CN110445098B

CN110445098B - 一种过温保护电路

Info

Publication number: CN110445098B
Application number: CN201910763889.1A
Authority: CN
Inventors: 郑毅成
Original assignee: Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp Ltd
Current assignee: Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp Ltd
Priority date: 2019-08-19
Filing date: 2019-08-19
Publication date: 2021-11-30
Anticipated expiration: 2039-08-19
Also published as: CN110445098A

Abstract

本申请实施例公开了一种过温保护电路，所述过温保护电路至少包括：第一MOS管、温度控制单元和外部供电电路；其中：所述第一MOS管，用于控制所述过温保护电路中的开关电源的开关；所述温度控制单元，用于检测待检测电路的温度，当检测到的温度大于等于预设温度阈值时，导通所述第一MOS管，以使所述待检测电路中的电流从所述第一MOS管流向所述外部供电电路；所述外部供电电路，用于当接收到的所述电流大于等于预设电流阈值时，关断向所述待检测电路的输出。

Description

一种过温保护电路

技术领域

本申请涉及温度保护技术领域，涉及但不限于一种过温保护电路。

背景技术

在相关技术中，在手机和移动电源上，在输入电源和开关电源的充电电路集成芯片(charger)的通路上外加一颗金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor，MOS管)连接电源和接地，在检测到充电通路高温事件时，打开外加的MOS管，在充电通路上产生一个短时间大电流，触发为开关电源供电的外部适配器的过流保护，令其关断输出，从而避免通路上的设备经受较长时间的短路电流而发热烧毁；但是这样由于外加MOS管，需要增加物料成本，同时也增大了电路面积，挤占电子产品宝贵的空间。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决相关技术中存在的至少一个问题而提供一种过温保护电路。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供了一种过温保护电路，包括：

所述过温保护电路至少包括：第一MOS管、温度控制单元和外部供电电路；其中：

所述第一MOS管，用于控制所述过温保护电路中的开关电源的开关；

所述温度控制单元，用于检测待检测电路的温度，当检测到的温度大于等于预设温度阈值时，导通所述第一MOS管，以使所述待检测电路中的电流从所述第一MOS管流向所述外部供电电路；

所述外部供电电路，用于当接收到的所述电流大于等于预设电流阈值时，关断向所述待检测电路的输出。

在上述电路中，所述温度控制单元，包括：

温度采样电路，用于将检测到的所述待检测电路的温度反馈给保护控制电路；

保护控制电路，用于当接收到的所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，导通所述第一MOS管，以使所述待检测电路中的电流从所述第一MOS管流出；

所述温度采样电路，一端与所述保护控制电路相连，另一端与待检测电路相连。

在上述电路中，所述外部供电电路，还用于当接收到的所述电流小于预设电流阈值时，为所述待检测电路供电。

在上述电路中，所述过温保护电路，还包括：电压变换电路和第二MOS管，其中：

所述电压变换电路，用于当所述待检测电路的温度小于预设温度阈值时，通过所述第二MOS管为调整所述过温保护电路的供电端的电压；

所述保护控制电路，一端与所述温度采样电路相连，另一端与所述电压变换电路相连。

在上述电路中，所述保护控制电路和所述温度采样电路集成于所述电压变换电路内部或外置于所述电压变换电路外部。

在上述电路中，所述电压变换电路至少包括：第一高端驱动引脚和第一低端驱动引脚，其中：

所述第一高端驱动引脚与所述第二MOS管相连；

所述第一低端驱动引脚与所述第一MOS管相连。

在上述电路中，所述电压变换电路，还包括：

控制引脚，与所述保护控制电路相连；

所述保护控制电路，还用于当接收到的所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，向所述控制引脚发送断开指令，并输出高电平，以使所述第一MOS管导通；

所述控制引脚，用于响应于所述断开指令，关闭所述电压变换电路，以使所述第一高端驱动引脚输出低电平，断开所述第二MOS管。

在上述电路中，所述过温保护电路，还包括：第三MOS管和第四MOS管；对应地，所述电压变换电路，还包括：第二高端驱动引脚和第二低端引脚，其中，

所述第二高端驱动引脚与所述第三MOS管相连；

所述第二低端驱动引脚与所述第四MOS管相连。

在上述电路中，所述第三MOS管和所述第四MOS管，用于当所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，处于导通状态，并向外部供电电路传输从所述待检测电路中的电流。

在上述电路中，所述保护控制电路，还用于当接收到的所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，向所述控制引脚发送断开指令，并输出高电平，导通所述第三MOS管和所述第四MOS管，以使所述待检测电路中的电流从所述第三MOS管和所述第四MOS管流出。

本申请实施例提供一种过温保护电路，其中，所述述过温保护电路至少包括：第一MOS管、温度控制单元和外部供电电路；其中：所述第一MOS管，用于控制所述过温保护电路中的开关电源的开关；所述温度控制单元，用于检测待检测电路的温度，当检测到的温度大于等于预设温度阈值时，导通所述第一MOS管，以使所述待检测电路中的电流从所述第一MOS管流向所述外部供电电路；所述外部供电电路，用于当接收到的所述电流大于等于预设电流阈值时，关断向所述待检测电路的输出；如此，当待检测电路的温度大于预设温度阈值时，通过复用控制开关电源的第一MOS管，作为向外部供电电路传输待检测电路中的电流的MOS管，从而，及时关断外部供电电路向待检测电路的输出，降低待检测电路长时间发热烧毁的危险，而且复用了开关电源的第一MOS，节省了电路的设计成本和设计空间。

附图说明

图1A为本申请实施例过温保护电路的组成结构示意图；

图1B为本申请实施例过温度控制单元的组成结构示意图；

图2A为本申请实施例过温保护电路的组成结构示意图；

图2B为本申请实施例过温保护电路的又一组成结构示意图；

图2C为本申请实施例过温保护电路的另一组成结构示意图；

图3A为本申请实施例过温保护电路的组成结构示意图；

图3B为本申请实施例过温保护电路的再一组成结构示意图；

图3C为本申请实施例过温保护电路的另一组成结构示意图；

图3D为本申请实施例过温保护电路的又一组成结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

本申请实施例提供一种过温保护电路，应用于手机、平板电脑、移动电源等电子设备所使用的集成了开关MOS的开关电源芯片中；图1A为本申请实施例过温保护电路的组成结构示意图，如图1A所示，所述电路至少包括：

第一MOS管101，用于控制所述过温保护电路中的开关电源的开关。

这里，第一MOS管可以认为是开关电源的开关MOS管。

温度控制单元102，用于检测待检测电路104的温度，当检测到的温度大于等于预设温度阈值时，导通所述第一MOS管，以使所述待检测电路中的电流从所述第一MOS管流向所述外部供电电路；

这里，如图1B所示，温度控制单元102包括：温度采样电路121，用于将检测到的所述待检测电路的温度反馈给保护控制电路。温度采样电路121一端与保护控制电路122相连，另一端与待检测电路相连(比如，与待检测电路中最容易发热的端口相连接)。该温度采样电路121中设置有温度传感器，通过温度传感器监控待检测电路的温度，并及时传递给保护控制电路122。

保护控制电路122，用于当接收到的所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，导通所述第一MOS管，以使所述待检测电路中的电流从所述第一MOS管流出。

这里，保护控制电路122对于接收到的待检测电路104的温度进行判断，当温度超过预设温度阈值时，导通第一MOS管101，以使所述待检测电路中的电流从所述第一MOS管流向外部供电电路103。

外部供电电路103，用于当接收到的所述电流大于等于预设电流阈值时，关断向所述待检测电路的输出。

这里，外部供电电路103首先判断接收到的电流是否过大，如果电流过大，触发断路保护，及时关断向待检测电路的输出。

在一些实施例中，外部供电电路102，还用于当接收到的所述电流小于预设电流阈值时，为所述待检测电路供电。

这里，当接收到的所述电流小于预设电流阈值时，即不需要进行过温保护的情况下，外部供电电路103用于为待检测电路供电。在一个具体例子中，待检测电路可以是为手机充电的充电端口，外部供电电路103可以是外部供电电源或者充电宝等，为该充电端口提供电源；当充电端口的温度大于预设温度阈值时，通过第一MOS管101，将充电端口的电流传输到外部供电电路103，外部供电电路103触发断路保护，及时关断为充电端口的供电。

在本申请实施例中，当待检测电路的温度大于预设温度阈值时，通过复用控制开关电源的第一MOS管，向外部供电电路传输待检测电路中的电流，以使外部供电电路及时关断向待检测电路的输出，降低待检测电路长时间发热烧毁的危险，而且复用了开关电源的第一MOS，节省了电路的设计成本和设计空间。

在一些实施例中，所述过温保护电路，还包括：电压变换电路201和第二MOS管202，如图2A所示，结合图1A，进行以下说明：

电压变换电路201，用于当所述待检测电路的温度小于预设温度阈值时，通过所述第二MOS管202为调整所述过温保护电路的供电端的电压。

这里，在待检测电路不需要进行过温保护时，电压变换电路201通过第二MOS管202升高或者降低所述过温保护电路的供电端的电压。

所述保护控制电路122，一端与所述温度采样电路相连，另一端与所述电压变换电路相连。

所述保护控制电路122和所述温度采样电路121集成所述电压变换电路201内部或外置于所述电压变换电路201外部。

这里，如图3B所示，保护控制电路122和所述温度采样电路121集成所述电压变换电路201内部，与如图3A所示，将保护控制电路122和所述温度采样电路121外置于所述电压变换电路201外部，实现的功能相同。

在本申请实施例中，通过将保护控制电路和所述温度采样电路集成于所述电压变换电路内部，能够降低成本，节省空间，并提高模块可靠性。

在一些实施例中，如果电压变换电路为升压式变换电路(Boost Converter)，如图2B所示，图2B为本申请实施例过温保护电路的又一组成结构示意图，结合图2A，所述电压变换电路231至少包括：第一高端驱动引脚232、第一低端驱动引脚233和控制引脚234，其中：

第一高端驱动引脚232(high drive，HD)与所述第二MOS管202相连。

这里，第二MOS管202一端与第一高端驱动引脚232相连，另一端与过温保护电路的供电端相连。

第一低端驱动引脚233(low drive，LD)与所述第一MOS管101相连。

控制引脚234，与所述保护控制电路122相连；

这里，控制引脚可以片选信号引脚(Select Enable，CE引脚)。

所述保护控制电路122，还用于当接收到的所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，向所述控制引脚234发送断开指令，并输出高电平，以使所述第一MOS管101导通。

所述控制引脚234，用于响应于所述断开指令，关闭所述电压变换电路231，以使所述第一高端驱动引脚232输出低电平，断开所述第二MOS管202。

这里，当接收到的所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，保护控制电路122向所述控制引脚234发送断开指令，控制引脚234关闭所述电压变换电路231，从第一高端驱动引脚输出低电平，这样使得第二MOS管的栅极电压和源极电压的差值非常小甚至为0，以断开第二MOS管；与此同时，保护控制电路122输出高电平，这样，使得第一MOS管的栅极电压和源极电压的差值满足一定阈值，以导通第一MOS管，使得待检测电路中的电流从第一MOS管流出。

在本申请实施例中，针对电压变换电路为Boost型开关电源的情况，通过复用开关电源的开关的第一MOS管以实现通路过热保护，无需外加MOS管，节省物料成本和空间，提高可靠性。

在一些实施例中，如果电压变换电路为升降压式变换电路(Buck-BoostConverter，如图2C所示，图2C为本申请实施例过温保护电路的另一组成结构示意图，结合图2A，进行以下说明：所述过温保护电路，还包括：第三MOS管241和第四MOS管242；对应地，所述电压变换电路201，还包括：第二高端驱动引脚243和第二低端引脚244，其中，

所述第二高端驱动引脚243与所述第三MOS管241相连；

所述第二低端驱动引脚244与所述第四MOS管242相连。

这里，如果电压变换电路为升降压式变换电路，那么需要四个驱动引脚分别和四个MOS管相连。

第三MOS管241和第四MOS管242，用于当所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，处于导通状态，并向外部供电电路传输从所述待检测电路中的电流。

这里，第三MOS管241和第四MOS管242，与，第一MOS管和第二MOS管，之间通过电感器件相连，形成H型结构。

所述保护控制电路122，还用于当接收到的所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，向所述控制引脚234发送断开指令，并输出高电平，导通第三MOS管241和第四MOS管242，以使所述待检测电路中的电流从所述第三MOS管241和第四MOS管242流出。

这里，当接收到的所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，保护控制电路122向所述控制引脚234发送断开指令，控制引脚234关闭所述电压变换电路231，从第一高端驱动引脚输出低电平，这样使得第二MOS管的栅极电压和源极电压的差值非常小甚至为0，以断开第二MOS管；与此同时，保护控制电路122输出高电平，这样，使得第三MOS管和第四MOS管的栅极电压和源极电压的差值满足一定阈值，以导通第三MOS管和第四MOS管，使得待检测电路中的电流从第三MOS管和第四MOS管流出。

在一些实施例中，通过在保护控制电路和温度采样电路之间添加电荷泵升压电路，以提高第三MOS管的栅极电压，使得第三MOS管先导通，接着导通第四MOS管，这样，导通后的第三MOS管241和第四MOS管242将待检测电路中的电流传输给外部供电电路，以使外部供电电路自动关闭对待检测电路的输出，避免待检测电路长时间发热烧坏。

本申请一示例性实施例提供一种过温保护电路，图3A为本申请实施例过温保护电路的组成结构示意图，以电压变换电路为升压式变换电路为例，进行以下说明：

升压式变换电路31，用于电源先给电感储能，然后，将储了能的电感，当作电源与原来的电源串联，从而提高输出电压。如此周期性的重复。

其中，Boost的高驱动引脚301和低驱动引脚302分别与MOS管32和MOS管33连接，分别用于输出PWM或PFM信号，驱动MOS管32和MOS管33的开关，在系统供电(Vsys)303和电池(Vbat)304端升压供电。

充电通路34，用于为电子设备进行充电。

这里，由于充电电路34为电子设备进行充电，所以充电电路34可能出现温度过高的情况。

温度采样电路35包含温度传感器，一端与充电电路34相连，另一端与保护控制电路36相连，用于通过温度传感器检测充电电路34的温度是否过高。

这里，温度采样电路35检测到温度信息正常，此时，保护控制电路36未工作，HD和LD输出PWM或PFM信号，驱动MOS管32和MOS管33开关，在Vsys303和Vbat304端升压供电。

保护控制电路36，一端与温度采样电路35连接，另一端通过二极管37与Boost 31中的LD 302相连接，保护控制电路36的控制端口305与boost 31中的引脚CE 306连接，用于当温度采样电路35检测到充电通路34温度过高时。保护控制电路会通过引脚CE 306关闭Boost 31，这样HD 301输出低电平，关断MOS管32，保护控制电路36输出高电平，打开MOS管33，以使充电电路中的短路电流按照如图3B所示的箭头39的流向流出，即短路电流经过电感38和MOS管32流出。这样，外部供电电源检测到此短路过流后，会触发短路保护，关断输出，从而避免充电通路长时间发热烧毁，如此，复用了开关电源的开关MOS管33以实现通路过热保护，节省了一颗MOS的成本，而且在电路板上节省了一颗MOS所占用的空间，常见的在手机上的此类MOS为3*3毫米或2*2毫米，空间节省效果明显，通过集成于开关电源芯片内部，进一步降低成本，节省空间，并提高模块可靠性。

在一些实施例中，为进一步降低应用成本，减小电路面积，降低模块失效率，将温度采样电路和保护控制电路集成于Boost内，如图3B所示，将温度采样电路35和保护控制电路36集成于Boost 31内，这样，触发保护电路时HD输出低电平，关断MOS管32，以使保护控制电路输出高电平，打开MOS管33，触发保护，从而充电电路中过大的电流按照箭头39的走向流出。

在一些实施例中，以电压变换电路为升降压式变换电路，待检测电路为电子设备的充电通路为例，参见图3C，图3C为本申请实施例过温保护电路的另一组成结构示意图，进行以下说明：

升降压式变换电路331，用于多个电路实现电源相位的转换，同时既可以对电路进行升压也可以对电路进行降压。

其中，Buck-Boost 331的引脚HD 332(即第一高端驱动引脚)和第二MOS管336相连，引脚LD 333(即第一低端驱动引脚)和第一MOS管337相连，引脚HD 334(即第二高端驱动引脚)和第三MOS管338相连，引脚LD 335(即第二低端驱动引脚)和第四MOS管339相连，HD332、LD 333、HD 334和LD 335，分别用于输出PWM或PFM信号，以驱动MOS管336至339。

充电通路340，用于为电子设备进行充电。

温度采样电路341包含温度传感器，一端与充电电路340相连，另一端与保护控制电路342相连，用于通过温度传感器检测充电电路340的温度是否过高。

这里，温度采样电路341检测到温度信息正常，此时，保护功能控制电342未工作，HD 332、LD 333、HD 334和LD 335，输出PWM或PFM信号，以驱动MOS管336至339，在Vsys343和Vbat344端升压供电。

保护控制电路342，一端与温度采样电路341连接，另一端通过二极管345与Buck-Boost 331中的LD 335相连接，保护控制电路342控制端口346与Buck-Boost 331中的引脚CE 347连接，用于当温度采样电路检测到充电通路温度过高时，保护控制电路会通过引脚CE 347关闭Buck-Boost 331，这样HD332输出低电平，关断第二MOS管336，保护控制电路输出高电平，打开第三和第四MOS管338和339，以使充电电路中的短路电流按照如图3D所示的箭头348的流向流出，即短路电流从充电通路输出，后经过第三和第四MOS管338和339流出。这样，外部供电电源检测到此短路过流后，会触发短路保护，关断输出，从而避免充电通路长时间发热烧毁；如此，复用了开关电源的开关MOS管339以实现通路过热保护，节省了一颗MOS的成本，而且在电路板上节省了一颗MOS所占用的空间，常见的在手机上的此类MOS为3*3mm或2*2mm，空间节省效果明显，通过集成于开关电源芯片内部，进一步降低成本，节省空间，并提高模块可靠性。

在一些实施例中，为进一步降低应用成本，减小电路面积，降低模块失效率，将温度采样电路和保护控制电路集成于Buck-Boost 331内，如图3D所示，将温度采样电路341和保护控制电路342集成于Buck-Boost 331内，这样，触发保护电路时HD333输出低电平，关断第二MOS管336，以使保护控制电路输出高电平，打开第三和第四MOS管338和339，触发保护，从而充电电路中过大的电流按照箭头348的走向流出。

在其他实施例中，当温度采样电路检测到充电通路温度过高时，启动保护控制电路，如果需要先接通第三MOS管338再接通第四MOS管339，可以在图3C的基础上，在温度采样电路341和保护功能控制电342之间连接电荷泵升压电路，用于对第三MOS管338的栅极电压进行升压，以使第三MOS管338的栅极电压与源极电压之间差值满足一定阈值，从而接通第三MOS管308。

在本申请实施例中，复用开关电源的开关MOS以实现通路过热保护，无需外加MOS，节省物料成本和空间，提高可靠性。

这里需要指出的是：对于本申请电路实施例中未披露的技术细节，请参照本申请电路实施例的描述而理解。

应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。

上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元；既可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本申请实施例方案的目的。

另外，在本申请各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理单元中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、只读存储器(ReadOnly Memory，ROM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

或者，本申请上述集成的单元如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实施例的技术方案本质上或者说对相关技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得终端执行本申请各个实施例所述电路的全部或部分。而前述的存储介质包括：移动存储设备、ROM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本申请的实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种过温保护电路，其特征在于，所述过温保护电路至少包括：第一MOS管、温度控制单元和外部供电电路；其中：

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述温度控制单元，包括：

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述外部供电电路，还用于当接收到的所述电流小于预设电流阈值时，为所述待检测电路供电。

4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述过温保护电路，还包括：电压变换电路和第二MOS管，其中：

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述保护控制电路和所述温度采样电路集成于所述电压变换电路内部或外置于所述电压变换电路外部。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述电压变换电路至少包括：第一高端驱动引脚和第一低端驱动引脚，其中：

所述第一高端驱动引脚与所述第二MOS管相连；

所述第一低端驱动引脚与所述第一MOS管相连。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述电压变换电路，还包括：

控制引脚，与所述保护控制电路相连；

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述过温保护电路，还包括：第三MOS管和第四MOS管；对应地，所述电压变换电路，还包括：第二高端驱动引脚和第二低端驱动引脚，其中，

所述第二高端驱动引脚与所述第三MOS管相连；

所述第二低端驱动引脚与所述第四MOS管相连。

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述第三MOS管和所述第四MOS管，用于当所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，处于导通状态，并向外部供电电路传输从所述待检测电路中的电流。

10.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述保护控制电路，还用于当接收到的所述待检测电路的温度大于预设温度阈值时，向所述控制引脚发送断开指令，并输出高电平，导通所述第三MOS管和所述第四MOS管，以使所述待检测电路中的电流从所述第三MOS管和所述第四MOS管流出。