CN110536559A - 一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及微纳印刷技术领域，尤其涉及一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：基材的制备，将导电材料通过微纳印刷方式直接填充入uv结构凹槽内部，再用uv转印方式通过其静电及uv胶水的粘度，将沟槽内部的导电材料转移至透明基材表面形成透明导电薄膜，涂覆uv树脂，制备完成完一张内嵌式透明导电薄膜后，准备一张pet光学裸材料或其他光学基材，在其或者内嵌式导电薄膜上涂上uv树脂，将两张材料做一比一贴合后进行滚轮压印。本发明达到了电阻小，导电性能强的优点，并且导电层直接基于光学材料之上没有其他介质干预，同时对于黄光刻蚀中的废液污染环境现象进行规避，避免了对于环境的污染，而且降低生产成本，减少了源材的损耗。

Description

一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及微纳印刷技术领域，尤其涉及一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法。
背景技术
透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等。
常规透明金属导电薄膜多采用黄光刻蚀或uv转印结构后印刷导电油墨的方式实现，前者成本较高，其废液对环境有影响且浪费较大，后者制作工艺复杂且因导电材料藏于uv结构内部，不能和外界材料直接接触，所以导电性能比较差。本发明结合传统微纳加工技术，进一步的拓展延伸，把原本藏于内嵌式的导电材料实现外凸形式，从而使其与其他材料可直接接触大大增强导电性能。
发明内容
（一）解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，达到了电阻小，导电性能强的优点，并且导电层直接基于光学材料之上没有其他介质干预，同时对于黄光刻蚀中的废液污染环境现象进行规避，避免了对于环境的污染，而且降低生产成本，减少了源材的损耗。
（二）技术方案
为实现上述技术问题，本发明提供了如下技术方案：一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
①、基材的制备
将导电材料通过微纳印刷方式直接填充入uv结构凹槽内部，再用uv转印方式通过其静电及uv胶水的粘度，将沟槽内部的导电材料转移至透明基材表面形成透明导电薄膜。
②、涂覆uv树脂
制备完成完一张内嵌式透明导电薄膜后，准备一张pet光学裸材料或其他光学基材，在其或者内嵌式导电薄膜上涂上uv树脂，将两张材料做一比一贴合后进行滚轮压印。
③、uv光源下进行曝光
之后在uv光源下曝光，对曝光完后的两张材料进行分模，分模后的pet裸材上面会呈现和之前内嵌式导电薄膜一比一的电路，送进烤箱烘烤以120℃的条件下烘烤30分钟，电路即可成型。
进一步地，所述步骤①中，此类型导电薄膜可与外界需导电物质直接接触所以导电性极强，并且可通过调整沟槽内部导电油墨高度去调节成品导电膜导电层厚度。
进一步地，所述步骤①中，为使uv导电膜与光学材料pet等脱膜良好，可在做完uv结构后的膜片上，通过镀膜实现一层纳米级膜层增加顺滑程度，以此达到脱膜良好的要求。
进一步地，所述步骤③中，相比内嵌式导电薄膜，在pet上呈现的电路没有uv结构作支柱，因此导电层是直接与pet做接触，将其贴在其他任何需要被导电的材料上，导电层都可与之直接接触，没有其他介质间隔。
进一步地，所述步骤③中，烘烤的温度优选为110℃至125℃之间，且烘烤时间的误差范围为±1分钟，优选为30分钟最为适宜。
进一步地，所述步骤③的分模过程中，由于树脂粘度的关系，很可能导致脱模不良引发电路不完成无法导通，所以以下提供一种工艺优化方案：
1）、在制备内嵌式的导电膜过程中，实现uv结构转印后，将还未填充导电油墨且印有uv结构的薄膜正面，通过磁控溅射镀膜的方式镀上af或者其他膜层达到润滑的效果，而后在镀有膜层的uv结构中印刷导电油墨。
2）、将印刷完导电油墨的材料送入烤箱，以80℃的条件烘烤10分钟达到预烧结状态，而后采取步骤③的方式，将膜片里的导电油墨转印至pet裸材上后，以120℃的温度烘烤30分钟即可。
进一步地，所述步骤1）中，对于镀上af或者其他膜层的操作还可以为蒸镀的方式。
（三）有益效果
本发明提供了一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，具备以下有益效果：
1、本发明由于是完全复制内嵌式导电薄膜的电路，所以在pet裸材上形成的电路可以达到和内嵌式导电薄膜同样的导电效果，但与之不同的是导电层不基于uv结构制作，可与其他需被导电材料直接接触，因此达到了电阻小，导电性能强的优点，并且导电层直接基于光学材料之上没有其他介质干预。
2、本发明由于采用将导电材料通过微纳印刷方式直接填充入uv结构凹槽内部，再用uv转印方式通过其静电及uv胶水的粘度，将沟槽内部的导电材料转移至透明基材表面形成透明导电薄膜，此类型导电薄膜可与外界需导电物质直接接触所以导电性极强，且可通过调整沟槽内部导电油墨高度去调节成品导电膜导电层厚度，为使uv导电膜与光学材料pet脱膜的良好性，可在做完uv结构后的膜片上，通过镀膜实现一层纳米级膜层增加顺滑程度达到脱膜良好的要求。
3、本发明通过利用变色玻璃的制备工艺，需要在镀有氧化钨的膜片上用高性能导电材料做贴合，使其导电后至氧化钨活跃变性达到从透明玻璃变色的效果，而在使用本薄膜后可使变色效率提高70%以上，因此提高了变色玻璃的整体性能。
附图说明
图1为常规金属导电膜与本发明金属导电膜的结构对比示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供了一种技术方案：一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
①、基材的制备
将导电材料通过微纳印刷方式直接填充入uv结构凹槽内部，再用uv转印方式通过其静电及uv胶水的粘度，将沟槽内部的导电材料转移至透明基材表面形成透明导电薄膜。
此类型导电薄膜可与外界需导电物质直接接触所以导电性极强，并且可通过调整沟槽内部导电油墨高度去调节成品导电膜导电层厚度，为使uv导电膜与光学材料pet等脱膜良好，可在做完uv结构后的膜片上，通过镀膜实现一层纳米级膜层增加顺滑程度，以此达到脱膜良好的要求。
②、涂覆uv树脂
制备完成完一张内嵌式透明导电薄膜后，准备一张pet光学裸材料或其他光学基材，在其或者内嵌式导电薄膜上涂上uv树脂，将两张材料做一比一贴合后进行滚轮压印。
③、uv光源下进行曝光
之后在uv光源下曝光，对曝光完后的两张材料进行分模，分模后的pet裸材上面会呈现和之前内嵌式导电薄膜一比一的电路，送进烤箱烘烤以120℃的条件下烘烤30分钟，烘烤的温度优选为110℃至125℃之间，且烘烤时间的误差范围为±1分钟，优选为30分钟最为适宜，电路即可成型。
相比内嵌式导电薄膜，在pet上呈现的电路没有uv结构作支柱，因此导电层是直接与pet做接触，将其贴在其他任何需要被导电的材料上，导电层都可与之直接接触，没有其他介质间隔。
分模过程中，由于树脂粘度的关系，很可能导致脱模不良引发电路不完成无法导通，所以以下提供一种工艺优化方案：
1）、在制备内嵌式的导电膜过程中，实现uv结构转印后，将还未填充导电油墨且印有uv结构的薄膜正面，通过磁控溅射镀膜的方式镀上af或者其他膜层达到润滑的效果，而后在镀有膜层的uv结构中印刷导电油墨，对于镀上af或者其他膜层的操作还可以为蒸镀的方式。
2）、将印刷完导电油墨的材料送入烤箱，以80℃的条件烘烤10分钟达到预烧结状态，而后采取步骤③的方式，将膜片里的导电油墨转印至pet裸材上后，以120℃的温度烘烤30分钟即可。
本发明的有益效果为：本发明由于是完全复制内嵌式导电薄膜的电路，所以在pet裸材上形成的电路可以达到和内嵌式导电薄膜同样的导电效果，但与之不同的是导电层不基于uv结构制作，可与其他需被导电材料直接接触，因此达到了电阻小，导电性能强的优点，并且导电层直接基于光学材料之上没有其他介质干预。
本发明由于采用将导电材料通过微纳印刷方式直接填充入uv结构凹槽内部，再用uv转印方式通过其静电及uv胶水的粘度，将沟槽内部的导电材料转移至透明基材表面形成透明导电薄膜，此类型导电薄膜可与外界需导电物质直接接触所以导电性极强，且可通过调整沟槽内部导电油墨高度去调节成品导电膜导电层厚度，为使uv导电膜与光学材料pet脱膜的良好性，可在做完uv结构后的膜片上，通过镀膜实现一层纳米级膜层增加顺滑程度达到脱膜良好的要求。
本发明通过利用变色玻璃的制备工艺，需要在镀有氧化钨的膜片上用高性能导电材料做贴合，使其导电后至氧化钨活跃变性达到从透明玻璃变色的效果，而在使用本薄膜后可使变色效率提高70%以上，因此提高了变色玻璃的整体性能。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
①、基材的制备
将导电材料通过微纳印刷方式直接填充入uv结构凹槽内部，再用uv转印方式通过其静电及uv胶水的粘度，将沟槽内部的导电材料转移至透明基材表面形成透明导电薄膜；
②、涂覆uv树脂
制备完成完一张内嵌式透明导电薄膜后，准备一张pet光学裸材料或其他光学基材，在其或者内嵌式导电薄膜上涂上uv树脂，将两张材料做一比一贴合后进行滚轮压印；
③、uv光源下进行曝光
之后在uv光源下曝光，对曝光完后的两张材料进行分模，分模后的pet裸材上面会呈现和之前内嵌式导电薄膜一比一的电路，送进烤箱烘烤以120℃的条件下烘烤30分钟，电路即可成型。
2.根据权利要求1所述的一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤①中，此类型导电薄膜可与外界需导电物质直接接触所以导电性极强，并且可通过调整沟槽内部导电油墨高度去调节成品导电膜导电层厚度。
3.根据权利要求1所述的一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤①中，为使uv导电膜与光学材料pet等脱膜良好，可在做完uv结构后的膜片上，通过镀膜实现一层纳米级膜层增加顺滑程度，以此达到脱膜良好的要求。
4.根据权利要求1所述的一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤③中，相比内嵌式导电薄膜，在pet上呈现的电路没有uv结构作支柱，因此导电层是直接与pet做接触，将其贴在其他任何需要被导电的材料上，导电层都可与之直接接触，没有其他介质间隔。
5.根据权利要求1所述的一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤③中，烘烤的温度优选为110℃至125℃之间，且烘烤时间的误差范围为±1分钟，优选为30分钟最为适宜。
6.根据权利要求5所述的一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤③的分模过程中，由于树脂粘度的关系，很可能导致脱模不良引发电路不完成无法导通，所以以下提供一种工艺优化方案：
1）、在制备内嵌式的导电膜过程中，实现uv结构转印后，将还未填充导电油墨且印有uv结构的薄膜正面，通过磁控溅射镀膜的方式镀上af或者其他膜层达到润滑的效果，而后在镀有膜层的uv结构中印刷导电油墨；
2）、将印刷完导电油墨的材料送入烤箱，以80℃的条件烘烤10分钟达到预烧结状态，而后采取步骤③的方式，将膜片里的导电油墨转印至pet裸材上后，以120℃的温度烘烤30分钟即可。
7.根据权利要求1所述的一种外凸式的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1）中，对于镀上af或者其他膜层的操作还可以为蒸镀的方式。
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