，所述金属氧化物Q1的漏极与所述第五电容C6、第六电容C7及所述继电器电性连接。

16.根据权利要求15所述的过温保护装置，其特征在于，所述分压子电路用于接收所述比较电路输出的比较电压并分压后传送至所述金属氧化物Q1的栅极，所述分压电路包括第七电阻R8和第八电阻R9，所述第七电阻R8的一端与所述第二运算放大器U2的输出端电性连接，另一端与所述第八电阻R9及所述金属氧化物半导体管Q1的栅极电性连接，所述第八电阻R9的另一端与所述第四电源单元电性连接。

17.根据权利要求15所述的过温保护装置，其特征在于，所述控制电路在所述第二基准电压与分压后的所述比较电压的差值大于所述金属氧化物半导体管Q1的电压时，生成的所述控制电压的电压值等于所述第二基准电压的电压值；所述控制电路在所述第二基准电压与分压后的所述比较电压的差值小于所述金属氧化物半导体管Q1的开启电压时，所述控制电压的电压值等于0。

18.根据权利要求17所述的过温保护装置，其特征在于，所述控制电路用于在所述控制电压的电压值等于所述第二基准电压的电压值时，控制电流导通；所述控制电路用于在所述控制电压的电压值等于0时，控制电流中断。

19.根据权利要求6所述的过温保护装置，其特征在于，所述过温保护装置进一步包括提醒单元，所述提醒单元与所述第一运算放大器U1的输出端电性连接，用于将所述第一运算放大器U1输出的跟随电压转换为温度信息并显示所述温度信息。

20.一种过温保护方法，其特征在于，包括：

检测当前温度并根据所述当前温度输出检测电压；

根据所述检测电压生成跟随电压；

比较所述跟随电压和第一基准电压并生成比较电压；

比较分压后的所述比较电压和第二基准电压并生成控制电压；

根据所述控制电压控制电流通断。

21.根据权利要求20所述的过温保护方法，其特征在于，检测温度并根据温度输出检测电压包括：

检测第一当前温度并根据所述第一当前温度输出第一检测电压；

检测第二当前温度并根据所述第二当前温度输出第二检测电压；

根据所述第一检测电压和所述第二检测电压得出检测电压。

22.根据权利要求21所述的过温保护方法，其特征在于，所述检测电压的电压值等于所述第一检测电压和所述第二检测电压中的较大值。

23.根据权利要求22所述的过温保护方法，其特征在于，所述跟随电压的电压值等于所述检测电压的电压值。

24.根据权利要求20所述的过温保护方法，其特征在于，所述第一基准电压与温度预警值对应设置。

25.根据权利要求24所述的过温保护方法，其特征在于，所述跟随电压大于所述第一基准电压时，所述当前温度大于所述温度预警值；所述跟随电压小于所述第一基准电压时，所述当前温度小于所述温度预警值。

26.根据权利要求25所述的过温保护方法，其特征在于，比较所述比较电压和第二基准电压并生成控制电压包括：

所述第二基准电压与分压后的所述比较电压的差值大于预设值，所述控制电压的电压值等于所述第二基准电压的电压值；所述第二基准电压与分压后的所述比较电压的差值小于预设值时，所述控制电压的电压值等于0。

27.根据权利要求26所述的过温保护方法，其特征在于，根据所述控制电压控制电流通断包括：

所述控制电压的电压值等于所述第二基准电压的电压值时，控制电流导通；

所述控制电压的电压值等于0时，控制电流中断。

28.一种计算机设备，包括：

存储器，用于存储计算机程序；以及

处理器，用于执行所述计算机程序从而完成权利要求20-27中任意一项所述的过温保护方法。

29.一种存储介质，用于存储计算机程序，所述计算机程序被执行时实现权利要求20-27中任意一项所述的过温保护方法。