CN110576387A - 一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置 - Google Patents

一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110576387A
CN110576387A CN201910941551.0A CN201910941551A CN110576387A CN 110576387 A CN110576387 A CN 110576387A CN 201910941551 A CN201910941551 A CN 201910941551A CN 110576387 A CN110576387 A CN 110576387A
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding
disc
mounting
wafer heater
main body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910941551.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110576387B (zh
Inventor
游利
吴明飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JINGJIANG PIONEER SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
JINGJIANG PIONEER SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JINGJIANG PIONEER SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical JINGJIANG PIONEER SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201910941551.0A priority Critical patent/CN110576387B/zh
Publication of CN110576387A publication Critical patent/CN110576387A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110576387B publication Critical patent/CN110576387B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/02—Frames; Beds; Carriages
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/10—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces
    • B24B47/12—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces by mechanical gearing or electric power

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明公开了一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，特点是从下至上依次设置有安装支架、旋转装置、加热器支撑圆盘、研磨盘，晶圆加热器设置在加热器支撑圆盘和研磨盘之间；研磨盘主体底部设置有研磨块、调节支撑圆柱，研磨盘主体通过调节螺栓与研磨块相连接固定，调节螺栓的上端设置有数显深度测量指示表；安装平板上设置有安装主体，安装主体内部设置有台阶孔，装有旋转电机的固定座下部与台阶孔相配合固定，连接圆盘上端设置有支撑圆盘本体；优点是结构简单，稳定性好，操作方便，研磨快速高效；大大降低了工人的劳动强度，减小了一次修磨量，增加了晶圆加热器的可修磨次数，延长了晶圆加热器的工作寿命，节约了成本。

Description

一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置
技术领域
本发明涉及等离子体CVD晶圆加热器的领域，尤其涉及一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置。
背景技术
随着半导体技术的不断飞速发展,单个芯片上所承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片,这要求更加精准的制造工艺.一种常用的工艺是等离子体化学汽相淀积(PECVD).化学汽相淀积(PECVD)一般用来在半导体晶圆衬底上淀积薄膜,气体起反应在晶圆加热器表面形成一层材料；等离子体CVD晶圆加热器是半导体芯片加工的关键设备，起承载吸附晶圆及提供加热的作用,随着使用次数增加, 晶圆在工艺过程中和等离子体CVD晶圆加热器表面接触,高温状态晶圆加热表面的铝材会被晶圆不停磨损,导致晶圆加热器表面平整度及吸附区域尺寸变差,吸附力下降,导致工艺无法正常完成,工艺结果变差。
因此就需要将等离子体CVD晶圆加热器表面进行修复,保证表面的平整度和吸附区域尺寸,保证工艺正常进行；现有技术的修复方法是使用数控机床或手工进行修复,但是存在材料去除量较大，数控机床一次去除量为0.12mm，导致晶圆加热器的可修磨次数少，使用成本高；另外晶圆加热器表面沟槽多、材料太软，导致不好控制表面平整度,大大减少了加热器的使用寿命和工艺稳定性。
发明内容
本发明目的是提供一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，结构简单，操作方便，修磨效果好，效率高，解决了以上技术问题。
为了实现上述技术目的，达到上述的技术要求，本发明所采用的技术方案是：一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：从下至上依次设置有安装支架、旋转装置、加热器支撑圆盘、研磨盘，晶圆加热器设置在加热器支撑圆盘和研磨盘之间；研磨盘包括研磨盘主体，研磨盘主体底部设置有研磨块、调节支撑圆柱，研磨盘主体通过调节螺栓与研磨块相连接固定，调节螺栓的上端设置有数显深度测量指示表；所述的安装支架包括安装支撑柱，安装支撑柱上端设置有安装平板，安装支撑柱下端设置有高度调节块，安装平板上设置有安装主体，安装主体内部设置有台阶孔，装有旋转电机的固定座下部与台阶孔相配合固定，旋转电机的上表面设置有连接圆盘，连接圆盘上端设置有支撑圆盘本体，支撑圆盘本体上端通过螺丝固定有圆环；所述的调节支撑圆柱与圆环相连接。
优选的：所述的高度调节块与安装支撑柱之间设置为螺纹连接。
优选的：所述的调节支撑圆柱与研磨盘本体之间、调节支撑圆柱与圆环之间均设置为螺纹连接。
优选的：所述的支撑圆盘本体的材质采用铝合金。
优选的：所述的圆环的材质采用PTFE。
优选的：所述的研磨块的长度与晶圆加热器的修磨面半径相等。
本发明的有益效果；一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，与传统结构相比：设置有带锁紧及定位功能的晶圆加热器支撑圆盘、连接晶圆加热器支撑圆盘的旋转装置、带水平调整及测量功能的研磨盘、带水平调节功能的安装支架；研磨块的长度与晶圆加热器的半径相等，研磨均匀；本发明结构简单，稳定性好，操作方便，研磨快速高效；大大降低了工人的劳动强度，大大减小了一次修磨量，增加了晶圆加热器的可修磨次数，延长了晶圆加热器的工作寿命，节约了成本。
附图说明
图1为本发明结构示意图；
图2为本发明中加热器支撑圆盘结构示意图；
图3为本发明中旋转装置结构示意图；
图4为本发明研磨盘结构示意图；
图5为本发明安装支架结构示意图；
图6为本发明晶圆加热器结构示意图；
在图中：1.加热器支撑圆盘；1-1.支撑圆盘本体；1-2.圆环；1-3.螺丝；2.旋转装置；2-1.固定座；2-2.旋转电机；2-3.连接圆盘；3.研磨盘；3-1.研磨盘主体；3-2.数显深度测量指示表；4.安装支架；5.晶圆加热器。
具体实施方式
为了使本发明的发明目的、技术方案及其有益技术效果更加清晰，以下结合附图和具体实施方式，对本发明进行进一步详细说明；
在附图中：一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：从下至上依次设置有安装支架4、旋转装置2、加热器支撑圆盘1、研磨盘3，晶圆加热器5设置在加热器支撑圆盘1和研磨盘3之间；研磨盘3包括研磨盘主体3-1，研磨盘主体3-1底部设置有研磨块3-5、调节支撑圆柱3-4，研磨盘主体3-1通过调节螺栓3-3与研磨块3-5相连接固定，调节螺栓3-3的上端设置有数显深度测量指示表3-2；所述的安装支架4包括安装支撑柱4-3，安装支撑柱4-3上端设置有安装平板4-2，安装支撑柱4-3下端设置有高度调节块4-4，安装平板4-2上设置有安装主体4-1，安装主体4-1内部设置有台阶孔，装有旋转电机2-2的固定座2-1下部与台阶孔相配合固定，旋转电机2-2的上表面设置有连接圆盘2-3，连接圆盘2-3上端设置有支撑圆盘本体1-1，支撑圆盘本体1-1上端通过螺丝1-3固定有圆环1-2；所述的调节支撑圆柱3-4与圆环1-2相连接。
所述的高度调节块4-4与安装支撑柱4-3之间设置为螺纹连接；所述的调节支撑圆柱3-4与研磨盘本体3-1之间、调节支撑圆柱3-4与圆环1-2之间均设置为螺纹连接；所述的支撑圆盘本体1-1的材质采用铝合金；所述的圆环1-2的材质采用PTFE；所述的研磨块3-5的长度与晶圆加热器5的修磨面半径相等。
本发明的具体实施：先将晶圆加热器的没有沟槽的非工作面区域使用数控车床进行修复，再将晶圆加热器放置在加热器支撑圆盘内，并用螺丝将圆环固定在支撑圆盘上，通过调节螺栓调节研磨块的位置，使研磨块与晶圆加热器相接触，同时观察三个数显深度测量指示表显示的数据是否一致，直至将三个数显深度测量指示表的数据调节为一致，此时，研磨块的平面度达到要求；然后启动旋转电机，旋转电机带动加热器支撑圆盘转动，开始研磨；研磨20-30分钟后，通过观察研磨面的色泽来判断研磨是否到位，没研磨前，表面为深色，研磨后表面为浅色，很容易观察到修磨的进度；通过肉眼初步判断研磨到位时，进一步用数显深度测量指示表通过研磨主体圆盘上的测量孔，在晶圆加热器上选取几个点进行测量，显示数据相同，即说明研磨到位。显示数据不同，说明研磨没有达到要求，此时调节螺栓，再次使研磨块与晶圆加热器相接触，继续研磨，二次研磨时间设置为10-20分钟，研磨停止，再次进行测量，直至测量数据相同。
本发明的表面修磨装置操作方便，大大降低了工人的劳动强度，大大减小了一次修磨量，大大延长了晶圆加热器的可修磨次数，延长了晶圆加热器的工作寿命，节约了成本。使用该研磨装置控制修磨量，确保等离子体CVD晶圆加热器工作面的修磨量降至最低，修磨量低于0.02mm，并可以在修磨后进行测量。
上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的描述，而并非对实施方式的限定，对于所属领域的技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (6)

