CN110527987A - 反应腔室 - Google Patents

Abstract

一种反应腔室，包括反应石英管(22)、衬管(25)和进气弥散管(28)；其中，衬管(25)设于反应石英管(22)内，用于容纳硅片(27)，进气弥散管(28)通过设于衬管(25)端部的进气孔(251)插设于衬管(25)内，进气弥散管(28)的至少一端用于连接至气源，进气弥散管(28)的管壁上设有多个出气孔(288)。该反应腔室有利于工艺气体在衬管内均匀分布，提高衬管内部的工艺均匀性。

Description

反应腔室

技术领域

本发明涉及反应设备，特别涉及一种用于光伏领域的反应腔室。

背景技术

提高太阳能电池的转化效率对于光伏产业的发展具有重要意义。一种钝化接触的N型背结太阳能电池具有减少多晶硅层对入射光的无效吸收、提升电池短路电流的效果，并且可以实现前表面的钝化接触，大大降低了电池前表面的复合速率，提升了开路电压和短路电流，从而能够提升电池转化效率。

这种钝化接触的N型背结太阳能电池的结构为：前表面从内到外依次包括隧穿氧化层、本征多晶硅层、局部掺杂的n+多晶硅区域、钝化减反膜和n+金属电极；背表面从内到外依次包括p+掺杂区域、钝化膜和p+金属电极。这种钝化接触的N型背结太阳能电池的制备过程主要包括以下几个步骤：在N型晶体硅基体的前表面生长隧穿氧化层，并在隧穿氧化层上生长本征多晶硅层或本征非晶硅层，然后在本征多晶硅层或本征非晶硅层上选择性地局部注入磷离子。在这一过程中需要对N型晶体硅基体进行低压化学气相沉积(Low-pressureCVD，LPCVD)，在前表面隧穿氧化层上生长本征多晶硅层或本征非晶硅层。

LPCVD是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力降低到大约100Torr(1Torr＝133.332Pa)以下的一种CVD反应。以LPCVD法沉积的薄膜具备较佳的阶梯覆盖能力、很好的组份和结构控制、很高的沉积速率及输出量，因此被广泛地应用在高附加价值的半导体产业中，但目前还没有应用到光伏领域。

图1显示一种典型的应用于半导体产业中的卧式LPCVD反应腔室。其包括用于加热的炉体1、前固定冷却法兰3、反应气体进气管4、承载晶片的石英舟5、抽真空管路6、尾部密封法兰7和反应石英管8。需要沉积薄膜的晶片2设于石英舟5上，炉体1进行加热，前固定冷却法兰3带有冷却管路，反应气体进气管4设于反应腔室前端，包含单个或多个气管，用于进气。

卧式LPCVD反应腔室应用于半导体行业时，晶片间距不会小于4.76mm，炉体温区一般在1000mm以下，一次装载片200片以下。而光伏行业产能大，需要一次装载片1000片以上，背靠背密集放片，晶片间距小于4.76mm，炉体温区在1000mm以上。由于炉体温区变长，需要加长加大整个反应腔室，现有LPCVD反应腔室的炉口工艺气体进气方式会导致晶片装载区域的前后工艺均匀性较差，影响产品质量，无法满足光伏行业进行低压化学气相沉积的需求。

此外，现有LPCVD反应腔室的反应石英管的尾端采用弧形收窄结构，如图2所示，尾端以法兰方式进行密封。由于反应石英管工作于真空状态下，反应腔室内外存在一个大气压的压差，频繁抽真空将会导致反应石英管的尾端应力集中处发生断裂，缩短反应石英管的使用寿命，当加大加长反应石英管时，更加剧了这种缺陷。而且法兰式密封结构拆卸不便，容易导致反应石英管在拆装时因碰撞而发生断裂。

因此，期待开发一种适用于光伏产业的反应腔室。

发明内容

本发明的目的是提供一种适用于光伏产业的反应腔室，以满足装片量大、炉体温区长的需求。

本发明提出了一种反应腔室，包括反应石英管、衬管和进气弥散管；其中，所述衬管设于所述反应石英管内，用于容纳硅片，所述进气弥散管通过设于所述衬管端部的进气孔插设于所述衬管内，所述进气弥散管的至少一端用于连接至气源，所述进气弥散管的管壁上设有多个出气孔。

优选地，所述反应腔室还包括尾部密封组件，所述尾部密封组件包括尾部密封法兰、尾部固定法兰和尾部进气法兰；所述尾部密封法兰套设于所述反应石英管的尾端，所述尾部密封法兰的内壁设有尾部密封法兰密封槽，所述尾部密封法兰密封槽用于容纳尾部密封法兰密封圈；所述尾部固定法兰的内壁设有径向台阶面，所述台阶面上设有防撞圈，所述尾部固定法兰固定连接于所述尾部密封法兰，且所述防撞圈压设于所述反应石英管的尾端的端面上；所述尾部进气法兰固定连接于所述尾部固定法兰的轴向外侧，所述尾部进气法兰上设有允许所述进气弥散管通过的尾部进气法兰气孔。

优选地，所述尾部密封法兰的第一端面与所述尾部固定法兰的第一端面接触，所述尾部密封法兰的第二端面设有第一冷却水槽；所述尾部固定法兰的所述第一端面设有第二冷却水槽。

优选地，所述反应腔室还包括前部密封组件，所述前部密封组件包括前部密封法兰、前部固定法兰和前部进气法兰；所述前部密封法兰套设于所述反应石英管的前端，所述前部密封法兰的内壁设有前部密封法兰密封槽，所述前部密封法兰密封槽用于容纳前部密封法兰密封圈；所述前部固定法兰的内壁设有径向台阶面，所述台阶面上设有防撞圈，所述前部固定法兰固定连接于所述前部密封法兰，且所述防撞圈压设于所述反应石英管的所述前端的端面上；所述前部进气法兰固定连接于所述前部固定法兰的轴向外侧，所述前部进气法兰上设有允许所述进气弥散管通过的前部进气法兰气孔。

优选地，所述前部密封法兰的第一端面与所述前部固定法兰的第一端面接触，所述前部密封法兰的第二端面设有第一冷却水槽；所述前部固定法兰的所述第一端面设有第二冷却水槽。

优选地，所述衬管的至少一个端部具有弧形内表面。

优选地，所述衬管的管壁上设有抽真空孔和热偶孔。

优选地，所述反应腔室还包括炉体，所述炉体套设于所述反应石英管的外周，所述炉体包括环形侧壁和分别连接于所述环形侧壁两端的两个炉门。

优选地，所述反应腔室还包括弥散管进气组件，所述弥散管进气组件包括进气接头、密封堵头、炉体接头、进气端盖；所述进气接头的一端从所述进气弥散管的端部插设于所述进气弥散管内，另一端留置于所述进气弥散管外，用于连接至所述气源；所述炉体接头套设于所述进气弥散管的所述端部，所述炉体接头的一端固定连接于所述炉体的炉门，另一端的内壁设有密封槽，所述密封槽用于容纳第一密封圈；所述密封堵头套设于所述进气接头外部且位于所述炉体接头的轴向外侧，所述密封堵头的第一端面上设有密封凸起，所述密封凸起能够插入所述密封槽以压紧所述第一密封圈；所述进气端盖套设于所述密封堵头和所述炉体接头的外部，且与所述炉体接头螺纹连接，所述进气端盖的端面压设于所述密封堵头的第二端面，所述第一端面与所述第二端面相对。

优选地，所述弥散管进气组件还包括第二密封圈，所述第二密封圈设于所述进气接头的外壁与所述进气弥散管的内壁之间。

本发明的有益效果在于：

1、在反应石英管内设置容纳硅片的衬管，以保护反应石英管，通过插入衬管的进气弥散管进气有利于工艺气体在衬管内均匀分布，显著改善现有技术中工艺气体被快速抽走造成的反应石英管前部和尾部工艺差距较大的问题，提高衬管内部的工艺均匀性；

2、反应石英管为圆筒形，前部和尾部通过密封组件进行密封，避免应力集中，并实现安全进气。

本发明的装置具有其它的特性和优点，这些特性和优点从并入本文中的附图和随后的具体实施方式中将是显而易见的，或者将在并入本文中的附图和随后的具体实施方式中进行详细陈述，这些附图和具体实施方式共同用于解释本发明的特定原理。

附图说明

通过结合附图对本发明示例性实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本发明示例性实施例中，相同的附图标记通常代表相同部件。

图1显示目前应用于半导体产业中的卧式LPCVD反应腔室的结构示意图；

图2显示目前卧式LPCVD反应腔室的尾端应力状态示意图；

图3显示根据本发明示例性实施例的反应腔室的结构示意图；

图4显示根据本发明示例性实施例的反应腔室的立体图；

图5显示根据本发明示例性实施例的反应腔室的前部密封组件的剖视图；

图6显示图5中圆圈A内的局部放大图；

图7显示根据本发明示例性实施例的反应腔室的尾部密封组件的剖视图；

图8显示图7中圆圈B内的局部放大图；

图9显示根据本发明示例性实施例的反应腔室的尾端应力状态示意图；

图10显示根据本发明示例性实施例的反应腔室的进气弥散管的结构示意图；

图11显示根据本发明示例性实施例的反应腔室的另一种进气弥散管的结构示意图；

图12显示根据本发明示例性实施例的反应腔室的弥散管进气组件的剖视图；

图13a和图13b分别显示根据本发明示例性实施例的反应腔室的衬管的主视图和侧视图。

附图标记说明：

1炉体，2晶片，3前固定冷却法兰，4反应气体进气管，5石英舟，6抽真空管路，7尾部密封法兰，8反应石英管，9真空腔；

21炉体，22反应石英管，23前部密封组件，24尾部密封组件，25衬管，26石英舟，27硅片，28进气弥散管，29抽真空管路，30真空腔；

231前部密封法兰，232前部固定法兰，233前部进气法兰，234密封圈，235密封圈，236第二冷却水槽，237防撞圈，238前部密封法兰密封圈，239第一冷却水槽；

241尾部密封法兰，242尾部固定法兰，243尾部进气法兰，244密封圈，245密封圈，246第二冷却水槽，247防撞圈，248尾部密封法兰密封圈，249第一冷却水槽；

251进气孔，252热偶孔，253抽真空孔；

281进气接头，282进气端盖，283密封堵头，284炉体接头，285第二密封圈，286后炉门，287第一密封圈，288出气孔。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明。虽然附图中显示了本发明的优选实施例，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了使本发明更加透彻和完整，并且能够将本发明的范围完整地传达给本领域的技术人员。

本发明实施例提出一种反应腔室，包括反应石英管、衬管和进气弥散管；其中，衬管设于反应石英管内，用于容纳硅片，进气弥散管通过设于衬管端部的进气孔插设于衬管内，进气弥散管的至少一端用于连接至气源，进气弥散管的管壁上设有多个出气孔。

该反应腔室特别适用于光伏行业装片数量大、炉体温区长的应用要求。应用于光伏行业时，反应石英管较长，内部一直处于抽真空状态。通过在反应石英管内设置衬管，可起到保护反应石英管的作用，避免频繁清洗反应石英管。使用一段时间之后，只需拆卸衬管进行清洗即可，可大大延长反应石英管的使用寿命。此外，通过进气弥散管进气有利于工艺气体在衬管内均匀分布，显著改善现有技术中工艺气体被快速抽走造成的反应石英管前部和尾部工艺差距较大的问题，提高衬管内部的工艺均匀性。这种反应腔室可用于沉积氧化硅、多晶硅、非晶硅、掺杂多晶硅、掺杂非晶硅薄膜，最大处理能力可达1200片。

在一个示例中，反应腔室包括尾部密封组件和/或前部密封组件。

尾部密封组件包括尾部密封法兰、尾部固定法兰和尾部进气法兰；尾部密封法兰套设于反应石英管的尾端，尾部密封法兰的内壁设有尾部密封法兰密封槽，尾部密封法兰密封槽用于容纳尾部密封法兰密封圈；尾部固定法兰的内壁设有径向台阶面，台阶面上设有防撞圈，尾部固定法兰固定连接于尾部密封法兰，且防撞圈压设于反应石英管的尾端的端面上；尾部进气法兰(例如通过螺栓)固定连接于尾部固定法兰的轴向外侧，尾部进气法兰上设有允许进气弥散管通过的尾部进气法兰气孔。

尾部密封法兰的第一端面与尾部固定法兰的第一端面接触，尾部密封法兰的第二端面设有第一冷却水槽；尾部固定法兰的第一端面设有第二冷却水槽。第一冷却水槽和第二冷却水槽分别用于冷却尾部密封法兰密封圈和防撞圈。各密封圈和防撞圈均可由氟橡胶制成。

前部密封组件包括前部密封法兰、前部固定法兰和前部进气法兰；前部密封法兰套设于反应石英管的前端，前部密封法兰的内壁设有前部密封法兰密封槽，前部密封法兰密封槽用于容纳前部密封法兰密封圈；前部固定法兰的内壁设有径向台阶面，台阶面上设有防撞圈，前部固定法兰固定连接于前部密封法兰，且防撞圈压设于反应石英管的前端的端面上；前部进气法兰固定连接于前部固定法兰的轴向外侧，前部进气法兰上设有允许进气弥散管通过的前部进气法兰气孔。

前部密封法兰的第一端面与前部固定法兰的第一端面接触，前部密封法兰的第二端面设有第一冷却水槽；前部固定法兰的第一端面设有第二冷却水槽。第一冷却水槽和第二冷却水槽分别用于冷却前部密封法兰密封圈和防撞圈，各密封圈和防撞圈均可由氟橡胶制成。

通过在反应石英管的前部和尾部采用直管式密封，大大降低了装配时因碰撞导致的断裂风险。

在一个示例中，进气弥散管的直径范围为10～30mm，长度范围为100～3000mm；所述出气孔的直径范围为0.5～3mm，多个出气孔沿衬管和反应石英管的轴向等间距设置，以达到最佳进气效果。进气弥散管可以为单根，也可以为多根；可以一端进气，也可以两端进气。一般情况下，进气弥散管由石英制成。

优选地，衬管可由SIC或者石英制成。衬管的至少一个端部具有弧形内表面，这有利于减少内壁的沉积薄膜量。衬管的管壁上可设有抽真空孔和热偶孔，通过抽真空孔连接抽真空装置，便于将衬管内部抽真空，通过热偶孔插入热偶，便于测量衬管内部温度。

在一个示例中，反应腔室还包括炉体，炉体套设于反应石英管的外周，炉体包括环形侧壁和分别连接于环形侧壁两端的两个炉门。炉体用于对反应石英管进行加热，以达到所需的反应温度。

在一个示例中，反应腔室还包括弥散管进气组件，弥散管进气组件包括进气接头、密封堵头、炉体接头、进气端盖；进气接头的一端从进气弥散管的端部插设于进气弥散管内，另一端留置于进气弥散管外，用于连接至所述气源；炉体接头套设于进气弥散管的所述端部，炉体接头的一端固定连接于炉体的炉门，另一端的内壁设有密封槽，密封槽用于容纳第一密封圈；密封堵头套设于进气接头外部且位于炉体接头的轴向外侧，密封堵头的第一端面上设有密封凸起，密封凸起能够插入密封槽以压紧第一密封圈；进气端盖套设于密封堵头和炉体接头的外部，且与炉体接头螺纹连接，进气端盖的端面压设于密封堵头的第二端面，第一端面与第二端面相对。弥散管进气组件还可以包括第二密封圈，第二密封圈设于进气接头的外壁与进气弥散管的内壁之间。

密封堵头上的密封凸起可压紧第一密封圈，防止工艺气体外漏；第二密封圈可形成进气接头与进气弥散管之间的密封，防止工艺气体外漏。通过弥散管进气组件的设计可实现进气弥散管的安全进气。优选地，进气接头可由不锈钢制成，炉体接头可焊接于炉门。

在一个示例中，反应石英管为圆筒形，反应石英管的外径为一恒定常数。现有卧式LPCVD反应腔室的反应石英管具有弧形收窄的尾部，尾端为法兰结构，以实现密封，这容易造成应力集中。当反应石英管加长时，这种应力集中现象更为明显。本发明实施例采用圆筒形的反应石英管，其外径恒定不变，即反应石英管的前部和尾部均不形成法兰结构，而是特别设计前部密封组件和尾部密封组件实现反应石英管的密封，从而可最大限度地避免应力集中现象，如图9所示。

实施例

以下参考附图表示根据本发明示例性实施例的反应腔室。如图3和4所示，反应腔室包括炉体21、反应石英管22、衬管25、插设于衬管25内的进气弥散管28，进气弥散管28的一端用于连接至气源，进气弥散管的管壁上设有多个出气孔。

衬管25用于容纳石英舟26及其上的硅片27，进气弥散管28通过设于衬管25端部的进气孔插设于衬管25中。反应石英管22的前部通过前部密封组件23进行密封，尾部通过尾部密封组件24进行密封。抽真空管路29对反应石英管22内部抽真空。

如图5和6所示，前部密封组件23包括前部密封法兰231、前部固定法兰232和前部进气法兰233；前部密封法兰231套设于反应石英管22的前端，前部密封法兰231的内壁设有前部密封法兰密封槽，前部密封法兰密封槽用于容纳前部密封法兰密封圈238；前部固定法兰232的内壁设有径向台阶面，台阶面上设有防撞圈237，前部固定法兰232固定连接于前部密封法兰231，且防撞圈237压设于反应石英管22的前端的端面上；前部进气法兰233固定连接于前部固定法兰232的轴向外侧，前部进气法兰233上设有允许进气弥散管28通过的前部进气法兰气孔。前部密封法兰231的第一端面与前部固定法兰232的第一端面接触，前部密封法兰231的第一端面上设有密封圈234，前部密封法兰231的第二端面设有第一冷却水槽239；前部固定法兰232的第一端面设有第二冷却水槽236，第二端面上设有密封圈235。

如图7和8所示，尾部密封组件24包括尾部密封法兰241、尾部固定法兰242和尾部进气法兰243；尾部密封法兰241套设于反应石英管22的尾端，尾部密封法兰241的内壁设有尾部密封法兰密封槽，尾部密封法兰密封槽用于容纳尾部密封法兰密封圈248；尾部固定法兰242的内壁设有径向台阶面，台阶面上设有防撞圈247，尾部固定法兰242固定连接于尾部密封法兰241，且防撞圈247压设于反应石英管22的尾端的端面上；尾部进气法兰243(例如通过螺栓)固定连接于尾部固定法兰242的轴向外侧，尾部进气法兰243上设有允许进气弥散管28通过的尾部进气法兰气孔。尾部密封法兰241的第一端面与尾部固定法兰242的第一端面接触，尾部密封法兰241的第一端面设有密封圈244，尾部密封法兰241的第二端面设有第一冷却水槽249；尾部固定法兰242的第一端面设有第二冷却水槽246。尾部进气法兰243与尾部固定法兰的接触面上设有密封圈245。

如图12所示，弥散管进气组件包括进气接头281、密封堵头283、炉体接头284、进气端盖282；进气接头281的一端从进气弥散管28的端部插设于进气弥散管28内，另一端留置于进气弥散管28外，用于连接至气源；炉体接头284套设于进气弥散管28的端部，炉体接头284的一端固定连接于炉体21的后炉门286，另一端的内壁设有密封槽，密封槽用于容纳第一密封圈；密封堵头283套设于进气接头281外部且位于炉体接头284的轴向外侧，密封堵头283的第一端面上设有密封凸起，密封凸起能够插入密封槽以压紧第一密封圈287；进气端盖282套设于密封堵头283和炉体接头284的外部，且与炉体接头284螺纹连接(其中进气端盖282的内壁设有内螺纹，炉体接头284的外壁设有与内螺纹相配合的外螺纹)，进气端盖282的端面压设于密封堵头283的第二端面，第一端面与第二端面相对。弥散管进气组件还包括第二密封圈285，第二密封圈设于进气接头281的外壁与进气弥散管281的内壁之间。

如图13a和13b所示，衬管25的管壁上可设有抽真空孔253和热偶孔252。

在本实施例中，进气弥散管可一端进气，如图10所示，也可以两端进气，如图11所示，这并不影响本发明的实施。

以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。

Claims (10)

1.一种反应腔室，其特征在于，包括反应石英管(22)、衬管(25)和进气弥散管(28)；其中，所述衬管(25)设于所述反应石英管(22)内，用于容纳硅片(27)，所述进气弥散管(28)通过设于所述衬管(25)端部的进气孔(251)插设于所述衬管(25)内，所述进气弥散管(28)的至少一端用于连接至气源，所述进气弥散管(28)的管壁上设有多个出气孔(288)。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括尾部密封组件(24)，所述尾部密封组件包括尾部密封法兰(241)、尾部固定法兰(242)和尾部进气法兰(243)；

所述尾部密封法兰(241)套设于所述反应石英管(22)的尾端，所述尾部密封法兰(241)的内壁设有尾部密封法兰密封槽，所述尾部密封法兰密封槽用于容纳尾部密封法兰密封圈；

所述尾部固定法兰(242)的内壁设有径向台阶面，所述台阶面上设有防撞圈(247)，所述尾部固定法兰(242)固定连接于所述尾部密封法兰(241)，且所述防撞圈(247)压设于所述反应石英管(22)的尾端的端面上；

所述尾部进气法兰(243)固定连接于所述尾部固定法兰(242)的轴向外侧，所述尾部进气法兰(243)上设有允许所述进气弥散管(28)通过的尾部进气法兰气孔。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述尾部密封法兰(241)的第一端面与所述尾部固定法兰(242)的第一端面接触，所述尾部密封法兰(241)的第二端面设有第一冷却水槽；所述尾部固定法兰的所述第一端面设有第二冷却水槽。

4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括前部密封组件(23)，所述前部密封组件包括前部密封法兰(231)、前部固定法兰(232)和前部进气法兰(233)；

所述前部密封法兰(231)套设于所述反应石英管(22)的前端，所述前部密封法兰(231)的内壁设有前部密封法兰密封槽，所述前部密封法兰密封槽用于容纳前部密封法兰密封圈；

所述前部固定法兰(232)的内壁设有径向台阶面，所述台阶面上设有防撞圈(237)，所述前部固定法兰(232)固定连接于所述前部密封法兰(231)，且所述防撞圈(237)压设于所述反应石英管(22)的所述前端的端面上；

所述前部进气法兰(233)固定连接于所述前部固定法兰(232)的轴向外侧，所述前部进气法兰(233)上设有允许所述进气弥散管(28)通过的前部进气法兰气孔。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述前部密封法兰(231)的第一端面与所述前部固定法兰(232)的第一端面接触，所述前部密封法兰(231)的第二端面设有第一冷却水槽；所述前部固定法兰(232)的所述第一端面设有第二冷却水槽。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述衬管(25)的至少一个端部具有弧形内表面。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述衬管(25)的管壁上设有抽真空孔(253)和热偶孔(252)。

8.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括炉体(21)，所述炉体(21)套设于所述反应石英管(22)的外周，所述炉体(21)包括环形侧壁和分别连接于所述环形侧壁两端的两个炉门。

9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，还包括弥散管进气组件，所述弥散管进气组件包括进气接头(281)、密封堵头(283)、炉体接头(284)、进气端盖(282)；

所述进气接头(281)的一端从所述进气弥散管(28)的端部插设于所述进气弥散管(28)内，另一端留置于所述进气弥散管(28)外，用于连接至所述气源；

所述炉体接头(284)套设于所述进气弥散管(28)的所述端部，所述炉体接头(284)的一端固定连接于所述炉体的炉门，另一端的内壁设有密封槽，所述密封槽用于容纳第一密封圈(287)；

所述密封堵头(283)套设于所述进气接头(281)外部且位于所述炉体接头(284)的轴向外侧，所述密封堵头(283)的第一端面上设有密封凸起，所述密封凸起能够插入所述密封槽以压紧所述第一密封圈(287)；

所述进气端盖套(282)设于所述密封堵头(283)和所述炉体接头(284)的外部，且与所述炉体接头(284)螺纹连接，所述进气端盖(282)的端面压设于所述密封堵头(283)的第二端面，所述第一端面与所述第二端面相对。

10.根据权利要求9所述的反应腔室，其特征在于，所述弥散管进气组件还包括第二密封圈(285)，所述第二密封圈(285)设于所述进气接头(281)的外壁与所述进气弥散管(28)的内壁之间。