CN110600845B - 一种内置式容性交叉耦合滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种内置式容性交叉耦合滤波器，包括本体，所述本体包括下本体和上本体，所述下本体的前端面上设置有输入电极和输出电极，所述输入电极和输出电极之间设置有水平排列且等间距设置的第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔，所述前端面上位于第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔的外圈均设置有第一银层，所述下本体和上本体的接触面之间设置有第二银层，所述第二银层的两端延伸至第一谐振腔和第三谐振腔，所述下本体和上本体之间粘结并烧结为一体结构。该内置式容性交叉耦合滤波器可以实现更大的耦合量。
Description
技术领域
本发明涉及一种耦合滤波器，尤其涉及一种内置式容性交叉耦合滤波器。
背景技术
在微波电路中，交叉耦合滤波器可以被用来对信号进行滤波处理。而目前的容性交叉耦合滤波器包括一个本体，在本体的前端面上设置了输入电极和输出电极，而在输入电极和输出电极之间并排设置了三个谐振腔，谐振腔的外围设置了第一银层，而在前端面上位于三个谐振腔的上方设置了条状的第二银层，这样信号的流向是通过输入电极输入，然后经过三个谐振腔依次耦合后传递至输出电极，而同时位于两侧的谐振腔再通过第二银层之间的耦合而传递给输出电极。
然这种滤波器存在以下缺点：第二银层与第一银层之前的间距t影响耦合量，间距越小耦合量越大，间距越大耦合量越小。然由于银层图案是印刷上去的，无法实现较小的间距，一般为0.3mm左右，所以此种方案无法实现较大的耦合量。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种能实现更大的耦合量内置式容性交叉耦合滤波器。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种内置式容性交叉耦合滤波器，包括本体，所述本体包括下本体和上本体，所述下本体的前端面上设置有输入电极和输出电极，所述输入电极和输出电极之间设置有水平排列且等间距设置的第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔，所述前端面上位于第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔的外圈均设置有第一银层，所述下本体和上本体的接触面之间设置有第二银层，所述第二银层的两端延伸至第一谐振腔和第三谐振腔，所述下本体和上本体之间粘结并烧结为一体结构。
作为一种优选的方案，所述第二银层设置于下本体的上表面，且第二银层为矩形。
作为一种优选的方案，所述第二银层设置于上本体的下表面，且第二银层为矩形。
作为一种优选的方案，所述第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔为圆柱孔状腔室。
作为一种优选的方案，所述第一银层的外轮廓为矩形，且各第一银层之间的间距相等。
作为一种优选的方案，所述输入电极和输出电极分别位于前端面的左下角和右下角。
作为一种优选的方案，所述输入电极靠近第一谐振腔，输出电极靠近第二谐振腔，所述输入电极与第一谐振腔外围的第一银层底部之间的间距等于输出电极与第二谐振腔外围的第一银层底部之间的间距。
采用了上述技术方案后，本发明的效果是：由于容性交叉耦合滤波器包括本体，所述本体包括下本体和上本体，所述下本体的前端面上设置有输入电极和输出电极，所述输入电极和输出电极之间设置有水平排列且等间距设置的第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔，所述前端面上位于第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔的外圈均设置有第一银层，所述下本体和上本体的接触面之间设置有第二银层，所述第二银层的两端延伸至第一谐振腔和第三谐振腔，所述下本体和上本体之间粘结并烧结为一体结构，因此，由于第二银层是设置在下本体和上本体的接触面之间，因此，这样印刷更加方便，可以使第二银层和第一银层之间的间距更近，可以实现更大的耦合量，而同时，第二银层不受前端面的尺寸影响，整体宽度可以更宽，而第二银层的宽度也同样可以实现更大的耦合量。
又由于所述第二银层设置于下本体的上表面，且第二银层为矩形。因此，该第二银层的印刷非常方便。
又由于所述第一银层的外轮廓为矩形，且各第一银层之间的间距相等，因此，各第一银层之间的耦合效果更好，波动更小。同样，所述输入电极靠近第一谐振腔，输出电极靠近第二谐振腔，所述输入电极与第一谐振腔外围的第一银层底部之间的间距等于输出电极与第二谐振腔外围的第一银层底部之间的间距。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明实施例的结构示意图；
图2是本发明实施例的下本体和上本体分开时的示意图；
图3是本发明实施例中第二银层宽度与耦合量的关系图；
附图中：1.下本体；2.上本体；3.第一谐振腔；4.第二谐振腔；5.第三谐振腔；6.输入电极；7.输出电极；8.第一银层；9.第二银层。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明作进一步的详细描述。
如图1至图3所示，一种内置式容性交叉耦合滤波器，包括本体，所述本体包括下本体1和上本体2，所述下本体1的前端面上设置有输入电极6和输出电极7，本实施例中，所述输入电极6和输出电极7分别位于前端面的左下角和右下角。所述输入电极6和输出电极7之间设置有水平排列且等间距设置的第一谐振腔3、第二谐振腔4和第三谐振腔5，其中，所述第一谐振腔3、第二谐振腔4和第三谐振腔5为圆柱孔状腔室。所述前端面上位于第一谐振腔3、第二谐振腔4和第三谐振腔5的外圈均设置有第一银层8，所述第一银层8的外轮廓为矩形，且各第一银层8之间的间距相等。
所述下本体1和上本体2的接触面之间设置有第二银层9，所述第二银层9的两端延伸至第一谐振腔3和第三谐振腔5，所述下本体1和上本体2之间粘结并烧结为一体结构。
其中第二银层9的设置的位置有两种，其中一种是所述第二银层9设置于下本体1的上表面，且第二银层9为矩形。
而另一种结构是所述第二银层9设置于上本体2的下表面，且第二银层9为矩形。其中如图2所示，第二银层9的宽度定义为W，且从图3中可以发现，在一定范围内是W的宽度越大，耦合量越大。所述输入电极6靠近第一谐振腔3，输出电极7靠近第二谐振腔4，所述输入电极6与第一谐振腔3外围的第一银层8底部之间的间距等于输出电极7与第二谐振腔4外围的第一银层8底部之间的间距。
本发明的工作原理是：信号从输入电极6输入后分别依次通过第一谐振腔3外围的第一银层8、第二谐振腔4外围的第一银层8、第三谐振腔5外围的第一银层8的容性交叉耦合后，最终从输出电极7输出，另外，信号经过第一谐振腔3外围的第一银层8、第二银层9和第三谐振腔5外围的第一银层8的依次容性耦合后，最终从输出电极7中输出。
本发明中的耦合滤波器可以满足更大的耦合量的要求，第一银层8和第二银层9之间的间距可以控制更小，第二银层9的宽度也可以设置得宽度更宽，以满足更大的耦合量的要求。
以上所述实施例仅是对本发明的优选实施方式的描述，不作为对本发明范围的限定，在不脱离本发明设计精神的基础上，对本发明技术方案作出的各种变形和改造，均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。
Claims (6)
1.一种内置式容性交叉耦合滤波器，包括本体，其特征在于：所述本体包括下本体和上本体，所述下本体的前端面上设置有输入电极和输出电极，所述输入电极和输出电极之间设置有水平排列且等间距设置的第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔，所述前端面上位于第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔的外圈均设置有第一银层，所述下本体和上本体的接触面之间设置有第二银层，所述第二银层的两端延伸至第一谐振腔和第三谐振腔，所述下本体和上本体之间粘结并烧结为一体结构，所述第一银层的外轮廓为矩形，第二银层为矩形，且各第一银层之间的间距相等。
2.如权利要求1所述的一种内置式容性交叉耦合滤波器，其特征在于：所述第二银层设置于下本体的上表面，且第二银层为矩形。
3.如权利要求1所述的一种内置式容性交叉耦合滤波器，其特征在于：所述第二银层设置于上本体的下表面，且第二银层为矩形。
4.如权利要求2或3所述的一种内置式容性交叉耦合滤波器，其特征在于：所述第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔为圆柱孔状腔室。
5.如权利要求4所述的一种内置式容性交叉耦合滤波器，其特征在于：所述输入电极和输出电极分别位于前端面的左下角和右下角。
6.如权利要求5所述的一种内置式容性交叉耦合滤波器，其特征在于：所述输入电极靠近第一谐振腔，输出电极靠近第二谐振腔，所述输入电极与第一谐振腔外围的第一银层底部之间的间距等于输出电极与第二谐振腔外围的第一银层底部之间的间距。
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