1.一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：从下至上依次设置有安装支架（4）、旋转装置（2）、加热器支撑圆盘（1）、研磨盘（3），晶圆加热器（5）设置在加热器支撑圆盘（1）和研磨盘（3）之间；研磨盘（3）包括研磨盘主体（3-1），研磨盘主体（3-1）底部设置有研磨块（3-5）、调节支撑圆柱（3-4），研磨盘主体（3-1）通过调节螺栓（3-3）与研磨块（3-5）相连接固定，调节螺栓（3-3）的上端设置有数显深度测量指示表（3-2）；所述的安装支架（4）包括安装支撑柱（4-3），安装支撑柱（4-3）上端设置有安装平板（4-2），安装支撑柱（4-3）下端设置有高度调节块（4-4），安装平板（4-2）上设置有安装主体（4-1），安装主体（4-1）内部设置有台阶孔，装有旋转电机（2-2）的固定座（2-1）下部与台阶孔相配合固定，旋转电机（2-2）的上表面设置有连接圆盘（2-3），连接圆盘（2-3）上端设置有支撑圆盘本体（1-1），支撑圆盘本体（1-1）上端通过螺丝（1-3）固定有圆环（1-2）；所述的调节支撑圆柱（3-4）与圆环（1-2）相连接。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：所述的高度调节块（4-4）与安装支撑柱（4-3）之间设置为螺纹连接。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：所述的调节支撑圆柱（3-4）与研磨盘本体（3-1）之间、调节支撑圆柱（3-4）与圆环（1-2）之间均设置为螺纹连接。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：所述的支撑圆盘本体（1-1）的材质采用铝合金。
5.根据权利要求1所述的一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：所述的圆环（1-2）的材质采用PTFE。
6.根据权利要求1所述的一种等离子体CVD晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：所述的研磨块（3-5）的长度与晶圆加热器（5）的修磨面半径相等。
CN201910941551.0A 2019-09-30 2019-09-30 一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置 Active CN110576387B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910941551.0A CN110576387B (zh) 2019-09-30 2019-09-30 一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910941551.0A CN110576387B (zh) 2019-09-30 2019-09-30 一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110576387A true CN110576387A (zh) 2019-12-17
CN110576387B CN110576387B (zh) 2024-03-12

Family

ID=68814073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910941551.0A Active CN110576387B (zh) 2019-09-30 2019-09-30 一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110576387B (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09155722A (ja) * 1995-12-05 1997-06-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェーハの研磨装置
JP2002083791A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Toshiba Ceramics Co Ltd 研磨装置
KR101587482B1 (ko) * 2015-01-30 2016-01-21 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치 및 방법
CN205870295U (zh) * 2016-08-09 2017-01-11 上海罗富蒂曼控制工程有限公司 一种安全阀研磨盘全自动修复机
CN206732787U (zh) * 2017-05-05 2017-12-12 苍南博雅科技有限公司 一种用于电子产品制造的晶圆研磨设备
CN107984375A (zh) * 2017-11-27 2018-05-04 德淮半导体有限公司 晶圆加工装置及其加工方法
CN108161711A (zh) * 2017-12-28 2018-06-15 德淮半导体有限公司 晶圆研磨装置及研磨头
CN108637891A (zh) * 2018-06-05 2018-10-12 徐亚琴 一种半导体硅晶圆研磨系统
CN208438173U (zh) * 2018-06-29 2019-01-29 江苏纳沛斯半导体有限公司 一种晶圆加工用自动卸料研磨机
CN210732123U (zh) * 2019-09-30 2020-06-12 靖江先锋半导体科技有限公司 一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09155722A (ja) * 1995-12-05 1997-06-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェーハの研磨装置
JP2002083791A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Toshiba Ceramics Co Ltd 研磨装置
KR101587482B1 (ko) * 2015-01-30 2016-01-21 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치 및 방법
CN205870295U (zh) * 2016-08-09 2017-01-11 上海罗富蒂曼控制工程有限公司 一种安全阀研磨盘全自动修复机
CN206732787U (zh) * 2017-05-05 2017-12-12 苍南博雅科技有限公司 一种用于电子产品制造的晶圆研磨设备
CN107984375A (zh) * 2017-11-27 2018-05-04 德淮半导体有限公司 晶圆加工装置及其加工方法
CN108161711A (zh) * 2017-12-28 2018-06-15 德淮半导体有限公司 晶圆研磨装置及研磨头
CN108637891A (zh) * 2018-06-05 2018-10-12 徐亚琴 一种半导体硅晶圆研磨系统
CN208438173U (zh) * 2018-06-29 2019-01-29 江苏纳沛斯半导体有限公司 一种晶圆加工用自动卸料研磨机
CN210732123U (zh) * 2019-09-30 2020-06-12 靖江先锋半导体科技有限公司 一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110576387B (zh) 2024-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN210732123U (zh) 一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置
TW201710027A (zh) 工件的加工裝置
CN102042798B (zh) 一种扩展电阻测试样品制备方法及样品研磨固定装置
US20230339064A1 (en) Intergrated machining device for grinding and polishing diamond and method thereof
EP3871835A1 (en) Methods and equipment for surface scratch repair
WO2023116555A1 (zh) 一种大面积石英晶片研磨装置及其研磨方法
CN105058225A (zh) 研磨垫固定装置及化学机械研磨装置
CN217179466U (zh) 一种在晶圆贴合陶瓷盘的状态下测量晶圆厚度的装置
CN110576387A (zh) 一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置
Li et al. Simultaneous double side grinding of silicon wafers: a literature review
CN111168553A (zh) 一种蓝宝石衬底的稳固装置
CN215394537U (zh) 一种轴承加工用轴承内圈抛光装置
CN212620470U (zh) 一种半导体设备中加热盘组件质检及调试工装
CN115194652A (zh) 双面抛光设备上抛光盘修整装置及其修整方法
CN217552072U (zh) 一种尺寸可调的打磨卡盘
CN102607384B (zh) 外套圈平面度测量仪
CN207771570U (zh) 一种多尺寸兼容的晶圆研磨设备
CN213631925U (zh) 一种列车支座专用检测工具
TW202112494A (zh) 工件的兩面研磨方法
CN116494120B (zh) 大盘检测方法
CN109333173A (zh) 一种晶元加工方法
CN221390299U (zh) 一种钟表生产打磨装置
JPH08215964A (ja) ベースプレートの傾き調整機構
CN216759463U (zh) 一种用于加工铂靶的固定装置
CN218469759U (zh) 一种盘面测量工装

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 214500 No. 195, Xingang Avenue, Jingjiang Economic Development Zone, Taizhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Jiangsu Xianfeng Precision Technology Co.,Ltd.

Address before: 214500 No.8 Deyu Road, Chengnan Park, Jingjiang City, Taizhou City, Jiangsu Province

Applicant before: JINGJIANG XIANFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant