CN110581225B - 一种oled结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及OLED技术领域，特别是一种OLED结构，包括基底，所述基底沉积一层阳极，所述阳极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层构造呈梯形分布，从下至上每层面积逐渐减少；所述电子传输层上沉积电子注入层和金属阴极，所述电子注入层面积大于空穴注入层，金属阴极面积大于电子注入层；最后在金属阴极上依次沉积氧化铝封装层和氮化硅封装层。采用上述结构和方法后，本发明从OLED器件的膜层构造进行优化，降低发光区Edge部有机膜层段差和坡度，可显著提高Edge部的金属阴极膜层均一性，降低膜层间的应力，提升产品的良率水平。

Description

一种OLED结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及OLED技术领域，特别是一种OLED结构及其制作方法。
背景技术
现有的有机电致发光二极管（OLED）制备过程中，由于发光区的边缘部（Edge）有机膜层段差和坡度较大，这使Edge部的阴极（Cathode）膜层均一性较差且存在一定的应力，且较大的段差也会导致封装效果不佳，最终会影响电流效率，或导致器件短路或进入水/氧报废，影响产品的良率水平。
中国发明专利CN 107068905 A公开了一种OLED封装结构，包括基板，所述基板的表面上布置有待封装的OLED结构；无机覆盖层，布置在基板和OLED结构上，使得所述表面的边缘部分被无机覆盖层覆盖；阻挡层，通过粘接结构布置在所述无机覆盖层上，其中，所述粘接结构中位于所述边缘部分上的部分包括至少一个凸条，所述凸条位于所述无机覆盖层和所述阻挡层之间，以形成所述无机覆盖层和所述阻挡层之间的气密空间。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种可有效提高Edge部阴极膜层均一性和降低应力的OLED结构。
为解决上述技术问题，本发明的OLED结构，包括基底，所述基底沉积一层阳极，所述阳极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层构造呈梯形分布，从下至上每层面积逐渐减少；所述电子传输层上沉积电子注入层和金属阴极，所述电子注入层面积大于空穴注入层，金属阴极面积大于电子注入层；最后在金属阴极上依次沉积氧化铝封装层和氮化硅封装层。
优选的，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层从下至上每层膜层的长和宽比前一层减少10-100μm。
优选的，所述电子注入层膜层的长和宽比空穴注入层大10-100μm。
优选的，所述金属阴极膜层的长和宽比电子注入层大10-100μm。
优选的，所述氧化铝封装层的厚度为10-50nm。
优选的，所述氮化硅封装层的厚度为10-200nm。
本发明还公开了一种OLED结构的制备方法，包括以下步骤：
第一步，在玻璃或者硅基底上沉积一层阳极；
第二步，采用真空蒸镀方式沉积空穴注入层；
第三步，采用真空蒸镀方式沉积空穴传输层，其膜层的长和宽比上述第二步中空穴注入层膜层的长和宽小10-100μm；
第四步，采用真空蒸镀方式，依次蒸镀膜，包括：发光层、电子传输层，后一层膜层的长和宽比前一层减少10-100μm；
第五步，采用真空蒸镀方式沉积电子注入层，其膜层的长和宽比第二步中空穴注入层膜层的长和宽大10-100μm，完全覆盖住空穴注入层；
第六步，采用真空蒸镀方式沉积金属阴极，其膜层长和宽比第五步中电子注入层膜层的长和宽大10-100μm，完全覆盖住电子注入层；
第七步，采用原子层沉积氧化铝封装层；
第八步，采用化学沉积氮化硅封装层。
优选的，所述第一步中采用真空蒸镀或者电沉积或者磁控溅射的方式，沉积一层阳极。
采用上述结构和方法后，本发明从OLED器件的膜层构造进行优化，降低发光区Edge部有机膜层段差和坡度，可显著提高Edge部的金属阴极膜层均一性，降低膜层间的应力，提升产品的良率水平。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为现有技术的OLED膜层构造剖面图；
图2为本发明技术的OLED膜层构造剖面图。
图中：1为基底、2为阳极、3为空穴注入层、4为空穴传输层、5为发光层、6为电子传输层、7为电子注入层、8为金属阴极、9为氧化铝和氮化硅封装层、10为Edge部
具体实施方式
如图2所示，本发明的OLED结构，包括基底1，所述基底1沉积一层阳极2，所述阳极2上依次沉积空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6，所述空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6构造呈梯形分布，从下至上每层面积逐渐减少；所述电子传输层6上沉积电子注入层7和金属阴极8，所述电子注入层7面积大于空穴注入层3，金属阴极8面积大于电子注入层7；最后在金属阴极上依次沉积氧化铝和氮化硅封装层9。
本发明OLED结构的制作方法如下：
第一步，在硅基底上，采用真空蒸镀或者电沉积或者磁控溅射的方式，沉积一层阳极；
第二步，采用真空蒸镀方式沉积空穴注入层；
第三步，采用真空蒸镀方式沉积空穴传输层，其膜层（长和宽）比上述第二步中空穴注入层膜层小50μm；
第四步，采用真空蒸镀方式，依次蒸镀膜，包括：发光层、电子传输层，后一层（长和宽）比前一层减少50μm；
第五步，采用真空蒸镀方式沉积电子注入层，其膜层（长和宽）比上述第二步中空穴注入层膜层大100μm，即完全覆盖住空穴注入层；
第六步，采用真空蒸镀方式沉积金属阴极，其膜层（长和宽）比上述第五步中电子注入层膜层大100μm，即完全覆盖住电子注入层；
第七步，采用原子层沉积氧化铝封装层，沉积厚度为10nm；
第八步，采用化学沉积氮化硅封装层，沉积厚度为20nm。
上述为本发明优化后的OLED器件结构，分别进行电流密度、光电流效率、高温高湿等测试，良率进行统计。结果显示，相比于图1所示的现有技术OLED结构，光电流效率提升了10%，抗高温高湿时间延长了1.2倍。本发明从OLED器件的膜层构造进行优化，降低发光区Edge部有机膜层段差和坡度，可显著提高Edge部10的金属阴极膜层均一性，降低膜层间的应力，提升产品的良率水平。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域熟练技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对本实施方式作出多种变更或修改，而不背离本发明的原理和实质，本发明的保护范围仅由所附权利要求书限定。

Claims (8)

1.一种OLED结构，包括基底，其特征在于：所述基底沉积一层阳极，所述阳极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层构造呈梯形分布，从下至上每层面积逐渐减少；所述电子传输层上沉积电子注入层和金属阴极，所述电子注入层面积大于空穴注入层，金属阴极面积大于电子注入层；最后在金属阴极上依次沉积氧化铝封装层和氮化硅封装层。
2.按照权利要求1所述的一种OLED结构，其特征在于：所述空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层从下至上每层膜层的长和宽比前一层减少10-100μm。
3.按照权利要求1所述的一种OLED结构，其特征在于：所述电子注入层膜层的长和宽比空穴注入层大10-100μm。
4.按照权利要求1所述的一种OLED结构，其特征在于：所述金属阴极膜层的长和宽比电子注入层大10-100μm。
5.按照权利要求1所述的一种OLED结构，其特征在于：所述氧化铝封装层的厚度为10-50nm。
6.按照权利要求1所述的一种OLED结构，其特征在于：所述氮化硅封装层的厚度为10-200nm。
7.一种OLED结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步，在玻璃或者硅基底上沉积一层阳极；
第二步，采用真空蒸镀方式沉积空穴注入层；
第三步，采用真空蒸镀方式沉积空穴传输层，其膜层的长和宽比上述第二步中空穴注入层膜层的长和宽小10-100μm；
第四步，采用真空蒸镀方式，依次蒸镀膜，包括：发光层、电子传输层，后一层膜层的长和宽比前一层减少10-100μm；
第五步，采用真空蒸镀方式沉积电子注入层，其膜层的长和宽比第二步中空穴注入层膜层的长和宽大10-100μm，完全覆盖住空穴注入层；
第六步，采用真空蒸镀方式沉积金属阴极，其膜层长和宽比第五步中电子注入层膜层的长和宽大10-100μm，完全覆盖住电子注入层；
第七步，采用原子层沉积氧化铝封装层；
第八步，采用化学沉积氮化硅封装层。
8.按照权利要求7所述的一种OLED结构的制备方法，其特征在于：所述第一步中采用真空蒸镀或者电沉积或者磁控溅射的方式，沉积一层阳极。
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