CN110492890B - 一种电流型射频发射前端电路、信号处理方法及发射系统 - Google Patents
一种电流型射频发射前端电路、信号处理方法及发射系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110492890B CN110492890B CN201910667680.5A CN201910667680A CN110492890B CN 110492890 B CN110492890 B CN 110492890B CN 201910667680 A CN201910667680 A CN 201910667680A CN 110492890 B CN110492890 B CN 110492890B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- current
- circuit
- amplifier
- output
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/1441—Balanced arrangements with transistors using field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B2001/0491—Circuits with frequency synthesizers, frequency converters or modulators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种电流型射频发射前端电路、信号处理方法及发射系统,前端电路包括为提供参考电流的电流源模块、根据参考电流将输入的基带电压信号转换成电流镜偏置电压信号的差分型电压‑电流转换器模块和将电流镜偏置电压信号转换成放大的电流信号并将放大后的电流信号调制成输出的射频电压信号的功率混频器模块。差分型电压‑电流转换器模块包括若干个差分型电压‑电流转换器单元,每个差分型电压‑电流转换器单元包括均与参考电流连接的输入支路电流电路和输出支路电流电路。该前端电路的输入阻抗高,采用共源共栅电流镜结构抑制了电流信号传输过程中谐波的产生,从而提高电路的线性。该发明广泛应用于集成电路领域。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种电流型射频发射前端电路、信号处理方法及发射系统。
背景技术
无线通信的标准和频段日益增多,频谱变得更加拥挤,工作在相近频带的通信设备发生互相干扰的可能性越来越高,并且由于日常应用对数据传输速率的要求提高,新的通信技术都采用了更大的带宽以及更复杂的调制技术,这都导致了对发射机电路的线性要求越来越高。发射机电路的非线性不仅会导致信号的压缩和失真,影响信号的解调,而且还会导致交调效应,产生多种复杂的频率成分,这些信号分量会落在邻道或其它频带内,影响到其它通信设备的工作。
传统的发射机架构根据射频前端结构的不同可以分为两种,分别是电压型发射机和电流型发射机。电压型发射机的射频前端电路由无源混频器和预驱动放大器组成,无源混频器将信号上变频,然后传输到预驱动放大器进行放大;而电流型发射机的射频前端电路由电压-电流转换器和有源混频器组成,电压-电流转换器将前级输入的电压信号转换为电流信号,然后以镜像电流的形式传输到有源混频器,有源混频器将信号同时上变频和放大。电流型发射机具有更高的电源电压和功耗要求,但是也具有更高的线性性能。
传统的电流型射频发射前端电路一般采用电流输入型电压-电流转换器,输入阻抗为几百欧姆的量级,这会降低前级的增益并且要求前级有一定的电流输出能力,因此会恶化前级电路的功耗和带宽。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例的目的是提供一种电流型射频发射前端电路、信号处理方法及发射系统。该前端电路的输入阻抗高,采用共源共栅电流镜结构抑制了电流信号传输过程中谐波的产生,从而提高电路的线性。
第一方面,本发明实施例提供了一种电流型射频发射前端电路,包括:
电流源模块,用于为差分型电压-电流转换器模块提供若干个参考电流;
差分型电压-电流转换器模块,用于根据所述若干个参考电流将输入的若干个基带电压信号转换成若干个电流镜偏置电压信号输出;
功率混频器模块,用于将若干个所述电流镜偏置电压信号转换成若干个放大的电流信号并将放大后的若干个电流信号调制成输出的射频电压信号;
所述差分型电压-电流转换器模块包括若干个差分型电压-电流转换器单元,所述差分型电压-电流转换器单元包括输入支路电流电路和输出支路电流电路,所述输入支路电流电路和所述输出支路电流电路均连接同一参考电流输入端,所述基带电压信号连接所述输入支路电流电路的输入端,所述输出支路电流电路的输出端输出电流镜偏置电压信号且连接所述功率混频器模块的输入端,所述功率混频器模块的输出端输出射频电压信号;
所述若干个参考电流、若干个基带电压信号及若干个电流镜偏置电压信号的数量相等,且一个输入的基带电压信号及一个参考电流对应一个输出的电流镜偏置电压信号。
优选地,所述输出支路电流电路包括共源共栅子电路、稳定子电路及第三放大器,所述共源共栅子电路与所述稳定子电路并联后连接在所述第三放大器的正向输入端和输出端之间,所述第三放大器的反向输入端连接共模电压,所述参考电流连接所述第三放大器的正向输入端,所述第三放大器的输出端输出电流镜偏置电压信号。
优选地,所述共源共栅子电路包括第一NMOS管及第二NMOS管,所述稳定子电路包括第一电阻和第一电容,所述第一NMOS管的源极接地且漏极连接第二NMOS管的源极,所述第二NMOS管的漏极连接所述参考电流且栅极连接栅极电压,所述第一电阻及第一电容串联后连接在所述第二NMOS管的漏极及第一NMOS管的栅极之间,所述第二NMOS管的漏极连接所述第三放大器的正向输入端,所述第一NMOS管的栅极连接所述第三放大器的输出端。
优选地,所述输出支路电流电路还包括低通滤波器子电路。
优选地,所述低通滤波器子电路包括第二电阻和第二电容,所述第二电阻的一端串联连接所述第二电容的一端,所述第二电阻的另一端连接所述第三放大器的输出端,所述第二电容的另一端接地,所述第二电阻及所述第二电容的连接点作为输出端输出电流镜偏置电压信号。
优选地,所述输入支路电流电路包括第二放大器、第六PMOS管及参考电阻,所述第六PMOS管的源极连接所述参考电流且漏极连接参考电阻的一端,所述参考电阻的另一端接地,第二放大器的正向输入端连接所述基带电压信号且反向输入端连接所述第六PMOS管的漏极,所述第二放大器的输出端连接所述第六PMOS管的栅极。
优选地,所述电流源模块包括第一放大器、基准电流源及若干个PMOS管,所述第一放大器的反向输入端连接共模电压且正向输入端连接所述基准电流源的第一端,所述基准电流源的第二端接地,第一PMOS管的漏极连接所述基准电流源的第一端,所述第一PMOS管的栅极连接所述第一放大器的输出端,所述第一PMOS管的源极连接偏置电压,第二PMOS管至第若干个PMOS管的栅极均连接所述第一放大器的输出端且源极均连接所述偏置电压,所述第二PMOS管至第若干个PMOS管的漏极分别为若干个参考电流的输出端。
优选地,所述若干个参考电流、所述若干个基带电压信号及所述若干个电流镜偏置电压信号的数量均为四个。
第二方面,本发明实施例提供了一种所述的电流型射频发射前端电路的信号处理方法,包括以下步骤:
通过所述电流源模块获取参考电流;
通过所述差分型电压-电流转换器模块,并根据基带电压信号及所述参考电流,获取电流镜偏置电压信号;
通过所述功率混频器模块将所述电流镜偏置电压信号转换成放大的电流信号并调制,获取输出的射频电压信号。
第三方面,本发明实施例提供了一种发射系统,包括所述的电流型射频发射前端电路。
实施本发明包括以下有益效果:差分型电压-电流转换器单元包括均与参考电流连接的输入支路电流电路和输出支路电流电路,输入支路电流电路和输出支路电流电路分开并通过参考电流建立联系,使差分型电压-电流转换器单元相当于前级电路具有极高的负载阻抗,因此,对前级电路的线性、功耗和带宽等性能的影响几乎为零;同时输出支路电流电路包括共源共栅子电路且与功率混频器模块实现类似共源共栅电流镜的结构,进一步抑制电流信号传输过程中产生的谐波,提高了系统的线性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种电流型射频发射前端电路的结构框图;
图2是本发明实施例提供的一种高精度电流源模块的电路原理图;
图3是本发明实施例提供的一种差分型电压-电流转换器模块的结构框图;
图4是本发明实施例提供的一种差分型电压-电流转换器单元的电路原理图;
图5是本发明实施例提供的一种功率混频器模块的电路原理图;
图6是本发明实施例提供的一种电流型射频发射前端电路的信号处理方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的详细说明。对于以下实施例中的步骤编号,其仅为了便于阐述说明而设置,对步骤之间的顺序不做任何限定,实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。
本发明实施例提供了一种电流型射频发射前端电路,包括:
电流源模块,用于为差分型电压-电流转换器模块提供若干个参考电流;
差分型电压-电流转换器模块,用于根据所述若干个参考电流将输入的若干个基带电压信号转换成若干个电流镜偏置电压信号输出;
功率混频器模块,用于将所述若干个电流镜偏置电压信号转换成若干个放大的电流信号并将放大后的若干个电流信号调制成输出的射频电压信号;
所述差分型电压-电流转换器模块包括若干个差分型电压-电流转换器单元,所述差分型电压-电流转换器单元包括输入支路电流电路和输出支路电流电路,所述输入支路电流电路和所述输出支路电流电路均连接同一参考电流输入端,所述基带电压信号连接所述输入支路电流电路的输入端,所述输出支路电流电路的输出端输出电流镜偏置电压信号且连接所述功率混频器模块的输入端,所述功率混频器模块的输出端输出射频电压信号;
所述若干个参考电流、若干个基带电压信号及若干个电流镜偏置电压信号的数量相等,且一个输入的基带电压信号及一个参考电流对应一个输出的电流镜偏置电压信号。
优选地,所述输出支路电流电路包括共源共栅子电路、稳定子电路及第三放大器,所述共源共栅子电路与所述稳定子电路并联后连接在所述第三放大器的正向输入端和输出端之间,所述第三放大器的反向输入端连接共模电压,所述参考电流连接所述第三放大器的正向输入端,所述第三放大器的输出端输出电流镜偏置电压信号。
优选地,所述共源共栅子电路包括第一NMOS管及第二NMOS管,所述稳定子电路包括第一电阻和第一电容,所述第一NMOS管的源极接地且漏极连接第二NMOS管的源极,所述第二NMOS管的漏极连接所述参考电流且栅极连接栅极电压,所述第一电阻及第一电容串联后连接在所述第二NMOS管的漏极及第一NMOS管的栅极之间,所述第二NMOS管的漏极连接所述第三放大器的正向输入端,所述第一NMOS管的栅极连接所述第三放大器的输出端。
优选地,所述输出支路电流电路还包括低通滤波器子电路。
优选地,所述低通滤波器子电路包括第二电阻和第二电容,所述第二电阻的一端串联连接所述第二电容的一端,所述第二电阻的另一端连接所述第三放大器的输出端,所述第二电容的另一端接地,所述第二电阻及所述第二电容的连接点作为输出端输出电流镜偏置电压信号。
优选地,所述输入支路电流电路包括第二放大器、第六PMOS管及参考电阻,所述第六PMOS管的源极连接所述参考电流且漏极连接参考电阻的一端,所述参考电阻的另一端接地,第二放大器的正向输入端连接所述基带电压信号且反向输入端连接所述第六PMOS管的漏极,所述第二放大器的输出端连接所述第六PMOS管的栅极。
优选地,所述电流源模块包括第一放大器、基准电流源及若干个PMOS管,所述第一放大器的反向输入端连接共模电压且正向输入端连接所述基准电流源的第一端,所述基准电流源的第二端接地,第一PMOS管的漏极连接所述基准电流源的第一端,所述第一PMOS管的栅极连接所述第一放大器的输出端,所述第一PMOS管的源极连接偏置电压,第二PMOS管至第若干个PMOS管的栅极均连接所述第一放大器的输出端且源极均连接所述偏置电压,所述第二PMOS管至第若干个PMOS管的漏极分别为若干个参考电流的输出端。
优选地,所述若干个参考电流、所述若干个基带电压信号及所述若干个电流镜偏置电压信号的数量均为四个。
本发明实施例还提供了一种如所述的电流型射频发射前端电路的信号处理方法,包括以下步骤:
通过所述电流源模块获取参考电流;
通过所述差分型电压-电流转换器模块,并根据基带电压信号及所述参考电流,获取电流镜偏置电压信号;
通过所述功率混频器模块将所述电流镜偏置电压信号转换成放大的电流信号并调制,获取输出的射频电压信号。
本发明实施例还提供了一种发射系统,包括所述的电流型射频发射前端电路。
实施本发明包括以下有益效果:差分型电压-电流转换器单元包括均与参考电流连接的输入支路电流电路和输出支路电流电路,输入支路电流电路和输出支路电流电路分开并通过参考电流建立联系,使差分型电压-电流转换器单元相当于前级电路具有极高的负载阻抗,因此,对前级电路的线性、功耗和带宽等性能的影响几乎为零;同时输出支路电流电路与功率混频器模块实现类似共源共栅电流镜的结构,进一步抑制电流信号传输过程中产生的谐波,提高了系统的线性。
如图1所示,电流型射频发射前端电路由高精度电流源模块、差分型电压-电流转换器模块及功率混频器模块组成,高精度电流源模块为差分型电压-电流转换器模块提供精确的参考电流Iref,差分型电压-电流转换器模块的输入为参考电流Iref和基带电压信号Vbb,差分型电压-电流转换器模块的输出为电流镜偏置电压信号Vbias,电流镜偏置电压信号Vbias在功率混频器模块中转换成比例放大的电流信号后,再由本振信号LO调制成输出的射频电压信号Vout。在电流型射频发射前端电路中,信号以电流的形式传输,因此需要稳定的电流源来确保系统的性能。其中,高精度电流源模块为差分型电压-电流转换器模块提供精确的参考电流Iref,保证电流型射频前端电路的增益、线性以及功耗达到稳定。基带电压信号Vbb在电流型射频发射前端电路中以电流的形式经过放大和上变频,能最大程度地抑制谐波的产生,保证了系统的高线性。
通常,无线通信系统中都会采用将信号以I、Q两路传输组合的方法来抑制镜像信号,每路信号又包含正相和反相信号,因此需要四个差分型电压-电流转换器单元及四个参考电流。
如图2所示,高精度电流源模块包括第一放大器OP1、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5及基准电流源Is。所述第一放大器OP1的反向输入端连接共模电压Vcm且正向输入端连接所述基准电流源Is的第一端,所述基准电流源Is的第二端接地,第一PMOS管PM1的漏极连接所述基准电流源Is的第一端,所述第一PMOS管PM1的栅极连接所述第一放大器OP1的输出端,所述第一PMOS管PM1的源极连接偏置电压VDD,第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4及第五PMOS管PM5的栅极均连接所述第一放大器OP1的输出端且源极均连接所述偏置电压VDD,所述第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4及第五PMOS管PM5的漏极分别为第一参考电流Iref_I+、第二参考电流Iref_I-、第三参考电流Iref_Q+及第四参考电流Iref_Q-的输出端。第一放大器OP1使节点A、B1、B2、B3、B4的直流电位相同,都等于共模电压Vcm,可以使PM1、PM2、PM3、PM4、PM5的漏源电压相等,实现类似共源共栅电流镜的结构,从而保证输出参考电流Iref_I+、Iref_I-、Iref_Q+、Iref_Q-为基准电流Is的精准复制,为差分型电压-电流转换器提供高精度的参考电流信号。
如图3所示,差分型电压-电流转换器模块包括四个差分型电压-电流转换器单元,且四个差分型电压-电流转换器单元是相互独立的。差分型电压-电流转换器1的输入为Vbb_I+及Iref_I+,输出为Vbias_I+;差分型电压-电流转换器2的输入为Vbb_I-及Iref_I-,输出为Vbias_I-;差分型电压-电流转换器3的输入为Vbb_Q+及Iref_Q+,输出为Vbias_Q+;差分型电压-电流转换器4的输入为Vbb_Q-及Iref_Q-,输出为Vbias_Q-。
如图4所示,差分型电压-电流转换器单元包括第二放大器OP2、第三放大器OP3、第六PMOS管PM6、第一NMOS管NM1’、第二NMOS管NM2’、参考电阻Rs、第一电阻R1、第一电容C1、第二电阻R2及第一电容C2。第六PMOS管PM6的源极连接参考电流Iref输入端且漏极连接参考电阻Rs的一端,所述参考电阻Rs的另一端接地,第二放大器OP2的正向输入端为基带电压信号Vbb的输入端且反向输入端连接所述第六PMOS管PM6的漏极,所述第二放大器OP2的输出端连接所述第六PMOS管PM6的栅极,第一NMOS管NM1’的源极接地且漏极连接第二NMOS管的源极,所述第二NMOS管NM2’的漏极连接所述参考电流Iref输入端且栅极连接栅极电压,第三放大器OP3的正向输入端连接参考电流Iref输入端且反向输入端为共模电压Vcm,第一电阻R1及第一电容C1串联后连接在所述第三放大器OP3的正向输入端及输出端之间,所述第三放大器OP3的输出端连接所述第一NMOS管NM1’的栅极作为电流镜偏置电压信号Vbias输出端。第二NMOS管NM2’的栅极连接栅极电压Vblo。参考电流Iref进入差分型电压-电流转换器单元后分为输入支路电流Iin和输出支路电流Iout两路差分电流。由第二放大器OP2、第六PMOS管PM6和参考电阻Rs组成的两级运放的负参考作用,输入支路电流Iin=Vbb/Rs,输出支路电流Iout=Iref-Vbb/Rs,当基带电压输入信号Vbb增大或减小时,输出支路电流Iout也相应地减小或增大,起电压-电流的转换作用。由于第三放大器OP3的作用,节点B的电压保持在共模电压Vcm不变,输出支路电流Iout的变化全部通过NM1’的跨导转换为镜像电流镜偏置电压信号Vbias的变化,信号以镜像电流的形式传输到功率混频器。其中,R1和C1为密勒电阻和密勒电容,用于确保环路的稳定性。电阻R2和C2组成低通滤波器,用于抑制基带电压输入信号Vbb带宽以外的噪声。
如图5所示,功率混频器模块采用传统的电路原理图,输入的信号包括镜像电流Vbias_I+、Vbias_I+、Vbias_Q+及Vbias_Q+,输入信号还包括本振信号LO_I+、LO_I-、LO_Q+及LO_Q-,输出信号为射频电压信号Vout。具体电路由NMOS管NM1、NM2、NM3、NM4、NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10、NM11、NM12、NM13、NM14、NM15及NM16连接组成,Vbcas为NM7、NM8、NM15及NM16的栅极提供偏置电压,具体连接关系见图5。其中,NM1、NM2、NM3、NM4、NM5、NM6、NM7、NM8组成I路功率混频器,NM9、NM10、NM11、NM12、NM13、NM14、NM15、NM16组成Q路功率混频器。图5中NM1、NM2、NM9及NM10的宽长比为图4中NM1’的宽长比的若干整数倍,NM1、NM2、NM9及NM10在电流镜偏置电压信号Vbias的作用下将前级的镜像电流信号成比例地放大,然后电流信号经过由本振信号LO驱动的电流开关管NM3、NM4、NM5、NM6、NM11、NM12、NM13及NM14后被调制成射频信号,再流经厚氧化层晶体管NM7、NM8、NM15及NM16输入到BALUN中,其中厚氧化层晶体管NM7、NM8、NM15、NM16的作用是防止NM3、NM4、NM5、NM6、NM11、NM12、NM13及NM14被击穿。I、Q两路电流信号在BALUN中组合并转换成单端信号输出。
实施本发明包括以下有益效果:差分型电压-电流转换器单元电路的等效输入阻抗为第二放大器OP2的输入寄生电容,这个寄生电容极小,对于前级来说是一个极高的负载阻抗,对前级电路的线性、功耗和带宽等性能的影响几乎为零;差分型电压-电流转换器单元电路将输入支路和输出支路分开,将参考电流输入端点通过第三放大器OP3偏置在一个较高的共模电位Vcm,使参考电流输入端点与功率混频器模块中的节点D1、D2、D3及D4的直流电平几乎相同,同时在差分型电压-电流转换器单元电路中NM1’上方加入NM2’,使差分型电压-电流转换器单元中NM1’和功率混频器模块中NM1、NM2、NM9、NM10的漏极和源极电压相同,实现类似共源共栅电流镜的结构,进一步抑制电流信号传输过程中产生的谐波,提高了系统的线性。
如图6所示,本发明实施例还提供了一种电流型射频发射前端电路的信号处理方法,包括以下步骤:
S1、通过所述电流源模块获取参考电流;
S2、通过所述差分型电压-电流转换器模块,并根据基带电压信号及参考电流,获取电流镜偏置电压信号;
S3、通过所述功率混频器模块将所述电流镜偏置电压信号转换成放大的电流信号并调制,获取输出的射频电压信号。
本发明实施例还提供了一种发射系统,包括所述的电流型射频发射前端电路。
所述电流型射频发射前端电路的信号处理方法及发射系统,实现如所述电流型射频发射前端电路相同的效果。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明,但本发明创造并不限于所述实施例,熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换,这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种电流型射频发射前端电路,其特征在于,包括:
电流源模块,用于为差分型电压-电流转换器模块提供若干个参考电流;
差分型电压-电流转换器模块,用于根据所述若干个参考电流将输入的若干个基带电压信号转换成若干个电流镜偏置电压信号输出;
功率混频器模块,用于将所述若干个电流镜偏置电压信号转换成若干个放大的电流信号并将放大后的若干个电流信号调制成输出的射频电压信号;
所述差分型电压-电流转换器模块包括若干个差分型电压-电流转换器单元,所述差分型电压-电流转换器单元包括输入支路电流电路和输出支路电流电路,所述输入支路电流电路和所述输出支路电流电路均连接同一参考电流输入端,所述基带电压信号连接所述输入支路电流电路的输入端,所述输出支路电流电路的输出端输出电流镜偏置电压信号且连接所述功率混频器模块的输入端,所述功率混频器模块的输出端输出射频电压信号;
所述若干个参考电流、若干个基带电压信号及若干个电流镜偏置电压信号的数量相等,且一个输入的基带电压信号及一个参考电流对应一个输出的电流镜偏置电压信号。
2.根据权利要求1所述的电流型射频发射前端电路,其特征在于,所述输出支路电流电路包括共源共栅子电路、稳定子电路及第三放大器,所述共源共栅子电路与所述稳定子电路并联后连接在所述第三放大器的正向输入端和输出端之间,所述第三放大器的反向输入端连接共模电压,所述参考电流连接所述第三放大器的正向输入端,所述第三放大器的输出端输出电流镜偏置电压信号。
3.根据权利要求2所述的电流型射频发射前端电路,其特征在于,所述共源共栅子电路包括第一NMOS管及第二NMOS管,所述稳定子电路包括第一电阻和第一电容,所述第一NMOS管的源极接地且漏极连接第二NMOS管的源极,所述第二NMOS管的漏极连接所述参考电流且栅极连接栅极电压,所述第一电阻及第一电容串联后连接在所述第二NMOS管的漏极及第一NMOS管的栅极之间,所述第二NMOS管的漏极连接所述第三放大器的正向输入端,所述第一NMOS管的栅极连接所述第三放大器的输出端。
4.根据权利要求3所述的电流型射频发射前端电路,其特征在于,所述输出支路电流电路还包括低通滤波器子电路。
5.根据权利要求4所述的电流型射频发射前端电路,其特征在于,所述低通滤波器子电路包括第二电阻和第二电容,所述第二电阻的一端串联连接所述第二电容的一端,所述第二电阻的另一端连接所述第三放大器的输出端,所述第二电容的另一端接地,所述第二电阻及所述第二电容的连接点作为输出端输出电流镜偏置电压信号。
6.根据权利要求1所述的电流型射频发射前端电路,其特征在于,所述输入支路电流电路包括第二放大器、第六PMOS管及参考电阻,所述第六PMOS管的源极连接所述参考电流且漏极连接参考电阻的一端,所述参考电阻的另一端接地,第二放大器的正向输入端连接所述基带电压信号且反向输入端连接所述第六PMOS管的漏极,所述第二放大器的输出端连接所述第六PMOS管的栅极。
7.根据权利要求1所述的电流型射频发射前端电路,其特征在于,所述电流源模块包括第一放大器、基准电流源及若干个PMOS管,所述第一放大器的反向输入端连接共模电压且正向输入端连接所述基准电流源的第一端,所述基准电流源的第二端接地,第一PMOS管的漏极连接所述基准电流源的第一端,所述第一PMOS管的栅极连接所述第一放大器的输出端,所述第一PMOS管的源极连接偏置电压,第二PMOS管至第若干个PMOS管的栅极均连接所述第一放大器的输出端且源极均连接所述偏置电压,所述第二PMOS管至第若干个PMOS管的漏极分别为若干个参考电流的输出端。
8.根据权利要求1-7任一项所述的电流型射频发射前端电路,其特征在于,所述若干个参考电流、所述若干个基带电压信号及所述若干个电流镜偏置电压信号的数量均为四个。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的电流型射频发射前端电路的信号处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
通过所述电流源模块获取参考电流;
通过所述差分型电压-电流转换器模块,并根据基带电压信号及所述参考电流,获取电流镜偏置电压信号;
通过所述功率混频器模块将所述电流镜偏置电压信号转换成放大的电流信号并调制,获取输出的射频电压信号。
10.一种发射系统,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的电流型射频发射前端电路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910667680.5A CN110492890B (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 一种电流型射频发射前端电路、信号处理方法及发射系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910667680.5A CN110492890B (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 一种电流型射频发射前端电路、信号处理方法及发射系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110492890A CN110492890A (zh) | 2019-11-22 |
CN110492890B true CN110492890B (zh) | 2020-10-16 |
Family
ID=68548036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910667680.5A Active CN110492890B (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 一种电流型射频发射前端电路、信号处理方法及发射系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110492890B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112118004B (zh) * | 2020-11-19 | 2021-04-09 | 四川科道芯国智能技术股份有限公司 | Swp接口电路和终端 |
US11552607B2 (en) * | 2021-01-05 | 2023-01-10 | Newracom, Inc. | Linear class-AB voltage to current converter |
CN113672026B (zh) * | 2021-08-17 | 2022-11-29 | 晟合微电子(肇庆)有限公司 | Mipi的偏置电路、mipi模块及显示设备 |
CN113922831A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-01-11 | 上海力通通信有限公司 | 宽带射频信号调制电路、设备和射频发射机 |
CN113783578B (zh) * | 2021-11-11 | 2022-02-18 | 江西影创信息产业有限公司 | 一种复杂电磁环境下mr眼镜的通讯模组 |
CN115189702B (zh) * | 2022-05-07 | 2024-05-03 | 联芸科技(杭州)股份有限公司 | 以太网发射器的驱动器及以太网发射器 |
CN116470910B (zh) * | 2023-06-16 | 2024-01-23 | 深圳前海深蕾半导体有限公司 | 一种电流模音频数模转换器 |
CN116915185B (zh) * | 2023-09-12 | 2023-11-28 | 南京米乐为微电子科技有限公司 | 一种频率变换电路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7274915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2007-09-25 | Broadcom Corporation | Low-noise transmitter system and method |
US7853233B2 (en) * | 2004-09-16 | 2010-12-14 | Qualcomm Incorporated | Zero if down converter with even order harmonic suppression |
TWI326965B (en) * | 2007-01-30 | 2010-07-01 | Mstar Semiconductor Inc | Mixer |
US8447246B2 (en) * | 2011-08-11 | 2013-05-21 | Fujitsu Semiconductor Limited | System and method for a multi-band transmitter |
CN105871389B (zh) * | 2016-04-07 | 2018-06-22 | 杭州中科微电子有限公司 | 一种电流型发射机结构 |
-
2019
- 2019-07-23 CN CN201910667680.5A patent/CN110492890B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110492890A (zh) | 2019-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110492890B (zh) | 一种电流型射频发射前端电路、信号处理方法及发射系统 | |
CN107645300B (zh) | 一种电流复用低功耗射频接收机 | |
JP4991785B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US9503022B2 (en) | Balanced up-conversion mixer | |
US8441313B2 (en) | Current-mode analog baseband apparatus | |
CN109546981B (zh) | 差分输入电路及放大电路、显示装置 | |
US6750715B2 (en) | Logarithmic IF amplifier with dynamic large signal bias circuit | |
US8217719B2 (en) | Variable gain RF amplifier | |
US7696822B2 (en) | Amplifying circuit and associated linearity improving method | |
US9793942B1 (en) | Systems and methods for a switchless radio front end | |
CN110768645B (zh) | 一种反双曲正切预失真电路、跨导器及gm-c低通滤波器 | |
US8264281B1 (en) | Low-noise amplifier with tuned input and output impedances | |
CN111294012B (zh) | 电容器电路及电容倍增式滤波器 | |
US9641127B1 (en) | Operational transconductance amplifier of improved linearity | |
US9716499B2 (en) | Current amplifier and transmitter using the same | |
CN112825003B (zh) | 放大装置以及电压电流转换装置 | |
CN114077272B (zh) | 一种射频功率整流器电路 | |
US11165365B1 (en) | RF power rectifier circuit | |
CN218499143U (zh) | 一种反相电路、调制电路、调制器、发射装置及通信系统 | |
CN101295963B (zh) | 上变频混频器 | |
CN115833755A (zh) | 一种信号解调电路及数字隔离电路 | |
CN108649906B (zh) | 一种二阶跨阻放大器 | |
US20230107329A1 (en) | Mixer with filtering function and method for linearization of mixer | |
CN115276575A (zh) | 一种运算放大器 | |
Zhao et al. | A 55 μ W 2.4 GHz wake-up receiver with offset-based peak detection achieving− 90dBm sensitivity for IoT applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |