KR20110033485A - 돌입전류제한회로 - Google Patents

돌입전류제한회로 Download PDF

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KR20110033485A
KR20110033485A KR1020090091006A KR20090091006A KR20110033485A KR 20110033485 A KR20110033485 A KR 20110033485A KR 1020090091006 A KR1020090091006 A KR 1020090091006A KR 20090091006 A KR20090091006 A KR 20090091006A KR 20110033485 A KR20110033485 A KR 20110033485A
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장민규
박정환
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(주)빅텍
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Abstract

본 발명은 돌입전류제한회로에 관한 것으로, 본 발명에 따른 돌입전류 제한회로는, 인가되는 입력전압을 분배한 분배전압을 통하여 출력단의 전류를 제어하되, 제1모드인 돌입전류인가 모드에서는 상기 출력단의 전류가 미리 설정된 설정값에 도달하면 상기 출력단의 전류가 상기 설정값으로 유지되도록 상기 분배전압의 레벨을 제어함에 의해 돌입전류를 제한하는 돌입전류제한부와; 상기 제1모드에서는 오프되고 제2모드인 정상전류 인가모드에서는 온 되는 스위치부를 구비하여 상기 제2모드에서 인가되는 정상전류를 바이패스하여 상기 출력단으로 제공하는 바이패스부를 구비한다. 본 발명에 따르면, 돌입전류를 미리 설정된 설정값으로 제한할 수 있으며, 바이패스 경로를 구비함에 따라 대전력 전원공급기에 사용할 수 있는 효과가 있다. 또한 사용되는 장치의 작동환경에 맞게 바이패스 경로의 동작시간을 조절할 수 있는 효과가 있다.
돌입전류, 바이패스, 전원공급, 전류제한, 전압분배

Description

돌입전류제한회로{INRUSH CURRENT LIMITING CIRCUIT}
본 발명은 돌입전류제한회로에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 돌입전류를미리 설정된 값으로 유지 및 제한할 수 있으며, 바이패스 경로를 추가하고 바이패스 동작시간을 조절할 수 있는 돌입전류제한회로에 관한 것이다.
통상적으로 직류-직류 전압 변환(DC-DC Converter)회로는 초기 입력단의 스위치를 턴온(Tern On) 하였을 경우 회로 내부로 유입되는 전류가 정격전류보다 상당히 큰 전류가 순간적으로 유입된다. 이러한 순간적으로 유입되는 전류를 돌입전류라 한다.
상기 돌입전류가 반복적으로 회로 내부에 유입될 경우 상기 회로내부의 소자에 충격을 주어 부품의 파손 또는 상기 회로가 오동작을 일으킬 우려가 있다.
따라서, 이러한 돌입전류를 제한하는 회로에 대한 연구가 꾸준히 진행되어 왔다.
종래의 경우에는 돌입전류의 제한을 위해 전류제한용 저항을 사용하거나, 릴레이를 사용하여 왔다. 그러나 전류제한용 저항을 사용하는 경우에는 저항에서 지 속적인 전력소모가 발생하는 문제점이 있고, 릴레이를 사용하는 경우에는 별도의 릴레이와 릴레이 구동회로가 필요하다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 극복할 수 있는 돌입전류제한회로를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 돌입전류를 미리 설정된 설정값으로 제한할 수 있는 돌입전류제한회로를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 대전력 전원공급기에 사용할 수 있는 돌입전류제한회로를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 장치의 작동환경에 맞게 바이패스 경로의 동작시간을 조절할 수 있는 돌입전류제한회로를 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 구체화에 따라, 본 발명에 따른 돌입전류 제한회로는, 인가되는 입력전압을 분배한 분배전압을 통하여 출력단의 전류를 제어하되, 제1모드인 돌입전류인가 모드에서는 상기 출력단의 전류가 미리 설정된 설정값에 도달하면 상기 출력단의 전류가 상기 설정값으로 제한되도록 상기 분배전압의 레벨을 제어함에 의해 돌입전류를 제한하는 돌입전류제한 부와; 상기 제1모드에서는 오프되고 제2모드인 정상전류 인가모드에서는 온 되는 스위치부를 구비하여 상기 제2모드에서 인가되는 정상전류를 바이패스하여 상기 출력단으로 제공하는 바이패스부를 구비한다.
상기 돌입전류제한부는, 입력전압을 분배하여 분배된 분배전압을 제공하는 전압분배부와; 상기 분배전압에 의해 동작되어 출력단의 전류를 제어하여 제한하는 전류제한부와; 상기 전류제한부에 의해 제한되는 상기 출력단의 전류가 미리 정해진 설정값을 넘지 않도록 상기 설정값에 도달하면 동작하여 상기 전류제한부로 입력되는 분배전압의 레벨을 제어하고, 상기 설정값의 레벨을 결정하는 레벨제어부를 구비한다.
상기 전류제한부는, 상기 분배전압을 게이트 단자 또는 베이스단자로 인가받아 상기 분배전압에 의해 상기 출력단의 전류를 제한하는 FET 또는 트랜지스터를 구비하고, 상기 레벨제어부는, 상기 전류제한부에 의해 제한되는 상기 출력단의 전류가 미리 설정된 설정값에 도달하면 동작하여, 상기 전류제한부로 입력되는 분배전압의 레벨을 제어하는 트랜지스터와; 상기 출력단의 상기 설정값의 레벨을 결정하기 위한 저항소자를 구비할 수 있다.
상기 레벨제어부를 구성하는 상기 트랜지스터의 베이스-이미터간 전압은, 상기 출력단의 전류와 상기 저항소자의 저항값에 의해 결정될 수 있다.
상기 바이패스부는, 상기 제1모드에서는 턴 오프되고, 상기 제2모드에서는 턴 온되어 상기 정상전류를 바이패스하는 상기 스위치부와; 충전시정수를 통해 상기 제1모드와 상기 제2모드의 시간구간을 결정하고, 상기 제1모드에서 충전된 충전 전압을 통해 상기 스위치부의 턴-온 동작(바이패스동작)을 제어하는 모드제어부를 구비할 수 있다.
상기 스위치부는 FET 또는 트랜지스터를 구비하며, 상기 모드제어부는, 적어도 하나의 저항과 적어도 하나의 커패시터를 구비할 수 있다.
본 발명에 따르면, 돌입전류를 미리 설정된 설정값으로 제한할 수 있으며, 바이패스 경로를 구비함에 따라 대전력 전원공급기에 사용할 수 있는 효과가 있다. 또한 사용되는 장치의 작동환경에 맞게 바이패스 경로의 동작시간을 조절할 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예가, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 철저한 이해를 제공할 의도 외에는 다른 의도 없이, 첨부한 도면들을 참조로 하여 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 돌입전류제한회로(300)가 나타나 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 돌입전류제한회로(300)는, 돌입전류제한부(100)와 바이패스부(200)를 구비한다.
상기 돌입전류제한부(100)는 인가되는 입력전압을 분배한 분배전압을 통하여 출력단의 전류를 제어하되, 제1모드인 돌입전류인가 모드에서는 상기 출력단의 전 류가 미리 설정된 설정값에 도달하면 상기 출력단의 전류가 상기 설정값으로 제한하도록 상기 분배전압의 레벨을 제어함에 의해 돌입전류를 제한하게 된다.
상기 바이패스부(200)는, 상기 제1모드에서는 오프되고 제2모드인 정상전류 인가모드에서는 온 되는 스위칭 소자를 구비하여 상기 제2모드에서 인가되는 정상전류를 바이패스하여 상기 출력단으로 제공하게 된다.
상기 돌입전류제한부(100)는, 전압분배부(110), 전류제한부(130), 및 레벨제어부(120)를 구비한다.
상기 전압분배부(110)는 입력전압을 분배하여 분배된 분배전압을 제공하기 위한 것이다. 상기 전압분배부(110)는 입력(+)단자(310)와 제1노드(n1) 사이에 연결되는 저항(R1)과 상기 제1노드(n1)와 입력(-)단자(320) 사이에 연결되는 저항(R2)을 구비하여, 입력(+)단자(310) 및 입력(-)단자(320)를 통하여 입력되는 입력전압을 분배한 분배전압을 제공한다.
상기 레벨제어부(120)는 상기 전류제한부(130)에 의해 제한되는 상기 출력단(330,340)의 전류가 미리 정해진 설정값을 넘지 않도록 상기 설정값에 도달하면 동작하여 상기 전류제한부(120)로 입력되는 분배전압의 레벨을 제어하고, 상기 설정값의 레벨을 결정한다.
상기 레벨제어부(120)는, 트랜지스터(Q1) 및 저항소자(R3)를 구비한다.
상기 트랜지스터(Q1)는 상기 제1노드(n1)와 상기 입력(-)단자(320) 사이에 연결(예를 들면, 컬렉터단자가 상기 제1노드(n1)에 연결되고, 이미터단자가 상기 입력(-)단자(320)에 연결)되는 구조를 가진다.
상기 트랜지스터(Q1)는 상기 전류제한부(130)에 의해 제한되는 상기 출력단(330,340)의 전류가 미리 설정된 설정값에 도달하면 동작하여, 상기 전류제한부(130)로 입력되는 상기 분배전압의 레벨을 제어하게 된다. 여기서 상기 설정값은 제한되는 돌입전류의 크기를 의미할 수 있다.
상기 저항소자(R3)는 상기 설정값의 레벨을 결정하기 위한 것으로, 상기 입력(-)단자(320)와 상기 전류제한부(130) 사이에 연결된다. 또한 상기 저항소자(R3)는 상기 트랜지스터(Q1)의 이미터단자와 상기 트랜지스터(Q1)의 베이스단자 사이에 연결되는 구조를 가진다.
그리고, 상기 레벨제어부(120)를 구성하는 트랜지스터(Q1)의 베이스-이미터간 전압은, 상기 출력단(330,340)의 전류와 상기 저항소자(R3)의 저항값에 의해 결정되는 구조를 가지게 된다. 예를 들면, 상기 트랜지스터(Q1)이 동작하는 경우에, 상기 트랜지스터(Q1)의 베이스-이미터간 전압(VBE)은, 상기 출력단(330,340)의 전류(ID)와 상기 저항소자(R3)의 저항값을 곱한값에 해당하는 레벨을 가지게 된다.
이에 따라, 돌입전류를 제한하고자 하는 레벨인 상기 설정값을 결정하고, 상기 출력단(330,340)의 전류(ID)를 참고하여 상기 저항소자(R3)의 저항값을 결정하게 되면, 제한하고자 하는 돌입전류의 레벨을 원하는 레벨로 정할 수 있게 된다.
상기 설정값은 정상전류의 레벨과 관계없이 원하는 레벨로 조절가능하다,
상기 전류제한부(130)는 상기 전압분배부(110)에 의해 분배된 분배전압에 의해 동작되어 출력단(330,340)의 전류를 제한하게 된다.
상기 전류제한부(130)는 상기 제1노드(n1)에 게이트가 연결되고, 상기 저항소자(R3)와 출력(-)단자(340) 사이에 연결되는 FET(Q2)를 구비할 수 있다. 즉 상기 FET(Q2)는 게이트가 상기 제1노드(n1)에 연결되고, 소오스가 상기 저항소자(R3)와 연결되고, 드레인이 상기 출력(-)단자(340)에 연결되는 구조를 가질 수 있다. 그리고, 상기 FET(Q2)의 소오스단자는 상기 레벨제어부(120)의 트랜지스터(Q1)의 베이스단자 연결되고, 드레인 단자는 상기 출력(-)단자(340) 에 연결되는 구성을 가질 수 있다.
다른 예에 따르면, 상기 전류제한부(130)는 상기 제1노드(n1)에 베이스가 연결되고, 상기 저항소자(R3)와 출력(-)단자(340) 사이에 연결되는 트랜지스터를 구비할 수도 있다. 이때의 트랜지스터는 로우 컬렉터-이미터 전압(low collector-emitter voltage) 특성을 가지는 트랜지스터가 이용될 수 있다.
상기 바이패스부(200)는, 모드제어부(210) 및 스위치부(220)를 구비한다.
상기 모드제어부(210)는 충전시정수를 통해 상기 제1모드와 상기 제2모드의 시간구간을 결정하고, 상기 제1모드에서 충전된 충전전압을 통해 상기 스위치부(220)의 턴-온 동작(바이패스동작)을 제어한다.
상기 모드제어부(210)는 적어도 하나의 저항소자(R4,R5)와 적어도 하나의 커패시터(C1)를 구비한다. 상기 모드제어부(210)에 구비되는 저항(R4)은 출력(+)단자(330)(또는 입력(+)단자(310))와 제2노드(n2)사이에 연결되고, 저항(R5)은 입력(-)단자(320)와 상기 제2노드(n2)사이에 연결된다. 그리고 상기 커패시터(C1)는 입력(-)단자(320)와 상기 제2노드(n2)사이에 연결된다. 여기서 상기 저항(R5)은 제 너다이오드로 대체될 수 있다.
도면상에서는 두 개의 저항소자(R4,R5)와 하나의 커패시터(C1)가 사용되고 있으나, 이보다 많은 수의 저항소자와 커패시터가 사용될 수 있음은 당연하다.
여기서 상기 제2모드는 상기 커패시터(C1)에 충전이 완료된 시점을 의미하고, 상기 커패시터(C1)에 충전된 전압에 의해 상기 스위치부(220)가 턴 온되는 시점을 의미하게 된다. 이는 곧 정상전류 인가 시점을 의미하게 된다.
따라서, 상기 저항(R4)과 상기 커패시터(C1)를 이용하여 충전시정수를 조절함에 의해 상기 바이패스부(200)를 통한 정상전류의 경로(바이패스 경로)의 동작시간을 조절할 수 있게 된다.
상기 스위치부(220)는 상기 제1모드에서는 턴 오프되고, 상기 제2모드에서는 턴 온되어 상기 정상전류를 바이패스하기 위한 것이다.
상기 스위치부(220)는 FET(Q3)를 구비한다. 상기 FET(Q3)는 상기 돌입전류제한부(100)를 구성하는 저항(R3)과 병렬연결된다. 즉 게이트가 상기 제2노드(n2)에 연결되고, 상기 저항(R3)의 일단에 소오스(또는 드레인)단자가 연결되고, 상기 저항(R3)의 타단에 드레인(또는 소오스)단자가 연결된다.
다른 실시예에 따르면 상기 스위치부(220)는 상기 제2노드(n2) 전압에 의해 제어되는 트랜지스터를 구비할 수 있으며, 이외에 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 기술을 가진 자에게 잘 알려진 모든 스위칭 소자가 사용될 수 있다.
이하에서는 도 1의 돌입전류제한회로의 동작을 도 2의 동작 타이밍도를 통하여 자세히 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 입력단자(310,320)를 통하여 입력전압(Vin)이 제1시점(t0)에서 인가된 이후의 동작을 시간구간별로 나누어 설명한다.
제1시간구간(t0~t1)에서, 상기 돌입전류제한부(100)는, 상기 입력전압(Vin)이 상기 전압분배부(110)의 저항(R1,R2)에 의해 분배되고, 상기 제1노드(n1)의 전압 즉 분배전압이 상기 전류제한부(130)의 FET(Q2)의 게이트로 인가되게 된다. 이때는 상기 분배전압이 상기 FET(Q2)의 문턱전압(VGS(ON))보다 낮은 레벨을 가지기 때문에 상기 FET(Q2)는 턴 오프 상태 즉 차단상태를 가지게 된다. 즉 돌입전류 차단상태를 가진다.
한편 상기 바이패스부(200)의 모드제어부(210)에서는 저항(R4)과 저항(R5)의 분배전압이 발생하고, 상기 저항(R4)과 저항(R5)의 분배전압은 상기 저항(R4)과 상기 커패시터(C1)의 충전시정수에 따라 상기 커패시터(C1)에 충전되기 시작한다. 이때는 상기 커패시터(C1)의 충전전압이 상기 스위치부(220)를 구성하는 FET(Q3)의 문턱전압(VGS(ON))보다 낮기 때문에 상기 스위치부(220)는 턴 오프상태를 유지한다.
제2시간구간(t1~t2)에서, 상기 돌입전류제한부(100)는, 상기 분배전압의 레벨이 상기 FET(Q2)의 문턱전압레벨 이상이 되면 상기 FET(Q2)는 채널이 형성되어 상기 출력단(330,340)으로 돌입전류가 흐르게 된다. 이때는 상기 FET(Q2)의 게이트 전압(또는 게이트-소오스 간 전압) 증가에 따라 돌입전류도 증가하게 된다. 상기 FET(Q2)를 통해 흐르는 전류(ID)는 상기 레벨제어부(120)를 통해 미리 설정된 설정값에 도달할 때까지는 별도의 제한없이 상기 출력단(330,340)으로 흐르게 된다.
한편 상기 바이패스부(200)의 모드제어부(210)에서는, 상기 저항(R4)과 저항(R5)의 분배전압에 의해 충전시정수에 따라 상기 커패시터(C1)의 충전이 계속된다. 이때는 상기 커패시터(C1)의 충전전압이 상기 스위치부(220)를 구성하는 FET(Q3)의 문턱전압(VGS(ON))보다 낮기 때문에 상기 스위치부(220)는 턴 오프상태를 유지한다.
제3시간구간(t2~t3)에서, 상기 돌입전류제한부(100)는, 상기 전류제한부(130)의 상기 FET(Q2)를 통해 흐르는 전류(ID)레벨이 상기 설정값에 도달하게 되면, 상기 레벨제어부(120)의 트랜지스터(Q1)의 베이스-이미터간 전압(VBE)은 상기 출력단(330,340)의 전류(ID)와 상기 저항소자(R3)의 저항값을 곱한값(설정값)에 해당하는 레벨을 가지게 되고, 이때 상기 트랜지스터(Q1)가 리니어(linear)하게 동작하기 시작한다.
상기 트랜지스터(Q1)가 동작하게 되면, 상기 트랜지스터(Q1)는 저항의 역할을 하게 되고, 상기 전압분배부(110)의 저항(R2)과의 합성저항에 의해 상기 제1노드(n1)의 전압 즉 상기 분배전압이 결정되게 된다.
이에 따라, 상기 전류제한부(130)를 구성하는 상기 FET(Q2)의 게이트 전압은 더 이상 상승하지 않고 일정하게 유지되게 된다. 결과적으로, 상기 FET(Q2)의 전류인 상기 출력단(330,340)의 전류(ID)는 설정된 레벨을 유지하게 된다.
한편 상기 바이패스부(200)의 모드제어부(210)에서는 상기 저항(R4)과 저 항(R5)의 분배전압에 의해 충전시정수에 따라 상기 커패시터(C1)의 충전이 계속된다. 이때는 상기 커패시터(C1)의 충전전압이 상기 스위치부(220)를 구성하는 FET(Q3)의 문턱전압(VGS(ON))보다 낮기 때문에 상기 스위치부(220)는 턴 오프상태를 유지하게 된다.
제4시간구간(t3~t4)은 돌입전류가 감소 및 모두 소비되는 구간으로, 상기 돌입전류제한부(100)는 돌입전류가 감소하여 상기 설정값보다 작아지면, 상기 레벨제어부(120)의 트랜지스터(Q1)는 차단(턴 오프)되고, 상기 전류제한부(130)의 상기 FET(Q2)는 상기 전압분배부(110)의 분배전압에 의해 풀 턴온(full turn-on) 상태를 유지하면서 전류를 상기 출력단(330,340)으로 공급하게 된다.
한편 상기 바이패스부(200)는, 모드제어부(210)의 커패시터(C1)가 거의 충전이 완료된 상태이다.
제5시간구단(t4~t5)은 돌입전류(IIN)가 모두 소비되고, 상기 모드제어부(210)의 커패시터(C1)가 충전이 완료되기 직전의 상태로써, 상기 돌입전류제한부(100)는 상기 레벨제어부(120)의 트랜지스터(Q1)는 차단(턴 오프)되고, 상기 전류제한부(130)의 상기 FET(Q2)는 상기 전압분배부(110)의 분배전압에 의해 풀 턴온(full turn-on) 상태를 유지하면서 전류를 상기 출력단(330,340)으로 공급하는 상태를 유지하고, 상기 바이패스부(200)는 상기 스위치부(220)가 턴온되기 직전의 상태를 가지게 된다.
제5시간구간(t5~ )에서는 돌입전류가 모두 소비되고, 상기 모드제어부(210) 의 커패시터(C1)가 충전이 완료된 상태이다. 이때 상기 돌입전류제한부(100)는 상기 레벨제어부(120)의 트랜지스터(Q1)는 차단(턴 오프)되고, 상기 전류제한부(130)의 상기 FET(Q2)는 상기 전압분배부(110)의 분배전압에 의해 풀 턴온(full turn-on) 상태를 유지하면서 전류를 상기 출력단(330,340)으로 공급하는 상태를 유지한다.
한편 상기 바이패스부(200)는 상기 커패시터(C1)가 충전이 완료되어, 충전전압에 의해 상기 스위치부(220)의 FET(Q3)가 턴온(스위치의 ON)되어 상기 전류제한부(Q2)를 흐르는 전류는 대부분 상기 스위치부(220)를 경유하게 된다.
따라서 출력측에 있는 장비의 부하전류는 출력(-)단자 - 전류제한부(130)의 FET(Q2) - 스위치부(220)의 FET(Q3) - 입력(-)단자로 흘러 상기 저항소자(R3)를 통한 전력소모를 감소시킬 수 있게 된다.
여기서 상기 모드제어부(210)의 저항(R4,R5) 및 커패시터(C1)의 값을 조절하여 시간구간의 조절이 가능함은 이미 설명한 바와 같다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 돌입전류의 레벨을 임의로 조절하는 것이 가능하고, 정상전류인가모드의 시점을 조절하는 것이 가능하다. 또한 바이패스부를 구비함에 의해 저항으로 인한 전력소모를 줄일 수 있어 대전력 전원공급기에 사용이 가능하다.
상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안 될 것이다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발 명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 명백하다 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 돌입전류제한회로도이고,
도 2는 도 1의 동작타이밍도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
110 : 전압분배부 120 : 레벨제어부
130 : 전류제한부 210 : 모드제어부
220 : 스위치부

Claims (4)

  1. 돌입전류 제한회로에 있어서:
    인가되는 입력전압을 분배한 분배전압을 통하여 출력단의 전류를 제어하되, 제1모드인 돌입전류인가 모드에서는 상기 출력단의 전류가 미리 설정된 설정값에 도달하면 상기 출력단의 전류가 상기 설정값으로 유지되도록 상기 분배전압의 레벨을 제어함에 의해 돌입전류를 제한하는 돌입전류제한부와;
    상기 제1모드에서는 오프되고 제2모드인 정상전류 인가모드에서는 온 되는 스위치부를 구비하여 상기 제2모드에서 인가되는 정상전류를 바이패스하여 상기 출력단으로 제공하는 바이패스부를 구비함을 특징으로 하는 돌입전류 제한회로.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 돌입전류제한부는,
    입력전압을 분배하여 분배된 분배전압을 제공하는 전압분배부와;
    상기 분배전압을 게이트 단자 또는 베이스단자로 인가받아 상기 분배전압에 의해 상기 출력단의 전류를 제한하는 FET 또는 트랜지스터를 구비하여, 상기 분배전압에 의해 동작되어 출력단의 전류를 제어하여 제한하는 전류제한부와;
    상기 전류제한부에 의해 제한되는 상기 출력단의 전류가 미리 정해진 설정값을 넘지 않도록 상기 출력단의 전류가 미리 설정된 설정값에 도달하면 동작하여, 상기 전류제한부로 입력되는 분배전압의 레벨을 제어하는 트랜지스터와, 상기 출력 단의 상기 설정값의 레벨을 결정하기 위한 저항소자를 구비하는 레벨제어부를 구비함을 특징으로 하는 돌입전류제한회로.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 레벨제어부를 구성하는 상기 트랜지스터의 베이스-이미터간 전압은, 상기 출력단의 전류와 상기 저항소자의 저항값에 의해 결정됨을 특징으로 하는 돌입전류제한회로.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느하나의 청구항에 있어서,
    상기 바이패스부는, 상기 제1모드에서는 턴 오프되고, 상기 제2모드에서는 턴 온되어 상기 정상전류를 바이패스하는 FET 또는 트랜지스터를 구비하는 상기 스위치부와;
    적어도 하나의 저항과 적어도 하나의 커패시터를 구비하여, 충전시정수를 통해 상기 제1모드와 상기 제2모드의 시간구간을 결정하고, 상기 제1모드에서 충전된 충전전압을 통해 상기 스위치부의 스위칭 동작(바이패스동작)을 제어하는 모드제어부를 구비함을 특징으로 하는 돌입전류제한회로.
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