CN110597344B - 电压调整装置、芯片及电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种电压调整装置、芯片及电子设备，所述装置包括输入模块、钳位模块、第一晶体管、第二晶体管、控制模块及输出模块，所述控制模块电连接于所述输入模块的第一端及所述输出模块，用于：在所述输出模块输出的输出电压与所述输入电压的差值小于或等于预设值的情况下，输出脉冲宽度调制PWM信号到所述第二晶体管的栅极端，输出所述钳位信号到所述第一晶体管的栅极端，将所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极端的电压钳位至第一电压。本公开可以使得第一晶体管上的能量损耗在一个固定值，减小、甚至消除了功耗随电流变化的波形性，可以使得电压调整装置的电压调整效率维持在高的水准，并降低能量损耗。

Description

电压调整装置、芯片及电子设备

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种电压调整装置、芯片及电子设备。

背景技术

电压调整技术在电子设备中得到普遍的应用，由于人们的需求呈现多种多样性，不同类型电子设备的额定工作状态也不相同，因此技术人员需要采用电压调整技术将同一类型的电能调整为符合电子设备安全运行需求的工作电压，以保障电子设备能够始终处于稳定的状态。通过电压调整电路能够保障电力系统能够兼容各种类型的电子设备的供电需求，不同的电子元器件接入调整后的电能，以满足用户的不同电路功能需求，从而电压调整技术的发展得到给电子设备的使用带来了极大的便利，节省了电子设备的电能供应成本，方便人们的生产生活。

然而，相关技术在进行电压调整时，常常因为模式切换导致能耗升高、效率较低的问题。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种电压调整装置，所述装置包括输入模块、钳位模块、第一晶体管、第二晶体管、控制模块及输出模块，其中：

所述输入模块的第一端电连接于所述钳位模块的第一输入端，用于接收输入电压，所述输入模块的第二端电连接于所述钳位模块的第二输入端、所述第二晶体管的漏极端及所述第一晶体管的漏极端，

所述第一晶体管的栅极端及所述第二晶体管的栅极端电连接于所述控制模块，所述第一晶体管的源极端电连接于所述输出模块，所述第二晶体管的源极端接地，

所述钳位模块的输出端电连接于所述控制模块，用于输出钳位信号，

所述控制模块电连接于所述输入模块的第一端及所述输出模块，用于：

在所述输出模块输出的输出电压与所述输入电压的差值小于或等于预设值的情况下，输出脉冲宽度调制PWM信号到所述第二晶体管的栅极端，输出所述钳位信号到所述第一晶体管的栅极端，将所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极端的电压钳位至第一电压。

在一种可能的实施方式中，所述钳位模块包括钳位电阻、电流源、第一开关、第一电容、误差放大器、缓冲单元，其中：

所述钳位电阻的第一端电连接于所述输入模块的第二端、所述第一晶体管的栅极端及所述第二晶体管的栅极端，所述钳位电阻的第二端电连接于所述电流源的正极端及所述第一开关的第一端，

所述电流源的负极端接地，

所述第一开关的第二端连接于所述第一电容的第一端及所述误差放大器的负极端，所述第一开关的控制端电连接于所述控制模块，

所述第一电容的第二端接地，

所述误差放大器的输出端电连接于所述缓冲单元的输入端，

所述缓冲单元的输出端电连接于所述控制模块，

其中，所述缓冲单元包括电压跟随器。

在一种可能的实施方式中，所述输出所述钳位信号到所述第一晶体管的栅极端，包括：

输出第一开关控制信号控制所述第一开关的导通状态，以输出所述钳位信号到所述第一晶体管的栅极端，

其中，所述第一电压为所述电流源在所述钳位电阻上产生的电压，所述第一开关控制信号为所述PWM信号的取反信号。

在一种可能的实施方式中，所述控制模块还用于：

在所述输出电压与所述输入电压的差值大于预设值的情况下，输出所述PWM信号到所述第一晶体管的栅极端及所述第二晶体管的栅极端。

在一种可能的实施方式中，所述控制模块包括模式切换子模块、控制子模块及占空比调整子模块，所述模式切换子模块的输入端用于接收所述输入电压及所述输出电压，所述模式切换子模块的输出端电连接于所述控制子模块的第一输入端，所述控制子模块的第二输入端电连接于所述占空比调整子模块的输出端，所述占空比调整子模块的输入端用于接收所述输出模块的反馈电压，其中，

所述模式切换子模块用于根据所述输入电压及所述输出电压的大小关系输出模式切换信号；

所述占空比调整子模块用于根据所述反馈电压调整PWM信号的占空比；

所述控制子模块用于：

根据所述模式切换信号将PWM信号输出到所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极；或

根据所述模式切换信号将PWM信号输出到所述第二晶体管的栅极，将所述钳位信号输出到所述第一晶体管的栅极。

在一种可能的实施方式中，所述控制模块还包括开关子模块，所述开关子模块电连接于所述钳位模块、所述控制模块及所述第一晶体管的栅极，所述控制模块还用于：

根据所述模式切换信号控制所述开关子模块的导通状态，以将所述钳位信号输出到所述第一晶体管的栅极，或将所述PWM信号输出到所述第一晶体管的栅极。

在一种可能的实施方式中，所述输入模块包括电感，所述输出模块包括第一输出电阻、第二输出电阻及输出电容，其中，

所述第一输出电阻的第一端电连接于所述第一晶体管的源极及所述输出电容的第一端，用于输出所述输出电压，

所述第一输出电阻的第二端电连接于所述第二输出电阻的第一端，

所述第二输出电阻的第二端及所述输出电容的第二端接地。

根据本公开的另一方面，提出了一种芯片，所述芯片包括：

所述的电压调整装置。

根据本公开的另一方面，提出了一种电子设备，所述电子设备包括：

所述的芯片。

根据以上装置，本公开在输出模块40输出的输出电压与所述输入电压的差值小于或等于预设值的情况下，输出脉冲宽度调制PWM信号到所述第二晶体管Q2的栅极端，输出所述钳位信号到所述第一晶体管Q1的栅极端，可以将所述第一晶体管Q2及所述第二晶体管Q1的栅极端的电压钳位至第一电压，从而使得电压调整装置从升压模式(boost)切换到二极管(diode)模式的情况下，第一晶体管Q1上的能量损耗在一个固定值，减小、甚至消除了功耗随电流变化的波形性，可以使得电压调整装置的电压调整效率维持在高的水准，并降低能量损耗。

根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。

附图说明

包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本公开的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本公开的原理。

图1示出了根据本公开一实施方式的电压调整装置的示意图。

图2a示出了根据本公开一实施方式的电压调整装置的示意图。

图2b示出了根据本公开一实施方式的缓冲单元的示意图。

图3示出了利用电压调整装置进行电压调整的示意图。

图4示出了利用本公开电压调整转置进行电压调整的效果示意图。

具体实施方式

以下将参考附图详细说明本公开的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。

在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。

另外，为了更好的说明本公开，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本公开同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本公开的主旨。

请参阅图1，图1示出了根据本公开一实施方式的电压调整装置的示意图。

如图1所示，所述装置包括输入模块10、钳位模块20、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、控制模块30及输出模块40，其中：

所述输入模块10的第一端电连接于所述钳位模块20的第一输入端，用于接收输入电压Vin，所述输入模块10的第二端电连接于所述钳位模块20的第二输入端、所述第二晶体管Q2的漏极端及所述第一晶体管Q3的漏极端，

所述第一晶体管Q1的栅极端及所述第二晶体管Q2的栅极端电连接于所述控制模块30，所述第一晶体管Q1的源极端电连接于所述输出模块40，所述第二晶体管Q2的源极端接地，

所述钳位模块20的输出端电连接于所述控制模块30，用于输出钳位信号，所述控制模块30电连接于所述输入模块10的第一端及所述输出模块40，用于：

在所述输出模块40输出的输出电压与所述输入电压的差值小于或等于预设值的情况下，输出脉冲宽度调制PWM信号到所述第二晶体管Q2的栅极端，输出所述钳位信号到所述第一晶体管Q1的栅极端，将所述第一晶体管Q2及所述第二晶体管Q1的栅极端的电压钳位至第一电压。

根据以上装置，本公开在输出模块40输出的输出电压与所述输入电压的差值小于或等于预设值的情况下，输出脉冲宽度调制PWM信号到所述第二晶体管Q2的栅极端，输出所述钳位信号到所述第一晶体管Q1的栅极端，可以将所述第一晶体管Q2及所述第二晶体管Q1的栅极端的电压钳位至第一电压，从而使得电压调整装置从升压模式(boost)切换到二极管(diode)模式的情况下，第一晶体管Q1上的能量损耗在一个固定值，不会随着负载电流的变化而变化，可以使得电压调整装置的电压调整效率维持在高的水准，并降低能量损耗。

在一种可能的实施方式中，升压模式可以为：输出模块40输出的输出电压与输入电压Vin的差值大于预设值的情况。

在一种可能的实施方式中，二极管模式可以为：输出模块40输出的输出电压与所述输入电压的差值小于或等于预设值的情况。

当电压调整装置工作在二极管模式的情况下，本公开的电压调整装置中，第一晶体管Q1的电压差对电流不敏感，功耗受电流影响较小，减小、甚至消除了随电流变化的波形性，可以在不同的负载情况下实现高效率，并且保持系统稳定。

在一种可能的实施方式中，所述预设值可以为0～500mV。

优选地，所述预设值可以为100mV，200mV，300mV等。

在一张可能的实施方式中，所述第一电压可以根据需要设定，本公开对第一电压的数值不做限制。

请参阅图2a，图2a示出了根据本公开一实施方式的电压调整装置的示意图。

在一种可能的实施方式中，输入模块10可以包括输入电感L。

应该明白的是，本公开以输入模块10包括输入电感L为例进行了说明，但是，本公开不限于此，在其他的实施方式中，输入模块10可以包括其他的元器件，例如，可以包括输入电阻、或输入电阻网络，输入电感L可以替换为输入电感网络等，对此，本公开不做限制。

在一种可能的实施方式中，如图2a所示，所述钳位模块20可以包括钳位电阻R3、电流源I1、第一开关S1、第一电容C1、误差放大器EA、缓冲单元buffer，其中：

所述钳位电阻R3的第一端电连接于所述输入模块10的第二端、所述第一晶体管Q1的栅极端及所述第二晶体管Q2的栅极端，所述钳位电阻R3的第二端电连接于所述电流源I1的正极端及所述第一开关S1的第一端，所述电流源I1的负极端接地，所述第一开关S1的第二端连接于所述第一电容C1的第一端及所述误差放大器EA的负极端，所述第一开关S1的控制端电连接于所述控制模块30，所述第一电容C1的第二端接地，所述误差放大器EA的输出端电连接于所述缓冲单元buffer的输入端，所述缓冲单元buffer的输出端电连接于所述控制模块30。

请参阅图2b，图2b示出了根据本公开一实施方式的缓冲单元的示意图。

在一种可能的实施方式中，如图2b所示，所述缓冲单元可以为电压跟随器。

在一个示例中，电压跟随器的增益为1。

在一个示例中，所述缓冲单元可以包括：

电流源Ib的第一端接收输入电压Vin，第二端电连接于电阻Rbuff1的第一端、晶体管nm3、晶体管nm5的栅极，

电阻Rbuff1的第二端电连接于晶体管nm3的漏极、晶体管nm4的栅极、晶体管nm6的栅极，

晶体管nm3的栅极电连接于晶体管nm5的栅极，

晶体管nm3的源极电连接于晶体管nm4的漏极，

晶体管nm4的栅极电连接于晶体管nm6的栅极，

晶体管nm5的源极电连接于晶体管nm6的漏极，晶体管nm5的漏极电连接于电阻Rbuff2的第一端、晶体管pm2的栅极、晶体管pm5的栅极、晶体管pm6的栅极、晶体管pm8的栅极，

电阻Rbuff2的第二端电连接于晶体管pm2的漏极、晶体管pm1的栅极、晶体管pm7的栅极，

晶体管pm2的源极电连接于晶体管pm1的漏极，

晶体管pm1的源极电连接于晶体管pm3的源极、晶体管pm4的源极、晶体管pm7的源极，用于接收输入电压Vin，

晶体管nm3～晶体管nm12形成电流镜，晶体管nm7～晶体管nm12的具体连接关系在此不再赘述。

晶体管nm1的栅极用于输入钳位信号，晶体管nm1的源极电连接于晶体管nm7的漏极及晶体管nm2的源极，晶体管nm1的漏极电连接于晶体管pm3的漏极及晶体管pm5的源极，

晶体管nm2的漏极电连接于晶体管pm4的漏极及晶体管pm6的源极，

晶体管pm3的栅极、晶体管pm4的栅极电连接于晶体管pm5的漏极，

晶体管pm6的漏极电连接于晶体管pm9的栅极、晶体管nm11的漏极及电容Cd的第一端，

晶体管nm4、nm6、nm8、nm10、nm12的源极、电容Cd的第二端、晶体管pm9的漏极接地，

晶体管pm7的漏极电连接于晶体管pm8的源极，

晶体管pm8的漏极电连接于晶体管pm9的源极及晶体管nm2的栅极，用于输出钳位信号，

通过以上缓冲单元，本公开可以对钳位信号进行缓冲，输出缓冲后的钳位信号。

当然，应该明白的是，以上对缓冲单元的描述是示例性的，在其他的实施方式中，本领域技术人员可以作出改变、改进，只要可以实现缓冲功能即可。

本公开对缓冲单元buffer的具体实施方式不做限定，本领域技术人员可以根据实际需要选择。

应该说明的是，本公开不对第一电压的数值进行限定，本领域技术人员可以根据需要选择电流源I1的数值、钳位电阻R3的数值，从而确定第一电压的数值。

在一种可能的实施方式中，电流源I1可以为恒流源，输出恒定电流。

在一种可能的实施方式中，如图2a所示，误差放大器EA可以被设置为虚短模式，当第一开关S1导通时，EA的两输入端的电压相同(近似相同)，都可以为输入电压Vin，在这种情况下，钳位电阻R3的第一端的电压为Vin+△V，其中，△V＝I1*R3。

在这种情况下，第一晶体管Q1的栅极电压通过小环路自动调节(负反馈)从而保证第一晶体管Q1的能量消耗为Q＝I_lin*V_DS＝I_lin*(V_in+ΔV-V_out)，，其中，I_lin表示此时的电感电流，V_DS表示第一晶体管源极端及漏极端的电压差，本领域技术人员可以根据需要选取适当的ΔV电压，以自适应的满足系统对于效率要求。

在一种可能的实施方式中，所述输出所述钳位信号到所述第一晶体管Q1的栅极端，可以包括：

输出第一开关控制信号控制所述第一开关S1的导通状态，以输出所述钳位信号到所述第一晶体管Q1的栅极端，其中，所述第一电压为所述电流源I1在所述钳位电阻R3上产生的电压，所述第一开关控制信号为所述PWM信号的取反信号。

在一种可能的实施方式中，所述控制模块30还可以用于：

在所述输出电压与所述输入电压的差值大于预设值的情况下，输出所述PWM信号到所述第一晶体管Q1的栅极端及所述第二晶体管Q2的栅极端。

在这种情况下，电压调整装置工作在升压模式下，第一晶体管Q1及第二晶体管Q2都受PWM信号所控制，通过不同的占空比，达到对输出电压Vout的调制的功能，在这种情况下，开关轮流导通保证输入电感L的电流的连续性。

在一种可能的实施方式中，如图2a所示，所述控制模块30可以包括模式切换子模块310、控制子模块320及占空比调整子模块330。

在一种可能的实施方式中，所述模式切换子模块310的输入端可以用于接收所述输入电压Vin及所述输出电压Vout，所述模式切换子模块310的输出端电连接于所述控制子模块320的第一输入端，所述控制子模块320的第二输入端电连接于所述占空比调整子模块330的输出端，所述占空比调整子模块330的输入端可以用于接收所述输出模块40的反馈电压Vfb，其中，

所述模式切换子模块310可以用于根据所述输入电压及所述输出电压的大小关系输出模式切换信号；

所述占空比调整子模块330可以用于根据所述反馈电压调整PWM信号的占空比；

所述控制子模块320可以用于：

根据所述模式切换信号将PWM信号输出到所述第一晶体管Q1及所述第二晶体管Q2的栅极；或

根据所述模式切换信号将PWM信号输出到所述第二晶体管Q2的栅极，将所述钳位信号输出到所述第一晶体管Q1的栅极。

在一种可能的实施方式中，模式切换子模块310可以包括比较器、减法器等，可以将输出电压Vout与预设电压Vdif的差值输入到比较器的正极端，将输入电压Vin输入到比较器的负极端，并根据二者的大小关系输出模式切换信号。

本公开对预设电压Vdif的具体数值不做限制，本领域技术人员可以根据需要设定该预设电压Vdif。

本公开对占空比控制子模块330的具体实施方式不做限定，本领域技术人员可以根据需要确定占空比控制子模块330的实现方式，只要其可以根据反馈信号Vfb实现对占空比的控制接口。

同样的，本公开对控制子模块320的具体实施方式不做限定。

当然，控制子模块320可以根据占空比调整信号输出PWM信号，并可以输出各个开关的控制信号，因此，控制子模块320可以聚成有PWM逻辑控制器等。

在一种可能的实施方式中，如图2a所示，所述控制模块30还可以包括开关子模块，所述开关子模块电连接于所述钳位模块20、所述控制子模块320及所述第一晶体管Q1的栅极，所述控制模块30还可以用于：

根据所述模式切换信号控制所述开关子模块的导通状态，以将所述钳位信号输出到所述第一晶体管Q1的栅极，或将所述PWM信号输出到所述第一晶体管Q1的栅极。

在一种可能的实施方式中，开关子模块可以包括第二开关S2，第三开关S3。

其中，第二开关S2的第一端电连接于所述控制子模块320，用于接收PWM信号，第二开关S2第第二端电连接于第一晶体管Q1的栅极。

第三开关S3的第一端电连接于缓冲单元buffer的输出端，用于接收钳位信号，第三开关S3的第二端电连接于第一晶体管Q1的栅极。

在一个示例中，控制子模块320可以在升压模式下输出开关信号控制第二开关S2导通，第三开关S3断开，从而将PWM信号输出到第一晶体管Q1的栅极。

在一个示例中，控制子模块320可以在二极管模式下输出开关信号控制第二开关S2断开，第三开关S3导通，从而将钳位信号输出到第一晶体管Q1的栅极。

在一种可能的实施方式中，如图2a所示，所述输出模块40可以包括第一输出电阻R1、第二输出电阻R2及输出电容Cout，其中，

所述第一输出电阻R1的第一端电连接于所述第一晶体管Q1的源极及所述输出电容Cout的第一端，用于输出所述输出电压Vout，

所述第一输出电阻R1的第二端电连接于所述第二输出电阻R2的第一端，所述第二输出电阻R2的第二端及所述输出电容Cout的第二端接地。

在一种可能的实施方式中，所述反馈信号Vfb可以是第二输出电阻R2的电压。

当然，以上对输出模块40的描述是示例性的，不应视为是对本公开的限制，在其他的实施方式中，输出模块40可以有其他的实现方式，本公开不做限定。

请参阅图3，图3示出了利用电压调整装置进行电压调整的示意图。

如图3所示，在升压模式下(diode_mode为低电平)，控制子模块320可以输出高电平使得第二开关S2导通，输出低电平使得第三开关S3断开，第一晶体管Q1及第二晶体管Q2的栅极都接收PWM信号，第一晶体管Q1及第二晶体管Q2在PWM信号的控制下轮流导通，第一晶体管的栅极电压Pgate随着PWM信号变化，第一晶体管及第二晶体管的连接点SW的电压信号如图3所示。

在二极管模式下(diode_mode为高电平)，控制子模块可以输出低电平使得第二开关S2断开，输出高电平使得第三开关S3导通，第一晶体管Q1的栅极接收钳位信号，第一晶体管Q1的栅极电压维持在一个固定值，第一晶体管及第二警惕感的连接点SW的电压信号先上冲到Vin+Vth+I_lin/g_m，然后达到稳定值,其中Vth表示第一晶体管Q1的阈值电压，I_lin表示此时的电感电流，g_m表示Q1管的等效电导数值。

本公开的电压调整装置中，SW点的电压差对于电流不敏感，Vth本身也有700mV以上的阈值电压点，所以只要保证ΔV＜V_th，即可保证本公开在各种负载情况下的效率都优于传统的架构。

请参阅图4，图4示出了利用本公开电压调整转置进行电压调整的效果示意图。

如图4所示，在相同输出电流下(0.04mA～1mA)，利用本公开电压调整装置进行电压调整，相较于相关技术可以提高3％～8％的电压调整效率。

可见，当装置工作在二极管模式下，SW点的电压趋于一个稳定值，相较于相关技术中SW随电流变化，本公开可以降低功耗，提升电压调整的效率。并且，由于第一晶体管Q1及第二晶体管Q2的连接点SW的电压不随电流变化，装置在进行电压调整时，不会产生大量的发热量，转置可以处于一个稳定的状态中。

以上已经描述了本公开的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (9)

1.一种电压调整装置，其特征在于，所述装置包括输入模块、钳位模块、第一晶体管、第二晶体管、控制模块及输出模块，其中：

所述输入模块的第一端电连接于所述钳位模块的第一输入端，用于接收输入电压，所述输入模块的第二端电连接于所述钳位模块的第二输入端、所述第二晶体管的漏极端及所述第一晶体管的漏极端，

所述第一晶体管的栅极端及所述第二晶体管的栅极端电连接于所述控制模块，所述第一晶体管的源极端电连接于所述输出模块，所述第二晶体管的源极端接地，

所述钳位模块的输出端电连接于所述控制模块，用于输出钳位信号，

所述控制模块电连接于所述输入模块的第一端及所述输出模块，用于：

在所述输出模块输出的输出电压与所述输入电压的差值小于或等于预设值的情况下，输出脉冲宽度调制PWM信号到所述第二晶体管的栅极端，输出所述钳位信号到所述第一晶体管的栅极端，将所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极端的电压钳位至第一电压，所述预设值为0～500mV。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述钳位模块包括钳位电阻、电流源、第一开关、第一电容、误差放大器、缓冲单元，其中：

所述钳位电阻的第一端电连接于所述输入模块的第二端、所述第一晶体管的栅极端及所述第二晶体管的栅极端，所述钳位电阻的第二端电连接于所述电流源的正极端及所述第一开关的第一端，

所述电流源的负极端接地，

所述第一开关的第二端连接于所述第一电容的第一端及所述误差放大器的负极端，所述第一开关的控制端电连接于所述控制模块，

所述第一电容的第二端接地，

所述误差放大器的输出端电连接于所述缓冲单元的输入端，

所述缓冲单元的输出端电连接于所述控制模块，

其中，所述缓冲单元包括电压跟随器。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述输出所述钳位信号到所述第一晶体管的栅极端，包括：

输出第一开关控制信号控制所述第一开关的导通状态，以输出所述钳位信号到所述第一晶体管的栅极端，

其中，所述第一电压为所述电流源在所述钳位电阻上产生的电压，所述第一开关控制信号为所述PWM信号的取反信号。

4.根据权利要求2或3所述的装置，其特征在于，所述控制模块还用于：

在所述输出电压与所述输入电压的差值大于预设值的情况下，输出所述PWM信号到所述第一晶体管的栅极端及所述第二晶体管的栅极端。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述控制模块包括模式切换子模块、控制子模块及占空比调整子模块，所述模式切换子模块的输入端用于接收所述输入电压及所述输出电压，所述模式切换子模块的输出端电连接于所述控制子模块的第一输入端，所述控制子模块的第二输入端电连接于所述占空比调整子模块的输出端，所述占空比调整子模块的输入端用于接收所述输出模块的反馈电压，其中，

所述模式切换子模块用于根据所述输入电压及所述输出电压的大小关系输出模式切换信号；

所述占空比调整子模块用于根据所述反馈电压调整PWM信号的占空比；

所述控制子模块用于：

根据所述模式切换信号将PWM信号输出到所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极；或

根据所述模式切换信号将PWM信号输出到所述第二晶体管的栅极，将所述钳位信号输出到所述第一晶体管的栅极。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述控制模块还包括开关子模块，所述开关子模块电连接于所述钳位模块、所述控制模块及所述第一晶体管的栅极，所述控制模块还用于：

根据所述模式切换信号控制所述开关子模块的导通状态，以将所述钳位信号输出到所述第一晶体管的栅极，或将所述PWM信号输出到所述第一晶体管的栅极。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述输入模块包括电感，所述输出模块包括第一输出电阻、第二输出电阻及输出电容，其中，

所述第一输出电阻的第一端电连接于所述第一晶体管的源极及所述输出电容的第一端，用于输出所述输出电压，

所述第一输出电阻的第二端电连接于所述第二输出电阻的第一端，

所述第二输出电阻的第二端及所述输出电容的第二端接地。

8.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：

如权利要求1-7任一项所述的电压调整装置。

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：

如权利要求8所述的芯片。