CN110537276A - 承载量测定装置以及承载量测定方法 - Google Patents
承载量测定装置以及承载量测定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110537276A CN110537276A CN201880015134.7A CN201880015134A CN110537276A CN 110537276 A CN110537276 A CN 110537276A CN 201880015134 A CN201880015134 A CN 201880015134A CN 110537276 A CN110537276 A CN 110537276A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- substrate
- electromagnetic wave
- catalyst layer
- bearing capacity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 382
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 303
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 92
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 78
- 239000003863 metallic catalyst Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 38
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 36
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 34
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 23
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 22
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 13
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 49
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 56
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 31
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 21
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 21
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 21
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 10
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 7
- 102220532362 Nutritionally-regulated adipose and cardiac enriched protein homolog_S15A_mutation Human genes 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 6
- 102220646157 Actin-like protein 7A_S12A_mutation Human genes 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 102220531547 39S ribosomal protein L4, mitochondrial_S17A_mutation Human genes 0.000 description 4
- 102220480414 Adhesion G-protein coupled receptor D1_S13A_mutation Human genes 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000000892 gravimetry Methods 0.000 description 4
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 4
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 102220637010 Actin-like protein 7A_S10T_mutation Human genes 0.000 description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 102220646098 Actin-like protein 7A_S11A_mutation Human genes 0.000 description 2
- 101001118566 Homo sapiens 40S ribosomal protein S15a Proteins 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000008278 dynamic mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
- G01N21/3586—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation by Terahertz time domain spectroscopy [THz-TDS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/86—Inert electrodes with catalytic activity, e.g. for fuel cells
- H01M4/88—Processes of manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M8/00—Fuel cells; Manufacture thereof
- H01M8/10—Fuel cells with solid electrolytes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Fuel Cell (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明提供一种能够高精度地进行金属催化剂的承载量测定的技术。承载量测定部(50)从振荡器(52)对在Y轴方向上搬运的基材(90)照射电磁波,并检测透射基材(90)后的电磁波的电场强度,由此测定催化剂层(92)中的金属催化剂的承载量。承载量测定部(50)具备:端部位置确定部(6050),其确定催化剂层(92)的Y轴方向两侧的端部(92E、92E)的位置;以及承载量确定部(604),其从由多个检测元件(540)检测出的电磁波的电场强度去除在端部位置处因电磁波衍射而产生的衍射电磁波的强度,确定催化剂层(92)中的每个透射位置处的承载量。
Description
技术领域
本发明涉及一种测定形成于基材的催化剂层中的金属催化剂的承载量的技术。
背景技术
固体高分子形燃料电池(PEFC)为电解质由高分子构成的燃料电池。作为固体高分子电解质,作为一例使用离子交换树脂。PEFC隔着该固体高分子电解质而配置负极和正极这两个电极,向负极侧供给氢燃料并且向正极侧供给氧或空气,由此引起电化学反应而发电。
例如在将氢用作燃料的情况下,在负极中发生以下式的反应。
H2→2H++2e-
另外,在将氧用作氧化剂的情况下,在正极中发生以下式的反应而生成水。
1/2O2+2H++2e-→H2O
为了最大限度地发挥该燃料电池的正极和负极的反应,与正极和负极混合的催化剂层较为重要。为此,要求一种高精度地测定催化剂层中的金属催化剂的承载量的技术。
在专利文献1中公开了以下技术:利用金属催化剂的承载量与太赫磁波的透射率的相关性高这一情况,测定催化剂层中的金属催化剂的承载量。具体地说,从振荡器呈放射状地扩散的太赫磁波照射到基材,由呈直线状地排列的多个检测元件检测透射催化剂层后的太赫磁波(以下,还称为透射太赫磁波)的电场强度。而且,根据检测出的透射太赫磁波的透射率,来确定催化剂层的承载量。
另外,在专利文献1中公开了以下情况:一边通过所谓的辊对辊来搬运基材一边从振荡器朝向基材输出电磁波,通过检测元件来检测透射催化剂层后的电磁波的电场强度。
另外,在专利文献2中,作为检测太赫磁波的元件,公开了在室温下具有高速(例如25微微秒)的响应速度的检测元件。公开了以下一种系统:通过将该检测元件二维地进行排列,较高速(例如每隔0.5秒钟)地对太赫磁波强度分布进行图像显示。例如线状地配置这种检测元件,由此一边通过辊对辊来搬运基材一边能够测定形成于其表面的催化剂层中的金属催化剂的承载量。
在先技术文献
专利文献1:日本特开2016-151562号公报
专利文献2:国际公开第2013/09805号
发明内容
通常,在存在障碍物时,电磁波通过以障碍物端点为基点的衍射现象迂回到障碍物背后而传递。为此,在专利文献1中,在向基材照射太赫磁波时,在催化剂层的端部中衍射的太赫磁波(以下,还称为“衍射太赫磁波”)能够入射到周边的检测元件。因而,除了检测透射催化剂层后的透射太赫磁波的电场强度以外,还检测衍射太赫磁波的电场强度,从而难以高精度地测定承载量。
为了减轻衍射太赫磁波的影响,可考虑通过事先的测定或运算等求出衍射太赫磁波的强度,将检测出的电场强度减去其成分。然而,催化剂层的端部位置相对于太赫磁波振荡器或多个检测元件并不始终位于同一位置,例如根据金属催化剂的涂敷精度或基材的搬运精度等的不同而发生变动。当端部位置发生变动时,衍射的位置改变,因此供衍射太赫磁波入射的检测元件也可发生变更。于是,无法适当地校正衍射太赫磁波的成分,从而难以高精度地测定金属催化剂的承载量。特别是,在搬运精度低的情况下,端部位置经常发生变动,从而难以再现性良好地进行承载量的测定。
本发明的目的在于,提供一种高精度地进行金属催化剂的承载量测定的技术。
第一方式是一种承载量测定装置,其对以预定的基准宽度形成于片状的基材的表面的催化剂层中的金属催化剂的承载量,该承载量测定装置具备:振荡器,其朝向上述基材的表面输出在与上述表面平行的第一方向上呈扇状地扩散的电磁波;检测器,其在上述第一方向上排列,且包括分别检测上述电磁波的电场强度的多个检测元件;第二方向移动部,其使上述基材相对于上述振荡器和上述检测器在与上述表面平行且与上述第一方向正交的第二方向上相对地移动;移动距离检测部,其对上述基材借助上述第二方向移动部而相对于上述振荡器和上述检测器在上述第二方向上的相对移动距离进行检测;透射位置确定部,其根据上述振荡器、上述基材、上述多个检测元件的位置关系以及上述移动距离,确定分别入射到上述多个检测元件的上述电磁波所透射的上述基材中的每个透射位置;端部位置确定部,其确定上述催化剂层在上述第一方向上的端部的位置;以及承载量确定部,其从由上述多个检测元件检测出的上述电磁波的电场强度中去除因上述电磁波在上述端部的位置处衍射而产生的衍射电磁波的强度,从而确定上述每个透射位置处的上述承载量。
第二方式是第一方式的承载量测定装置,其还具备垂直方向移动部,该垂直方向移动部使上述振荡器和上述检测器相对于上述基材在与其表面垂直的垂直方向上相对地移动,上述垂直方向移动部根据由上述端部位置确定部确定的上述催化剂层的上述端部的位置,使上述振荡器和上述检测器相对于上述基材相对地移动,以使得入射到上述催化剂层的上述端部的端部电磁波的入射角接近基准入射角。
第三方式是第二方式的承载量测定装置,上述端部位置确定部确定上述催化剂层在上述第一方向上的两侧的上述端部的位置,上述垂直方向移动部根据上述两侧的端部位置距基准位置的偏移量的平均值,使上述振荡器和上述检测器相对于上述基材在上述垂直方向上相对地移动。
第四方式是第一至第三方式的承载量测定装置,其还具备第一方向移动部,该第一方向移动部根据由上述端部位置确定部确定的上述催化剂层在上述第一方向上的两侧的上述端部的位置,使上述振荡器相对于上述催化剂层在上述第一方向上的中心相对地移动。
第五方式是第一至第四方式的承载量测定装置,其还具备存储部,该存储部对上述承载量确定部在从由上述多个检测元件检测出的上述电磁波的电场强度中去除上述衍射电磁波的强度时应用的衍射成分校正信息进行存储,上述衍射成分校正信息为表示在预定的基准位置处产生了上述衍射电磁波的情况下、上述检测器上的上述第一方向的位置与上述衍射电磁波的强度之间的对应关系的信息。
第六方式是第五方式的承载量测定装置,上述承载量确定部根据由上述端部位置确定部确定的上述端部的位置距上述基准位置的偏移量,修正上述衍射成分校正信息所示的位置信息。
第七方式是一种承载量测定方法,其测定在片状基材表面上以预定基准宽度形成的催化剂层中的金属催化剂的承载量,该承载量测定方法包括以下工序:(a)从振荡器朝向上述基材表面,输出在与上述表面平行的第一方向上呈扇状地扩散的电磁波;(b)利用检测器所包含的在上述第一方向上排列的多个检测元件的每个检测元件,来检测在上述工序(a)中透射上述基材后的上述电磁波的电场强度;(c)使上述基材相对于上述振荡器和上述检测器在与上述表面平行且与上述第一方向正交的第二方向上相对地移动;(d)对在上述工序(c)中上述基材相对于上述振荡器和上述检测器在上述第二方向上的相对移动距离进行检测;(e)根据上述振荡器、上述基材、上述多个检测元件的位置关系以及上述移动距离,确定分别入射到上述多个检测元件的上述电磁波所透射的上述基材中的每个透射位置;(f)确定上述催化剂层在上述第一方向上的端部的位置;以及(g)从由上述多个检测元件检测出的上述电磁波的电场强度中去除因上述电磁波在上述端部的位置处衍射而产生的衍射电磁波的强度,从而确定上述透射位置的每个透射位置处的上述承载量。
第八方式是一种承载量测定装置,对形成于片状的基材的表面的催化剂层所包含的金属催化剂的承载量进行测定,该承载量测定装置具备:搬运部,其包括卷入了上述基材的供给用辊以及卷绕从上述供给用辊供给的上述基材的卷绕用辊;电磁波振荡器,其从由上述搬运部使上述基材向预定的搬运方向搬运的上述基材的一侧,朝向上述基材输出在上述基材的与上述搬运方向正交的宽度方向上扩散的扇状的电磁波;多个检测元件,其在上述基材的另一侧在上述宽度方向上排列,并检测要入射的上述电磁波的电场强度;盖罩部,其配置在上述基材与上述多个检测元件之间,并覆盖上述多个检测元件的上述一侧;一对抵接部,其分别配置在比上述盖罩部更靠上述一侧且上述多个检测元件的上述搬运方向上的上游侧和下游侧的位置,且与上述基材的另一侧的面抵接;以及承载量确定部,其根据由上述多个检测元件检测的上述电磁波的电场强度,来确定上述催化剂层的催化剂承载量。
第九方式是第八方式的承载量测定装置,其还具备一对辅助辊部件,该一对辅助辊部件分别配置在比上述一对抵接部更靠上述搬运方向上的上游侧和下游侧,且在上述宽度方向上延伸,上述一对抵接部在比上述一对辅助辊部件更靠上述一侧的位置处与上述基材抵接。
第十方式是第八或第九方式的承载量测定装置,上述一对辅助辊部件与上述基材的上述一侧的面抵接。
第十一方式是第八至第十方式的承载量测定装置,上述一对抵接部分别包括绕在上述宽度方向上延伸的轴旋转的抵接辊部件。
第十二方式是第十一方式的承载量测定装置,上述抵接辊部件中的至少一部分被配置成从形成于上述盖罩部的贯通孔向上述一侧露出。
第十三方式是第八至第十二方式的承载量测定装置,上述盖罩部构成用于收容上述多个检测元件的壳体的一部分。
第十四方式是一种承载量测定方法,其测定形成于片状基材表面上的催化剂层内包含的金属催化剂的承载量,该承载量测定方法包括以下工序:(a)通过将从卷入了上述基材的供给用辊供给的上述基材卷绕于卷绕用辊,来搬运上述基材;(b)从配置于上述基材的一侧的电磁波振荡器,朝向在上述工序(a)中向预定的搬运方向搬运的上述基材,输出在上述基材的与上述搬运方向正交的宽度方向上扩散的扇状的电磁波;(c)利用在上述基材的另一侧在上述宽度方向上排列的多个检测元件来检测在上述工序(b)中从上述电磁波振荡器输出的上述电磁波的电场强度;以及(d)根据在上述工序(c)中由上述多个检测元件检测的上述电磁波的电场强度,来确定上述催化剂层的催化剂承载量,上述多个检测元件的上述一侧被配置在上述基材与上述多个检测元件之间的盖罩部覆盖,上述工序(a)包括以下工序:使比上述盖罩部更靠上述一侧且分别配置在上述多个检测元件的上述搬运方向上的上游侧和下游侧的位置的一对抵接部与上述基材的另一侧的面抵接。
根据第一方式的承载量测定装置,确定催化剂层的端部的位置,从而能够确定电磁波衍射的位置。由此,能够准确地进行用于去除衍射电磁波的强度的校正,因此能够高精度地进行金属催化剂的承载量测定。
根据第二方式的承载量测定装置,根据催化剂层的端部的第一方向的位置,使振荡器和检测器相对于基材相对地移动,从而能够使入射到催化剂层的端部的端部电磁波的入射角接近基准入射角。由此,能够减少由端部电磁波的入射角的变动引起的衍射电磁波的强度的变动,因此能够高精度地进行金属催化剂的承载量测定。
根据第三方式的承载量测定装置,根据两侧的端部位置的每个端部位置距基准位置的偏移量的平均值使振荡器和检测器相对地移动,因此能够使入射到两侧的端部的端部电磁波的每个入射角接近基准入射角。
根据第四方式的承载量测定装置,根据两侧的端部的位置偏移量,使振荡器和检测器向基材的垂直方向和第一方向进行移动,因此能够使入射到催化剂层的两侧的端部的端部电磁波的入射角接近基准入射角。
根据第五方式的承载量测定装置,根据衍射成分校正信息来求出衍射电磁波的强度,因此能够正确地校正电场强度。
根据第六方式的承载量测定装置,由催化剂层的端部位置距基准位置的偏移引起在衍射位置处产生偏移。与该偏移相应地修正衍射成分校正信息示出的位置信息,由此能够正确地获取衍射电磁波的强度。由此,能够高精度地进行金属催化剂的承载量测定。
根据第七方式的承载量测定方法,确定催化剂层的端部的位置,由此能够确定电磁波衍射的位置。由此,能够准确地进行用于去除衍射电磁波的强度的校正,因此能够高精度地进行金属催化剂的承载量测定。
根据第八方式的承载量测定装置,在比多个检测元件更靠搬运方向上游侧和下游侧的位置,一对抵接部与基材抵接,由此减轻基材被一对抵接部支承的部分的振动。由多个检测元件检测透射减轻该振动的基材的部分的电磁波的电场强度,因此能够高精度地确定催化剂层所包含的金属催化剂的承载量。
根据第九方式的承载量测定装置,一对抵接部在比一对辅助辊部件更靠一侧(电磁波产生器一侧)的位置处与基材抵接,因此通过对配置在一对抵接部之间的基材的部分施加张力,能够去除皱褶。由此,能够高精度地确定在一对抵接部之间支承的基材部分中的金属催化剂的承载量。
根据第十方式的承载量测定装置,将基材夹入一对辅助辊部件与一对抵接部之间。由此,通过适度地伸展基材能够去除皱褶。因而,能够测定透射去除了皱褶的基材的部分的电磁波的强度,因此能够高精度地确定金属催化剂的承载量。
根据第十一方式的承载量测定装置,抵接辊部件能够与基材的搬运一致地旋转,因此能够减少抵接辊部件与基材之间的滑动连接。
根据第十二方式的承载量测定装置,将抵接辊部件重叠配置于盖罩部。因此,能够配置成使盖罩部和多个检测元件接近基材。
根据第十三方式的承载量测定装置,多个检测元件收容于壳体,因此能够适当地保护多个检测元件。
根据第十四方式的承载量测定方法,在比多个检测元件更靠搬运方向上的上游侧和下游侧的位置处,一对抵接部与基材抵接,由此减轻基材被一对抵接部支承的部分的振动。由多个检测元件检测透射减轻了该振动的基材的部分的电磁波的电场强度,因此能够高精度地确定催化剂层内包含的金属催化剂的承载量。
附图说明
图1是表示第一实施方式的涂敷系统10的结构的概要侧视图。
图2是表示第一实施方式的承载量测定部50的概要立体图。
图3是表示第一实施方式的承载量测定部50的概要主视图。
图4是表示第一实施方式的涂敷系统10的总线布线的图。
图5是用于说明电磁波的衍射现象的图。
图6是用于说明衍射成分校正信息623的获取方法的图。
图7是表示形成于搬运中的基材90的催化剂层92的两侧的端部92E、92E的概要俯视图。
图8是表示搬运中的基材90的概要主视图。
图9是表示搬运中的基材90的概要主视图。
图10是用于说明衍射成分校正信息623示出的位置信息的修正处理的概要主视图。
图11是表示第一实施方式的涂敷系统10的动作流程的流程图。
图12是表示第一实施方式的承载量测定处理的流程图。
图13是表示第二实施方式的涂敷系统10的结构的概要侧视图。
图14是表示第二实施方式的承载量测定部50的概要立体图。
图15是表示第二实施方式的检测器54的概要侧视图。
图16是表示第二实施方式的承载量测定部50的概要立体图。
图17是表示第二实施方式的承载量测定部50的概要侧视图。
图18是表示第二实施方式的承载量测定部50的概要主视图。
图19是表示第二实施方式的涂敷系统10的总线布线的图。
图20是表示第二实施方式的承载量测定的流程的流程图。
图21是表示第三实施方式的承载量测定部50A的概要侧视图。
图22是表示第四实施方式的承载量测定部50B的概要侧视图。
图23是表示第四实施方式的检测器54A的概要立体图。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的实施方式。此外,该实施方式所记载的结构要素始终是例示,并非意味着本发明的范围仅限于这些。在附图中,为了使理解更容易,根据需要有时夸大或简化各部分的尺寸、数量而示出。
<1.1.第一实施方式>
<涂敷系统10的结构>
图1是表示第一实施方式的涂敷系统10的结构的概要侧视图。图2是表示第一实施方式的承载量测定部50的概要立体图。图3是表示第一实施方式的承载量测定部50的概要主视图。图4是表示第一实施方式的涂敷系统10的总线布线的图。对图1之后的各图附加XYZ正交坐标系,以容易地理解涂敷系统10的各结构要素的位置关系等。另外,在以下的说明中,将箭头的前端方向设为+(正)方向,将其反方向设为-(负)方向。其中,该正交坐标系并不限定各结构要素的位置关系等。
涂敷系统10例如为用于制造固体高分子燃料电池(PEFC)的装置,具体地说,在作为片状电解质膜的基材90的表面上涂敷铂等金属催化剂而制造带有催化剂层的电解质膜(CCM)。
此外,涂敷系统也可以构成为制造气体扩散层(GDL)形成于CCM的催化剂层的膜电极组件(MEA)。承载量测定部50适合于测量形成于CCM的催化剂层的催化剂承载量,但是也可以应用于测量MEA的催化剂层的催化剂承载量。
涂敷系统10具备用于搬运基材90的搬运部20、涂敷部30、干燥部40、承载量测定部50以及控制部60。如后文中所述,搬运部20的供给用辊220、卷绕用辊222、编码器226、搬运辅助辊240、242和辊驱动部28、承载量测定部50和控制部60构成承载量测定装置。
<搬运部20>
搬运部20具备供给用辊220、卷绕用辊222和一对搬运辅助辊240、242、搬运用辊260、262、264。另外,搬运部20具备使卷绕用辊222旋转的辊驱动部28。这些辊分别形成为在Y轴方向上延伸的圆筒状。
供给用辊220和卷绕用辊222形成为能够卷入并保持片状基材90。在此,供给用辊220在卷入状态下保持未涂敷金属催化剂的基材90。从供给用辊220引出的基材90被卷绕于通过辊驱动部28而主动地旋转的卷绕用辊222。搬运用辊260、262、264以及一对搬运辅助辊240、242被配置成支承架设在供给用辊220和卷绕用辊222上的基材90的中间部分。
在卷绕用辊222上设置有编码器226。编码器226通过检测卷绕用辊222的旋转量,来检测基材90的移动距离。即,编码器226为检测基材90相对于振荡器52和检测器54的在X轴方向(第二方向)上的相对移动距离的移动距离检测器。能够任意地设定由供给用辊220和卷绕用辊222搬运的基材90的搬运速度,但是例如设为25mm/sec以下即可。
搬运用辊260、262、264配置在从供给用辊220至涂敷部30之间,一边对基材90施加适度的张力一边搬运基材90。特别是,搬运用辊264配置于与在涂敷部30中对基材90涂敷金属催化剂的面的相反侧的面接触并对该面进行支承的位置。
一对搬运辅助辊240、242配置在干燥部40的下游侧,分别设置在支承基材90并且将基材90拉伸而从基材90去除褶皱的位置。在一对搬运辅助辊240、242之间的中间位置处设置有承载量测定部50,从振荡器52对通过该中间位置的基材90照射电磁波。
如图1和图2所示,基材90的搬运方向在搬运辅助辊242中从+X方向弯向+Z侧。由此,通过承载量测定部50的基材90的部分被适度地拉伸。因而,能够将从振荡器52输出的电磁波照射到褶皱的产生得到抑制的基材90的部分,因此能够高精度地确定催化剂承载量。此外,也可以在搬运辅助辊240中也以基材90的搬运方向发生变化的方式配置搬运辅助辊240。由此,在通过承载量测定部50的基材90的部分中能够进一步抑制褶皱的产生。
另外,搬运辅助辊240、242的直径并不特别限定,但是为了抑制褶皱的产生,设为1mm以下即可。另外,搬运辅助辊240、242之间的距离并不特别限定,但是为了抑制褶皱的产生,设为10mm以下即可。
<涂敷部30>
涂敷部30具备狭缝喷嘴32和涂敷液供给部34。在狭缝喷嘴32的下端部形成有沿基材90的宽度方向(Y轴方向)延伸的形成为狭缝状的排出口。涂敷液供给部34具备用于积存金属催化剂的涂敷液的积存箱340、将涂敷液从该积存箱340提供给狭缝喷嘴32的泵342以及执行涂敷液从排出口开始排出和停止排出的电磁阀344。由控制部60控制该电磁阀344的动作。
形成有狭缝喷嘴32的排出口的下端部配置于接近搬运用辊264的位置。涂敷液从狭缝喷嘴32的排出口排出,由此将涂敷液涂敷到由搬运用辊264支承的基材90。
在本例中,狭缝喷嘴32的排出口比基材90的宽度方向的长度短。因此,将涂敷液涂敷到基材90中的从宽度方向的两端隔着预定距离的内侧区域。其结果是,如图2所示,形成在除了基材90的两端部的内侧部分处涂敷了金属催化剂的涂敷区域900。而且,在基材90的两端部形成不涂敷金属催化剂的端部非涂敷区域902。
另外,在本例中,从狭缝喷嘴32间歇地排出涂敷液。详细地说,每次在由编码器226检测出基材90移动预定距离的量这一情况时,交替地使涂敷液开始排出或停止排出。由此,如图2所示,间歇地形成涂敷区域900。即,在X轴方向上相邻的涂敷区域900、900之间形成不涂敷金属催化剂的中间非涂敷区域904。中间非涂敷区域904为沿Y轴方向的区域。
<干燥部40>
干燥部40具有两端形成有供基材90进入的进入口以及供基材90退出的退出口的壳体。干燥部40在其壳体的内部对涂敷在基材90的一面上的涂敷液的膜进行干燥处理。作为一例,干燥部40向基材90供给热风从而对该基材90加热,由此,使涂敷液内包含的水分等溶剂蒸发。
<承载量测定部50>
承载量测定部50被设置于干燥部40的下游侧,测定形成于基材90的催化剂层92中的金属催化剂的承载量(催化剂承载量)。承载量测定部50具备振荡器52和检测器54。
振荡器52输出朝向-Z方向在Y轴方向(第一方向)上扩散的扇状的电磁波。该电磁波例如为0.03至10THz的太赫磁波。从振荡器52输出的扇状电磁波由柱面透镜520会聚,并照射到位于一对搬运辅助辊240、242之间的中间位置的基材90的部分。从振荡器52输出的电磁波在此被视为连续波,但是也可以是脉冲波。
检测器54具备在Y轴方向(第一方向)上排列的多个(例如256个)检测元件540。多个检测元件540分别检测从振荡器52输出的电磁波的强度。省略图示,但是为了保护多个检测元件540,优选将多个检测元件540收容于壳体内部。
检测元件540能够由肖特基势垒二极管、质子检测器(美国专利8159667号、美国专利8772890号)、非线性光学晶体等公知的检测器构成。检测元件540将入射到检测面的电磁波(太赫磁波)的强度变换为电信号。检测元件540分别输出的电信号被取入到控制部60。此外,作为检测元件540,也可以具备光电导开关(光电导天线)。
如图4所示,多个检测元件540包括一对检测元件540a、540a、一对检测元件540b、540b以及多个检测元件540c。
一对检测元件540a、540a配置于Y轴方向的两端。一对检测元件540a、540a配置于从Z轴方向观察比基材90更靠Y轴方向外侧的位置。一对检测元件540a、540a配置于用于检测通过比基材90更靠Y轴方向外侧的位置的电磁波(基材外部通过电磁波)的位置。
一对检测元件540b、540b分别配置于与一对检测元件540a、540a的内侧相邻的位置。一对检测元件540b、540b配置于用于检测分别透射基材90的宽度方向两侧的端部非涂敷区域902、902的电磁波(端部透射电磁波)的位置。
多个检测元件540c排列在检测元件540b、540b之间。检测元件540c分别检测透射涂敷区域900(催化剂层92)的各部分后的电磁波(催化剂层透射电磁波)。多个检测元件540c例如优选以能够检测在Y轴方向上以0.1mm~10mm的间隔透射基材90的每个电磁波的间隔进行排列。由此,针对Y轴方向能够以0.1mm~10mm的分辨率测定催化剂承载量。该分辨率为与当前的冲压重量测定法(对形成有催化剂层92的基材90的部分进行冲压而测量其冲压部分的重量并确定承载量的测定方法)相等以上的分辨率。
垂直方向移动部56使振荡器52在相对于基材90接近或分离的接近分离方向(Z轴方向)上移动。垂直方向移动部56具备配置于基材90的+Y侧和-Y侧并在Z轴方向上延伸的一对直线导轨部560、560。振荡器52和检测器54分别被固定于在Y轴方向上延伸的形成为棒状的支承部件562、564。垂直方向移动部56使与一对直线导轨部560、560连接的支承部件562、564一体地在Z轴方向上移动,由此振荡器52和检测器54一体地在Z轴方向上移动。由控制部60的移动控制部605控制垂直方向移动部56的动作。
此外,垂直方向移动部56并非必须使振荡器52和垂直方向移动部56一体地移动。即,垂直方向移动部56能够构成为使振荡器52和检测器54分别独立地移动。在该情况下,也可以控制成垂直方向移动部56使支承部件562、564在相同方向上移动相同的量。
一对照相机57、57分别拍摄形成于向+X方向搬运的基材90的催化剂层92的+Y侧的端部92E和-Y侧的端部92E。一对照相机57、57配置于基材90的+Z侧,在一对Y轴方向上隔着间隔而固定于支承部件562。由一对照相机57、57拍摄得到的图像被发送到控制部60。一对照相机57、57的摄像范围比振荡器52照射电磁波的基材90上的位置更靠搬运方向上游侧(-X侧)。
宽度方向移动部58为使振荡器52和检测器54在Y轴方向(基材90的宽度方向)上移动的机构。在此,宽度方向移动部58与垂直方向移动部56连接,与垂直方向移动部56一起使振荡器52和检测器54在Y轴方向上一体地移动。宽度方向移动部58能够由线性电极机构或螺杆机构等驱动机构构成。由移动控制部605控制宽度方向移动部58的动作。
<控制部60>
控制部60控制涂敷系统10整体的动作。作为控制部60的硬件的结构与一般的计算机相同。即,控制部60具备进行各种运算处理的CPU、存储基本程序的读取专用的存储器即ROM、存储各种信息的读写自由的存储器即RAM。控制部60与用于存储控制用应用程序或各种数据的存储部62连接。
图4示出的白噪声获取部602、参考获取部603、承载量确定部604以及通知部606为控制部60的CPU按照应用程序进行动作而通过软件实现的功能模块。此外,这些功能模块也可以由专用电路等硬件结构构成。
白噪声获取部602获取在不入射从振荡器52输出的太赫磁波的状态下从检测元件540分别输出的电信号的白噪声信号(固定噪声)。白噪声获取部602将获取到的白噪声信号作为用于校正从检测元件540分别输出的信号的白噪声值620,并将该白噪声值620存储于存储部62。
参考获取部603获取由检测元件540分别测定在不存在基材90的状态下从振荡器52输出的电磁波的电场强度。参考获取部603将获取到的电场强度作为用于校正从检测元件540分别输出的信号的参考值621,并将该参考值621存储于存储部62。
此外,也可以设置使振荡器52和检测器54在Y轴方向上移动的Y轴方向移动部。在该情况下,即使在基材90被搬运辅助辊240、242支承的状态下,也通过使振荡器52和检测器54在Y轴方向上偏移,由此能够获取参考值621。
承载量确定部604确定涂敷到基材90的金属催化剂的催化剂承载量。承载量确定部604具备位置确定部6040、校正部6041以及透射率获取部6042。
位置确定部6040确定使分别入射到多个检测元件540的电磁波透射的基材90上的位置(透射位置)。如图3所示,确定使分别入射到检测元件540c的电磁波透射的基材90上的每个透射位置。根据由振荡器52、基材90、检测元件540各自的位置关系(振荡器52、基材90以及检测元件540各自的XYZ正交坐标系中的坐标位置)以及编码器226的输出确定的基材90的移动距离来确定每个透射位置。
例如图3所示,设为振荡器52与检测器54的中心一致。而且,关注位于距中心L(j)的位置的特定检测元件540。将供入射到该检测元件540的电磁波透射的基材90上的透射位置设为LP1,将Y轴方向上的从中心至LP1的距离设为L(i)。另外,将Z轴方向上的从振荡器52至基材90的距离设为HM1,将Z轴方向上的从基材90至检测器54的距离设为R。于是,通过以下式表示距离L(i)。
L(i)=L(j)×HM1÷(HM1+R)···(1)
根据式(1)确定分别入射到检测器54的检测元件540的电磁波所透射的基材90中的宽度方向(Y轴方向)上的位置。
另外,位置确定部6040根据编码器226的输出,确定分别入射到检测元件540的电磁波所透射的基材90中的长度方向(X轴方向)上的位置。具体地说,位置确定部6040根据编码器226的输出来确定由特定检测元件540检测出电磁波的时间点的、基材90的移动距离(相对于检测器54的相对移动距离)。由此,确定该电磁波所透射的基材90中的长度方向的位置。
如上所述,位置确定部6040确定基材90中的电磁波分别透射的宽度方向的位置和长度方向的位置,由此确定与每个电磁波有关的基材90上的透射位置。
校正部6041通过执行预定的校正处理,从由检测元件540检测出的电磁波强度去除由外部原因引起的误差成分。
例如,校正部6041也可以根据由一对检测元件540a检测的基材外部通过电磁波的强度,校正由检测元件540c分别检测的催化剂层透射电磁波的强度。基材外部通过电磁波包含基材90或形成于基材90的催化剂层92以外的环境变化(湿度变化、温度变化等)的信息。根据基材外部通过电磁波的强度变化来校正催化剂层透射电磁波的电场强度,由此能够去除由环境因素引起的误差成分。特别是,太赫磁波具有容易被水分吸收这种性质,因此从准确地确定催化剂承载量来看,去除环境因素的误差成分极有效。
在根据基材外部通过电磁波的电场强度来校正催化剂层透射电磁波的情况下,例如优选将在某个时机由检测元件540c检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度以在该时机由检测元件540a检测出的基材外部通过电磁波的电场强度进行标准化。或者,在基材外部通过电磁波的电场强度相对于预定的基准值超出预定阈值而增加或减少的情况下,也可以对催化剂层透射电磁波的电场强度适当地减去或加上与其增减值相应的值。
另外,校正部6041也可以根据由一对检测元件540b检测的端部透射电磁波,校正由检测元件540c分别检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度。端部透射电磁波为透射不形成催化剂层92的基材90的部分的电磁波。因此,根据该端部透射电磁波的强度,校正催化剂层透射电磁波,由此能够校正因透射基材90主体而产生的误差成分。
在根据端部透射电磁波的电场强度来校正的情况下,例如在端部透射电磁波的电场强度从预定的基准值超出预定阈值而增加或减少的情况下,优选对催化剂层透射电磁波的电场强度适当地减去或加上与其增减值相应的值。
另外,校正部6041也可以根据透射中间非涂敷区域904的非催化剂层透射电磁波的强度,校正由检测元件540c分别检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度。非催化剂层透射电磁波也与端部透射电磁波同样地为透射基材90中不形成催化剂层的部分的电磁波。根据该非催化剂层透射电磁波的强度,校正催化剂层透射电磁波,由此能够校正因透射基材90而产生的误差成分。
端部催化剂层透射电磁波能够由与检测催化剂层透射电磁波的多个检测元件540c相邻的一对检测元件540b检测。一对检测元件540b与多个检测元件540c因位置不同,因此除了电磁波的受光能量不同以外,检测灵敏度也存在个体差。与此相对地,非催化剂层透射电磁波由检测催化剂层透射电磁波的每个检测元件540c本身来检测。因而,根据由每个检测元件540c分别检测出的非催化剂层透射电磁波的电场强度,能够进行校正处理。因而,与受光能量的不同或检测灵敏度的个体差无关地,能够适当地校正催化剂层透射电磁波的电场强度内包含的误差成分。
如图2所示,在中间非涂敷区域904隔着预定的间隔而间歇地形成的情况下,非催化剂层透射电磁波的电场强度也按照在基材90的长边方向上相邻的中间非涂敷区域904、904的间隔而被检测。因此,在进行上述校正处理的情况下,优选根据刚检测出的透射最近的中间非涂敷区域904的非催化剂层透射电磁波的电场强度,校正各催化剂层透射电磁波。能够以透射与各催化剂层92接近的位置的中间非涂敷区域904的电磁波的电场强度来校正催化剂层透射电磁波,因此能够适当地去除误差成分。
<衍射成分的校正>
并且,校正部6041进行去除因电磁波在催化剂层92的两侧的端部92E、92E处进行衍射而产生的衍射电磁波(以下,还称为衍射电磁波)的电场强度(以下,还称为衍射成分)的校正。在此,说明电磁波的衍射现象。
<关于电磁波的衍射>
图5是用于说明电磁波的衍射现象的图。如图5所示,从振荡器52呈扇状地放射的电磁波中在催化剂层92的Y轴方向(基材90的宽度方向)两侧的端部92E(涂敷区域900的端部)处能够引起电磁波的衍射现象。在端部92E处衍射的电磁波(以下,还称为“还称为衍射现)迂回到作为障碍物的催化剂层92的背后而传递。于是,位于端部92E的-Z方向的正下方的检测元件540以及其周边的几个检测元件540除了检测透射催化剂层92后的透射电磁波(催化剂层透射电磁波)的强度以外,还能够检测衍射电磁波的强度。在该情况下,由于受到衍射电磁波的影响,因此难以高精度地测定催化剂层92中的金属催化剂的承载量。
通常,波长越长、衍射现象越显著。而且,衍射光随着离开衍射位置而扩散。通过式(2)表示检测元件540分别检测的衍射电磁波的强度。
[式1]
在式(2)中,“u(x’,y’)”为各检测元件540中的强度分布(振幅分布),“x”、“y”为各检测元件540上的X轴方向、Y轴方向各自的位置。“f(x,y)”为开口函数,“x”、“y”为X轴方向、Y轴方向各自的衍射位置即端部92E的X轴方向和Y轴方向各自的位置。另外,“A”为振幅、“i”为虚数单位、“k”为波数(传播常数)、“R”为Z轴方向上的从端部92E至检测器54的距离(参照图5)、“λ”为电磁波的波长。
在本例中,多个检测元件540沿着Y轴方向排列成一列。而且,这些X轴方向的位置与从振荡器52输出的扇状电磁波大致一致。因此,入射到各检测元件540的衍射电磁波的强度简化为在式(2)中仅表示Y轴方向的成分的式(3)。
[式2]
如式(2)或式(3)所示,检测元件540分别检测的衍射电磁波的强度随着远离衍射位置(催化剂层92的端部92E)而减弱,随着接近衍射位置而加强。根据式(3),能够计算入射到各检测元件540的衍射电磁波的衍射成分。
此外,也可以将在式(2)或式(3)中求出的衍射电磁波的强度直接使用于校正,但是在本实施方式中,为了求出衍射电磁波的强度,预先获取衍射成分校正信息623。校正部6041根据该衍射成分校正信息623进行从检测元件540分别检测出的电磁波的强度去除衍射成分的校正。接着,参照图6说明衍射成分校正信息623的获取方法。
<衍射成分校正信息623的获取方法>
图6是用于说明衍射成分校正信息623的获取方法的图。在获取衍射成分校正信息623的情况下,在此,优选使用基材90中不形成催化剂层92的部分。该基材90作为催化剂层92形成前的基材,但是也可以使用形成有催化剂层92的基材。在后者的情况下,能够使用不形成催化剂层92的部分(例如中间非涂敷区域904)。
通过基材90被架设于搬运辅助辊240、242,基材90配置于振荡器52与检测器54之间。此时,以振荡器52与基材90之间的Z轴方向上的距离成为预定的基准距离HM1的方式,振荡器52和检测器54在垂直方向移动部56中沿Z轴方向定位。
首先,在振荡器52和检测器54以上述方式被定位的状态下,从振荡器52输出的电磁波的强度由检测器54的检测元件540分别测定。此时检测出的强度为仅透射基材90的电磁波的强度(参考强度)。
接着,在基材90的上表面设置金属薄膜920。金属薄膜920由不使从振荡器52输出的电磁波(太赫磁波)透射的材料形成。另外,金属薄膜920的Y轴方向上的宽度尺寸与形成于基材90的催化剂层92的设计上的宽度尺寸(基准宽度LM1)一致。在该状态下从振荡器52向金属薄膜920照射电磁波,由此使-Y侧和+Y侧的端部920E、920E产生衍射电磁波。在-Y侧产生的衍射电磁波的强度由接近-Y侧的端部920E的检测元件540检测,在+Y侧产生的衍射电磁波的强度由接近+Y侧的端部920E的检测元件540检测。
金属薄膜920不使从振荡器52输出的电磁波透射,因此由位于比端部920E、920E更靠Y轴方向内侧的几个检测元件540能够检测仅衍射电磁波的电场强度。另外,由位于比端部920E更靠Y轴方向外侧的检测元件540检测出的电场强度能够包括通过金属薄膜920后的外侧的电磁波的电场强度和衍射电磁波的电场强度。因此,通过减去上述参考强度,能够计算仅衍射电磁波的电磁波强度。
在两侧的端部920E、920E的距离接近的情况下,位于Y轴方向中央附近的检测元件540能够检测在-Y侧产生的衍射电磁波强度以及在+Y侧产生的衍射电磁波强度这两者。在该情况下,难以划分在-Y侧与+Y侧分别产生的衍射电磁波强度。
在该情况下,例如优选准备远比LM1宽的金属薄膜920,将一侧的端部920E配置于-Y侧的基准位置LS1,将另一侧的端部920E配置于比基准位置LS2更靠+Y侧的位置。在该状态下,在基准位置LS1处产生衍射电磁波,由此由检测器54能够检测出仅在-Y侧产生的衍射电磁波。另外,与此同样地,优选将该金属薄膜920的一侧的端部920E配置于+Y侧的基准位置LS2,将另一侧的端部920E配置于比基准位置LS1更靠-Y侧的位置,从而测定衍射电磁波。在这些过程中测定衍射电磁波强度,由此能够划分并测定在-Y侧的基准位置LS1处产生的衍射电磁波的强度以及在+Y侧的基准位置LS2处产生的衍射电磁波的强度。
通过上述处理,由检测元件540分别检测在基准位置LS1、LS2处分别产生的衍射电磁波的强度。由各检测元件540检测出的衍射电磁波强度作为衍射成分校正信息623而保存到存储部62。在此,衍射成分校正信息623被视为各检测元件540的位置(即,检测器54上的Y轴方向的位置)与由各检测元件540检测出的电场强度为一一对应的表数据信息。其中,根据测定值,衍射成分校正信息623也可以作为表示Y轴方向的位置与电场强度的关系的线性表达式或多项式的近似式的信息。
衍射成分校正信息623示出的衍射电磁波强度可作为在实际形成于基材90的催化剂层92的端部92E、92E处产生的衍射电磁波强度。衍射成分校正信息623为将实际由检测元件540分别检测出的电磁波强度减去衍射成分校正信息623示出的衍射成分。由此,能够获取去除了衍射电磁波强度的电磁波强度。详细地说,通过将由检测元件540c检测出的电磁波强度减去衍射成分,能够适当地获取催化剂层透射电磁波。另外,通过将由检测元件540a、540b检测出的电磁波强度减去衍射电磁波强度,能够分别适当地获取基材外部通过电磁波和端部区域透射电磁波。
返回至图4,说明控制部60的结构。移动控制部605控制垂直方向移动部56的动作。具体地说,移动控制部605根据形成于所搬运的基材90的催化剂层92的+Y侧和-Y侧的每个端部位置的距基准位置的偏移量,使振荡器52和检测器54在Z轴方向上移动。催化剂层92的+Y侧和-Y侧的、Y轴方向的位置(端部位置)通过端部位置确定部6050对由一对照相机57、57拍摄到的图像进行处理来确定。
一对照相机57、57以拍摄比振荡器52照射电磁波的基材90上的X轴方向的位置更靠搬运方向上游侧(-X侧)的地点的方式设定各摄像视场。因此,端部位置确定部6050确定基材90上的照射电磁波前的端部92E的位置。
在涂敷部30形成的催化剂层92的Y轴方向上,在基材90的Y轴方向的中央处以基准宽度LM1形成催化剂层92。然而,因涂敷部30的涂敷误差导致催化剂层92的宽度尺寸发生变化。当催化剂层92的宽度尺寸发生变化时,催化剂层92的端部92E相对于振荡器52的位置在Y轴方向上发生变动。另外,端部92E相对于振荡器52的位置也由于搬运部20的搬运误差,在Y轴方向上发生变动。这样,当端部92E的Y轴方向的位置发生变动时,电磁波相对于端部92E的入射角发生变化,由此衍射电磁波的衍射强度发生变动。于是,难以高精度地确定衍射电磁波的电场强度。
对此,在本实施方式中,以根据由端部位置确定部6050确定的端部92E的位置修正电磁波相对于该端部92E的入射角的方式,执行振荡器52和检测器54在Z轴方向上的定位。参照图7~图9说明其详细。
图7是表示形成于搬运中的基材90的催化剂层92的两侧的端部92E、92E的概要俯视图。图8和图9是表示搬运中的基材90的概要主视图。此外,在图8和图9中,省略基材90的图示,示出催化剂层92。
图7和图8示出的催化剂层92成为大于使用虚线示出的预定基准宽度LM1的宽度尺寸LM2。具体地说,-Y侧的端部92E的位置LE1从基准位置LS1向-Y方向偏移了ΔL的量,+Y侧的端部92E的位置LE2从基准位置LS2向+Y方向偏移了ΔL的量。
在此,将透射催化剂层92的两侧的端部92E、92E的电磁波设为端部电磁波TE1、TE2。另外,在催化剂层92为基准宽度LM1且从振荡器52至基材90的距离为基准距离HM1时,将在图8中使用虚线表示的端部电磁波TE1、TE2相对于基材90的入射角(端部电磁波TE1以及与基材90垂直的Z轴所形成的角度)设为α。以下,还将该入射角α称为基准入射角α。另外,将催化剂层92的宽度尺寸成为LM2时的端部电磁波TE1、TE2的入射角设为β。于是,催化剂层92的宽度尺寸变得大于基准宽度LM1,由此端部电磁波TE1、TE2分别向Y轴方向外侧扩散,因此入射角β成为大于基准入射角α的值。
这样,当端部电磁波TE1、TE2的入射角发生变动时,在端部92E、92E中产生并由检测器54检测出的衍射电磁波的电场强度发生变动。因此,在本实施方式中,移动控制部605根据催化剂层92的端部92E、92E的偏移量,来控制垂直方向移动部56,由此使振荡器52和检测器54在Z轴方向上移动。更详细地说,移动控制部605以使端部电磁波TE1、TE2的入射角接近恒定值(在此基准入射角α)的方式控制垂直方向移动部56。
如图6中说明那样,在获取衍射成分校正信息623时,以金属薄膜920的端部920E、920E与基准位置LS1、LS2一致的方式,其宽度尺寸被设为基准宽度LM1。另外,振荡器52与基材90之间的距离被设为基准距离HM1。因此,通过端部920E、920E的电磁波TE11、TE12的入射角与基准入射角α一致。因而,在测定催化剂层92中的承载量时,通过使端部电磁波TE1、TE2的入射角接近基准入射角α,能够使入射到各检测元件540的衍射电磁波的强度接近获取衍射成分校正信息623时的衍射电磁波的强度。由此,能够应用衍射成分校正信息623而高精度地进行电磁波强度的校正。
如图9所示,将振荡器52与检测器54之间的距离设为HD、将检测器54中的催化剂层透射电磁波的入射范围的宽度尺寸(入射位置LY1、LY1之间的宽度尺寸。在此多个检测元件540c的宽度)设为LD。另外,将催化剂层92的宽度尺寸设为LM、将振荡器52与基材90之间的距离设为HM。于是,优选移动控制部605以HD、LD、LM和HM满足以下式(4)的方式使振荡器52和检测器54移动。
HM=HD×LM/LD···(4)
在式(4)中,在此,HD和LD为预定的常数。根据式(4),在催化剂层92的宽度尺寸LM为基准宽度LM1时,距离HM(=基准距离HM1)成为HD×LM1/LD。另外,在催化剂层92的宽度尺寸LM为LM2时,距离HM(=HM2)成为(HD×LM2/LD)。当将距离HM2与基准距离HM1的差设为ΔH(=HM2-HM1)时,使用以下式(5)表示ΔH。
ΔH=HD×(LM2-LM1)/LD=HD×2ΔL/LD···(5)
在催化剂层92的宽度尺寸为LM2的情况下,使振荡器52和检测器54仅移动由该式(5)求出的ΔH的量,能够将端部电磁波TE1、TE2的入射角设为基准入射角α。
此外,图7~图9示出的示例为催化剂层92的两侧的端部92E、92E向外侧仅偏移相同的ΔL的量的情况,但是也有时两侧的端部92E、92E的偏移量不同。例如还假设-Y侧的端部92E向外侧偏移ΔL1、+Y侧的端部92E向外侧偏移ΔL2。在该情况下,也可以将两个偏移量ΔL1、ΔL2中任一个偏移量增加两倍而相加到基准宽度LM1而得到的值代入到式(4)的LM,从而求出距离HM。例如在选择ΔL1的情况下,能够将通过-Y侧的端部92E的端部电磁波TE1的入射角设为基准入射角α。在选择ΔL2的情况下,能够将+Y侧的端部电磁波TE2的入射角设为基准入射角α。
另外,在两侧偏移量ΔL1、ΔL2不同的情况下,也可以将实际宽度尺寸(=LM1+ΔL1+ΔL2)代入到式(4)的LM而求出距离HM。在该情况下,端部电磁波TE1、TE2两者的入射角能够设为不成为基准入射角α但接近基准入射角α的值。
在本实施方式中,通过宽度方向移动部58能够使振荡器52和检测器54在Y轴方向上移动。对此,在两侧的偏移量ΔL1、ΔL2不同的情况下,也可以将振荡器52和检测器54的Y轴方向上的中心定位于催化剂层92的Y轴方向中央。由此,即使在催化剂层92的两侧的偏移量ΔL1、ΔL2不同的情况下,也能够将两侧的端部电磁波TE1、TE2的入射角设为基准入射角α。
另外,当催化剂层92的宽度尺寸成为大于LM1的LM2时,供端部电磁波TE1、TE2入射的检测器54上的入射位置LY1、LY2向外侧位移。如图8所示,在本例中,在催化剂层92的宽度尺寸为LM1的情况下,入射位置LY1、LY2在多个检测元件540c中最靠+Y侧以及最靠-Y侧的检测元件540c上,但是在催化剂层92的宽度尺寸为LM2的情况下,入射位置LY1、LY2成为+Y侧和-Y侧的检测元件540b上。
这样,当催化剂层92的端部92E、92E向外侧偏移时,透射检测器54中的催化剂层92后的催化剂层透射电磁波的入射范围变得比预定的基准入射范围SR1大。在本例的情况下,应该由多个检测元件540c检测催化剂层透射电磁波,然而其入射范围比基准入射范围SR1大,还入射到相邻的检测元件540b、540b。在该情况下,难以适当地检测端部区域透射电磁和基材外部通过电磁波的强度。另外,假设在检测器54不包含检测元件540a、540b而仅由多个检测元件540c构成的情况下,当催化剂层透射电磁波的入射范围比基准入射范围SR1大时,难以检测所有催化剂层透射电磁波。
与此相对地,在本实施方式中,如图9所示,使端部电磁波TE1、TE2入射角接近入射角α。因此,即使在催化剂层92的宽度大于基准宽度LM1的情况下,如图9所示,也能够将透射催化剂层92的催化剂层透射电磁波的入射范围接近基准入射范围SR1。
图7~图9示出的示例两侧的端部92E、92E的位置LE1、LE2为从基准位置LS1、LS2向外侧偏移的情况,但是还有时位置LE1、LE2向基准位置LS1、LS2的内侧偏移。在该情况下,当将催化剂层92的宽度尺寸(小于基准宽度LM1的值)代入到式(4)时,距离HM变得小于基准距离HM1。即,优选使振荡器52和检测器54向比基准位置更靠-Z侧的位置移动。
在移动控制部605控制垂直方向移动部56或宽度方向移动部58并使振荡器52和检测器54在Z轴方向或Y轴方向上移动的情况下,包含其移动方向和移动量的移动信息被施加到承载量确定部604的位置确定部6040。位置确定部6040包括该移动信息在内确定透射位置,即使在使振荡器52和检测器54相对于基材90相对地移动的情况下,也能够适当地确定基材90中的透射位置。
<衍射成分校正信息623的位置信息的修正处理>
图10是用于说明衍射成分校正信息623示出的位置信息的修正处理的概要主视图。如上所述,校正部6041通过应用衍射成分校正信息623,从由各检测元件540检测出的电场强度中去除衍射电磁波强度的成分。在此,如图6中说明那样,衍射成分校正信息623是表示在基准位置LS1(或基准位置LS2)上产生衍射电磁波的情况下的检测器54上的Y轴方向的位置y’与其衍射电磁波的电场强度的对应关系的信息。在催化剂层92的端部92E、92E向Y轴方向偏移的情况下,通过使衍射位置偏移,还使衍射电磁波相对于检测器54的入射位置偏移。于是,检测器54上的Y轴方向的位置y’与衍射电磁波的电场强度的对应关系针对衍射成分校正信息623示出对应关系在Y轴方向上偏移。对此,校正部6041进行以下位置修正处理:与从端部92E、92E的基准位置LS1、LS2起的偏移一致地对衍射成分校正信息623示出的对应关系中的位置信息进行偏移修正。
例如图10所示,当催化剂层92的-X侧端部92E的位置在从基准位置LS1至位置LE1中向-Y侧偏移ΔL时,衍射位置向-Y侧偏移ΔL。因此,校正部6041使衍射成分校正信息623示出的Y轴方向的位置向-Y侧偏移ΔL,将由各检测元件540检测出的电场强度减去与其偏移后的Y轴方向的位置对应的电场强度(衍射电磁波强度)。由此,校正部6041根据端部92E、92E的偏移能够适当地修正衍射成分校正信息623的位置信息,因此能够适当地进行用于去除衍射电磁波强度的校正。
<衍射成分校正信息623的强度信息的修正处理>
在本实施方式中,如图9中说明那样,根据催化剂层92的两侧的端部92E、92E的偏移,垂直方向移动部56使振荡器52和检测器54在Z轴方向上移动。在图9、图10示出的示例中,振荡器52和检测器54相对于基材90上升ΔH,由此端部92E、92E向检测器54接近ΔH。在该情况下,在检测器54中进行的衍射电磁波强度成为将式(3)示出的R替换为(R-ΔH)的值。具体地说,对所有数据而言,强度增加R/(R-ΔH),Y轴方向的位置y’中的强度变化了((R-ΔH)2+(y-y’)2)1/2/(R2+(y-y’)2)1/2的量。因此,也可以是,校正部6041在Y轴方向的每个位置y’上对衍射成分校正信息623进行这两个计算校正。
返回至图4,透射率获取部6042获取催化剂层透射电磁波的透射率。透射率获取部6042在将由检测元件540c分别检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度或其校正值减去白噪声值620之后,将该值除以与检测元件540c分别对应的参考值621。由此,透射率获取部6042获取由检测元件540c分别检测出的催化剂层透射电磁波的透射率。
承载量确定部604根据由透射率获取部6042获取的透射率以及存储于存储部62的对应信息622,确定催化剂承载量。对应信息622为表示透射催化剂层的电磁波的透射率与催化剂承载量的对应关系的信息。当电磁波、特别是太赫磁波照射到金属催化剂时,与金属催化剂的密度相应地其一部分被吸收或反射,因此在电磁波的透射率与催化剂承载量之间具有高度相关性。因此,根据电磁波的透射率和对应信息622,能够精密地计算涂敷区域900的每个透射位置上的催化剂承载量。
对应信息622优选事先使用形成有已知催化剂承载量的催化剂层的试样(基准试样)获取。详细地说,在承载量测定部50中,通过测定基准试样的催化剂层中的电磁波的透射率,能够获取透射率与承载量的对应关系。此时,优选通过使用催化剂承载量不同的几个基准试样来获取对应信息622。对应信息622可以是使透射率与催化剂承载量一一对应的表数据,也可以是表示透射率与催化剂承载量的关系的线性表达式或表示多项式的关系式的检量线数据。
承载量确定部604使确定的催化剂承载量与由位置确定部6040确定的基材90上的透射位置对应,并作为催化剂承载量数据624而保存到存储部62。
此外,承载量确定部604的测定频率(分别从检测元件540取入电磁波强度的每隔单位时间的次数)并不特别限定,但是设为1Hz以上即可。例如每隔0.5秒获取一次由检测元件540分别检测出的电磁波强度的情况下,如果基材90的搬运速度为10mm/sec,则每隔5mm能够获取电磁波强度。通过以0.1mm~10mm的测定间隔获取电磁波强度,由此在X轴方向上能够以0.1mm~10mm的分辨率来测定催化剂承载量。该分辨率为与当前冲压重量测定法相等以上的分辨率。
通知部606根据催化剂承载量数据624将与基材90中的催化剂承载量有关的数据向外部输出。例如通知部606根据催化剂承载量数据624,将表示基材90中的催化剂承载量的分布的催化剂承载量分布图像显示于显示部64。催化剂承载量分布图像也可以是通过颜色或图案等表现各透射位置上的催化剂承载量的大小的二维图像或通过三维图形表现各透射位置上的催化剂承载量的大小的三维图像。
另外,通知部606在存在催化剂承载量超出预定上限值的透射位置以及催化剂承载量并不超出预定下限值的透射位置的情况下向外部通知。上限值和下限值为表示催化剂承载量的正常范围的值。上限值和下限值为操作员通过由输入设备构成的操作输入部66能够输入到控制部60即可。上限值和下限值分别作为上限值数据626和下限值数据628而存储到存储部62中。
通知部606将存在催化剂承载量超出上限值的透射位置或不超出下限值的透射位置这一情况向外部通知,从而操作员等能够容易地识别催化剂承载量处于正常值的范围外这一情况。此时,在催化剂承载量分布图像上通过预定的方法显示其透射位置,由此操作员能够容易地确定其位置。此外,通知部606例如也可以通过亮灯等将催化剂承载量是否存在异常向外部通知。
<涂敷系统10的动作>
图11是表示第一实施方式的涂敷系统10的动作流程的流程图。只要没有特别说明,控制部60控制涂敷系统10的各要素的动作而进行图11示出的各工序。
首先,获取白噪声值620和参考值621(步骤S10)。在基材90不被一对搬运辅助辊240、242支承的状态、即在振荡器52与多个检测元件540之间不存在基材90的状态下进行该步骤S10。
此外,白噪声值的获取也可以在基材90被一对搬运辅助辊240、242支承的状态下进行。
接着,在步骤S11和步骤S12中,进行衍射成分校正信息623的获取处理。详细地说,从供给用辊220引出的基材90的端部被安装于卷绕用辊222。而且,从供给用辊220至卷绕用辊222为止的基材90的部分架设于包含一对搬运辅助辊240、242的各辊。而且,进行参考强度的获取。即,在承载量测定部50中,从振荡器52输出的电磁波仅照射到不形成催化剂层92的基材90的部分。而且,由检测器54检测仅透射基材90的部分的电磁波的强度(参考强度)(步骤S11)。
接着,在步骤S12中,在金属薄膜920设置于基材90上的状态下进行电磁波测定。详细地说,如图6中说明那样,在金属薄膜920的两侧的端部配置于基准位置LS1、LS2的状态下,来自振荡器52的电磁波照射到基材90,由此产生衍射电磁波,由检测器54检测其电场强度。通过这些步骤S11、S12获取衍射成分校正信息623。
接着,开始进行催化剂层形成处理(步骤S13)。详细地说,辊驱动部28使卷绕用辊222旋转,由此开始将基材90进行辊对辊的搬运。
另外,当开始进行基材90的搬运时,从涂敷部30的狭缝喷嘴32对基材90的表面涂敷包含铂等金属催化剂的涂敷液。涂敷金属催化剂的部分在干燥部40中进行干燥处理,由此形成催化剂层92。此外,如图2所示,间歇地形成催化剂层92,因此在基材90上在长边方向上交替地形成与催化剂层92对应的涂敷区域900和中间非涂敷区域904。
另外,当开始进行步骤S13的催化剂层形成处理时,进行承载量测定处理通过承载量测定部50测定催化剂层92中的金属催化剂的承载量。在后文中说明承载量测定处理的流程。
接着,判断是否结束催化剂层形成处理(步骤S14)。例如根据由编码器226检测出的基材90的移动量是否超出预定阈值来判断该判断处理。
在步骤S14中,在判断为结束催化剂形成处理的情况下(“是”的情况下),进行停止处理(步骤S15)。详细地说,在从涂敷部30的狭缝喷嘴32停止排出涂敷液之后,使干燥部40停止干燥处理。而且,使辊驱动部28停止对卷绕用辊222的旋转,由此停止搬运基材90。
此外,干燥部40的干燥处理优选在基材90中涂敷有涂敷液的部分的后端部(搬运方向上游侧的末端部)通过干燥部40之后停止。另外,优选在步骤S15的停止处理中,进行后述的承载量测定处理直到上述涂敷液的后端部为止。
接着,进行催化剂承载量的测定结果的通知处理(步骤S16)。测定结果的通知方法并不特别限定,但是例如考虑将作为催化剂层92中的催化剂承载量的分布二维图像或三维图像而表现的图像显示于显示部64。这种图像的显示例如优选操作员对操作输入部66进行操作而指定特定区域,由此控制部60将表示该区域内的承载量分布的图像显示于显示部64。以上为涂敷系统10的整体动作说明。
图12是表示第一实施方式的承载量测定处理的流程图。在进行图11示出的步骤S13的催化剂层形成处理时执行该承载量测定处理。
在催化剂形成处理中,如上所述,通过涂敷液对搬运中的基材90的涂敷和干燥处理,在基材90的表面上形成催化剂层92。在承载量测定处理中,首先,确定通过承载量测定部50的催化剂层92两侧的端部92E、92E的Y轴方向的位置(端部位置)(步骤S20)。详细地说,一对照相机57、57分别拍摄并获取催化剂层92的端部92E、92E,端部位置确定部6050对由此获取的图像进行处理。由此,确定催化剂层92中的端部92E、92E的Y轴方向的每个位置。
接着,进行振荡器52和检测器54的定位处理(步骤S21)。详细地说,根据在步骤S20中确定的催化剂层92的两侧的端部92E、92E的位置,移动控制部605控制垂直方向移动部56,由此将振荡器52和检测器54在Z轴方向上进行定位。更详细地说,如图9中说明那样,移动控制部605以使通过催化剂层92的端部92E、92E的端部电磁波TE1、TE2的入射角接近基准入射角α的方式对振荡器52和检测器54进行定位。此外,紧接着在步骤S20中确定端部位置的部分到达照射从振荡器52输出的电磁波的位置之前的时机中执行步骤S21的定位处理。
接着,进行电磁波测定(步骤S22)。详细地说,电磁波从振荡器52呈扇状地向基材90输出,检测器54的多个检测元件540检测透射该基材90后的电磁波。在此,透射涂敷区域900(催化剂层92)后的催化剂层透射电磁波由多个检测元件540c检测。另外,透射端部非涂敷区域902后的端部透射电磁波由一对检测元件540b检测。并且,通过基材90的外侧后的基材外部通过电磁波由一对检测元件540a检测。检测器54将由检测元件540分别检测出的电磁波强度变换为电信号,将该电信号输入到控制部60。
接着,进行衍射成分校正信息623的修正处理(步骤S23)。详细地说,如图10中说明那样,校正部6041根据-Y侧的端部92E的位置的距基准位置LS1的偏移量以及+Y侧的端部92E的位置的距基准位置LS2的偏移量,来变换衍射成分校正信息623示出的Y轴方向的位置。
在步骤S23的修正处理中,也可以进行处理对衍射成分校正信息623示出的衍射电磁波的强度进行修正。详细地说,如图9、图10中说明的那样,垂直方向移动部56使振荡器52和垂直方向移动部56在Z轴方向上移动,由此从催化剂层92的端部92E、92E至检测器54的距离R发生变动。校正部6041根据该距离R的变动量,进行衍射电磁波的强度修正。
接着,进行透射位置确定处理来确定分别入射到检测元件540的电磁波透射的基材90上的透射位置(步骤S24)。详细地说,如图3中说明的那样,根据振荡器52、基材90、检测器54的位置关系,确定透射位置。此时,在通过步骤S21的定位处理使振荡器52与基材90之间的距离从基准距离HM1发生变更的情况下,还考虑其变更量,而确定透射位置。
接着,进行电磁波强度的校正处理(步骤S25)。详细地说,校正部6041校正在步骤S22中获取的电磁波强度。例如校正部6041进行以下校正:根据在步骤S23中修正的衍射成分校正信息623,从由检测器54的各检测元件540检测出的电磁波强度去除衍射电磁波强度。
另外,在步骤S25的校正处理中,校正部6041也可以通过由检测元件540a检测出的基材外部通过电磁波的电场强度来校正由检测元件540c检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度。如上所述,基材外部通过电磁波包含基材90或形成于基材90的催化剂层92以外的环境变化(湿度变化、温度变化等)的信息,因此,通过该校正能够去除由环境因素引起的误差成分。
另外,在步骤S25的校正处理中,校正部6041也可以通过由检测元件540b检测出的端部透射电磁波的电场强度来校正由检测元件540c检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度。如上所述,端部透射电磁波包含不形成催化剂层92的基材90主体的信息,因此,通过该校正能够校正因透射基材90而引起的误差成分。
接着,进行透射率的获取处理(步骤S26)。详细地说,透射率获取部6042将通过步骤S25的校正处理获取的催化剂层透射电磁波的电场强度的校正值减去白噪声值620,并且将得到的值除以参考值621。由此,透射率获取部6042根据由检测元件540分别检测出的催化剂层透射电磁波来获取透射率。
接着,进行承载量的特定处理(步骤S27)。详细地说,承载量确定部604根据在步骤S20中获取的透射率以及存储于存储部62的对应信息622来确定承载量。由承载量确定部604确定的承载量与在步骤S18中确定的透射位置的信息对应地,作为催化剂承载量数据624而保存到存储部62。
接着,进行与催化剂承载量的异常有关的判断处理(步骤S28)。详细地说,通知部606参照催化剂承载量数据624,获取由承载量确定部604确定的承载量。而且,通知部606将其承载量与既定的上限值数据626或既定的下限值数据628进行比较。在承载量超出上限值或低于下限值的情况下,判断为存在异常。再承载量为上限值以下且下限值以上的情况下,判断为不存在异常。
在步骤S28中判断为存在异常的情况下(“是”的情况下),通知部606向外部通知异常(步骤S29)。具体地说,进行亮灯或显示部64中的表示异常处的图像的显示等。此时,优选还通知与作为存在异常的透射位置有关的信息。在步骤S28中判断为不存在异常的情况下(“否”的情况下),跳过步骤S29。
在步骤S28中判断为不存在异常的情况下(“否”的情况下)或步骤S29的异常通知处理之后,判断是否结束承载量测定处理(步骤S30)。例如根据由编码器226检测出的基材90的移动量是否超出预定的阈值来进行该判断处理。
在步骤S30中,在判断为继续进行承载量测定处理的情况下(“否”的情况下),返回至步骤S20,再次执行之后的动作。在步骤S30中判断为结束承载量测定处理的情况下(“是”的情况下),涂敷系统10结束承载量测定处理。
<效果>
如上所述,承载量测定部50进行以下校正处理:在确定形成于基材90的金属催化剂的催化剂层92中的承载量时,从由检测元件540分别检测出的电场强度去除在催化剂层92的宽度方向两侧的端部92E、92E处产生的衍射电磁波的电场强度。由此,能够准确地计算透射催化剂层92的电磁波的透射率,因此能够高精度地进行催化剂层92中的各部分中的金属催化剂的承载量测定。
另外,通过确定催化剂层92的端部92E、92E的Y轴方向上的位置,确定产生衍射电磁波的位置。而且,根据产生衍射电磁波的位置,修正衍射成分校正信息623并进行校正,因此能够高精度地确定催化剂层92中的各部分的承载量。
并且,移动控制部605根据端部92E、92E的Y轴方向的位置,以使通过端部92E、92E的端部电磁波TE1、TE2的入射角接近基准入射角α的方式,通过将振荡器52和检测器54相对于基材90而在Z轴方向上进行定位。通过该定位处理,能够减小由端部电磁波TE1、TE2的入射角相对于端部92E、92E的变动引起的衍射电磁波的强度变动。因此,能够适当地进行从由检测元件540检测出的电场强度去除衍射电磁波的强度的校正。
<1.2.变形例>
以上,说明了第一实施方式,但是本发明并不限定于上述实施方式,能够进行各种变形。
例如垂直方向移动部56构成为使振荡器52和检测器54在Z轴方向上移动。然而,也可以构成为使垂直方向移动部56、基材90在Z轴方向上移动。在该情况下,垂直方向移动部56优选例如使一对搬运辅助辊240、242在Z轴方向上移动。另外,也可以在一对搬运辅助辊240、242的内侧设置有与基材90的+Z侧主面和-Z侧主面抵接的抵接部件。垂直方向移动部56使其抵接部件在Z轴方向上移动,能够使基材90中的通过振荡器52与检测器54之间的部分在Z轴方向上移动。
另外,在第一实施方式中,承载量测定部50被安装于在辊对辊搬运的基材90上形成催化剂层92的涂敷系统10。然而,承载量测定部50并非必须安装于涂敷系统10。例如还能够将承载量测定部50与辊对辊搬运预先形成有催化剂层92的基材90的搬运装置进行组合。
另外,承载量测定部50测定辊对辊搬运的连续片状基材90中的承载量。然而,承载量测定部50还能够应用于形成为预定长度的片状的基材中的承载量测定。
<2.1.第二实施方式>
<涂敷系统10的结构>
如专利文献1、2所示,在辊对辊搬运片状基材的同时测定承载量的情况下,有可能基材发生振动。在该情况下,电磁波振荡器、催化剂层以及各检测元件的位置关系发生变动,由此由各检测元件检测出的电磁波透射催化剂层的位置(透射位置)发生变化。因而,有可能难以高精度地确定催化剂层的各部分的承载量。
以下,说明高精度地确定形成于辊对辊搬运的基材的催化剂层中的金属催化剂的承载量的技术。
此外,在之后的说明中,有时对具有与已经说明的要素相同的功能的要素附加相同附图标记或追加了字母的附图标记,省略详细说明。
图13是表示第二实施方式的涂敷系统10的结构的概要侧视图。图14是表示第二实施方式的承载量测定部50的概要立体图。图15是表示第二实施方式的检测器54的概要侧视图。图16是表示第二实施方式的承载量测定部50的概要立体图。图17是表示第二实施方式的承载量测定部50的概要侧视图。图18是表示第二实施方式的承载量测定部50的概要主视图。图19是表示第二实施方式的涂敷系统10的总线布线的图。
在图13~图18中,为了容易地理解涂敷系统10的各结构要素的位置关系等,附加XYZ正交坐标系。另外,在以下的说明中,将箭头前端的朝向设为+(正)方向,将其相反方向设为-(负)方向。其中,该正交坐标系并不限定于各结构要素的位置关系等。
涂敷系统10例如为用于制造固体高分子燃料电池(PEFC)的装置,具体地说,在作为片状电解质膜的基材90的表面上涂敷铂等金属催化剂而制造带催化剂层的电解质膜(CCM)。
此外,涂敷系统也可以构成为制造在CCM的催化剂层上形成气体扩散层(GDL)的膜电极组件(MEA)。承载量测定部50适合于形成于CCM的催化剂层的承载量测定,但是还能够应用于MEA的催化剂层中的承载量测定。
涂敷系统10具备用于搬运基材90的搬运部20、涂敷部30、干燥部40、承载量测定部50以及控制部60。如后文中所述,搬运部20的供给用辊220、卷绕用辊222、编码器226、搬运辅助辊240、辊驱动部28、承载量测定部50以及控制部60为承载量测定装置的一例。
<搬运部20>
搬运部20具备供给用辊220、卷绕用辊222和搬运辅助辊240、搬运用辊260、262、264。另外,搬运部20具备使卷绕用辊222旋转的辊驱动部28。这些辊分别形成为在Y轴方向上延伸的圆筒状。
供给用辊220和卷绕用辊222形成为能够卷入并保持片状基材90。在此,供给用辊220在卷入状态下保持未涂敷金属催化剂的基材90。从供给用辊220引出的基材90卷绕于通过辊驱动部28而主动地旋转的卷绕用辊222。搬运用辊260、262、264以及搬运辅助辊240配置成支承架设于供给用辊220和卷绕用辊222的基材90的中间部分。
在卷绕用辊222上设置有编码器226。编码器226通过检测卷绕用辊222的旋转量,检测基材90的移动距离。即,编码器226为用于检测基材90相对于振荡器52和检测器54在X轴方向(第二方向)上的相对移动距离的移动距离检测器。能够任意地设定由供给用辊220和卷绕用辊222搬运的基材90的搬运速度,但是例如设为25mm/sec以下即可。
搬运用辊260、262、264被配置在从供给用辊220至涂敷部30之间,在对基材90给予适度的拉伸的同时进行搬运。特别是,搬运用辊264在涂敷部30中配置于与基材90的涂敷金属催化剂的面相反侧的面接触并进行支承的位置。
搬运辅助辊240配置于干燥部40的下游侧,分别设置于支承基材90并且将基材90拉伸而从基材90去除褶皱的位置。在搬运辅助辊240的下游侧设置有承载量测定部50,从振荡器52输出的电磁波照射到通过该区域的基材90。
<涂敷部30>
涂敷部30具备狭缝喷嘴32和涂敷液供给部34。在狭缝喷嘴32的下端部形成有沿基材90的宽度方向(Y轴方向)延伸的形成为狭缝状的排出口。涂敷液供给部34具备用于积存金属催化剂的涂敷液的积存箱340、将涂敷液从该积存箱340提供给狭缝喷嘴32的泵342以及执行从排出口开始排出涂敷液和停止排出的电磁阀344。由控制部60控制该电磁阀344的动作。
形成有狭缝喷嘴32的排出口的下端部配置在接近搬运用辊264的位置。涂敷液从狭缝喷嘴32的排出口排出,由此将涂敷液涂敷到由搬运用辊264支承的基材90。
在本例中,狭缝喷嘴32的排出口变得比基材90的宽度方向的长度短。因此,在基材90中距宽度方向的两端隔着预定的距离的内侧区域内涂敷涂敷液。其结果是,如图14所示,在基材90的除了两端部以外的内侧部分形成涂敷了金属催化剂的催化剂层92。而且,在基材90的两端部形成不涂敷金属催化剂的端部非涂敷区域902。
另外,在本例中,从狭缝喷嘴32间歇地排出涂敷液。详细地说,每次在编码器226检测出基材90移动了预定的距离量这一情况时,涂敷液开始排出和停止排出交替地进行。由此,如图14所示,间歇地形成涂敷区域900。即,在X轴方向上相邻的催化剂层92、92之间形成不涂敷金属催化剂的中间非涂敷区域904。中间非涂敷区域904为沿Y轴方向延伸的区域。
<干燥部40>
干燥部40具有在两端形成有供基材90进入的进入口以及供基材90退出的退出口的壳体。干燥部40在其壳体内部对涂敷在基材90的一面上的涂敷液的膜进行干燥处理。作为一例,干燥部40向基材90供给热风,由此对该基材90加热,由此,使涂敷液内包含的水分等溶剂蒸发。
<承载量测定部50>
承载量测定部50被设置于干燥部40的下游侧,测定形成于基材90的催化剂层92中的金属催化剂的承载量(催化剂承载量)。承载量测定部50具备振荡器52和检测器54。
振荡器52示出在-Z方向上朝向某个基材90在Y轴方向(基材90的宽度方向)上扩散的扇状电磁波。该电磁波例如为0.03至10THz的太赫磁波。从振荡器52输出的电磁波在此被设为连续波,但是也可以是脉冲波。从振荡器52扇状地输出的电磁波照射到基材90。
如图15等所示,检测器54具备壳体542和多个检测元件540。此外,在图15中,通过截面图示出壳体542。多个检测元件540被收容于壳体542内部。
多个(例如256个)的检测元件540在Y轴方向(宽度方向)上排列成一列。检测元件540分别检测从振荡器52输出的电磁波的强度。检测元件540能够由肖特基势垒二极管、质子检测器(美国专利8159667号、美国专利8772890号)、非线性光学晶体等公知的检测器构成。检测元件540将入射到检测面的电磁波(太赫磁波)的强度变换为电信号。由检测元件540分别输出的电信号被取入到控制部60。此外,作为检测元件540也可以具备光电导开关(光电导天线)。
如图18所示,多个检测元件540包括一对检测元件540a、540a、一对检测元件540b、540b以及多个检测元件540c。
一对检测元件540a、540a配置于Y轴方向的两端。一对检测元件540a、540a从Z轴方向观察配置于比基材90更靠Y轴方向外侧的位置。一对检测元件540a、540a配置于能够检测通过比基材90更靠Y轴方向外侧的位置的电磁波(基材外部通过电磁波)的位置。
一对检测元件540b、540b被分别配置于与一对检测元件540a、540a的内侧相邻的位置。一对检测元件540b、540b配置于能够检测分别透射基材90的宽度方向两侧的端部非涂敷区域902、902的电磁波(端部透射电磁波)的位置。
多个检测元件540c排列在检测元件540b、540b之间。检测元件540c分别检测透射涂敷区域900(催化剂层92)的各部分的电磁波(催化剂层透射电磁波)。多个检测元件540c例如优选以能够检测在Y轴方向上以0.1mm~10mm的间隔透射基材90的每个电磁波的间隔进行排列。由此,在Y轴方向上能够以0.1mm~10mm的分辨率测定承载量。该分辨率为与当前冲压重量测定法(对形成有催化剂层92的基材90的部分进行冲压而测量其冲压部分的重量并确定承载量的测定方法)相等以上的分辨率。
如图15所示,壳体542具备收容部5420和盖罩部5422。此外,收容部5420为形成用于收容多个检测元件540的长方体状的收容空间的部分。盖罩部5422构成用于封闭收容部5420的+Z侧的开口的盖部。盖罩部5422还可以是覆盖收容于收容部5420的多个检测元件540的上方(+Z侧)的部分。
在盖罩部5422的X轴方向中央部形成有沿Y轴方向延伸的孔,并设置有用于封闭该孔的树脂制的窗部544。窗部544由使振荡器52所输出的电磁波(太赫磁波)透射的材料(具体地说,树脂(特别优选特氟隆(注册商标)等氟基合成树脂))构成。从振荡器52输出的电磁波透射该窗部544而分别入射到检测元件540。
盖罩部5422覆盖多个检测元件540的+Z侧,由此能够保护多个检测元件540。并且多个检测元件540收容于包括收容部5420和盖罩部5422在内的壳体542内,由此能够适当地保护多个检测元件540免受配置于多个检测元件540周边的的部件的伤害。
一对抵接辊580、580为绕在Y轴方向上延伸的轴旋转的圆柱状的辊部件。抵接辊580、580在Z轴方向上配置在同一高度位置上,且被配置于与基材90的背面(-Z侧的主面)抵接的位置。抵接辊580、580构成为自由辊,能够通过与向+X方向移动的基材90的背面抵接而被动地旋转。
如图16所示,抵接辊580、580配置于比盖罩部5422更靠+Z侧的位置。即,抵接辊580、580被配置在盖罩部5422与基材90之间。另外,一对抵接辊580、580中-X侧的抵接辊580配置于比多个检测元件540和窗部544更靠搬运方向的上游侧(-X侧)的位置。
如图17所示,抵接辊580、580在搬运方向(X轴方向)上配置于比盖罩部5422更靠内侧的位置。抵接辊580、580之间的距离并不特别限定,但是为了抑制在基材90中产生皱褶,例如设为10mm以下即可。
一对辅助辊582、582为绕在Y轴方向上延伸的轴旋转的圆柱状辊部件。辅助辊582、582配置于与基材的90的背面(-Z侧的主面)抵接的位置。辅助辊582、582构成为自由辊,且能够通过与向+X方向移动的基材90的背面抵接而被动地旋转。
辅助辊582、582中的一侧的辅助辊582配置于-X侧的抵接辊580的上游侧(-X侧),另一侧的辅助辊582配置于比+X侧的抵接辊580更靠下游侧(+X侧)的位置。
如图17所示,抵接辊580、580的+Z端配置于比辅助辊582、582的+Z端更靠+Z侧的位置。因此,抵接辊580、580在比辅助辊582、582更靠+Z侧的位置处与基材抵接。在辅助辊582、582上架设的基材90的部分中,通过抵接辊580、580向+Z侧按压,因此减少在基材90中产生皱褶。另外,假设即使在基材被搬运到-X侧的辅助辊582之前产生皱褶,也能够在抵接辊580、580之间适当地去除该皱褶。
抵接辊580的直径小于辅助辊582的直径。这样,通过减小抵接辊580的直径,能够使检测器54充分接近基材90。因而,能够由多个检测元件540适当地检测透射催化剂层92后的电磁波。具体地说,抵接辊580的直径设为1mm以下即可。
<控制部60>
控制部60控制涂敷系统10整体的动作。作为控制部60的硬件的结构与一般计算机相同。即,控制部60具备进行各种运算处理的CPU、存储基本程序的作为读取专用的存储器的ROM以及存储各种信息的作为读写自由的存储器的RAM。控制部60与存储控制用应用程序或各种数据的存储部62连接。
图19示出的白噪声获取部602、参考获取部603、承载量确定部604以及通知部606为控制部60的CPU按照应用程序进行动作而软件地实现的功能模块。此外,这些功能模块也可以由专用电路等硬件结构构成。
白噪声获取部602获取在不入射从振荡器52输出的太赫磁波的状态下从检测元件540分别输出的电信号的白噪声信号(固定噪声)。白噪声获取部602将获取到的白噪声信号作为用于校正从检测元件540分别输出的信号的白噪声值620并存储于存储部62。
参考获取部603获取在不存在基材90的状态下由检测元件540分别测定从振荡器52输出的电磁波的电场强度。参考获取部603将获取到的电场强度作为用于校正从检测元件540分别输出的信号的参考值621并存储于存储部62。
此外,也可以设置使振荡器52和检测器54在Y轴方向上移动的Y轴方向移动部。在该情况下,即使在基材90被一对辅助辊582、582支承的状态下,使振荡器52和检测器54向Y轴方向偏移,由此能够获取参考值621。
承载量确定部604确定涂敷到基材90的金属催化剂的承载量。承载量确定部604具备位置确定部6040、校正部6041以及透射率获取部6042。
位置确定部6040确定使分别入射到多个检测元件540的电磁波透射的基材90上的位置(透射位置)。如图18所示,位置确定部6040确定使分别入射到检测元件540c的电磁波透射的基材90上的每个透射位置。根据振荡器52、基材90、检测元件540各自的位置关系(振荡器52、基材90以及检测元件540各自的XYZ正交坐标系中的坐标位置)以及从编码器226的输出确定的基材90的移动距离来确定每个透射位置。
在此,如图18所示,振荡器52和多个检测元件540的中心在Y轴方向上一致。在此,关注位于距中心有L(j)的位置的特定检测元件540,将入射到该检测元件540的电磁波透射的基材90上的透射位置设为LP1,将从中心至透射位置LP1的距离设为L(i)。另外,将从振荡器52至基材90的距离设为Db、将从基材90至检测元件540的距离设为Dd。于是,通过以下式表示距离L(i)。
L(i)=L(j)×Db÷(Db+Dd)···(6)
根据该式(6)确定分别入射到检测器54的检测元件540的电磁波所透射的基材90中的宽度方向(Y轴方向)上的位置。
另外,位置确定部6040根据编码器226的输出,确定分别入射到检测元件540的电磁波所透射的基材90中的长度方向(X轴方向)上的位置。具体地说,位置确定部6040根据编码器226的输出,确定由特定的检测元件540检测出电磁波的时间点的、基材90的移动距离(对检测器54的相对移动距离)。由此,确定该电磁波所透射的基材90中的长度方向的位置。
如上所述,位置确定部6040确定基材90中的每个电磁波所透射的宽度方向上的位置和长度方向上的位置,由此确定与每个电磁波有关的基材90上的透射位置。
校正部6041进行以下校正处理:从由检测元件540检测出的电磁波的强度去除因外部原因引起的误差成分。
具体地说,也可以是,校正部6041根据由一对检测元件540a检测的基材外部通过电磁波的强度,校正由检测元件540c分别检测的催化剂层透射电磁波的强度。基材外部通过电磁波包含基材90或形成于基材90上的催化剂层92以外的环境变化(湿度变化、温度变化等)的信息。对此,根据基材外部通过电磁波的强度变化,校正催化剂层透射电磁波的电场强度,由此能够去除由环境因素引起的误差成分。特别是,太赫磁波具有易于被水分吸收这种性质,因此从高精度地确定催化剂承载量来看,去除环境因素的误差成分极有效。
在根据基材外部通过电磁波的电场强度来校正催化剂层透射电磁波的情况下,例如优选将某一时机由检测元件540c检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度以该时机由检测元件540a检测出的基材外部通过电磁波的电场强度来标准化。或者,在基材外部通过电磁波的电场强度相对于预定的基准值超出预定的阈值而增加或减少的情况下,也可以对催化剂层透射电磁波的电场强度适当地减去或加上与其增减值相应的值。
另外,也可以是,校正部6041根据由一对检测元件540b检测出的端部透射电磁波,校正由检测元件540c分别检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度。端部透射电磁波为透射不形成催化剂层92的基材90的部分的电磁波。因此,根据该端部透射电磁波的强度,校正催化剂层透射电磁波,由此能够校正透射基材90本身引起的误差成分。
在根据端部透射电磁波的电场强度进行校正的情况下,例如优选在端部透射电磁波的电场强度相对于预定的基准值超出预定的阈值而增加或减少的情况下,对催化剂层透射电磁波的电场强度适当地减去或加上与其增减值相应的值。
另外,也可以是,校正部6041根据透射中间非涂敷区域904后的非催化剂层透射电磁波的强度,校正由检测元件540c分别检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度。非催化剂层透射电磁波也与端部透射电磁波同样地为透射基材90中不形成催化剂层92的部分后的电磁波。根据该非催化剂层透射电磁波的强度,校正催化剂层透射电磁波,由此能够校正因透射基材90引起的误差成分。
端部催化剂层透射电磁波由一对检测元件540b检测,而并非由检测催化剂层透射电磁波的检测元件540c检测。一对检测元件540b与多个检测元件540c的位置不同,因此除了电磁波的受光能量不同以外,还有时检测灵敏度产生个体差。与此相对地,由用于检测催化剂层透射电磁波的每个检测元件540c本身检测非催化剂层透射电磁波。因而,能够根据每个检测元件540c分别检测出的非催化剂层透射电磁波的电场强度进行校正处理。因而,与受光能量的不同或检测灵敏度的个体差无关地,能够适当地校正催化剂层透射电磁波的电场强度内包含的误差成分。
如图14所示,在中间非涂敷区域904以预定间隔间歇地形成的情况下,还根据其间隔(与基材90的长度方向相邻的两个中间非涂敷区域904、904之间的间隔)检测非催化剂层透射电磁波的电场强度。因此,在进行上述校正处理的情况下,优选根据刚检测出的透射最近的中间非涂敷区域904后的非催化剂层透射电磁波的电场强度,校正各透射区域透射电磁波。由此,能够以透射较近位置的中间非涂敷区域904的电磁波的电场强度进行校正,因此能够适当地去除误差成分。
透射率获取部6042获取催化剂层透射电磁波的透射率。具体地说,透射率获取部6042在将由检测元件540c分别检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度或其校正值减去白噪声值620之后,将该值除以与检测元件540c分别对应的参考值621。由此,透射率获取部6042获取由检测元件540c分别检测出的催化剂层透射电磁波的透射率。
承载量确定部604根据由透射率获取部6042获取的透射率以及存储于存储部62的对应信息622,来确定催化剂承载量。对应信息622为表示透射催化剂层的电磁波的透射率与催化剂承载量的相关的信息。当电磁波、特别是太赫磁波照射到金属催化剂时,与金属催化剂的密度相应地其一部分被吸收或反射,因此在电磁波的透射率与催化剂承载量之间具有高度相关性。因此,根据电磁波的透射率和对应信息622,能够精密地计算涂敷区域900的每个透射位置上的催化剂承载量。
预先使用形成有催化剂承载量为已知的催化剂层的试样(基准试样)来测定在承载量测定部50中透射的电磁波的透射率,由此获取对应信息622即可。此时,使用催化剂承载量不同的几个基准试样来获取对应信息622即可。对应信息622可以是透射率与催化剂承载量一对一的关系对应的表数据,也可以是表示透射率与催化剂承载量的关系的线性表达式或表示多项式的关系式的检量线数据。
承载量确定部604使确定的催化剂承载量与由位置确定部6040确定的基材90上的透射位置对应,作为催化剂承载量数据624而存储于存储部62。
此外,承载量确定部604的测定频率(从检测元件540分别取入电磁波强度的每单位时间的次数)并不特别限定,但是例如设为1Hz以上即可。例如在每隔0.5秒钟获取一次由检测元件540分别检测出的电磁波强度的情况下,如果基材90的搬运速度为10mm/sec,则每隔5mm能够获取电磁波强度。以0.1mm~10mm的测定间隔获取电磁波强度,由此在Y轴方向上能够以0.1mm~10mm的分辨率测定催化剂承载量。该分辨率为与当前的冲压重量测定法同等以上的分辨率。
通知部606根据催化剂承载量数据624,向外部输出与基材90中的催化剂承载量有关的数据。例如通知部606根据催化剂承载量数据624,将表示基材90中的催化剂承载量的分布的催化剂承载量分布图像显示于显示部64。催化剂承载量分布图像也可以是通过颜色或图案表现各透射位置上的催化剂承载量的大小的二维图像或通过三维图形表现各透射位置上的催化剂承载量的大小的三维图像。
另外,通知部606在存在催化剂承载量超出预定的上限值的透射位置以及催化剂承载量不超出预定的下限值的透射位置的情况下,向外部通知。上限值和下限值为表示催化剂承载量的正常范围的值。上限值和下限值优选由操作员经由由输入设备构成的操作输入部66能够输入到控制部60。上限值和下限值分别作为上限值数据626和下限值数据628而存储于存储部62。
通知部606通过将存在催化剂承载量超出上限值的透射位置或并超出下限值的透射位置这一情况向外部通知,操作员能够容易地识别催化剂承载量处于正常值的范围外这一情况。此时,通过在催化剂承载量分布图像上以预定的方法显示其透射位置,操作员能够容易地确定其位置。此外,通知部606例如也可以通过亮灯等向外部通知催化剂承载量是否存在异常。
<承载量测定的流程>
接着,说明承载量测定的流程。图20是表示第二实施方式的承载量测定的流程的流程图。只要没有特别说明,通过控制部60控制涂敷系统10的各要素的动作来进行图20示出的步骤S10A~S17A。
在此,首先,进行白噪声值620和参考值621的获取(步骤S10A)。在基材90不被一对抵接辊580、580支承的状态即在振荡器52与多个检测元件540之间不存在基材90的状态下进行该步骤S10A即可。
此外,也可以在基材90被抵接辊580、580支承的状态下进行白噪声值的获取。另外,如上所述,在具备使承载量测定部50向X轴方向偏移的X轴方向移动部的情况下,也可以在基材90被抵接辊580、580支承的状态下进行参考值的获取。
在下一步骤S11A中,开始进行基材90的涂敷处理(步骤S11A)。即,如图13所示,由操作员将从供给用辊220引出的基材90的端部安装于卷绕用辊222。而且,从供给用辊220至卷绕用辊222的基材90的部分架设在包含一对抵接辊580、580和一对辅助辊582、582的各辊。在该状态下,辊驱动部28使卷绕用辊222旋转,由此通过辊对辊来搬运基材90。
当开始进行基材的搬运时,从涂敷部30的狭缝喷嘴32将包含铂等金属催化剂的涂敷液涂敷到基材90的表面。通过干燥部40对基材90中的涂敷有金属催化剂的涂敷液的部分(涂敷区域900)进行干燥处理,由此形成催化剂层。在此,如图14所示,间歇地进行催化剂层,因此在基材90上在长边方向上交替地形成与催化剂层对应的涂敷区域900、以及中间非涂敷区域904。
在下一步骤S12A中,进行电磁波测量(步骤S12A)。在基材90通过承载量测定部50的区域时,从振荡器52朝向基材90呈扇状地输出电磁波。而且,检测器54的多个检测元件540分别检测透射该基材90的电磁波。此时,一对抵接辊580、580与基材90中照射电磁波的部分的-Z侧的主面抵接。因此,能够减小照射电磁波的基材90的部分的振动。并且,一对抵接辊580、580将架设在一对辅助辊582、582上的基材90的部分向+Z侧按压。因此,能够抑制照射电磁波的基材90的部分产生皱褶,并且能够去除皱褶。
在步骤S12A中,由多个检测元件540c检测透射涂敷区域900的催化剂层透射电磁波。另外,由一对检测元件540b检测透射端部非涂敷区域902的端部透射电磁波。并且,由一对检测元件540a检测通过基材90外侧的基材外部通过电磁波。检测器54将由检测元件540分别检测出的电磁波强度变换为电信号,并将该电信号输入到控制部60。
在下一步骤S13A中,确定基材90上的各位置处的催化剂承载量(步骤S13A)。具体地说,承载量确定部604的位置确定部6040确定分别入射到检测元件540的电磁波所透射的基材90上的透射位置。另外,校正部6041将由检测元件540c检测出的催化剂层透射电磁波的电场强度以由检测元件540a、540b检测出的基材外部通过电磁波的电场强度和端部透射电磁波的电场强度适当地进行校正。并且,在检测元件540c分别检测出透射中间非涂敷区域904后的非催化剂层透射电磁波的电场强度的情况下,校正部6041使用该非催化剂层透射电磁波的电场强度进行校正。而且,透射率获取部6042根据由校正部6041获取的校正后的电场强度而获取透射率。根据该透射率和对应信息622来获取各透射位置上的催化剂承载量。
在下一步骤S14A中,判断催化剂承载量的值是否发生异常(步骤S14A)。具体地说,根据通知部606通过承载量确定部604确定的催化剂承载量是否为既定的上限值以下或既定的下限值以上,进行步骤S14A的判断。
在步骤S14A中判断为存在异常的情况下(“是”的情况下),在下一步骤S15A中,通知部606向外部通知异常(步骤S15A)。具体地说,进行亮灯或显示部64中显示表示异常部位的图像等。
在步骤S14A中判断为并不存在异常的情况下(“否”的情况下)或完成步骤S15A之后,在下一步骤S16A中,判断是否结束测定。例如根据由编码器226检测出的基材90的移动量是否超出预定值,进行步骤S16A的判断。
在步骤S16中判断是否结束测定(步骤S16A)。在判断为结束测定的情况下(“是”的情况下),在下一步骤S17A中,将催化剂承载量的测定结果向外部通知(步骤S17A)。具体地说,表现为二维图像或三维图像的催化剂承载量分布图像显示于显示部64。另外,通过停止辊驱动部28对卷绕用辊222的旋转,使基材90停止搬运。
在步骤S16A中判断为未结束测定的情况下(“否”的情况下),再次执行步骤S12A的电磁波测量处理、步骤S13A的催化剂承载量的确定处理以及步骤S14A、S15A的异常通知处理。
此外,在本流程的说明中,每次通过步骤S12A的电磁波测定获取电磁波强度时,进行步骤S13A的催化剂承载量的确定。然而,也可以在基材90的预定的距离量提前进行电磁波测定之后,对该部分的催化剂承载量进行确定处理。
另外,也可以与步骤S17A的催化剂承载量的测定结果的通知一起进行步骤S14A、S15A的异常通知处理。
另外,也可以是,控制部60控制辊驱动部28,以使得在步骤S15A的异常通知处理的同时停止基材90的搬运。
如上所述,在采用承载量测定部50的情况下,将多个检测元件540在宽度方向上进行排列,由此能够同时确定基材90的宽度方向上的多个地点的催化剂承载量。另外,通过搬运部20使基材90相对于振荡器52和检测器54相对地移动,由此在长度方向上能够有效且无损地执行催化剂承载量的测定。
<效果>
在本实施方式中,如图15所示,配置在壳体542的盖罩部5422的+Z侧的一对抵接辊580、580与基材90的背面抵接。因此,能够抑制架设在抵接辊580、580之间的基材90发生振动这一情况。由此,能够使振荡器52、催化剂层92以及各检测元件540的位置关系稳定,因此能够高精度地确定催化剂层92内包含的金属催化剂的承载量。
另外,抵接辊580、580在比辅助辊582、582更靠+Z侧的位置处与基材90抵接,因此能够抑制架设在抵接辊580、580之间的基材90的部分产生皱褶这一情况。因而,能够减少由位置确定部6040确定的电磁波的透射位置与催化剂层92中实际使电磁波透射的位置之间产生误差。另外,即使在基材90的搬运中产生皱褶,在抵接辊580、580之间也能够去除其皱褶。因此,能够将电磁波照射到大致没有皱褶的状态的基材90,因此能够适当地确定由多个检测元件540检测出的电磁波所透射的基材90上的透射位置。
此外,在本实施方式中,将一对抵接辊580、580设为相同形状的辊部件,但是这并不是必须的。例如也可以使它们的半径不同。同样地,也可以使一对辅助辊582、582的半径不同。
另外,一对抵接辊580、580在Z轴方向上被配置在同一位置上,但是这并不是必须的。也可以将它们中的一个配置在比另一个更靠+Z侧或-Z侧的位置。同样地,一对辅助辊582、582也在Z轴方向上配置在同一位置处,但是这并不是必须的。其中,通过抵接辊580、580按压基材90而适度地伸展,因此期望-X侧的抵接辊580配置在比-X侧的辅助辊582更靠+Z侧的位置,并且期望+X侧的抵接辊580配置在比+X侧的辅助辊582更靠+Z侧的位置。
<3.1.第三实施方式>
接着,说明第三实施方式。
图21是表示第三实施方式的承载量测定部50A的概要侧视图。第三实施方式的承载量测定部50A与第二实施方式的承载量测定部50的主要不同点在于,代替一对辅助辊582、582而具备一对辅助辊582A、582A。
一对辅助辊582A、582A配置在比基材90更靠+Z侧的位置,且与基材90的表面(+Z侧的主面)接触。在承载量测定部50A中,一对抵接辊580、580也在比一对辅助辊582A、582A更靠+Z侧的位置处与基材90抵接。因此,一对抵接辊580、580将架设在一对辅助辊582A、582A上的基材90向+Z侧按压而伸展。由此,能够抑制架设在一对抵接辊580、580的基材90的部分产生皱褶。因而,能够抑制由位置确定部6040确定的电磁波的透射位置与催化剂层92中实际使电磁波透射的位置之间产生误差。
<4.1.第四实施方式>
图22是表示第四实施方式的承载量测定部50B的概要侧视图。图23是表示第四实施方式的检测器54A的概要立体图。第四实施方式的承载量测定部50B与第三实施方式的承载量测定部50A的主要不同点在于,代替检测器54而具备检测器54A。
检测器54A具备壳体542A。而且,该壳体542A具备收容部5420和盖罩部5422A。盖罩部5422A与第二实施方式的盖罩部5422同样地为覆盖收容在收容部5420中的多个检测元件540的+Z侧的部分。
在盖罩部5422A的靠+X侧和靠-X侧的每个位置上形成有在Y轴方向上延伸的一对贯通孔542H。在此,在设置于盖罩部5422A的X轴方向中央的窗部544的+X侧和-X侧形成有贯通孔542H。在本实施方式中,抵接辊580、580中-Z侧的一部分收容于壳体542A内部。而且,一对抵接辊580、580的每个抵接辊的一部分配置成分别从一对贯通孔542H向+Z侧露出。省略图示,但是抵接辊580、580的每个抵接辊的旋转轴可以配置于壳体542A的内侧,也可以配置于壳体542A的外侧。
如本实施方式所示,通过将抵接辊580、580的一部分配置于壳体542A的内侧,能够使壳体542A接近基材90。由此,能够使多个检测元件540接近振荡器52,因此能够以高灵敏度检测透射基材90的电磁波。因而,能够高精度地确定基材90中的催化剂承载量。
<5.变形例>
以上,说明了第二~第四实施方式,但是本发明并不限定于上述实施方式,能够进行各种变形。
在第二~第四实施方式中,作为与基材90抵接的抵接部,采用绕在Y轴方向上延伸的轴旋转的抵接辊580、580。然而,抵接部并不限定于此。例如也可以是构成为不可旋转的棒状部件。另外,也可以将这种棒状的部件固定于盖罩部5422。
另外,在第二~第四实施方式中,也可以是,编码器226与卷绕用辊222以外的辊邻接,检测所连接的该辊的旋转量。另外,移动距离检测器并不限定于编码器226。移动距离检测器也可以直接检测基材90的移动量。在该情况下,例如也可以是接触式或非接触式的传感器的任一个。作为非接触式的传感器,例如采用光学传感器(图像传感器)即可。通过光学传感器识别涂敷区域900和中间非涂敷区域904,能够测量基材90的移动量。
另外,每个检测元件540并非必须在X轴方向上排列成一列。也可以将多个检测元件540向Y轴方向偏移并且排列在X轴方向上。例如以在检测元件540之间在Y轴方向上局部重叠的方式排列,由此能够排列更多的检测元件540,因此能够提高X轴方向的分辨率。另外,在搭载于检测器54的检测元件540的数量少的情况下,也可以在X轴方向上排列多台检测器54。此时,也可以将多个检测器54向Y轴方向偏移并且排列在X轴方向上。
尽管详细说明了本发明,但是上述说明在所有方面上为例示,本发明并不限定于此。可理解为在不脱离本发明的范围内能够假设未例示的无数变形例。在上述各实施方式和各变形例中说明的各结构只要不彼此矛盾则能够适当地组合或省略。
附图标记说明:
10:涂敷系统;
20:搬运部(第二方向移动部);
220:供给用辊;
222:卷绕用辊;
226:编码器;
28:辊驱动部;
30:涂敷部;
40:干燥部;
50、50A、50B:承载量测定部;
52:振荡器;
54、54A:检测器;
540:检测元件;
542、542A:壳体;
542H:贯通孔;
5420:收容部;
5422、5422A:盖罩部;
544:窗部;
56:垂直方向移动部;
57:照相机;
58:宽度方向移动部;
580:抵接辊;
582、582A:辅助辊;
60:控制部;
604:承载量确定部;
6040:位置确定部;
6041:校正部;
6042:透射率获取部;
605:移动控制部;
6050:端部位置确定部;
62:存储部;
622:对应信息;
623:衍射成分校正信息;
624:催化剂承载量数据;
90:基材;
900:涂敷区域;
92:催化剂层;
92E:端部;
LM:宽度尺寸;
LP1:透射位置;
LS1、LS2:基准位置;
TE1、TE2:端部电磁波;
α:入射角(基准入射);
β:入射角。
Claims (14)
1.一种承载量测定装置,该承载量测定装置对以预定的基准宽度形成于片状的基材的表面的催化剂层中的金属催化剂的承载量进行测定,
其特征在于,
上述承载量测定装置具备:
振荡器,其朝向上述基材的表面输出在与上述表面平行的第一方向上呈扇状地扩散的电磁波;
检测器,其在上述第一方向上排列,且包括分别检测上述电磁波的电场强度的多个检测元件;
第二方向移动部,其使上述基材相对于上述振荡器和上述检测器在与上述表面平行且与上述第一方向正交的第二方向上相对地移动;
移动距离检测部,其对上述基材借助上述第二方向移动部而相对于上述振荡器和上述检测器在上述第二方向上的相对移动距离进行检测;
透射位置确定部,其根据上述振荡器、上述基材、上述多个检测元件的位置关系以及上述移动距离,确定分别入射到上述多个检测元件的上述电磁波所透射的上述基材中的每个透射位置;
端部位置确定部,其确定上述催化剂层在上述第一方向上的端部的位置;以及
承载量确定部,其从由上述多个检测元件检测出的上述电磁波的电场强度中去除因上述电磁波在上述端部的位置处衍射而产生的衍射电磁波的强度,从而确定上述每个透射位置处的上述承载量。
2.根据权利要求1所述的承载量测定装置,其特征在于,
上述承载量测定装置还具备垂直方向移动部,该垂直方向移动部使上述振荡器和上述检测器相对于上述基材在与上述基材的表面垂直的垂直方向上相对地移动,
上述垂直方向移动部根据由上述端部位置确定部确定的上述催化剂层的上述端部的位置,使上述振荡器和上述检测器相对于上述基材相对地移动,以使得入射到上述催化剂层的上述端部的端部电磁波的入射角接近基准入射角。
3.根据权利要求2所述的承载量测定装置,其特征在于,
上述端部位置确定部确定上述催化剂层在上述第一方向上的两侧的上述端部的位置,
上述垂直方向移动部根据两侧的上述端部位置距基准位置的偏移量的平均值,使上述振荡器和上述检测器相对于上述基材在上述垂直方向上相对地移动。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的承载量测定装置,其特征在于,
上述承载量测定装置还具备第一方向移动部,该第一方向移动部根据由上述端部位置确定部确定的上述催化剂层在上述第一方向上的两侧的上述端部的位置,使上述振荡器相对于上述催化剂层在上述第一方向上的中心相对地移动。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的承载量测定装置,其特征在于,
上述承载量测定装置还具备存储部,该存储部对上述承载量确定部在从由上述多个检测元件检测出的上述电磁波的电场强度中去除上述衍射电磁波的强度时应用的衍射成分校正信息进行存储,
上述衍射成分校正信息为表示在预定的基准位置处产生了上述衍射电磁波的情况下的、上述检测器上的上述第一方向的位置与上述衍射电磁波的强度之间的对应关系的信息。
6.根据权利要求5所述的承载量测定装置,其特征在于,
上述承载量确定部根据由上述端部位置确定部确定的上述端部的位置距上述基准位置的偏移量,来修正上述衍射成分校正信息所示的位置信息。
7.一种承载量测定方法,该承载量测定方法对以预定的基准宽度形成于片状的基材的表面的催化剂层中的金属催化剂的承载量进行测定,
其特征在于,
上述承载量测定方法包括以下工序:
(a)从振荡器朝向上述基材表面输出在与上述表面平行的第一方向上呈扇状地扩散的电磁波;
(b)利用检测器所包含的在上述第一方向上排列的多个检测元件的每个检测元件,来检测在上述工序(a)中透射上述基材后的上述电磁波的电场强度;
(c)使上述基材相对于上述振荡器和上述检测器在与上述表面平行且与上述第一方向正交的第二方向上相对地移动;
(d)对在上述工序(c)中上述基材相对于上述振荡器和上述检测器在上述第二方向上的相对移动距离进行检测;
(e)根据上述振荡器、上述基材、上述多个检测元件的位置关系以及上述移动距离,确定分别入射到上述多个检测元件的上述电磁波所透射的上述基材中的每个透射位置;
(f)确定上述催化剂层在上述第一方向上的端部的位置;以及
(g)从由上述多个检测元件检测出的上述电磁波的电场强度中去除因上述电磁波在上述端部的位置处衍射而产生的衍射电磁波的强度,从而确定上述透射位置的每个透射位置处的上述承载量。
8.一种承载量测定装置,该承载量测定装置对形成于片状的基材的表面的催化剂层所包含的金属催化剂的承载量进行测定,
其特征在于,
上述承载量测定装置具备:
搬运部,其包括卷入了上述基材的供给用辊以及卷绕从上述供给用辊供给的上述基材的卷绕用辊;
电磁波振荡器,其从由上述搬运部使上述基材向预定的搬运方向搬运的上述基材的一侧,朝向上述基材输出在上述基材的与上述搬运方向正交的宽度方向上扩散的扇状的电磁波;
多个检测元件,其在上述基材的另一侧在上述宽度方向上排列,并检测要入射的上述电磁波的电场强度;
盖罩部,其配置在上述基材与上述多个检测元件之间,并覆盖上述多个检测元件的上述一侧;
一对抵接部,其分别配置在比上述盖罩部更靠上述一侧且上述多个检测元件的上述搬运方向上的上游侧和下游侧的位置,且与上述基材的另一侧的面抵接;以及
承载量确定部,其根据由上述多个检测元件检测的上述电磁波的电场强度,来确定上述催化剂层的催化剂承载量。
9.根据权利要求8所述的承载量测定装置,其特征在于,
上述承载量测定装置还具备一对辅助辊部件,该一对辅助辊部件分别配置在比上述一对抵接部更靠上述搬运方向上的上游侧和下游侧,且在上述宽度方向上延伸,
上述一对抵接部在比上述一对辅助辊部件更靠上述一侧的位置处与上述基材抵接。
10.根据权利要求8或9所述的承载量测定装置,其特征在于,
上述一对辅助辊部件与上述基材的上述一侧的面抵接。
11.根据权利要求8至10中的任一项所述的承载量测定装置,其特征在于,
上述一对抵接部分别包括绕在上述宽度方向上延伸的轴旋转的抵接辊部件。
12.根据权利要求11所述的承载量测定装置,其特征在于,
上述抵接辊部件中的至少一部分被配置成从形成于上述盖罩部的贯通孔向上述一侧露出。
13.根据权利要求8至12中的任一项所述的承载量测定装置,其特征在于,
上述盖罩部构成用于收容上述多个检测元件的壳体的一部分。
14.一种承载量测定方法,该承载量测定方法对形成于片状的基材的表面的催化剂层所包含的金属催化剂的承载量进行测定,
其特征在于,
上述承载量测定方法包括以下工序:
(a)通过将从卷入了上述基材的供给用辊供给的上述基材卷绕于卷绕用辊,来搬运上述基材;
(b)从配置于上述基材的一侧的电磁波振荡器,朝向在上述工序(a)中向预定的搬运方向搬运的上述基材,输出在上述基材的与上述搬运方向正交的宽度方向上扩散的扇状的电磁波;
(c)利用在上述基材的另一侧在上述宽度方向上排列的多个检测元件来检测在上述工序(b)中从上述电磁波振荡器输出的上述电磁波的电场强度;以及
(d)根据在上述工序(c)中由上述多个检测元件检测的上述电磁波的电场强度,来确定上述催化剂层的催化剂承载量,
上述多个检测元件的上述一侧被配置在上述基材与上述多个检测元件之间的盖罩部覆盖,
上述工序(a)包括以下工序:使比上述盖罩部更靠上述一侧且分别配置在上述多个检测元件的上述搬运方向上的上游侧和下游侧的位置的一对抵接部与上述基材的另一侧的面抵接。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-063119 | 2017-03-28 | ||
JP2017063119A JP6830389B2 (ja) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 担持量測定装置および担持量測定方法 |
JP2017062158A JP6830387B2 (ja) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 担持量測定装置および担持量測定方法 |
JP2017-062158 | 2017-03-28 | ||
PCT/JP2018/000843 WO2018179684A1 (ja) | 2017-03-28 | 2018-01-15 | 担持量測定装置および担持量測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110537276A true CN110537276A (zh) | 2019-12-03 |
CN110537276B CN110537276B (zh) | 2021-12-14 |
Family
ID=63674595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880015134.7A Active CN110537276B (zh) | 2017-03-28 | 2018-01-15 | 承载量测定装置以及承载量测定方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110537276B (zh) |
WO (1) | WO2018179684A1 (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5241183A (en) * | 1991-03-22 | 1993-08-31 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Vertical xy stage |
JP2001035894A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Yoichiro Ogita | 半導体ウェーハ特性の評価装置 |
CN103698059A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | 西门子公司 | 传感天线、张力测量装置及负载计量系统 |
US20150355040A1 (en) * | 2013-01-22 | 2015-12-10 | The Regents Of The University Of California | Ultra-sensitive force sensing based on evanescent light |
CN105675131A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-06-15 | 南京邮电大学 | 基于衍射效应的太赫兹波谱测量装置及其测量方法 |
JP2016151562A (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 株式会社Screenホールディングス | 測定装置および測定方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6824665B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2021-02-03 | 株式会社Screenホールディングス | 触媒担持量測定装置、塗工システムおよび触媒担持量測定方法 |
-
2018
- 2018-01-15 CN CN201880015134.7A patent/CN110537276B/zh active Active
- 2018-01-15 WO PCT/JP2018/000843 patent/WO2018179684A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5241183A (en) * | 1991-03-22 | 1993-08-31 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Vertical xy stage |
JP2001035894A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Yoichiro Ogita | 半導体ウェーハ特性の評価装置 |
CN103698059A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | 西门子公司 | 传感天线、张力测量装置及负载计量系统 |
US20150355040A1 (en) * | 2013-01-22 | 2015-12-10 | The Regents Of The University Of California | Ultra-sensitive force sensing based on evanescent light |
JP2016151562A (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 株式会社Screenホールディングス | 測定装置および測定方法 |
CN105675131A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-06-15 | 南京邮电大学 | 基于衍射效应的太赫兹波谱测量装置及其测量方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
薛琼: "玻碳电极上真实铂载量的直接测定", 《中国科学院大学学报》 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110537276B (zh) | 2021-12-14 |
WO2018179684A1 (ja) | 2018-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6502698B2 (ja) | 測定装置および測定方法 | |
Kas et al. | In‐situ infrared spectroscopy applied to the study of the electrocatalytic reduction of CO2: theory, practice and challenges | |
JP6589239B2 (ja) | 膜厚測定装置及び膜厚測定方法 | |
Li et al. | In-situ infrared spectroscopic studies of electrochemical energy conversion and storage | |
Li et al. | Operando infrared spectroscopic insights into the dynamic evolution of liquid-solid (photo) electrochemical interfaces | |
Brosseau et al. | Electrochemical surface-enhanced Raman spectroscopy | |
KR20140090258A (ko) | 가스 센서 | |
Zenyuk et al. | Reactive impinging-flow technique for polymer-electrolyte-fuel-cell electrode-defect detection | |
CN109565056A (zh) | 催化剂担载量测定装置、涂敷系统以及催化剂担载量测定方法 | |
Motobayashi et al. | Effect of hydrogen on the orientation of cinchonidine adsorbed on platinum: An ATR-SEIRAS study | |
Kukunuri et al. | In situ spectroscopy study of oxygen reduction reaction intermediates at the Pt/acid interface: Surface-enhanced infrared absorbance spectroscopy | |
CN110537276A (zh) | 承载量测定装置以及承载量测定方法 | |
Gogoi et al. | Elucidating the Step‐Wise Solid Electrolyte Interphase Formation in Lithium‐Ion Batteries with Operando Raman Spectroscopy | |
Masuda | Various spectroelectrochemical cells for in situ observation of electrochemical processes at solid–liquid interfaces | |
Maibach et al. | Toward operando characterization of interphases in batteries | |
Rudnicki et al. | Effect of the supporting electrolyte and beam diameter on probe beam deflection experiments | |
Lorenz et al. | Impact of the relative humidity on the performance stability of anion exchange membrane fuel cells studied by ion chromatography | |
De et al. | A Happy Get‐Together–Probing Electrochemical Interfaces by Non‐Linear Vibrational Spectroscopy | |
JP2018166027A (ja) | 担持量測定装置および担持量測定方法 | |
Marcandalli et al. | Electrolyte buffering species as oxygen donor shuttles in CO electrooxidation | |
JP6830389B2 (ja) | 担持量測定装置および担持量測定方法 | |
WO2019187379A1 (ja) | 電磁波透過測定装置および電磁波透過測定方法 | |
Rauh et al. | Nanostructured Black Silicon as a Stable and Surface-Sensitive Platform for Time-Resolved In Situ Electrochemical Infrared Absorption Spectroscopy | |
JP2019060829A (ja) | テラヘルツ波透過測定システムおよびテラヘルツ波透過測定方法 | |
Wettstein et al. | A Dye‐Sensitized Sensor for Oxygen Detection under Visible Light |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |