CN110543079A - 一种新型掩膜版 - Google Patents
一种新型掩膜版 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110543079A CN110543079A CN201910900774.2A CN201910900774A CN110543079A CN 110543079 A CN110543079 A CN 110543079A CN 201910900774 A CN201910900774 A CN 201910900774A CN 110543079 A CN110543079 A CN 110543079A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mask
- exposure
- light
- mask version
- novel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明公开了一种新型掩膜版，包括掩膜版本体，所述掩膜版本体的下表面设有遮光层形成遮光区，所述掩膜版本体的下表面还形成有透光区，所述掩膜版的的下方还设有曝光基板，所述曝光基板对应掩膜版的透光区形成曝光区，所述掩膜版本体的下表面、对应透光区还向内开设有凹槽，所述凹槽的内表面包括与掩膜版本体的下表面平行的第一表面以及与第一表面两端连接的两个内凹曲面，所述内凹曲面使边缘的偏折光束发生全反射，可以使得曝光基板的曝光区不会增大，提高曝光机的加工精度，可以生产更高分辨率、高开口率的产品。
Description
技术领域
本发明涉及显示产品中的曝光技术领域，更具体地涉及一种新型掩膜版。
背景技术
在显示器或者半导体产品的生产过程中，通常需要使用掩膜版来进行曝光工艺，传统的掩膜版为在匀质均厚的石英基板上，镀一层铬膜或其他遮光材料，从而形成遮光区和漏光的透光区。
在理想状态下，掩膜版和玻璃基板呈水平放置，使用绝对平行的竖向光束透过掩膜版上的透光区域，可以在玻璃基板上得到对应平行竖向光束宽度的曝光区域，但在实际曝光工艺中，如图1所示，由于光束中包含了很多偏折光束，只能得到近似平行的竖向光束，那么偏折光束经过掩膜版的水平下表面折射后，会偏折到玻璃基板上对应的遮光区域，使得实际得到的曝光宽度值W1大于掩膜版上透光区域的宽度值W2。
现有技术中也有通过将掩膜版上透光区域的宽度值适当减小的做法来进行补偿，但对于高精度产品，掩膜版上透光区域的宽度值越小，光的衍射现象也越严重，衍射现象造成光束能量降低，很有可能会加剧实际曝光宽度值大于掩膜版上透光区域的宽度值的现象。
发明内容
为了解决所述现有技术的不足，本发明提供了一种新型掩膜版，通过在掩膜版本体的下表面向内开设有凹槽，凹槽的内表面包括与掩膜版本体的下表面平行的第一表面以及与第一表面两端连接的两个内凹曲面，可以使得透光区边缘的偏折光束会经过内凹曲面发生全反射，使得曝光基板的曝光区不会增大，提高曝光机的加工精度，可以生产更高分辨率、高开口率的产品。
本发明所要达到的技术效果通过以下方案实现：一种新型掩膜版，包括掩膜版本体，所述掩膜版本体的下表面设有遮光层形成遮光区，所述掩膜版本体的下表面还形成有透光区，所述掩膜版的的下方还设有曝光基板，所述曝光基板对应掩膜版的透光区形成曝光区，所述掩膜版本体的下表面、对应透光区还向内开设有凹槽，所述凹槽的内表面包括与掩膜版本体的下表面平行的第一表面以及与第一表面两端连接的两个内凹曲面，所述内凹曲面使边缘的偏折光束发生全反射。
优选地，所述遮光层的遮光材料为黑色光阻或者反射金属。
优选地，所述掩膜版本体的材质为石英玻璃。
优选地，所述曝光基板的材质为石英玻璃。
优选地，所述偏折光束的入射角为大于42°，所述内凹曲面在偏折光束入射的位置倾斜度小于48°。
优选地，所述内凹曲面为平滑曲线的曲面，所述内凹曲面的宽度为0.5μm。
本发明具有以下优点：
通过在掩膜版本体的下表面向内开设有凹槽，凹槽的内表面包括与掩膜版本体的下表面平行的第一表面以及与第一表面两端连接的两个内凹曲面，可以使得透光区边缘的偏折光束会经过内凹曲面发生全反射，使得曝光基板的曝光区不会增大，提高曝光机的加工精度，可以生产更高分辨率、高开口率的产品。
附图说明
图1为现有技术中掩膜版曝光的结构示意图；
图2为本发明中一种新型掩膜版曝光的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“设置”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图2所示，本发明实施例提供一种新型掩膜版，包括掩膜版本体100，以掩膜版本体100的上方为入光方向，掩膜版本体100的下方为出光方向为例，所述掩膜版本体100的下表面设有遮光层200形成遮光区，用于阻挡光束透过，所述掩膜版本体100的下表面还形成有透光区300，用于允许光束透过。所述掩膜版的下方还设有曝光基板400，所述曝光基板400对应掩膜版的透光区300形成曝光区410，在透光区300所形成的图形即为需要曝光的图形。
本发明中所述掩膜版本体100的下表面、对应透光区300还向内开设有凹槽110，所述凹槽110的内表面包括与掩膜版本体100的下表面平行的第一表面111以及与第一表面111两端连接的两个内凹曲面112，所述内凹曲面112使边缘的偏折光束L2发生全反射，这样可以使得透光区300边缘的偏折光束L2会经过内凹曲面112发生全反射，就不会落在曝光基板400上，使得曝光基板400的曝光区410不会增大，提高曝光机的加工精度，可以生产更高分辨率、高开口率的产品。
全反射是指当光束由光密介质射向光疏介质的界面时，全部被折射回原介质的现象。本发明中由于掩膜版本体100的材质对于空气是光密介质，因此只要凹槽110的内凹曲面112设计满足边缘的偏折光速L2的入射角大于临界角，则能形成全反射现象。
由于凹槽110的第一表面111为与掩膜版本体100的下表面平行的水平表面，射入该第一表面111的偏折光束L2和竖直光束L1可以直接照射在曝光基板400上，使得曝光区410的整体照明度可以不受影响。
本发明中以掩膜版和曝光基板400水平放置为例，则曝光光束竖直从掩膜版的上方射入掩膜版本体100，并在掩膜版本体100的透光区300射入曝光基板400形成曝光区410，当掩膜版透光区300的边缘光束具有偏折光束L2时，偏折光束L2会射向掩膜版本体100的内凹曲面112发生全反射，使得边缘的偏折光束L2不会落在曝光基板400上，也就不会增大曝光基板400的曝光区410。
本发明中，所述遮光层200的遮光材料可以是黑色光阻或者反射金属等，所述透光区300可以是没有遮光层200的开口，也可以是透明层，本发明不作具体限定和赘述。
所述掩膜版本体100的材质为石英玻璃，所述曝光基板400的材质也为石英玻璃。当掩膜版本体100的材质为石英玻璃时，根据石英的折射率为1.5和空气的折射率为1，利用折射的计算公式可知，当边缘偏折光束L2的入射角大于42°，内凹曲面112在偏折光束L2入射的位置倾斜度小于48°时就会发生全反射。优选地，所述内凹曲面112为平滑曲线的曲面，所述内凹曲面的宽度为0.5μm，以便符合补正掩膜版本体100上透光区的宽度值与曝光基板400实际曝光的宽度值的差异。
最后需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明实施例的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解依然可以对本发明实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明实施例技术方案的范围。
Claims (6)
1.一种新型掩膜版，包括掩膜版本体，所述掩膜版本体的下表面设有遮光层形成遮光区，所述掩膜版本体的下表面还形成有透光区，所述掩膜版的的下方还设有曝光基板，所述曝光基板对应掩膜版的透光区形成曝光区，其特征在于，所述掩膜版本体的下表面、对应透光区还向内开设有凹槽，所述凹槽的内表面包括与掩膜版本体的下表面平行的第一表面以及与第一表面两端连接的两个内凹曲面，所述内凹曲面使边缘的偏折光束发生全反射。
2.如权利要求1所述的一种新型掩膜版，其特征在于，所述遮光层的遮光材料为黑色光阻或者反射金属。
3.如权利要求1所述的一种新型掩膜版，其特征在于，所述掩膜版本体的材质为石英玻璃。
4.如权利要求1所述的一种新型掩膜版，其特征在于，所述曝光基板的材质为石英玻璃。
5.如权利要求3所述的一种新型掩膜版，其特征在于，所述偏折光束的入射角为大于42°，所述内凹曲面在偏折光束入射的位置倾斜度小于48°。
6.如权利要求1所述的一种新型掩膜版，其特征在于，所述内凹曲面为平滑曲线的曲面，所述内凹曲面的宽度为0.5μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910900774.2A CN110543079A (zh) | 2019-09-23 | 2019-09-23 | 一种新型掩膜版 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910900774.2A CN110543079A (zh) | 2019-09-23 | 2019-09-23 | 一种新型掩膜版 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110543079A true CN110543079A (zh) | 2019-12-06 |
Family
ID=68714236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910900774.2A Pending CN110543079A (zh) | 2019-09-23 | 2019-09-23 | 一种新型掩膜版 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110543079A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111123639A (zh) * | 2020-01-13 | 2020-05-08 | 合肥维信诺科技有限公司 | 掩膜版及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088164A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体写真製版装置 |
| JPH0815848A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Kyushu Ltd | フォトレチクル |
| JPH0882917A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-03-26 | Toshiba Corp | 露光用マスク |
| KR20040057468A (ko) * | 2002-12-26 | 2004-07-02 | 삼성전자주식회사 | 레티클 스테이지 및 이를 포함하는 노광 장치 |
| CN105511220A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版 |
| CN210348187U (zh) * | 2019-09-23 | 2020-04-17 | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 | 一种新型掩膜版 |
-
2019
- 2019-09-23 CN CN201910900774.2A patent/CN110543079A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088164A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体写真製版装置 |
| JPH0815848A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Kyushu Ltd | フォトレチクル |
| JPH0882917A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-03-26 | Toshiba Corp | 露光用マスク |
| KR20040057468A (ko) * | 2002-12-26 | 2004-07-02 | 삼성전자주식회사 | 레티클 스테이지 및 이를 포함하는 노광 장치 |
| CN105511220A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版 |
| CN210348187U (zh) * | 2019-09-23 | 2020-04-17 | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 | 一种新型掩膜版 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111123639A (zh) * | 2020-01-13 | 2020-05-08 | 合肥维信诺科技有限公司 | 掩膜版及其制备方法 |
| CN111123639B (zh) * | 2020-01-13 | 2023-08-18 | 合肥维信诺科技有限公司 | 掩膜版及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106022325A (zh) | 光学指纹传感器模组 | |
| TW201706730A (zh) | 曝光裝置用之對準裝置及對準記號 | |
| US20160178965A1 (en) | Display device and manufacturing method of the same | |
| KR102598702B1 (ko) | 로우빔 광학 모듈, 로우빔 조명 모듈, 차량용 램프 및 차량 | |
| CN210348187U (zh) | 一种新型掩膜版 | |
| EP3985435B1 (en) | Projection screen | |
| CN108802865A (zh) | 透镜 | |
| CN110543079A (zh) | 一种新型掩膜版 | |
| KR20220004709A (ko) | 스크린 지문인식 어셈블리 및 단말 장비 | |
| CN1383021A (zh) | 折反射式宽波段成像望远镜光学系统 | |
| CN105511220B (zh) | 掩膜版 | |
| TW201913223A (zh) | 投影片及投影裝置 | |
| CN109212890B (zh) | 掩膜版、显示基板及其制作方法 | |
| JPH01182837A (ja) | 透過型スクリーン | |
| CN212276015U (zh) | 一种光波导透镜 | |
| WO2024099128A1 (zh) | 手术显微镜和显微镜 | |
| JPH0262847B2 (zh) | ||
| JPS61148415A (ja) | 照明光学系 | |
| US20140293468A1 (en) | Apodization filter and method of manufacturing the same | |
| US9274433B2 (en) | Fly eye lens and proximity exposure machine optical system | |
| CN212112012U (zh) | 一种光学仪器分划板 | |
| CN114859450A (zh) | 菲涅尔透镜组及虚拟现实装置 | |
| US5455130A (en) | Photomask comprising an optical path adjusting film | |
| KR102273126B1 (ko) | 태양광 모듈의 광 투과율 측정 시스템 | |
| CN114488509B (zh) | 一种棱镜分划板及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |